「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a heterojunction bipolar transistor having a structure showing a good property without requiring any special wiring formation process such as an air bridge or the like in an HBT in which a mesa formation is performed by a dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングによりメサ形成を行ったＨＢＴにおいて、エアブリッジなどの特別な配線形成工程を必要とせず、良好な特性を示す構造のヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

The via hole 3 penetrating through the predetermined region of a semiconductor substrate 1 is formed by etching from one surface to another surface of the semiconductor substrate 1 in applying the Bosch process with the use of a mask layer 2 as a mask.例文帳に追加

マスク層２をマスクとし、ボッシュプロセスを利用して半導体基板１の一方の面から他方の面方向へエッチングし、当該半導体基板１の所定領域を貫通するビアホール３を形成する。 - 特許庁

To provide an etchant composition which secures the stability of the etchant, and guarantees a margin in an etching process to reduce the cost, and to provide a method for manufacturing an array substrate using the same.例文帳に追加

エッチング液の安定性を確保しエッチング工程上のマージンを保障して費用を節減することができるエッチング液組成物及びこれを利用したアレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a high-purity fluorine gas that is employable as an etching gas or a cleaning gas in the process for manufacturing semiconductors or liquid crystals inexpensively on a mass scale.例文帳に追加

半導体や液晶等の製造工程においてエッチングガスまたはクリーニングガスとして使用することができる高純度フッ素ガスを、安価に、かつ、大量に製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate electrode in a nonvolatile memory device which can prevent an undercut from being formed in a control gate in a gate electrode etching process for defining the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極を定義するためのゲート電極エッチング工程の際にコントロールゲートにアンダーカットが形成されることを防止することが可能な不揮発性メモリ素子のゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁

A process for manufacturing the metal structure using the trenches carries out the etching of a semiconductor substrate in a desired depth and width through patterning from the top of the semiconductor substrate in the lower direction to form trenches.例文帳に追加

トレンチを用いた金属構造物の製造工程は、トレンチを形成するために半導体基板の上部から下方向にパターニング過程を経て希望する深さおよび幅に食刻を行う。 - 特許庁

The disclosed selective etching process is sufficiently suitable for ferroelectric memory device fabrication using a conductive oxide/ferroelectric interface having silicon nitride as a material for encapsulating a ferroelectric substance.例文帳に追加

開示された選択的エッチングプロセスは、強誘電体の封じ込め材料として窒化シリコンを有する導電性酸化物／強誘電体界面を用いる強誘電体メモリデバイス製造に十分適している。 - 特許庁

These trapezoidal protruded parts 7a and 7b are formed by patterning the surface of a p-AlGaInP clad layer 5 with the same photoresist etching process as for the pattering of the current mesa stripe 6.例文帳に追加

この台形凸部７ａ、７ｂはｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５の表面を電流メサストライプ部６のパターニングと同一のフォトレジスト・エッチング工程によりパターニングすることによって形成されている。 - 特許庁

In this case, the tilt of the core layer is adjusted by controlling the etching selection ratio between the photoresist pattern and core layer to precisely control the profile of the tapered optical waveguide through the simple process.例文帳に追加

この場合、フォトレジストパターンとコア層のエッチング選択比を制御することにより、コア層の傾斜を調節し、単純な工程を通じてテーパ型光導波路のプロフィールを精密に制御することができる。 - 特許庁

Then, an electrode forming process of forming the IDT 14 composed of the interdigital electrode and the reflectors 16a and 16b by etching the conductive metal film 32 through the resist film 36 is performed.例文帳に追加

次に、レジスト膜３６を介して導電性金属膜３２をエッチングしてすだれ状電極からなるＩＤＴ１４と反射器１６ａ、１６ｂとを形成する電極形成工程を行なう。 - 特許庁

To provide a process for efficiently, inexpensively and safely producing highly pure carbonyl difluoride which is an important compound notable as an etching gas or a cleaning gas for semiconductors.例文帳に追加

半導体用エッチングガスや半導体用クリーニングガスとして注目される重要な化合物である二フッ化カルボニルを、高純度で効率よく、安価で安全に製造する方法の提供を目的としている。 - 特許庁

A leakage current from a field-effect transistor is prevented by barrier layers provided in the semiconductor layers, and the barrier layers are provided in the semiconductor layers to prevent the wear of the transistor due to etching and to modify the reproducibility of the process for forming the transistor.例文帳に追加

リーク電流を半導体中に設けた障壁層によって防き、かつ、その障壁層を半導体中に設けて、エッチングによる損耗を防ぎ、プロセスの再現性を改善する。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate of a flash memory element which improves a ratio of a gate width between a control gate and a floating gate to elevates a characteristic of a device, making a gate etching process in the same chamber.例文帳に追加

ゲートエッチング工程を同一のチャンバ内で行い、コントロールゲートとフローティングゲート間のゲート幅比を改善してデバイスの特性を向上させるフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

