「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a ferroelectric memory device in which a sufficient selection ratio of etching to a lower layer of a hydrogen barrier film can be obtained and whose contact hole forming process is simplified.例文帳に追加

水素バリア膜の下層との間においてエッチングの十分な選択比が得られると共に、コンタクトホールの形成工程を簡略化した強誘電体メモリ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Therefore, plasma with overall uniformity is formed in the process chamber 40, so that the occurrence of failures for etching rate, linewidth, uniformity, etc., of the wafer to be processed can be prevented.例文帳に追加

従って、工程チャンバ４０の内部に全体的に均一なプラズマを形成することで、工程対象ウェハのエッチング率、線幅及び均一度等の要素に不良が発生することを防止することができる。 - 特許庁

Thus, the stencil mask and its manufacturing method can be provided, which can improve the size precision in the stencil mask substrate surface by reducing the influence of microloading effect in the dry etching process.例文帳に追加

したがって、ドライエッチング工程におけるマイクロローディング効果の影響を低減させて、ステンシルマスク基板面内の寸法精度を向上させるステンシルマスクおよび製造方法を提供することができる。 - 特許庁

To provide a capacitor structure wherein high electric field stress can be reduced in a capacitor structure that is provided with a dielectric film made of high dielectric and a ferroelectric material, in a plasma process including contact etching.例文帳に追加

コンタクトエッチングをはじめとするプラズマプロセスにおいて、高誘電体および強誘電体材料を誘電体膜とするキャパシタ構造の高電界ストレスを低減可能なキャパシタ構造を提供すること。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for processing substrate surface which can uniformly carry out over the substrate surface the etching process for removing a film on the substrate surface by using a vapor containing an acid.例文帳に追加

酸を含む蒸気によって基板上の膜を除去するエッチング処理を、基板面内で均一に行うことができる基板表面処理装置および基板表面処理方法を提供する - 特許庁

Before a thin piezoelectric film depositing process (S5), an etching stopper layer 2 is formed on a silicon substrate (S1) and, after a thin piezoelectric film 7 is deposited (S5), a prescribed spot of the silicon substrate 1 is etched (S7).例文帳に追加

圧電薄膜の堆積工程（Ｓ５）より前に、シリコン基板１上にエッチングストッパ層２を形成し（Ｓ１）、圧電薄膜７の堆積工程（Ｓ５）以降に、シリコン基板１の所定箇所をエッチングする（Ｓ７）。 - 特許庁

To carry out inspection with high accuracy without causing any pseudo defects by performing the pattern data collation corresponding to a small change of the pattern generated by an etching process of the pattern formed on a photo mask.例文帳に追加

フォトマスク上に形成されるパターンのエッチングプロセスによって生じるパターンの微妙な変化に対応したパターンデータの合わせを行い、疑似欠陥の発生を招くことなく精度良い検査を行う。 - 特許庁

To provide an etching method for forming a trench having precise opening dimensions and a rounded bottom face without causing undercut, and to provide a process for fabricating a device by using that method.例文帳に追加

アンダーカットを生ずることなく、精密な開口寸法を有し底面が丸みを帯びたトレンチを形成できるエッチング方法及びこれを用いたデバイスの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Next, an ITO film in an amorphous state at normal temperatures is stacked on the gate insulating film and a data line and a drain electrode are formed by patterning in a wet etching process that utilizes a photosensitive film pattern.例文帳に追加

次に、ゲート絶縁膜上に常温で非晶質状態のＩＴＯ膜を積層して感光膜パターンを利用した湿式エッチング工程でパターニングして、データ線及びドレイン電極を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a single or multiple gate field plate which can realize a device with a field plate, without a dry or wet etching process not doing much damage to a dielectric material.例文帳に追加

誘電性材料に与えるダメージの少ない乾式または湿式エッチングプロセスを用いることなく、フィールドプレートされたデバイスを実現できるシングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which limits charging caused by plasma processing with a protection circuit and achieves the separation from a protection circuit having no dependence on an etching process, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

保護回路により、プラズマ処理に伴うチャージングを抑え、かつエッチング工程に依存しない保護回路との切り離しを実現する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thus, without carrying out any heat treatment to actualize the defects, the area of the region where the protrusions are generated in the etching process can be made ≤10% of the area of the silicon wafer 40.例文帳に追加

