「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor wafer etcher and an etching method which effectively removes adsorbed and left H_2O, CH_3OH or CH_3COOH and byproducts on the surface of a semiconductor wafer after etching ends, thereby preventing the contamination of a CVD apparatus to enable a high- reproducibility stable process.例文帳に追加

エッチング終了後に半導体ウエハ表面に吸着残留したH_2O、CH_3OH、若しくはCH_3COOH及び副生成物を効果的に除去しCVD装置の汚染を防止することで、再現性の高い安定したプロセスを可能にするバッチ式エッチング装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element in which adverse effects due to damage occurring during polishing or dry etching in a manufacturing process are eliminated, and a problem of difficulty in patterning by wet etching is solved, consequently reliability is improved.例文帳に追加

製造工程における研磨またはドライエッチングの際に発生したダメージによる悪影響を解消すると共に、ウェットエッチングによるパターニングが難しいという問題を解決することができ、信頼性を向上させることができる半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a fine semiconductor integrated circuit having a thin film resistor in which a wiring pattern is formed by dry etching without an additional formation process for a protective film and without needing particular conditions for etching conditions for forming a contact hole.例文帳に追加

保護膜の形成工程を追加したり、コンタクト孔を形成するためのエッチング条件を特別な条件にすることなく、ドライエッチングにより配線パターンを形成しながら、薄膜抵抗体を有する微細な半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

And the method for manufacturing the semiconductor device has a process for etching at least from one main surface side of the semiconductor substrate, and the end point of etching is set to the point when the movable part provided on the semiconductor substrate is displaced.例文帳に追加

又、発明に係る半導体装置の製造方法は、少なくとも半導体基板の一方の主面側からエッチングを行う工程を有し、前記エッチングの終点を前記半導体基板上に設けられた可動部位が変位した時点とすることを特徴とする。 - 特許庁

An etching process, in which an etching grand on a Si film is etched by bringing a SF_6 gas into the plasma state, is composed of two steps, that is, a large quantity supplying step of supplying a large quantity of SF_6 gas and a small quantity supplying step of supplying a small quantity of SF_6 gas.例文帳に追加

ＳＦ_６ガスをプラズマ化してＳｉ膜上のエッチンググランドをエッチングするエッチング工程において、これを、多量のＳＦ_６ガスを供給する多量供給工程と、少量のＳＦ_６ガスを供給する少量供給工程との二工程から構成する。 - 特許庁

Then, by removing the corners of the collector areas 32 and 33 formed by V groove type etching by silicon etching, coating of a photoresist film to be used for a process for forming high concentration embedded layers 38 and 40 is facilitated.例文帳に追加

そして、Ｖ溝型エッチングにより形成されるコレクタ領域３２、３３の角部をシリコンエッチングにより除去することで、高濃度埋め込み層３８、４０を形成する工程に用いるフォトレジストの被膜を容易にする半導体集積回路装置の製造方法。 - 特許庁

Subsequently, in an etching treatment process, when these nanotubes 46 are applied to a plasma etching treatment in the existence of oxygen, caps of the tip ends of the nanotubes 46 are removed and amorphous layers positioned between the nanotubes 46 inside the silicon removed layer 38 are removed.例文帳に追加

次いで、エッチング処理工程において、このナノチューブ４６に酸素の存在下でプラズマ・エッチング処理を施すと、ナノチューブ４６の先端のキャップが除去されると共に、珪素除去層３８内においてナノチューブ４６相互間に位置するアモルファス層が除去される。 - 特許庁

In a process of etching the wiring of a printed board using an etchant prepared by mixing a plurality of constituents for formation, temperature control and stirring are performed for a supplemental chemical solution for supplementing the etchant consumed for the etching processing or at a standby time.例文帳に追加

複数の成分を混合したエッチング液を用いてプリント基板の配線をエッチング処理して形成する工程において、エッチング処理又は待機時に消費されたエッチング液を補充するための補充薬液に対して、温度調節および攪拌を行う。 - 特許庁