The electromagnetic shielding film 10 is subjected to a blackening treatment after an etching process is carried out, so that the whole surface of the electromagnetic shielding film 10 including its etched cross section gets a blackened surface, and resultantly the electromagnetic shielding film 10 is kept free from the problem of reflecting light and exhibits excellent visibility.例文帳に追加

エッチング加工後に黒化処理が施されているため、エッチング加工断面も含め、その全表面が黒化処理面となることから、光の反射の問題がなく、視認性に優れる。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing an inkjet head in which etching selectivity is enhanced by using porous silicon, and density can be increased by making the sidewall of a cavity perpendicular and micronizing the cavity.例文帳に追加

多孔質シリコンを用いることによりエッチング選択性を向上すると共に、キャビティの側壁を垂直化し、キャビティの微細化、密度増加を可能にするインクジェットヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

In manufacture, the layer 22 of a thin film formed by a deposition method is worked by a semiconductor process (dry etching), and conductive materials, which are alternately provided between the layers 22, are formed as a film by an electroplating method.例文帳に追加

製造においては、堆積法で成膜した薄膜の圧電体層２２は半導体プロセス（ドライエッチング）で加工し、圧電体層２２間に交互する導電材料は電気メッキ法で成膜する。 - 特許庁

According to this process, since the difference in pressure on the inside and outside of the contact hole 13 is small, a reactive product can be easily discharged with the flow of gas, and any deposit which will cause the stop of etching is never left.例文帳に追加

これによれば、コンタクトホール１３の内外の圧力差が小さいため反応生成物はガス流によって容易に排出され、エッチストップを引き起こす堆積物が溜まることはない。 - 特許庁

When depositing the membrane, a tapered angle is naturally formed, thereby improving step coverage of subsequential processes, reducing the generation of holes within a device, and eliminating the need of a complicated etching process.例文帳に追加

該薄膜を堆積する時に自然にテーパ角度が形成されることにより、後続工程のステップ被覆性を高めると共に装置中の孔の発生を減らし、複雑なエッチング工程を不要とした。 - 特許庁

The preparing method comprises both a process for removing the second metal film 4 including the metallic element to be measured by selective etching and a process for forming the third metal film 5 of the same composition as that of the first metal film 3 except the metallic element to be measured on the first metal film 3 exposed in the removing process and including the metallic element to be measured as an impurity.例文帳に追加

被測定金属元素を含む第２の金属膜４を選択エッチングにより除去する工程と、除去工程により露出した、被測定金属元素を不純物として含む第１の金属膜３上に、被測定金属元素を除いて第１の金属膜３と同一組成の第３の金属膜５を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The method includes a pre-baking process of heating the sapphire substrate at a temperature higher than that during the irradiation with the ultraviolet rays after the application of the photoresist and before the irradiation with the ultraviolet rays, and a post-baking process of heating the sapphire substrate at a temperature higher than that during the pre-baking process after the irradiation with the ultraviolet rays and before the dry etching.例文帳に追加

本発明の方法は、フォトレジストを塗布した後、紫外線光を照射する前に前記紫外線光の照射時よりも高い温度で前記サファイア基板を加熱するプリベーク工程と、紫外線光を照射した後、ドライエッチングする前に前記サファイア基板をプリベーク工程よりも高い温度で加熱するポストベーク工程を有する。 - 特許庁

In a producing method of a magnetic head by forming an element part having prescribed characteristics through a deposition process of depositing on the surface of the substrate 10 and an etching process of patterning the film formed by the deposition process, the circumference of a region, where each element part on the substrate 10 is formed, is surrounded by an electrically conductive film and worked.例文帳に追加

基板１０の表面に成膜する成膜工程と、成膜工程によって形成された膜をパターンニングするエッチング工程を経て所要の特性を有する素子部を形成する磁気ヘッドの製造方法において、前記基板１０上の各々の素子部が形成される領域の周囲を導体膜で包囲して加工する。 - 特許庁

The method of forming an element isolating structure comprises an etching process of cutting the trenches 5 in a semiconductor substrate for isolating an element, a surface treating process of making the semiconductor substrate undergo plasma processing, and an embedding process of embedding the insulating film 7 in the trenches 5.例文帳に追加

半導体基板に素子分離のためのトレンチ部５を形成するエッチング工程と、前記トレンチ部に絶縁膜７を埋め込む、埋め込み工程とを有する素子分離構造形成方法であって、前記埋め込み工程の前に、前記半導体基板をプラズマ処理する表面処理工程を設けたことを特徴とする素子分離構造形成方法。 - 特許庁

This process for producing an electrostatic capacitance-type acceleration sensor comprising a movable electrode 6 also serving as a weight, a beam 5, and a supporting section 4 made of metals, includes the steps of forming a space between a fixed electrode 2 and the movable electrode 6 by photoresist, and forming the supporting section 4, the beam 5, and the movable electrode 6 by photolithography, wet plating process, and etching process.例文帳に追加

