「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of forming a low-carbon film for producing a copper damascene device to improve an etching process, by avoiding stress migration and forming a film having high mechanical strength.例文帳に追加

応力マイグレーションを回避し、機械的強度が高い膜を形成し、及びエッチング処理を改善する、銅ダマシンデバイスを作成するための低炭素膜形成方法を与える。 - 特許庁

When an etching process by a plasma discharge at S4 is terminated, gaseous chlorine is stopped being supplied, but argon gas is continued to be supplied for about 30 seconds (S5).例文帳に追加

Ｓ４のプラズマ放電によるエッチング工程が終了すると、塩素ガスの供給を停止するが、アルゴンガスについては、約３０秒間、供給継続する（Ｓ５）。 - 特許庁

In addition, a lift-off method without requiring an etching process for patterning a source electrode and a drain electrode of the pixel part, and source wiring extending in the terminal part is employed.例文帳に追加

さらには、画素部のソース電極及びドレイン電極と端子部に延在するソース配線のパターニングにエッチング工程を必要としないリフトオフ方法を採用する。 - 特許庁

Since the thickness of the photoresist is uniform over the entire substrate 10 prior to the etching process, the depths of the different trenches 12, 14, 16 and 18 become substantially equal each other.例文帳に追加

エッチング・プロセス前はフォトレジストの厚さは基板１０全体にわたって均一なので、異なるトレンチ１２、１４、１６、１８内の凹部の深さは実質的に互いに等しくなる。 - 特許庁

To recover acid at high yield together with separation of metal from metal-containing waste liquid acid generated from a metal etching process, etc., in a semiconductor producing work.例文帳に追加

半導体製造工場などにおける金属エッチング工程などから発生する金属含有酸廃液から、金属を分離するとともに酸を高い収率で回収する。 - 特許庁

This mask manufacturing method is used for manufacturing a mask having a silicon substrate with an opening pattern formed thereon and has an etching process for thinning the silicon substrate.例文帳に追加

本発明のマスク製造方法は、開口パターンが形成されたシリコン基板を有するマスクを製造する方法であって、シリコン基板を薄くするためのエッチング工程を有する。 - 特許庁

To provide an etching method which simplifies a manufacturing process, and eases damage to mesa side walls to enable the manufacturing of a semiconductor with reduced current leakages.例文帳に追加

製造工程を簡素化できると共に、メサ側壁に与えるダメージを軽減して、リーク電流が低減された半導体素子を製造できるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus in which an organic semiconductor layer can be divided by photolithographic etching process without damaging an organic semiconductor layer.例文帳に追加

この発明は、有機半導体層にダメージを与えることなく、フォトリソグラフィ・エッチング工程により有機半導体層を分割することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Simultaneously when the electrode separation groove 24 is formed, the electrode member of a part where a communication groove 27 is to be formed in a succeeding process is removed beforehand by etching.例文帳に追加

ここで、電極分離溝２４を形成するのと同時に、後続の工程で連通溝２７が形成される部分の電極部材をエッチングにより予め取り除いておく。 - 特許庁

Thereby, since the etchant composition contains no hydrogen peroxide, stability and a margin on a process can be secured, and an excellent taper etching profile can be obtained.例文帳に追加

これにより、該エッチング液組成物は、過酸化水素を含有しないので、安定性と工程上マージンとを確保することができ、優秀なテーパエッチングプロファイルを得ることができる。 - 特許庁

The method comprises a process of etching and flowing out a polymer from an area in a surface layer of a substrate precursor which contains inorganic particles embedded in a polymer matrix.例文帳に追加

該方法は、重合体マトリクスに埋め込まれた無機粒子を含有する基板前駆体の表面層の領域から重合体をエッチングして流す工程を含む。 - 特許庁

To provide a substrate transfer apparatus that prevents a substrate from hanging down to allow an etchant to flow easily on both sides of the substrate without being accumulated in an etching process.例文帳に追加

基板の垂れることを防止してエッチング工程中エッチング液が溜まることなく、基板の両側に容易に流れることができる基板移送装置を提供する。 - 特許庁

The benzocyclobutene film 4 and the inorganic material film 3 are continuously etched in a single process by dry etching to form a via hole 6 on the benzocyclobutene film 4.例文帳に追加

