「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for manufacturing the semiconductor device, a cool-down step is performed for the plasma etching device whenever the working process is performed for a specified number of sheets of wafer.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、所定枚数のウエハに加工処理を施す毎に、上記プラズマエッチング装置にクールダウンステップを行なうものである。 - 特許庁

By such a method, the Schottky barrier transistor can be manufactured without passing a selective wet etching process which removes a non-reacted metal after the silicide reaction.例文帳に追加

このような方法によれば、シリサイド反応後に未反応金属を除去する選択的ウェットエッチング工程を経ずにショットキー障壁トランジスタが製造できる。 - 特許庁

To provide an etching agent which can prevent the dimensional accuracy of a wiring pattern from being lowered when an electroless-plated layer of copper is removed in a semi-additive process.例文帳に追加

セミアディティブ法において無電解銅めっき層を除去する際に、配線パターンの寸法精度の低下を防止できるエッチング剤を提供する。 - 特許庁

To solve such a problem that a conventional etching process for patterning a thin film with fluid causes defects originating from foreign matters precipitated by a treatment fluid which is projected to the back side.例文帳に追加

薄膜パターンを流体によるエッチング処理工程では、裏面に照射した処理流体により異物が析出し、不良の原因となる。 - 特許庁

The metal film is made of a material which is easily etched by a dry etching and is made of a material which is soluble in an acid-based mixture solution in a salicide process.例文帳に追加

当該メタル膜は、ドライエッチングで容易にエッチングされる材料から成り、且つ、サリサイドプロセス中の酸系の混合溶液に可溶な材料から成る。 - 特許庁

Thus, a field-plated device can be realized without the need of a material which is less-damaged during a dry/wet etching process.例文帳に追加

このため、乾式または湿式のエッチングプロセスで受けるダメージの少ない材料を用いることなく、フィールドプレートされたデバイスを、実現することができる。 - 特許庁

To get rid of undesired protruding edge regions which are due to the chamfered geometry of the substrates, an additional etching process is carried out before detachment occurs.例文帳に追加

基板の面取り形状に起因する望ましくない突出エッジ領域を除去するために分離が生じる前に更なるエッチングプロセスを行なう。 - 特許庁

To provide an air-gap type FBAR and a manufacture method which can form air gaps through etching process, while reducing damages to a resonator.例文帳に追加

共振部のダメージを減らしながらエッチング工程を通じてエアギャップを形成することのできるエアギャップ型ＦＢＡＲ及びその製作方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin-film pattern which does not require an etching process and can facilitate forming a thin-film pattern with a fine evenness.例文帳に追加

エッチングプロセスが不要で、平坦性の良好な薄膜パターンを容易に形成することのできる薄膜パターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a vertical channel transistor, which can stably form a pillar serving as a vertical channel without the use of an etching process.例文帳に追加

エッチング工程を利用しなくとも、垂直チャネルとして作用するピラーを安定的に構築できる垂直チャネルトランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent sticking such as adhering of a structure to a lower substrate in a process of etching a sacrifice layer at the lower of the structure and drying the same.例文帳に追加

構造体の下部を犠牲層エッチングして乾燥させる工程において構造体が下部の基板にくっついてしまうというスティッキングを防止する。 - 特許庁

To realize a semiconductor storage having a three-dimensional structure of capacitors wherein the capacitors are separated electrically from each other without any process of processing finely their Pt lower electrodes by dry etching, etc.例文帳に追加

ドライエッチング等によってPt下部電極を微細加工する工程なしで、キャパシタ間が電気的に分離された立体構造キャパシタを実現すること。 - 特許庁

The chromium film 12 improves the adhesion between the photoresist 13 and the aluminum vapor deposition film 11, and as to undercut caused by wet etching for the aluminum vapor deposition film 11 in the process (h), it can be controlled to about 0.3 μm, thus remarkable improvement is made possible.例文帳に追加

一方、ホトレジストとアルミニウム蒸着膜の間にクロム蒸着膜を挾みホトレジストとアルミニウム蒸着膜の密着が改善できる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printed-circuit board which does not require a chemical etching process needed to remove a carrier, in order that the carrier may not be used.例文帳に追加

本発明はキャリアを使用しないため、キャリア除去に必要な化学的エッチング工程を要しない印刷回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a terminal via on a semiconductor substrate so that a metallic conductor in a test block can be prevented from being damaged in an etching process.例文帳に追加

試験区域の金属導線がエッチングの過程において破損しないよう、半導体基板上に端末バイア（terminal via) を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent generation of particles, in a process of etching a fine wiring layer provided with a TiN layer as an uppermost layer, using a hard mask such as SiO2.例文帳に追加

