「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

To permit deep and homogeneous copper etching by removing minute scum, residues, etc. that are hard to remove on a substrate in a chemical process and reforming the surface, and manufacture a high-grade printed circuit board with few process failures.例文帳に追加

薬品工程で基板上の除去しにくい微細なスカム，残渣などを除去し表面を改質して深く均質な銅エッチングを可能にし，高品位の印刷回路基板を工程不良を少なく製造する。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor devices includes a process for forming the compound oxide film containing rare earths that contains rare-earth elements, metal elements that are not rare earths, and O at an upper portion of semiconductor substrates, and an etching process for alternately performing etching by acid without containing fluorine and etching by a solution containing fluorine for dissolving oxides of other metal elements to the compound oxide film containing rare earths a plurality of times.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に、希土類元素と、希土類でない他の金属元素と、Ｏとを含む希土類含有複合酸化物膜を形成する工程と、希土類含有複合酸化物膜に対し、フッ素を含まない酸によるエッチングと、他の金属元素の酸化物を溶解するフッ素含有溶液によるエッチングとを、交互に複数回行なうエッチング工程とを有する。 - 特許庁

In addition, the metal film forming method includes a process to form a photo resist pattern of a desired shape on the metal film divided into a plurality of areas and the resin film, and a process to form the metal film pattern of a desired shape by removing a part of the metal film divided into a plurality of areas by the chemical etching method, a plasma etching method or the ion beam etching method.例文帳に追加

さらに、上記複数の領域に分けて形成した金属膜および樹脂フィルム上に、所望形状のフォトレジストパターンを形成する工程と、化学エッチング法またはプラズマエッチング法もしくはイオンビームエッチング法により、上記複数の領域に分けて形成した金属膜の一部を除去し、所望形状の金属膜パターンを形成する工程とを含む金属膜の形成方法とする。 - 特許庁

In an electrode film removal process, a wet etching method whose required time is short is used so that a predetermined time as a whole can be made shorter than a case of carrying out both electrode film removal and the semiconductor layer removal processes by using the dry etching method.例文帳に追加

電極膜除去の工程では所要時間の短いウエットエッチング法を用いているので、電極膜除去と半導体層除去の両工程をドライエッチング法で行う方法に比べると、全体としての所要時間が短い。 - 特許庁

In this plasma treatment method wherein plasma is generated and then a high-frequency voltage is applied to an object on a wafer for etching, the wafer temperature during the etching process is changed by steps for radicals to enter to reach the bottom of the pattern on the object.例文帳に追加

プラズマを生成し、高周波電圧を印加することによりウエハ上の被処理材をエッチングするプラズマ処理方法において、エッチング中にウエハ温度を、被処理材のパターン内底部までラジカルが入射できる温度にステップ的に変化させる。 - 特許庁

In an etching process K5 by etching the semiconductor substrate from the surface opposite from the circuit-formed one, the semiconductor substrate is divided into a plurality of semiconductor elements while removing a fractured layer generated on the ground and cut surfaces and also removing the parts left untouched.例文帳に追加

エッチング工程Ｋ５では、反対側表面から半導体基板をエッチングすることによって、研削面および切削面に生じた破砕層を除去するとともに、切り残し部を除去して半導体基板を複数の半導体素子に分割する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a wafer, which solves problems that arise in manufacturing a semiconductor element, by reducing the lifting of a predetermined film or reducing the variation of an etching rate that depends on a region, in a process of etching the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子のエッチング工程時に所定の膜の浮き上がり現象または地域によるエッチングレートの変化幅を減らし、半導体素子製造工程時の問題点を予め防止することが可能なウェーハ製造方法を提供すること。 - 特許庁

With the etching process by the Ar sputter etching technology to the insulating film 19 including inside of the connecting holes 21, sidewalls 22 are formed to the internal wall of the connecting holes 21, and the upper end parts 21a of the connecting holes 21 are tapered.例文帳に追加

接続孔２１内を含み絶縁膜１９に対してＡｒスパッタエッチング技術によりエッチング処理を施して、接続孔２１の内壁にサイドウォール２２を形成するとともに、接続孔２１の上端部２１ａをテーパー形状にする。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist underlayer film to form a resist underlayer film, having a lowered reflectance, a high etching resistance, and high heat and solvent resistances, in particular, without wiggling during substrate etching, and to provide a patterning process that uses the film.例文帳に追加