また、ベンゾシクロブテン膜４にビアホール６を形成する際には、ドライエッチングを用いて、ベンゾシクロブテン膜４と無機材料膜３を連続的に一工程でエッチングする。 - 特許庁

Since the dicing process can be performed only by etching, the semiconductor device manufacturing method can perform dicing without using the exclusive dicing device.例文帳に追加

このように、ダイシング工程をエッチングのみによって行えるため、ダイシング専用装置を用いることなくダイシングが行える半導体装置の製造方法とすることが可能となる。 - 特許庁

Then, etching is carried out after mask is peeled, and the thin plated layers 7 and the base layers 6 under the masks 11 are removed so that conductive patterns 2 can be divided by a dividing process.例文帳に追加

分断工程にて、マスク剥離後にエッチングを行い、マスク１１下の薄付けめっき層７及び下地層６を除去して導体パターン２同士を分断する。 - 特許庁

To provide a pressure control method which controls quickly and accurately the gas pressure in a chamber of vacuum process equipment and also to provide a dry etching device that uses the pressure control method.例文帳に追加

真空プロセス機器のチャンバの内部のガス圧力の制御を、迅速、適確に行なう圧力制御方法、及びそれを用いたドライエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an exposure mask and a method for making a mask pattern by which not only the focus margin is improved in a photolithographic process but shrinkage in a line end is suppressed, and difference in the finish dimension in an etching process is suppressed.例文帳に追加

フォトリソグラフィー工程において、フォーカスマージンを向上させるだけでなく、ライン末端部の縮みを抑制し、かつエッチング工程において仕上がり寸法差を抑制する、露光用マスクとマスクパターンの作成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a large difference in etching rates between a circumferential edge region of a wafer and an internal region of the edge region when a semiconductor wafer is etched by plasma, moreover to change the difference by process pressure, and to provide the small margin of process pressure.例文帳に追加

半導体ウエハをプラズマによりエッチングするときにウエハの周縁部領域とそれよりも内側領域との間でエッチング速度の差が大きく、しかもその差がプロセス圧力により変動し、プロセス圧力のマージンが小さい。 - 特許庁

Since the conductive film is formed on the whole surface of the substrate, the damage given to the element by the plasma process can be reduced, because the density of electric charges accumulated in a gate electrode during the course of the plasma process of anisotropic etching etc., can be reduced.例文帳に追加

導電性膜が全面に形成されていることにより、異方性エッチング等のプラズマによる処理（プラズマプロセス）においてゲート電極に蓄積される電荷密度を低減でき、プラズマプロセスによる損傷を低減できる。 - 特許庁

This is a forming method of a transparent electrode comprising a process to form a transparent conductive film having ZnO added with Mg on a substrate and a process to form patterning of the transparent conductive film using an etching liquid containing HCl.例文帳に追加

基板上にＺｎＯにＭｇが添加された透明導電膜を形成する工程と、ＨＣｌを含むエッチング液を用いて上記透明導電膜をパターンニングする工程とを含む透明電極の形成方法により解決される。 - 特許庁

To provide a method for accurately detecting the concentration of divalent iron ions in a solution in a process of etching a metal when an iron (III) chloride is a main component, in a process of processing a waste liquid containing the divalent and trivalent iron ions, or the like.例文帳に追加

塩化第二鉄を主成分として金属をエッチングする工程または二価と三価の鉄イオンを含有する廃液処理する工程等において、溶液中の二価の鉄イオン濃度を精度よく検出する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method for protecting the internal component of a semiconductor treatment device such as a plasma reactor or a reactive species generator from physical damage and/or chemical damage in an etching process and/or a cleaning process.例文帳に追加

エッチングプロセス及び／又はクリーニングプロセス中の物理的損傷及び／又は化学的損傷から、プラズマ反応器又は反応性種発生器等の半導体処理装置の内部コンポーネントを保護する装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