これにより、欠陥を顕在化させるための熱処理を行うことなく、エッチング工程にて突起が発生する領域の面積をシリコンウェーハ４０の面積の１０％以下とすることができる。 - 特許庁

To provide a method of forming a bit contact which settles an issue of insufficient separation margin on resist pattern exposure as well as local variations in dry-etching process to suppress increase in the number of steps and laboriousness.例文帳に追加

レジストパターン露光時の分離マージン不足の解消と同時にドライエッチング加工の局所ばらつきを解消し、工程数の増大及び煩雑化を抑えたビットコンタクトの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for monitoring a plasma etching or deposition process that reduces the sensitivity of a detector to fluctuations in plasma emission, has a sufficient signal to noise ratio, and allows for measurements over a broad range of wavelengths.例文帳に追加

プラズマ発光の変動の影響を受け難く、信号対ノイズ比が充分で、広い波長範囲での測定を可能にするプラズマエッチングまたは堆積プロセスのモニタリング方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum processing method for reducing adhesion of foreign matter to a sample in transporting the sample from a vacuum transport chamber to a processing chamber, and reducing the foreign matter adhering to the sample after starting an etching process.例文帳に追加

真空搬送室から処理室に搬送する際の試料への異物付着を低減すると共に、試料に付着している異物をエッチング処理開始後に低減する真空処理方法を提供する。 - 特許庁

Thus, a problem that a hole is made in the insulation protection film of a wiring arrangement except the bonding pad is solved in the etching process for opening the bonding pad is solved, and a defect of the insulation protection film is prevented.例文帳に追加

これにより、ボンディングパッドを開口するためのエッチング工程においてボンディングパッド上以外の配線配置部絶縁保護膜に穴が開く問題を解決し、絶縁保護膜の欠損を防止する。 - 特許庁

To provide a method for forming a mask pattern in an easy process so as to increase the etching selection ratio for a material to be etched (such as a metal film to be etched) comparable with a hard mask.例文帳に追加

ハードマスクに匹敵する被エッチング材料（例えば金属からなる被エッチング膜）とのエッチング選択比を大きくすることが可能なマスクパターンを簡単な工程で形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of treating wafers in a semiconductor manufacturing process and an apparatus for carrying out the same, and a method of etching a substance formed on wafers and an apparatus for carrying out the same.例文帳に追加

半導体製造工程中のウェーハ処理方法及びこれを実施するための装置、また、ウェーハ上に形成された物質をエッチングするための方法及びこれを実施するための装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating an electromagnetic wave shielding material which can form a fine metal pattern with high accuracy without carrying out an etching process, and which can achieve good adhesion between the metal pattern and a substrate.例文帳に追加

エッチング工程を行うことなく、微細な金属パターンを高精度で形成することができ、該金属パターンの基材との密着性も良好な、電磁波シールド材料の作製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a surface-treated copper foil exhibiting excellent black color which can be worked by the customary copper etching process, and to provide a conductive mesh for PDP produced from such a surface-treated copper foil.例文帳に追加

良好な黒色を持ち、且つ、通常の銅エッチングプロセスで加工可能な表面処理銅箔、及び、そのような表面処理銅箔で製造されたＰＤＰ用導電性メッシュを提供する。 - 特許庁

A program, which continuously and variably controls the direct current voltage V_DC with time depending on type, content and condition of an etching process, is incorporated into software used in a control portion 80.例文帳に追加

制御部８０で使用するソフトウェアの中には、エッチングプロセスの種類・内容・条件に応じて直流電圧Ｖ_DCを時々刻々と連続的に可変制御するためのプログラムが組み込まれている。 - 特許庁

As a process modified layer on a corner or side faces of the base substrate is removed by the above etching, polycrystals or crystals of different plane directions are prevented from precipitating around the GaN single crystal ingot.例文帳に追加

前記のエッチングにより下地基板の角や側面の加工変質層が除去されるので、ＧａＮ単結晶インゴットの周囲にポリ結晶や異面方位結晶が析出するのを抑制する。 - 特許庁

Consequently, the washing component (HF+NH_4F) is brought into contact with the substrate in a relative dielectric-constant environment corresponding to the relative dielectric constant of methanol, and an etching removal is conducted in the treatment chamber (a first washing process).例文帳に追加