反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

A method for embedding a thick-film capacitor includes a process for etching a foil electrode at the outside of the boundary of a capacitor dielectric layer in order to prevent the etching liquid from coming into contact with the capacitor dielectric layer and prevent the capacitor dielectric layer from being damaged.例文帳に追加

厚膜コンデンサを埋め込む方法は、エッチング液がコンデンサ誘電体層に接触しないように、かつコンデンサ誘電体層に損傷を与えないように、箔電極をコンデンサ誘電体の境界の外部でエッチングする工程を含む。 - 特許庁

To provide a laminate production method related to a laminated sheet for aiming an etching processing, a processing method therefor or the like and a washing, drying and etching process by setting a holder which indirectly incorporates an ultrasonic vibration, and an automatic apparatus to be used for this method.例文帳に追加

エッチング加工を目的とする積層シートに係関連するラミネート製造及び、其の加工方法等であり超音波振動を間接的に組み込んだホルダーを設け、洗浄加工及び乾燥、エッチング加工方法であり、また使用する自動装置。 - 特許庁

In an etching process for forming a diaphragm and the like, the film thickness D of the diaphragm 2 is detected by performing irradiation with a laser beam from a laser beam source 3 while varying its wavelength and performing frequency analysis of the intensity of its reflected light for measuring an etching quantity.例文帳に追加

ダイヤフラムなどを形成するためのエッチング処理で、そのエッチング量を測定する方法として、レーザ光源３から波長を変化させて照射してその反射光の強度を周波数解析してダイヤフラム２の膜厚Ｄを検出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element wherein a plurality of contact holes are formed at the same time in one etching process without causing excessive etching and yield and productivity are excellent, a method of manufacturing the same, and a display device.例文帳に追加

過剰なエッチングを生じることなく、同一のエッチング行程において、複数のコンタクトホールを同時に形成することができ、歩留まりおよび生産性に優れた半導体素子およびその製造方法並びに表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

After etching, a facet-free good etching shape can be obtained without forming a metallic oxide film in the surface of the first buried wiring 8 by using a reducing gas in an ashing process for removing the resist pattern 13.例文帳に追加

エッチング後、前記レジストパターン１３を除去するアッシング工程において、還元性ガスを用いることにより、第一埋め込み配線８の表面に金属酸化膜を形成することなく、ファセットのない良好なエッチング形状を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method of etching a silicon oxide film where gas related to global warming is restrained from being exhausted, the silicon oxide film can be etched by keeping it high in selectivity to resist, an etching process can be kept high in reproducibility.例文帳に追加

地球の温暖化に繋がるようなガスの排出を抑止することができ、またレジストに対する選択性を高く維持してエッチングすることができ、加えてプロセス再現性においても有用な特徴を持つシリコン酸化膜のエッチング法を提供する。 - 特許庁

Subsequently to the etching process, annealing in hydrogen atmosphere is carried out; successively, growth gas, etching gas, doping gas and carrier gas are supplied into the furnace; a second conductivity type semiconductor 6 is epitaxially formed inside the trench 4; and the trench 4 is buried.例文帳に追加

このエッチング工程に連続して、水素雰囲気でのアニールを行い続いて炉内に、成長ガス、エッチングガス、ドーピングガスおよびキャリアガスを供給して、トレンチ４内に第２導電型の半導体６をエピタキシャル成長させ、トレンチ４を埋める。 - 特許庁

In a process of forming a contact hole, the silicon oxide film 10 falls in a slit shape during etching on the silicon oxide film 12, so a silicon nitride film 15c is buried in the part and then the contact hole is formed by etching a silicon nitride film 11 on the silicon substrate 11.例文帳に追加

コンタクトホール形成の工程では、シリコン酸化膜１２をエッチングする際に、シリコン酸化膜１０がスリット状に落ち込むので、その部分にシリコン窒化膜１５ｃを埋め込み、その後、シリコン基板１上のシリコン窒化膜１１をエッチングして形成する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a display device having an inverted stagger type thin-film transistor in a channel etching structure, an etching process is performed using a mask layer formed of a multi-gradation mask, namely an exposure mask, where transmitted light has a plurality of intensities.例文帳に追加

チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いてエッチング工程を行う。 - 特許庁

To facilitate a process control, moreover to roughen the surface of copper or a copper alloy and to improve the adhesive strength with a prepreg or the like by composing the etching agent of an aq. soln. contg. a main agent composed of an inorganic acid and an oxidizer for copper and an assistant composed of at least one kind of azoles and at least one kind of etching inhibitor.例文帳に追加