In short etching for processing a thin film by multiple process conditions, variation in emission incident to change of process conditions is corrected by an emission data corrector thus detecting an endpoint stably.例文帳に追加

本発明は、薄膜を複数のプロセス条件で処理する短いエッチングにおいて、プロセス条件変更に伴い発生する発光変動を発光データ補正器により補正する事により、安定して終点検出が出来ることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing etching components which do not cause rust on the surface of a metallic material from a coating application process to a drying process even when a photoresist layer is formed by applying a photoresist using casein to a ferrous metallic material.例文帳に追加

鉄系の金属材料に、カゼインを用いたフォトレジストを塗布しフォトレジスト層を形成しても、塗布工程から乾燥工程の間で金属材料の表面に錆が発生しないエッチング部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An electric discharge unit of an etching device 10 decomposes CF4 supplied in an atmospheric pressure state through electrical discharging to form a hydrofluoric acid mono-atoms, and a process gas containing the hydrofluoric acid mono-atoms is supplied to a process chamber 24 where silicon wafers 26 are placed.例文帳に追加

エッチング装置10の放電ユニットは、大気圧状態で供給されたＣＦ_４ を放電によって分解してフッ素単原子を生成し、フッ素単原子を含む処理ガスをシリコンウエハ26が配置された処理室24に供給する。 - 特許庁

To provide an inkjet recording head and an inkjet recording head manufacturing process for achieving a membrane thickness optimal to a heater protection membrane and a membrane thickness required for an anisotropic etching stopping layer in a heater board process (adaptive to monolayer wiring) of a BTJ.例文帳に追加

ＢＴＪのヒータボードプロセス（単層配線対応）で、ヒータ保護膜として最適な膜厚と、異方性エッチングストップ層として必要な膜厚を実現するためのインクジェット記録ヘッドおよびインクジェット記録ヘッド・プロセスを提案する。 - 特許庁

The semiconductor substrate manufacturing method is provided with a first process for thinning an element 1b which is the element forming area of a semiconductor substrate 1 by blast and/or etching, and a second process for further thinning the thinned element 1b by polishing.例文帳に追加

半導体基板１の素子形成領域である素子部１ｂを、ブラスト及び／又はエッチングにより薄化加工する第１の工程と、薄化された前記素子部１ｂを、さらにポリッシュにより薄化加工する第２の工程を備える。 - 特許庁

To suppress increasing of resistance between a metal wiring and a connection plug by preventing oxidizing of the metal wiring while dispensing with process control between processes as well as constraint on time between etching for forming a via hole and an ashing process.例文帳に追加

ビア孔形成のためのエッチングとアッシング工程との間の時間的制約、工程間処理制御を不要とし、かつ金属配線の酸化を防止して、金属配線と接続プラグとの間の抵抗の上昇を抑制すること。 - 特許庁

In the plasma etching, a process gas is used at least containing an unsaturated first carbon fluoride gas, a straight chain saturated second carbon fluoride gas expressed as C_mF_2m+2 (m=5, 6), and an oxygen gas, and plasma is generated from the process gas.例文帳に追加

プラズマエッチングには、少なくとも、不飽和型である第１のフッ化炭素ガスと、直鎖飽和型であってＣ_mＦ_2m+2（ｍ＝５，６）で表される第２のフッ化炭素ガスと、酸素ガスとを含む処理ガスを使用し、この処理ガスからプラズマを生成する。 - 特許庁

Afterwards, a non-reacting metal on the wafer is removed by an RCA solution, while this wet etching process has the process of ultrasonically removing the residue to be removed by applying ultrasonic waves during a prescribed time from right before the end.例文帳に追加

その後、ウェハはＲＣＡ液により未反応の金属を除去するが、このウェットエッチ工程では終了直前からの所定時間超音波が与えられ、除去すべき残留物を超音波除去する工程を有する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device having a large margin in a manufacturing process, especially a contact etching process, by forming a high-quality semiconductor device without adding any mask processes.例文帳に追加

微細化のために浅く形成されたソース、ドレインはその後の工程で絶縁膜のエッチング、メタル配線の堆積、熱アニールが行われ、ソース、ドレイン領域に上部からダメージが加えられ、ソース、ドレインが機能不具合となる課題が生じる。 - 特許庁