このため、処理チャンバーでは、メタノールの比誘電率に対応する比誘電率環境で洗浄成分（ＨＦ＋ＮＨ_４Ｆ）が基板に接触してエッチング除去が行われる（第１洗浄工程）。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a liquid crystal display device which can be safely handled in the following process even after etching a pair of large-sized transparent substrate 1, and is hard to crack on an end surface.例文帳に追加

一対の大判透明基板１をエッチングした後でも、以降の工程において安全にハンドリングができ、且つ端面にクラックの入り難い液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A groove (85) is partially etched and the groove (85) is formed almost inside the secondary dielectric layer (40) after BARC (back side anti-reflection coating) is completely or partially removed from the via (62), which completes a groove etching process.例文帳に追加

溝（８５）を部分的にエッチングし、ＢＡＲＣをビア（６２）から完全にまたは部分的に除去して溝（８５）をほとんど第２の誘電層（４０）内に形成し、溝エッチング・プロセスを完了する。 - 特許庁

The isotropic etching (third process) is performed again and this needle-like body 31 constituted of a conical tip part 31a having a desired tapered shape and a column part 31b continued from it is manufactured (d).例文帳に追加

再び等方性エッチング（第３工程）を行って、所望のテーパ形状を有する円錐状の先端部３１ａとそれに連なる円柱部３１ｂとで構成される針状体３１を作製する（ｄ）。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2, an active layer 3, and an n-type InP clad layer 4 formed on a p-type InP substrate 1 are processed through a first dry etching process for the formation of a ridge 6.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板１の上に形成された、ｐ型ＩｎＰバッファ層２、活性層３およびｎ型ＩｎＰクラッド層４を第１のドライエッチングにより加工して、リッジ部６を形成する。 - 特許庁

To provide an X ray mask which is not susceptible to damage at the time of handling or transportation because a thin film is not used as a mask blank and which can be produced conveniently because an etching process of Si substrate is not used.例文帳に追加

マスクブランクとして薄膜を使用しないことにより取扱いや運搬時に破損しにくく、またＳｉ基板のエッチング工程がないため簡易に製造できるＸ線マスクを提供する。 - 特許庁

The distance between a heat sink 6 arranged close to the rear of a membrane 2 and the membrane 2 is made to range, so as to relax the distribution of a pattern dimensional change on an etching plane in a process where a membrane is etched.例文帳に追加

メンブレン状態でのエッチングにおいて、パターン寸法変化などのエッチング面内分布を緩和させるように、メンブレン２裏面に近接させるヒートシンク６との距離に分布を持たせるよう設定する。 - 特許庁

The method uses a gas containing Xe in a process that uses plasma for forming films, etching, surface deterioration and the like.例文帳に追加

本発明は、基板、あるいは、新たに基板上に堆積・形成する膜および基板の中に、イオン照射に起因して導入される欠陥を劇的に減少させるプラズマプロセス方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide the photosensitive liquid composition good in coating performance by an immersion process and adapted to an etching-or plating- resistant film necessary for forming a microcircuit pattern high in density.例文帳に追加

浸漬法による塗布性が良好な感光液組成物であり、高密度で微細な回路パターンを形成する際に必要なエッチングレジストまたはメッキレジスト用皮膜として好適な感光液組成物を提供する。 - 特許庁

To provide surface-treated copper foil having a satisfactory brown color, and also workable by an ordinary copper etching process, and to provide an electrically conductive mesh for PDP produced with the surface-treated copper foil.例文帳に追加

良好な茶褐色を持ち、且つ、通常の銅エッチングプロセスで加工可能な表面処理銅箔、及び、そのような表面処理銅箔で製造されたＰＤＰ用導電性メッシュを提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory device which facilitates the etching process of a device isolation film to be executed after gate patterning by lowering the height of the device isolation film formed in a peripheral region.例文帳に追加

周辺領域に形成される素子分離膜の高さを下げるように形成して、ゲートパターニング後に実施する素子分離膜のエッチング工程を容易にするフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To remove components of a solvent that is used for polymer residue removal when a wet cleaning process is included in a standard post-photoresist-etching cleaning method for porous materials used in semiconductor device manufacturing.例文帳に追加

半導体装置製造で多孔質材料のための標準的ホトレジストエッチング後のクリーニング法は、湿式クリーニングを含み、その場合、重合体残留物を除去するため溶媒を用いる。 - 特許庁

To prevent troubles where an insulating layer under an electrode is charged with electricity at dry etching in a manufacturing process or a voltage applied to a gate electrode varies depending on devices.例文帳に追加