The carbide coating is then polished or textured by a suitable process, such as laser etching, chemical etching or the like, to provide a surface morphology which makes the coating more hydrophilic, and further reduces a contact resistance on its surface.例文帳に追加

次いで、被覆をより親水性にし、その表面上の接触抵抗をさらに低減させる表面形態を与えるために、カーバイド被覆５０、５２は、レーザーエッチングまたは化学的エッチングなどの適切な方法によって研磨されるかまたはテクスチャード加工される。 - 特許庁

A first etching stopper film 2, a first insulating film 3, a second etching stopper film 4, a second insulating film 5 and inorganic anti-reflection film 6 are formed on a semiconductor substrate 1 sequentially from its lower layer, on which a resist layer 7 is formed and then subjected to a photolithographical process to form a hole pattern.例文帳に追加

半導体基板１上に、下層から順に第１エッチングストッパ膜２、第１絶縁膜３、第２エッチングストッパ膜４、第２絶縁膜５、無機反射防止膜６を成膜し、その上にフォトリソグラフィによりレジスト７を用いてホールパターンを形成する。 - 特許庁

To provide an etching device and its monitoring method that can minimize the loss of an extremely expensive semiconductor element by rapidly finding the film quality change in an object to be etched and the fluctuations of process parameters caused by the failure in the etching device.例文帳に追加

被エッチング対象物の膜質変化やエッチング装置の異常に起因するプロセスパラメータの変動を逸早く発見することにより、非常に高価な半導体素子の損失を最小限に止めることが可能なエッチング装置及びエッチングのモニタリング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for etching metals in order to form a fine electrode and a metallic wiring in a manufacturing process of a substrate for a semiconductor device or for a liquid crystal element, which easily keeps the etching rate in a desired range over a long period of time.例文帳に追加

半導体装置基板や液晶素子基板の製造工程等における微細な電極や金属配線を形成するための金属エッチング方法において、エッチング速度を容易且つ長期間に亘り所望の範囲とするような、エッチング方法を提供すること。 - 特許庁

While holding the constitutive stability of the photoresist which is the mask through the first etching process, the dimensions of the trench can be expanded through a second etching process, using an etchant provided with a composition which is different according to the type of the semiconductor substrate or the insulating film, after forming the trench having the first dimension.例文帳に追加

第１食刻工程を通じてマスクであるフォトレジストパターンの構造的な安定性を保持しながら、第１寸法を有するトレンチを形成した後、半導体基板または絶縁膜の種類により相異する組成を有する食刻溶液を使用する第２食刻工程を通じてトレンチの寸法を拡張させることができる。 - 特許庁

To provide an inkjet mask forming ink which need not use a conventional photolithographic process and also perform a wet etching process using a strong acid etc. and can form a high definition and etching-resistant excellent mask on various objective base materials in a simple manner, and an embossed image forming method using the ink and an embossed image obtained by the forming method.例文帳に追加

従来のフォトリソ法を用いることなく、また、強酸などを用いたウエットエッチング処理を必要とせず、簡易な方法で様々な対象基材に、高精細で、かつエッチング耐性に優れたマスキングを形成することができるサンドブラスト用インクジェットマスク形成インクと、それを用いた凹凸画像形成方法及びそれにより得られる凹凸画像を提供する。 - 特許庁

An insulating film is formed on a substrate; after forming a photoresist pattern on the insulating film, a trench, having a first dimension, is formed on the insulating film through a first etching process using the photoresist as a mask; and the insulating film, including the trench, is etched through a second etching process and an expanded trench, having a second dimension, is formed.例文帳に追加

基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上にフォトレジストパターンを形成した後、フォトレジストパターンをマスクとして利用する第１食刻工程を通じて絶縁膜に第１寸法を有するトレンチを形成し、トレンチを含む絶縁膜を第２食刻工程を通じて食刻し、第２寸法を有する拡張されたトレンチを形成する。 - 特許庁

In this plasma processing method, after the film containing the magnetic material (magnetized free layer 33) is subjected to the etching process, processing is carried out for exposing the film containing the magnetic material (magnetized free layer 33) subjected to the etching process into the plasma atmosphere of a gas mixture having a gas containing hydrogen gas or at least hydrogen atoms and also having oxygen gas or nitrogen gas.例文帳に追加