After a compression layer and non-compression layer are formed on a glass substrate in a polishing process step 4, the glass substrate undergoes etching treatment in an acidic solution where a hydrofluoric acid and fluoride salt are made to coexist in a texturing treatment process step 5 (first surface treatment 5a).例文帳に追加

研磨工程４でガラス基板上に圧縮層と非圧縮層を形成した後、テクスチャ処理工程５でフッ酸とフッ化物塩を共存させた酸性溶液でエッチング処理を行う（第１の表面処理５ａ）。 - 特許庁

Further, by forming the contact layer all over the window layer, the etching process can be omitted for the contact layer, and precise alignment of the surface electrode becomes unnecessary so that the manufacturing process of the solar cell can be simplified.例文帳に追加

また、さらに、コンタクト層を窓層上全面に形成することにより、コンタクト層のエッチング工程を省略できるとともに、表面電極の精密な位置あわせが不要となり、太陽電池の製造工程を簡略化することができる。 - 特許庁

To provide a photoresist release agent causing little damage to the surface of a silicon substrate and having excellent striping performance for a photoresist subjected to a dry etching process or an ion implantation process or for a residue produced after the oxygen plasma treatment of a photoresist.例文帳に追加

シリコン基板の表面へのダメージが少なく、しかもドライエッチング工程やイオン注入工程を経たフォトレジスト、フォトレジストを酸素プラズマで処理した後に生じる残渣物の剥離性能に優れたフォトレジスト剥離剤を提供する。 - 特許庁

Its method includes a process to expose a portion of the base semiconductor layer removed by etching a portion of an uppermost layer of the semiconductor layers, and a subsequent process to grow a semiconductor on the exposed portion of the base layer.例文帳に追加

その方法は、半導体層の最上部層の一部分をエッチング除去して、ベース半導体層の一部分を露出させる工程と、次いでベース層の露出させた部分上に半導体を成長させる工程とを含む。 - 特許庁

Etching rate can be stabilized by providing a process for cleaning the interior of a reaction chamber by the plasma of an inert gas, and a process for cleaning the interior of the reaction chamber by the plasma of gas containing halogen atoms.例文帳に追加

不活性ガスのプラズマにより反応室内をクリーニングする工程を有すること、または、ハロゲン原子を含むガスのプラズマにより反応室内をクリーニングする工程を有することにより、エッチング速度を安定にすることができる。 - 特許庁

The defect is introduced in the surface oxide film by allowing the aluminium foil which is useful in etching to be subjected to a bending process or a repetitive bending process suitably at the curvature of 0.5 mm-7 mm by use of bending rollers 2, 2a, and 2b.例文帳に追加

エッチングに供されるアルミニウム箔に、曲げローラ２、２ａ、２ｂなどにより好適には曲率０．５ｍｍ〜７ｍｍで曲げ加工あるいは繰り返し曲げ加工を施してその表面酸化皮膜に欠陥を導入する。 - 特許庁

Alternatively, when there is a marking M at the outer circumference of the wafer 6 and exposure shot over the entire surface cannot be made, the HDP4, which is formed thick at the upper part of marking M, is deleted with the etching process as the other process, before the CMP processing.例文帳に追加

または、ウェーハ６外周部にマーキングＭがあり、全面に露光ショットできない場合は、マーキングＭ上方に厚く形成されるＨＤＰ４をＣＭＰ処理前の別工程のエッチングで除去を行ってＨＤＰ４を削除する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the synthetic quartz glass substrate for the polysilicon TFT formed by multistage polishing consisting of a lapping process and a polishing process, the end surface of the substrate is subjected to mirror surface finishing just prior to the final polishing process of the polishing process and after subjecting the substrate to etching.例文帳に追加

ラッピング工程とポリッシュ工程からなる多段研磨により形成されるポリシリコンＴＦＴ用合成石英ガラス基板の製造方法において、前記ポリッシュ工程は複数の研磨工程からなり、該ポリッシュ工程の最終の研磨工程の直前、かつ、前記基板にエッチングを施した後に前記基板の端面に鏡面加工を施す。 - 特許庁