工程管理の容易な無機酸および銅の酸化剤を主剤とするマイクロエッチング剤であって、新規な助剤を配合することにより、銅または銅合金の表面を粗化し、プリプレグ等との接着性を向上させる。 - 特許庁

To provide a composition for forming a resist lower-layer film, by which a lower-layer film can be formed, wherein the lower-layer film is excellent in etching resistance, is less likely to be bent when subjected to dry-etching process, and can transfer a resist pattern precisely with good reproducibility to a substrate to be processed.例文帳に追加

エッチング耐性に優れ、ドライエッチングプロセスにおいて折れ曲がり難く、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能な下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an etching solution capable of selectively removing SiO_2 system deposit and CF system deposit in the same process, while controlling etching of a thermal oxidation film, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using, such etchant.例文帳に追加

熱酸化膜のエッチングを抑制しつつ、ＳｉＯ_２系堆積物およびＣＦ系堆積物を同一工程で選択的に除去することができるエッチング液およびそのようなエッチング液を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which includes an etch-back process that prevents the generation of the etching residue of a tungsten film or a titanium nitride film at the time of forming a tungsten plug having a small plug loss and hence can make stable etching possible with less wiring defect.例文帳に追加

プラグロスの小さいタングステンプラグを形成する際に、タングステン膜または窒化チタン膜のエッチング残渣の発生を防止し、配線不良が少なく安定したエッチングを可能にするエッチバック工程を備えた半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To prevent a fluorine compound from depositing on a sidewall of an insulation film mask in etching the insulation film mask by a gas which includes fluorine in a process for etching a microwiring pattern with the insulation film mask pattern represented by oxide film and the like.例文帳に追加

酸化膜などに代表される絶縁膜マスクパターンによって微細配線パターンをエッチングする工程において、絶縁膜マスクをフッ素を含むガスでエッチングするとき、絶縁膜マスクの側壁等にフッ素化合物が堆積するのを防止する。 - 特許庁

To provide a method of forming an element separation film of semiconductor elements which removes an FSG film produced at etching of a first oxide film by an etching process using oxygen to prevent fluorine from diffusing, thereby avoiding the characteristics deterioration of the elements.例文帳に追加

第１酸化膜のエッチング時に生成されるＦＳＧ膜を、酸素を利用したエッチング工程により除去することによって、フッ素の拡散を防止して、素子の特性劣化を防止できる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

The iron alloy after the pre-process which is placed inside of the wet etching tank 111 is taken out and placed in a film forming chamber 330, and after the oxidized coating film is further removed by ion beam etching, a carbon film is formed on the surface by arc discharge etc.例文帳に追加

ウェットエッチング槽１１１の内部に置かれた前処理後の鉄合金は、取り出されて成膜チャンバー３３０に置かれ、イオンビームエッチングにより酸化被膜をさらに除去された後、アーク放電などにより表面に炭素膜を形成される。 - 特許庁

A process to remove projected type exposure portions 51 of a columnar semiconductor defective portion is performed prior to a laminating process after a substrate removing process, wherein the semiconductor defective portion remains on a second main surface of a layer 50 subject to device forming, without being dissolved by selective chemical etching.例文帳に追加

基板除去工程後において素子化対象層５０の第二主表面に、選択化学エッチングにより溶解されずに残留した柱状半導体欠陥部の突起状露出部分１１を除去する突起除去工程を、貼り合わせ工程に先立って実施する。 - 特許庁

The manufacturing method of a color filter comprises a protective film forming process of forming a protective film on a semiconductor substrate; a recessed part forming process of forming a recessed part by dry-etching the formed protective film; and a filter forming process of forming a color filter layer on the formed recessed part.例文帳に追加

半導体基板上に保護膜を形成する保護膜形成工程、形成された保護膜をドライエッチングにより加工して凹部を形成する凹部形成工程、及び形成された凹部にカラーフィルタ層を形成するフィルタ形成工程とを有するカラーフィルタの製造方法である。 - 特許庁

This manufacturing method includes a process of forming a dielectric film 5 including any of titanium, strontium, and barium as a constituent element on a substrate 1, a process of exposing the dielectric film 5 to the plasma of gas for etching including coloring, and a process of processing the plasma-exposed surface of the dielectric film 5 with oxidizing gas.例文帳に追加