磁性体材料を含む膜（磁化自由層３３）をエッチング加工した後、水素ガスもしくは少なくとも水素原子を含むガスを有するとともに酸素ガスもしくは窒素ガスを有する混合ガスのプラズマ雰囲気中にエッチング加工した磁性体材料を含む膜（磁化自由層３３）をさらす処理を行うプラズマ処理方法である。 - 特許庁

When etching a monocrystalline silicon layer 101 through a photoresist layer 102 formed on the upper part of the monocrystalline silicon layer 101 and patterned in a prescribed pattern by processing gas plasma, a protection film forming process for forming a protection film 103 on a side wall part of the photoresist layer 102 by using gas containing carbon, e.g., CF gas plasma, is performed before starting a plasma etching process for etching the monocrystalline silicon layer 101.例文帳に追加

単結晶シリコン層１０１を、単結晶シリコン層１０１の上部に形成され所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト層１０２を介して処理ガスのプラズマによりエッチングする際に、単結晶シリコン層１０１のエッチングを行うプラズマエッチング工程を開始する前に、カーボンを含んだガス例えばＣＦ系ガスのプラズマを用いてフォトレジスト層１０２の側壁部に保護膜１０３を形成する保護膜形成工程を行う。 - 特許庁

This manufacturing method is provided with an anisotropic etching process for performing anisotropic etching of the active layer and exposing a sacrificial layer, and an isotropic etching process for performing isotropic etching of the sacrificial layer from the exposed range and isolating the active layer for forming beams and the weight section from the base layer.例文帳に追加

活性層を異方性エッチングして犠牲層を露出させる異方性エッチング工程と、露出した範囲から犠牲層を等方性エッチングして梁と錘部を形成する活性層をベース層から遊離させる等方性エッチング工程を備えており、異方性エッチング工程でエッチングする個々の孤立範囲の最小径をｘ（μｍ）とし、周囲を孤立範囲で取り囲まれている領域の中心点から孤立範囲までの最短距離をＧ（μｍ）とし、犠牲層の厚さをｈ（μｍ）としたときに、下記式（１）と（２）を同時に満足する関係で孤立範囲群を分散して形成する。 - 特許庁

There is provided a process method for easily manufacturing various forms of molds which have disadvantages in applying a nano imprint process by using nano imprint and a dry etching process by patterning a molding resin of a substrate having a metal pattern patterned thereon, and forming a nano-class pattern and a complicated three-dimensional micro pattern using a nano imprint process with the manufactured molds without executing a complicated process several times.例文帳に追加

金属パターンがパターニングされている基板のモールド用レジンをナノインプリントと乾式エッチング工程とを用いて、ナノインプリント工程を適用する上で難が多かった様々な形態のモールドを容易に製作し、複雑な工程を数回行うことなく、製作されたモールドでナノインプリント工程を用いてナノ級パターンや複雑な３次元形状の微細パターンの成形を可能にする工程方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a board for power module includes: a bonding process for bonding a ceramic board 10 to metal plates 11, 12; a circuit forming process for forming circuit patterns 11A by etching the metal plates 11, 12, after the bonding process; and a grooving process for forming grooves 10a by laser machining between the circuit patterns 11A of the ceramic board 10, after the circuit formation process.例文帳に追加

パワーモジュール用基板の製造方法であって、セラミックス基板１０と金属板１１，１２とを接合する接合工程と、前記接合工程の後に、前記金属板１１，１２をエッチングして回路パターン１１Ａを形成する回路形成工程と、前記回路形成工程の後に、前記セラミックス基板１０の前記回路パターン１１Ａ間にレーザー加工で溝１０ａを形成する溝入れ工程と、を有する。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolation film of a semiconductor device, which improves roughness of a trench side wall by implementing a predetermined cleaning process after element isolating trench etching, and forms a uniform side wall oxide film by skipping a PET process.例文帳に追加

素子分離用トレンチエッチング後に所定の洗浄工程を実施してトレンチ側壁の粗さを改善でき、ＰＥＴ工程を省略して均一な側壁酸化膜を形成できる半導体素子の素子分離膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