This method for fabricating an acoustic resonator arranged on a substrate (202) provided with a surface (204) includes a process for etching a depression part (206) on the surface (204), a process for filling the depression part (206) with sacrificial material, a process for forming an acoustic resonator provided with an etch hole (220) on the substrate and a process for subsequently removing the sacrificial material.例文帳に追加

表面（２０４）を備えた基板（２０２）上に配置された音響共振器を製造する方法は、表面（２０４）に凹部（２０６）をエッチングする工程と、凹部（２０６）を犠牲材料で充填する工程と、エッチング孔（２２０）を備えた音響共振器を基板上に形成する工程と、その後犠牲材料を除去する工程とを含む。 - 特許庁

When gas phase etching is performed in a gas phase etching process P4, since the gas etching passes through the contact layer 26 and the intermediate layer 24 having the intermediate ratio for Al to reach the window layer 22, many pincushion-like minute projections 40 with sufficient height and high aspect ratio are obtained, and the high light extraction efficiency is obtained.例文帳に追加

気相エッチング工程Ｐ４において気相エッチングが施されると、その気相エッチングはコンタクト層２６およびＡｌについて中間的な割合を有する中間層２４を通過してウインドウ層２２に到達するので、十分な高さで高アスペクト比の多数の針山状の微小突起４０が得られて、高い光取り出し効率が得られる。 - 特許庁

The first electrode can be exactly formed almost into the tapered-shape by heightening accuracy of patterning by accurately controlling an etching line width by applying a lithography process at every layer with a different etching method and an etching speed from each other, after forming the adhesion layer 12A, the metal layer 12B, and the work function adjusting layer 12C on the substrate 11, successively.例文帳に追加

基板１１に、密着層１２Ａ，金属層１２Ｂおよび仕事関数調整層１２Ｃを順に形成したのち、エッチング方法およびエッチング速度が異なる層ごとにリソグラフィ工程を設けることにより、エッチング線幅を精確に制御してパターニング精度を高め、第１電極１２を確実に略順テーパ状に形成することができる。 - 特許庁

The method of manufacturing the circuit board using the laminate of the metal layer and the polyimide film has a process for cleaning and removing, after a treatment with a chemical etching agent, an altered layer generated by the chemical etching agent and performing treatment with an acid aqueous solution when the polyimide film is subjected to an etching processing.例文帳に追加

金属層とポリイミドフィルムとの積層体を使用しての回路基板の製造方法において、ポリイミドフィルムをエッチング加工する際に、化学エッチング剤での処理後に化学エッチング剤による変性層を洗浄除去し、さらに酸性水溶液で処理するプロセスを有する回路基板の製造方法とこの方法によって得られる回路基板。 - 特許庁

After a processing objective pattern MP1 is subjected to rule-based correction so as to obtain an etching pattern EP corresponding to the processing objective pattern MP1 by referring an etching pattern EP, the rule-base corrected processing objective pattern MP3 is subjected to simulation-based correction to generate an optical proximity effect corrected mask pattern MP4 by considering the etching process.例文帳に追加

エッチングパターンＥＰを参照し、処理対象パターンＭＰ１に対応したエッチングパターンＥＰが得られるように、処理対象パターンＭＰ１をルールべースで補正した後、ルールべースで補正された処理対象パターンＭＰ３をシミュレーションベースで補正することにより、エッチングプロセスを考慮して光近接効果補正されたマスクパターンＭＰ４を生成する。 - 特許庁

This method also includes a step for etching the predetermined region of the inter-layer insulating films, and then for stopping the etching process at the etching stop films to form a damascene pattern.例文帳に追加

所定の構造が形成された半導体基板１０１の上部に誘電定数が低い物質を用いたエッチング停止膜１０２，１０４を形成し、層間絶縁膜１０３，１０５を形成する段階;及び上記層間絶縁膜の所定領域をエッチングし、上記エッチング停止膜でエッチング工程が停止するようにしてダマシンパターンを形成する段階を含む。 - 特許庁