最上層にＴｉＮ層を有する微細配線をＳｉＯ_2のようなハードマスクを利用してエッチングする工程において、パーティクル発生を抑制する。 - 特許庁

At this time, the second insulating film 14 acts as an etching stopper, and exposure of the second insulating film 14 is detected, to finish polishing (planarization process) (Fig. 1 (c)).例文帳に追加

その際、第２絶縁膜１４がエッチングストッパとなり、第２絶縁膜１４の露出を検出して研磨（平坦化工程）終了とする（図１（ｃ））。 - 特許庁

To provide an internal panel for a printed circuit board capable of aligning a circuit wiring in the internal layer and embedded parts without an etching process.例文帳に追加

エッチングプロセスなしに、内層パネル中の回路配線および埋め込まれる部品の整列を可能にする印刷配線板用の内層パネルの提供。 - 特許庁

To obtain a process for producing electric wiring in which patterning is carried out efficiently by minimizing adverse effect of etching on a substrate.例文帳に追加

エッチング処理時に基板への悪影響を極力小さくして、効率的にパターン形成を行うことができる電気配線の製造方法を得ることにある。 - 特許庁

To prevent deterioration of a gate insulating film due to charges in the etching process of a metal wiring layer and to prevent generation of a leak current resulting therefrom.例文帳に追加

メタル配線層のエッチング工程における電荷チャージに起因するゲート絶縁膜の劣化、及び、それに起因するリーク電流の発生を防止する。 - 特許庁

A single cavity extending through the electrodes and dielectric layers and terminating at the emitter electrode is formed in a single photolithographing and etching process.例文帳に追加

該電極及び誘電体層を通って延びてエミッタ電極で終端する単一のキャビティが単一のフォトリソグラフ及びエッチングプロセスで形成される。 - 特許庁

The etching process forms a mesa and further exposes the part of not less than 1, in the aluminum-containing cladding region or the aluminum-containing light guide region.例文帳に追加

エッチング工程はメサを形成し、さらにアルミニウム含有クラッド領域またはアルミニウム含有導光領域の１以上の部分を露光させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate manufacturing method which includes a dry etching process, through which a semiconductor wafer is etched at the same rate through its surface.例文帳に追加

半導体よりなるウェハの表面をドライエッチングする工程を備える半導体基板の製造方法において、ウェハ面内のエッチングレートを均一化する。 - 特許庁

In a second etching process, a mixed gas of the sulfur hexafluoride, chlorine, and methane bifluoride is used, and at the same time, overetching is conducted by low substrate bias power.例文帳に追加

第２プラズマエッチング工程では、六フッ素化硫黄と塩素と二フッ化メタンの混合ガスを用い、かつ、低い基板バイアス電力によりオーバーエッチングを行なう。 - 特許庁

In the next process, the SOI substrate 11 is dug until the bottom layer Si layer 11a is exposed by etching with the gate electrode 16 as a mask.例文帳に追加

次に、ゲート電極１６をマスクにしたエッチングにより、ＳＯＩ基板１１を最下層のＳｉ層１１ａが露出するまで掘り下げる工程を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element which prevents a loss of a drain contact plug caused by an etching gas during a metal wiring overetching process.例文帳に追加

金属配線オーバーエッチング工程の際にエッチングガスによるドレインコンタクトプラグの損失を防止するための半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device whose characteristics are matched with an initial purpose without generating any clearance in a composite semiconductor film posterior to an etching process.例文帳に追加

エッチング工程後の複合半導体膜に空隙を生じさせず、所期の目的に沿った特性の半導体装置を製造することを可能とする。 - 特許庁

To prevent a short circuit caused by etching residues and to restrain a second polysilicon electrode from being thinned in a process of manufacturing a multilayered polysilicon electrode.例文帳に追加

本発明は、多層ポリシリコン電極を製造する工程において、エッチング残存物による短絡を防止し、かつ第２ポリシリコン電極の細りを防止する。 - 特許庁

An etching object film 102, a hard mask film 104, and first auxiliary patterns are formed on a semiconductor substrate, and silyration process is applied for the auxiliary pattern.例文帳に追加

半導体基板上にエッチング対象膜１０２、ハードマスク膜１０４及び第1の補助パターンを形成し、第1の補助パターンにシリレーション工程を行う。 - 特許庁

This plasma etching treatment is performed in a plasma reaction apparatus with a ceiling electrode 110 that lies on a process region equipped with multiple injection zones shaped as concentric circles.例文帳に追加

複数の同心円状ガス噴射区域を備えた処理領域上に横たわる天井電極１１０を有するプラズマ反応装置内で行われる。 - 特許庁

A reinforcing plate with a beam formed therein is bonded with a polyether amide before an ink supplying port is formed, and then, the ink supplying port is formed by an etching process.例文帳に追加