Before the plating process of the resin layer 12 including metal, the surface of the resin layer 12 including metal is subjected to the etching process, and at least a part of a conductive metal particle 20b is projected at the surface of the resin layer 12 including metal.例文帳に追加

金属含有樹脂層１２をメッキ処理する前に、金属含有樹脂層１２の表面をエッチング処理し、金属含有樹脂層１２の表面に導電性の金属粒子２０ｂの少なくとも一部を突出させる処理を施す。 - 特許庁

To provide a piezoelectric MEMS switch eliminating the process of enforcing the etching of the back side of a substrate as conventionally performed, and also eliminating process constraints, by improving the structure as a piezoelectric actuator is formed, before an RF signal line is formed.例文帳に追加

本発明は圧電アクチュエータをＲＦ信号ラインより先に形成する構造に改善し、従来のように基板の裏面を無理にエッチングする工程を解消するとともに、工程の制約性を解消する圧電型ＭＥＭＳスイッチを提供する。 - 特許庁

A shape formed by repeating the etching process surface migration amount computing step (STEP 12) and the deposition process surface migration amount computing step (STEP 13) until the number of cycles set in the condition setting step (STEP 11) is reached is found.例文帳に追加

エッチングプロセス表面移動量計算ステップ（ＳＴＥＰ１２）とデポジションプロセス表面移動量計算ステップ（ＳＴＥＰ１３）とを条件設定ステップ（ＳＴＥＰ１１）にて設定されたサイクル数繰り返すことにより形成される形状を求める。 - 特許庁

This is a manufacturing method for the two-layer wiring semiconductor device which includes a process of forming barrier metal and a conductor wiring layer by electrolytic plating, with a conductive frame as a lead for electrolytic plating, and a process of etching off the conductive frame.例文帳に追加

導電性フレームを電解めっき用リードとして、バリア金属および導体配線層を電解めっきにより形成する工程と、導電性フレームをエッチングにより除去する工程を含む２層配線半導体装置の製造方法。 - 特許庁

This manufacturing method therefor includes an etching process by photolithography, or a process for forming the EBD probe tip 5 in the hole 6 of the sensor tip 4 by corpuscular beam deposition, after removing a material by irradiation of a corpuscular beam.例文帳に追加

その製造方法はホトリソグラフィーのエッチング工程によるか又は粒子線照射による材料の除去後に、センサ尖端（４）の孔（６）にＥＢＤ探針尖端（５）を粒子線蒸着により形成する工程を含むことを特徴としている。 - 特許庁

This plating method on aluminum alloy features that ADC12 including silicone is subjected to anodic electrolytic etching, silicone is protruded from the surface of the ADC12, and a process of forming ruggedness on the surface and a plating process are included therein.例文帳に追加

シリコンを含有するＡＤＣ１２を陽極電解エッチングして、該ＡＤＣ１２の表面からシリコンを突出させると共に、表面に凹凸を形成させる工程と、めっき工程を含むことを特徴とするアルミニウム合金上のめっき方法。 - 特許庁

To provide a polyimide film capable of being reduced in dimensional change and stabilized in its dimensional change ratio over the whole width thereof after a process for laminating a metal to the polyimide film or a process for etching a metal layer to form wiring.例文帳に追加

ポリイミドフィルムに金属を積層する工程や、金属層をエッチングして配線を形成する工程を経た場合の寸法変化が少なく、全幅において寸法変化率を安定化させることが可能なポリイミドフィルムを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing various forms of replica molds for nano imprint using nano imprint and a dry etching process; and a method of forming a multi-step pattern or a micro pattern using a nano imprint process with the manufactured replica molds for nano imprint.例文帳に追加

ナノインプリントと乾式エッチング工程とを用いて多様な形態のナノインプリント用のレプリカモールドを製作する方法と製作されたナノインプリント用のレプリカモールドでナノインプリント工程を用いて多段パターンや微細パターンを成形する方法を提供する。 - 特許庁