製造プロセスにおけるドライエッチング時に電極下の絶縁層が帯電する不具合や、各ゲート電極に印加される電圧値が素子ごとにばらつく不具合を防止する固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

The surface treating process uses an etching solution prepared by adding an additive to a solution having a nature to dissolve the lead frame, and the additive is adsorbed to the lead frame surface to inhibit the solution from dissolving it.例文帳に追加

表面処理工程は、リードフレームを溶解する性質を有する溶液に、リードフレームの表面に吸着して前記溶液による溶解を妨げる添加剤を添加したものをエッチング液として用いる。 - 特許庁

To prevent the contamination to conveyance carriers, facilities and other manufacturing process equipments, etc., by cleaning and removing the deposited substances within the same facility as the facility to implement chemical etching for the purpose of making display panels thinner.例文帳に追加

表示パネルを薄型化する為の化学エッチングを実施する設備と同じ設備内で付着物質を洗浄除去し、搬送キャリアや他の製造工程の設備などに対する汚染を防ぐ。 - 特許庁

In an initial stage of the etching process a CFbased deposition film 6 is deposited to the pattern sidewall of a resist film 5 to form the opening side face of the resist film 5 vertically to a silicon oxide film 4.例文帳に追加

それにより、エッチング工程の最初の段階で、レジスト膜５のパターン側壁にＣＦ系デポシやション膜６を付着させ、レジスト膜５の開口側面をシリコン酸化膜４に対して垂直に形成する。 - 特許庁

In a first process, a silicon nitride film is formed as a mask pattern from the pressurized liquid chamber side and anisotropic wet etching is performed at a depth required for the pressurized liquid chamber 4.例文帳に追加

流路板３は面方位が（１００）のシリコン基板で形成され、第１の工程は加圧液室側からシリコン窒化膜をマスクパターンとして形成し、加圧液室４に必要な深さの異方性ウェットエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a capacitor which can prevent leaning phenomenon that may cause a storage node bridge during wet-etching to form a cylindrical storage node structure and drying process.例文帳に追加

円筒状のストレージノード構造を形成するためのウェットエッチング及び乾燥処理のとき、ストレージノードブリッジの原因となるリーニング現象を防止することができるキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A substrate W on which a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed is immersed into the phosphoric acid solution in the immersion processing bath 10 to proceed a process of selectively etching the silicon nitride film.例文帳に追加

シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜が形成された基板Ｗが浸漬処理槽１０のリン酸水溶液中に浸漬されることによってシリコン窒化膜の選択的なエッチング処理が進行する。 - 特許庁

To provide a surface-treated copper foil exhibiting black color which can be worked by the customary copper etching process, and a conductive mesh for PDP produced from such a surface-treated copper foil.例文帳に追加

良好な黒色を持ち、且つ、通常の銅エッチングプロセスで加工可能な表面処理銅箔、及び、そのような表面処理銅箔で製造されたＰＤＰ用導電性メッシュを提供する。 - 特許庁

After a first etching process is performed in a state that the upside pinching pin pinches the substrate, the downside pinching pin is made in the pinched state, and then the upside pinching pin is made to the released state, whereby the substrate is passed from the upside pinching pin to the downside pinching pin.例文帳に追加

雰囲気遮蔽部とスピンベースとが接近しても上側挟持ピンと下側挟持ピンとは互いに干渉しない位置に立設されており、それぞれ独立して基板を挟持・解除できる。 - 特許庁

The method of manufacturing the electronic device includes a process of performing dry etching using a gas containing fluorine on the metal film containing Ti such as the TiN film 103 formed on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

電子デバイスの製造方法は、半導体基板１００上に形成されたＴｉＮ膜１０３等のＴｉを含む金属膜に対し、フッ素を含むガスを用いてドライエッチングを行なう工程を含む。 - 特許庁

A mixed gas made of oxygen gas, nitrogen gas, and gas combining hydrogen atoms and fluorine atoms is used as a process gas, so that the silicon nitride film 12 is removed by dry etching.例文帳に追加

フッ素原子を含むガスと、酸素ガスと、窒素ガスと、水素原子及びフッ素原子が結合したガスとを混合したガスから成るプロセスガスを用いたドライエッチングによってシリコンナイトライド膜１２を除去する。 - 特許庁