基板１上にチタン、ストロンチウム及びバリウムのいずれかを構成元素として含む誘電体膜５を形成する工程、この誘電体膜５を塩素を含むエッチング用ガスのプラズマに曝す工程、誘電体膜５のプラズマ暴露面を酸化性ガスで処理する工程、を備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the noncontact data carrier has a process for applying printing resist to the metallic foil surface of the base material, on which the resin base material and a metallic foil are laminated, the etching process and a process for removing only the resist from the antenna connection terminals 131, 132.例文帳に追加

また、本発明の非接触データキャリアの製造方法は、樹脂基材と金属箔が積層された基材の金属箔面上に印刷レジストを塗布する工程と、エッチングする工程と、アンテナ接続端子上のレジストのみを除去する工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

In the prior art, the formation of extrusions and indentations were produced chemically. As such the process required post-process treatments and required multiple additional steps. In this process of fabrication, no post-processing is required and the use of specific gas phase etching medium produces better results. 例文帳に追加

従来は、化学的処理を施すことによって凹凸を形成していたので、後処理が必要であり、製造工程が多かったが、この製造方法によると、後処理が不要になるとともに、特定の成分からなるガス状エッチング媒体を使用しているため良好なエッチング効果が得られる。 - 特許庁

In forming aluminum electrode foil for an electrolytic capacitor, a process which roughens the aluminum foil in an etching liquid containing at least a chlorine ion to make it etched foil, a chemical cleaning process which removes a deposit from the etched foil, and an anodic oxidation process for the etched foil are carried out.例文帳に追加

電解コンデンサ用アルミニウム電極箔を製造するにあたって、少なくとも塩素イオンを含むエッチング液中でアルミニウム箔を粗面化してエッチド箔とするエッチング工程と、エッチド箔から付着物を除去するケミカル洗浄工程と、エッチド箔に対する陽極酸化工程とを行う。 - 特許庁

The photoresist polymer containing a proper amount of silicon element has largely improved etching resistance and is not only suitable for a thin resist process and a process using a bilayer resist but also can extremely increase a contract ratio between a development area and a nondevelopment area.例文帳に追加

シリコン元素を適正量含んでいる本発明のフォトレジスト重合体はエッチング耐性が大きく向上し、シンレジスト工程（thin resist process）及び二分子層レジストを用いた工程に適するだけでなく、露光地域と非露光地域の間の対照比を大きく増加させることができる。 - 特許庁

A property modification region 7 is formed along a portion corresponding to a through hole by converging a laser beam on a process target 1, an oxide film 22 is formed on each of a surface 3 and a rear surface of the process target 1, and then the process target 1 is subject to etching treatment, thereby forming the through hole.例文帳に追加

加工対象物１にレーザ光を集光させて貫通孔に対応する部分に沿って改質領域７を形成し、加工対象物１の表面３及び裏面に酸化膜２２を生成した後、加工対象物１にエッチング処理を施すことにより貫通孔を形成する。 - 特許庁

After etching a semiconductor substrate 36, Ar gas is supplied into a process chamber 6 to evacuate a reaction product 43 from the process chamber 6, and the dummy arm 25 and the dust collection plate 26 are then inserted into the process chamber 6 to collect the reaction product 43.例文帳に追加

半導体基板３６に対するエッチング処理が終了した後、プロセスチャンバー６内にＡｒガスを供給して、反応生成物４３をプロセスチャンバー６の外部に排気した後、ダミーアーム２５と集塵板２６とをプロセスチャンバー６の内部に挿入することにより反応生成物４３を集塵する。 - 特許庁

A control part 50 performs a first film thickness measuring process T20 in a time lag period T20, during which etching processing is started and performs second film thickness measuring process T21 to fifth film thickness measuring process T24 in the time lag periods T6 to T12, during which the supply of hydrofluoric acid L2 is stopped.例文帳に追加

制御部５０は、エッチング処理が開始されるタイムラグ期間Ｔ２０に第１の膜厚測定工程Ｔ２０を行い、フッ酸Ｌ２の供給が停止されるタイムラブ期間Ｔ６〜Ｔ１２に第２の膜厚測定工程Ｔ２１〜第５の膜厚測定工程Ｔ２４を行う。 - 特許庁