With this structure, a new process and device development for forming a penetration electrode by dry-etching method after thinning the wafer becomes unnecessary and introduction of special design makes it possible to produce a penetration electrode which is largely decreased in each process difficulty.例文帳に追加

これにより、ウェハを薄型化した後にドライエッチングによって貫通電極を形成する新規のプロセス、装置開発が不要となり、さらに専用設計の導入によって各プロセス難易度を大幅に低減した貫通電極の形成が可能となる。 - 特許庁

To obtain a treating agent which can safely and efficiently make an oxidative gas and an acidic gas discharged from an etching process, a CVD process, or the like, in the production of semiconductors and liquid crystals harmless, and to provide a detoxifying method using the treating agent.例文帳に追加

半導体・液晶製造におけるエッチング工程やＣＶＤプロセスなどから排出される酸化性ガス及び酸性ガスを、安全に且つ高効率で無害化できる処理剤並びに該処理剤を用いた無害化方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing highly pure cupric oxide usable for a plating raw material by a simple process from a deteriorated etching waste liquid containing hydrochloric acid and copper chloride as principal constituents discharged from a manufacturing process of printed wiring boards.例文帳に追加

プリントの配線板の製造工程等において排出される、劣化した塩酸及び塩化銅を主成分とするエッチング廃液からメッキ原料としても使用可能な高純度の酸化第２銅を簡単なプロセスで製造する方法の提供。 - 特許庁

The exhaust gas which is discharged from an etching process or a cleaning process and contains gaseous fluorine or gaseous halogen fluoride is introduced in a combustion apparatus having a combustion chamber on a surface of which a fluoridized passive film is formed and the exhaust is burned.例文帳に追加

エッチング工程またはクリーニング工程から排出される、フッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガスを含む排ガスを、表面にフッ化不動態膜が形成された燃焼室を備えた燃焼装置に導入し、前記排ガスを燃焼させる処理方法。 - 特許庁

When the oxygen ions 16 are implanted, divided into a plurality of number of times, the periphery of the mask oxide film 23 is removed by etching or, is padded for enlargement between the previous oxygen ion implantation process and the subsequent oxygen ion implantation process.例文帳に追加

酸素イオン１６の注入が複数回に分けて行われる場合には、先の酸素イオン注入工程と後の酸素イオン注入工程との間にマスク酸化膜２３の周縁をエッチング除去するか或いは肉盛りをして拡大させても良い。 - 特許庁

The manufacturing method of the field emitter allay includes a process of forming a crystalline material having hexagonal symmetric structure so as to form a dislocation, and a process of forming the nano chip at every dislocation by etching the crystalline material.例文帳に追加

本発明にかかるフィールドエミッターアレイの製造方法は基板上に六方対称結晶構造を有する結晶材料を転位が起こる様に形成する工程と、前記結晶材料をエッチし各転位でナノチップを形成する工程と、を含む。 - 特許庁

Also, in the formation process of the protection film 31, the protection film 31 is formed so that the side face 27 of the pattern of the functional films 28 and 29 formed by the patterning process by wet etching can be covered with the formed protection film 31.例文帳に追加

また、保護膜３１の形成工程では、ウエットエッチングによるパターニング工程において、パターニングによって形成された機能膜２８，２９のパターンの側面２７が、形成した保護膜３１によって覆われるように、保護膜３１を形成する。 - 特許庁

To provide a master carrier for magnetic transfer, its manufacturing method, and a magnetic recording medium in which it is possible to prevent erosion of a transfer pattern by an etchant in a wet etching process of shaping a master into substantially a doughnut shape in a master fabricating process.例文帳に追加

マスター作製工程でマスターを略ドーナッツ形状に加工するウエットエッチング工程でのエッチング液の転写パターンへの侵食を防ぐことができる磁気転写用マスター担体及びその製造方法、並びに磁気記録媒体の提供。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device has a process of forming an insulating film 2 on a semiconductor wafer 1; a process of forming a conductive film 4 on the insulating film 2; and a process of forming an electrode or wiring 4a and performing isotropic etching on the conductive film 4.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ１上に絶縁膜２を形成する工程と、前記絶縁膜２上に導電膜４を形成する工程と、前記導電膜４を等方性エッチングして電極もしくは配線４ａを形成する工程とを有することを特徴とするものである。 - 特許庁