インク供給口を形成する前に梁が形成されている補強板をポリエーテルアミドで接着しエッチング工程によりインク供給口を形成する。 - 特許庁

When the polysilicon layer 14 is etched, a main etching process with high shape precision is terminated by detecting removal of the polysilicon layer 14 in the monitoring region 16.例文帳に追加

ポリシリコン層１４のエッチング時、形状精度の高いメインエッチ工程を、モニタ領域１６におけるポリシリコン層１４の除去検知で終了する。 - 特許庁

Process gas consisting of gas mixture including oxygen (O)-containing gas, noble gas and fluorocarbon gas (CF system gas) is used for plasma etching the organic film 102.例文帳に追加

この有機膜１０２のプラズマエッチングに、酸素（Ｏ）含有ガスと、希ガスと、フッ化炭素ガス（ＣＦ系ガス）とを含む混合ガスからなる処理ガスを用いる。 - 特許庁

After than, in order to eliminate the hard mask material and the metal material from the resistors of a constant length, a second etching process 360 is performed.例文帳に追加

その後、定められた一定長の抵抗器からハード・マスク材料および金属材料を除去するために、第２のエッチング工程３６０が行われる。 - 特許庁

To provide a method of forming a gate electrode suppressing re-attachment in the subsequent process, by removing etching residues at the bevel portion of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハのベベル部のエッチング残りを除去することで、その後の工程における再付着を抑止するゲート電極の形成方法を提供する。 - 特許庁

Enhanced process monitoring for photomask etching is achieved by the use of various optical measurement techniques for monitoring at different locations of the photomask.例文帳に追加

フォトマスクエッチングのための強化された処理監視は、フォトマスクの異なる位置で監視するための多様な光学測定技法の使用により達成される。 - 特許庁

Moreover, the inorganic insulating film under this mask layer protects organic low-permittivity insulating film from the process of resist mask removal, such as plasma etching or the like.例文帳に追加

また、このマスク層のうち下層にある無機絶縁膜が上記有機低誘電率絶縁膜をプラズマ・アッシング等のレジストマスク除去の工程から保護する。 - 特許庁

To define a feature in a multi-layer masking stack including an amorphous carbon layer using a halogen-free plasma etching process in one embodiment of the present invention.例文帳に追加

本発明の一実施形態において、ハロゲンフリーのプラズマエッチングプロセスを用いて、アモルファスカーボン層を含む多層マスキングスタックにフィーチャーを画定する。 - 特許庁

The etching treatment to process a silicon oxide film of a film thickness about 3 to 9 μm is performed while the reduction of the resist film is minimized using the photoresist as a mask.例文帳に追加

このフォトレジストをマスクとし、レジスト膜減りを最小限に抑えながら、３〜９μｍ程度の膜厚の酸化シリコン膜を加工するエッチング処理を行う。 - 特許庁

To provide a process for refining Fe-Ni alloys which can suitably produce an Fe-Ni alloy cold-rolled plate showing an excellent etching property and surface properties.例文帳に追加

エッチング性および表面性状のより優れたＦｅ−Ｎｉ合金冷延板を好適に製造し得るＦｅ−Ｎｉ合金の精錬方法を提供する。 - 特許庁

In the process for forming the DLC film, an argon etching step and a carbon sputtering step are repeated in an argon atmosphere to obtain a DLC coating.例文帳に追加

ＤＬＣの成膜工程では、アルゴン雰囲気中で、アルゴン・エッチング工程と、カーボン・スパッタリング工程とを、繰り返し行うことにより、ＤＬＣのコーティングを行う。 - 特許庁

An etching preventing layer is provided in a multilayer circuit layer by a selective method so that an impurity is outgassed during the manufacturing process.例文帳に追加

製造工程中不純物がアウトガシングされるようにエッチング阻止層を選択的な方式により多層回路層の間に選択的に提供する。 - 特許庁

In addition, the method includes the process of a second recessed part 20b is formed by laser processing on a face to be etched of the silicon substrate etched by the first wet etching.例文帳に追加

さらに、第１のウエットエッチングによってエッチングされたシリコン基板の被エッチング面に、レーザー加工によって第２の凹部２０ｂを形成する工程を有する。 - 特許庁

Moreover, since the electrode 3 can be formed not by etching but by press machining, the production process of the electrode 3 can be simplified and the low cost can be realized.例文帳に追加

しかも、エッチングではなくプレス加工により電極３を形成可能であり、電極３の製造工程を簡略化でき、低価格を実現できる。 - 特許庁

To provide a method for forming an organic supramolecule pattern with a dimension of a nanometer or less using self-assembly of organic supramolecules and ultraviolet etching process.例文帳に追加

有機超分子の自己集合及びＵＶエッチングを用いて数ナノメートル以下の有機超分子パターンを形成する方法を提供することにある。 - 特許庁