The photoresist polymer containing an appropriate amount of a silicon element exhibits remarkably improved etching resistance, and therefore is not only suitable for a thin resist process and a process where a bilayer resist is used but also capable of remarkably increasing a contrast ratio between an exposed area and a non-exposed area.例文帳に追加

シリコン元素を適正量含んでいる本発明のフォトレジスト重合体は、エッチング耐性が大きく向上し、シンレジスト工程（thin resist process）及び二分子層レジストを用いた工程に適するだけでなく、露光地域と非露光地域の間の対照比を大きく増加させることができる。 - 特許庁

The method is composed of a first process for plasma-etching a member to be etched 17, which is arranged in the reaction chamber 11, by using SiCl_4 or BCl_3 and a second process for introducing a plasma of gas, comprising oxygen into the reaction chamber 11, after the first process.例文帳に追加

反応室１１内に配置された被エッチング部材１７に対し、ＳｉＣｌ_４ またはＢＣｌ_３ を用いてプラズマエッチング処理する第１工程と、この第１工程の後、反応室１１内に、少なくとも酸素を含むガスのプラズマを導入する第２工程とからなっている。 - 特許庁

To provide a method of forming a multilayer conductive film, which can prevent a recessed region, which is generated in a polysilicon film, from being generated in the existing polyetchback process and can prevent a tungsten silicide film, which is formed on the polysilicon film in the succeeding etching process, from being cut in the succeeding process.例文帳に追加

既存のポリエッチバック工程でポリシリコン膜上に発生されるリセス領域の発生を防止することができ、後続工程でポリシリコン膜上に形成されるタングステンシリサイド膜が後続エッチング工程で切られることが防止できる多層導電膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device having a process of etching a compound semiconductor with an etching solution, the etching solution includes chemical materials containing group 6B atoms as constitution elements, the atomic numbers of all group 6B atoms forming the chemical materials are 16 or above (e.g. all group 6B atoms forming the chemical materials are sulfur atoms), and the compound semiconductor is etched with the above etching solution.例文帳に追加

化合物半導体を溶液を用いてエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、エッチング溶液が、６Ｂ族原子を構成要素に含む化学物質を含有し、且つ該化学物質を構成する全ての６Ｂ族原子の原子番号が１６以上（例えば、化学物質を構成する全ての６Ｂ族原子が硫黄原子）のものを用いて化合物半導体のウェットエッチングを行う。 - 特許庁

In an etching process for a sacrificial oxide film, the first region 102a and second region 102b are both etched and the first region 102a is made thinner than the second region 102b.例文帳に追加

犠牲酸化膜のエッチング工程で第１領域１０２ａと第２領域１０２ｂもエッチングされ、第１領域１０２ａは第２領域１０２ｂよりも薄くされる。 - 特許庁

In this case, it is preferable that a metal residual layer 4Aa is left in a bottom in order to suppress the occurrence of cracks due to bend of a substrate and is removed by etching process.例文帳に追加

その際、基板の反りによるクラックの発生を抑制するため、底部に金属残層４Ａａを残し、この分をエッチング加工により除去するのが好ましい。 - 特許庁

Also, when data exceeding an abnormal value or management value inputted to an abnormal value setting part 17 are calculated, the etching process is stopped, and the mass generation of manufacture abnormality is prevented.例文帳に追加

また、異常値設定部１７に入力された異常値または管理値を越えるデータが算出された際は、エッチングプロセスを停止し、製品異常の大量発生を防ぐ。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a contact capable of reducing an aspect ratio of the contact formed in a logic circuit region so as to reduce an etching process time of a contact hole.例文帳に追加

論理回路領域に形成されるコンタクトのアスペクト比を小さくでき、コンタクトホールのエッチング加工時間を短縮できるコンタクトの製造法を提供すること。 - 特許庁

To provide a more economical manufacturing process capable of coping with waste liquid treatment and the like and consumption of useless energy at the time of forming an electric conductive circuit by photochemical etching.例文帳に追加

フォトケミカルエッチングによる導電回路形成において無駄なエネルギーの消費や、廃液処理等に対処するため、より経済的な製造プロセスを提供する。 - 特許庁

To determine an exposure condition to control the variations of the dimensions in an optional direction and at an optional position corresponding to the variations in a film thickness distribution on the surface of a wafer and an etching process.例文帳に追加

ウエハ面内の膜厚分布およびエッチングプロセス変動に応じた任意の方向と位置における寸法のバラツキを制御できるように露光条件を決定する。 - 特許庁