Thus, it is prevented that the gate electrodes 7a, 7b are damaged by plasma emission by placing the metallic films 9a, 9b on the gate electrodes 7a, 7b in a way of covering them even in the case of performing a metallic wire forming process attended with plasma emission, a passivation film forming process, and an etching process.例文帳に追加

このように、ゲート電極７ａ、７ｂの上を覆うように金属膜９ａ、９ｂを配置すれば、プラズマ照射を伴う金属配線の形成工程、パッシベーション膜の形成工程およびエッチング工程を行ったとしても、プラズマ照射によりゲート電極７ａ、７ｂがダメージを受けることを防止することができる。 - 特許庁

Conventionally, processes for resist coating→exposure→the etching of the opening parts→anodizing treatment→the removal of a resist are required in order to form the spot like well for fixing the sample but, since one anodizing treatment process to the whole surface may be performed, this sample plate is advantageous from an aspect of a manufacturing process, a working time, and a process cost.例文帳に追加

従来はサンプルを固着させるスポット状のウェルを形成するために、レジスト塗布→露光→開口部エッチング→アノーダイジング処理→レジスト除去などの工程が必要であったが、本発明では全面へのアノーダイジング処理１工程だけで済むため、作製工程や作業時間、製造コストの面で有利である。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, since an etching speed in a trench forming process is higher than that in a movable section forming process, the amount of a protective film formed on the rear surface of the movable portion 20 as a mask can be reduced in a protective film forming process.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、トレンチ形成工程におけるエッチング速度よりも可動部形成工程におけるエッチング速度を速くしているため、保護膜形成工程において、可動部２０の裏面側にマスクとして形成される保護膜の形成量を低減することができる。 - 特許庁

In a process forming the MOS device on the main face of a silicon wafer, before wafer processing by the process device (an etching device, an ashing processing device, a sputter device and a CVD device) using the plasma, an insulating film is previously formed on the wafer rear face and reduces damage to the device caused by the process device using the plasma.例文帳に追加

シリコンウェハ主面にＭＯＳデバイスを形成するプロセスにおいて、プラズマを用いるプロセス装置（エッチング装置、アッシング処理装置、スパッタ装置、ＣＶＤ装置）によるウェハ加工前に、予めウェハ裏面に絶縁膜を形成しておき、プラズマを用いるプロセス装置起因によるデバイスヘのダメージを低減する。 - 特許庁

And a process where the metal layer 2 is processed by a photoetching method, a process where a wiring part 8 is formed by a semi-additive method on the insulation layer 5 and a process where a resist image for processing the insulation layer 5 is formed and the insulation layer 5 is processed by wet etching according to the resist image are included in the method.例文帳に追加

そして、金属層５をフォトエッチング法により加工する工程と、絶縁層５上にセミアディティブ法により配線部８を形成する工程と、絶縁層５を加工するためのレジスト画像を形成し、当該レジスト画像に従ってウェットエッチングにより絶縁層５を加工する工程を含む。 - 特許庁

The method for making synthetic fiber fabric with translucent print (dyeing) pattern comprises a printing process before etching process by sodium hydroxide or the like, wherein the printing process comprises printing of paste for dyeing on the surface of the fabric, and/or printing which contains a transparent developer.例文帳に追加

水酸化ナトリウム等によるエッチング工程の前にプリント工程を含み、そのプリント工程は織物の表面上に染色用のペーストをプリントすること、および／または透明なプリント用顕色剤を含んでプリントすることを包含する、半透明なプリント（染色）パターンをその上に有する合成繊維織物を製造する。 - 特許庁

To provide a resist undercoat-forming material for a multilayer resist process, particularly for a two-layer resist process or for a three-layer resist process, which functions as an excellent antireflection film particularly to short-wavelength exposure light, that is, has high transparency, optimum n value and k value, and excels in etching resistance in substrate processing.例文帳に追加

多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用又は３層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、即ち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