錘を兼ねた可動電極６、梁５、および支持部４が金属からなる静電容量型加速度センサの製造方法であって、固定電極２と可動電極６との間隙をフォトレジストにより形成し、支持部４、梁５、および可動電極６をフォトリソグラフィー、湿式めっき法、およびエッチング法により形成する工程を備えている。 - 特許庁

The method has a process for making a region, which becomes the channel of a single-crystal silicon layer of a semiconductor substrate where the single-crystal silicon layer is formed in a surface thereof thinner than other regions, a process for introducing vacant lattice defects into the single-crystal silicon layer and a process for etching the surface of the single-crystal silicon layer chemically.例文帳に追加

表面に単結晶シリコン層が形成された半導体基板の前記単結晶シリコン層のチャネルとなる領域の膜厚を他の領域よりも薄くする工程と、前記単結晶シリコン層に空格子欠陥を導入する工程と、前記単結晶シリコン層の表面を化学的にエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

Provided is a semiconductor device manufacturing method for manufacturing a gallium nitride-based semiconductor device which comprises: a first semiconductor layer formation process where a first semiconductor layer composed of a gallium nitride-based semiconductor is formed; and a recess part formation process where a recess part is formed by partially dry-etching the first semiconductor layer by means of a micro wave plasma process while using bromine-based gas.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体からなる第１の半導体層を形成する第１半導体層形成工程と、第１の半導体層の一部を、臭素系ガスを用いて、マイクロ波プラズマプロセスでドライエッチングして、リセス部を形成するリセス部形成工程と、を備え、窒化ガリウム系半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material which is for a multilayer resist process, especially for a double layer resist process or a triple layer resist process, which functions as an excellent antireflection film especially against exposure with short wavelength light, that is, having high transparency and most suitable n and k values, and further is excellent in etching resistance in substrate working.例文帳に追加

多層レジストプロセス用、特には二層レジストプロセス用又は三層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、すなわち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufactured by using a photoresist polymer removing detergent composition which can effectively remove a photoresist residue or the like produced in an etching process and in an ashing process in the process of a photoresist pattern for manufacturing the semiconductor device, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device, a method for cleaning a photoresist pattern and a photolithographic method.例文帳に追加

半導体素子を製造するためのフォトレジストパターン形成工程中において、エッチング工程及びアッシング工程時に発生するフォトレジスト残留物などを効果的に除去できるフォトレジストポリマー除去用洗浄剤組成物を用いた半導体素子及び半導体素子の製造方法、フォトレジストパターン洗浄方法、フォトリソグラフィー方法を提供すること。 - 特許庁

This manufacturing method for the electrooptical device includes a forming process for forming a pattern including wires, TFTs, etc., on the TFT array substrate, a process for flattening the top surface of a laminated body on the substrate including the pattern, and a process for forming the projections by processing the flattened top surface by photolithography and etching.例文帳に追加

このような電気光学装置の製造方法は、ＴＦＴアレイ基板上に、配線やＴＦＴ等を含むパターンを形成する形成工程と、このパターンを含む基板上の積層体の上面を平坦化する工程と、この平坦化された上面に対してフォトリソグラフィ及びエッチングを行うことにより、凸部を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the transparent conductive film has the process of forming at least one undercoat layer on one surface or each of both surfaces of a transparent film base material, the process of forming the transparent conductive layer on the undercoat layer by a sputtering method, the process of etching the transparent conductive layer to keep patternized, and the process of annealing and crystallizing the patternized transparent conductive layer.例文帳に追加

透明なフィルム基材の片面または両面に、少なくとも１層のアンダーコート層を形成する工程、前記アンダーコート層上に、スパッタリング法により透明導電体層を形成する工程、前記透明導電体層を、エッチングしてパターン化する工程、および前記パターン化された透明導電体層をアニール化処理して結晶化させる工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 - 特許庁

This method of thin layer analysis comprises: a process for performing oblique etching or oblique grinding for the analysis specimen having a thin-layer laminated structure to expose the measurement layer; a process for exciting characteristic X rays from the exposed measurement layer by electron beam irradiation; a process for detecting only the characteristic X rays from the measurement layer; and a process for determining the element composition from the detected X rays.例文帳に追加

本発明は、薄層の積層構造を有する分析試料に斜めエッチングまたは斜め研磨を行なって、測定層を露出させる工程；電子線照射によって、露出させた測定層から特性Ｘ線を励起させる工程；測定層からの特性Ｘ線のみを検出する工程；および検出した特性Ｘ線から元素組成を決定する工程からなる薄層の分析方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the micrometallic structures which forms the conductive layer film on the surface of the PMMA matrix 3 formed with X-ray patterns includes an etching process of roughening the surface of the PMMA matrix 3 by a high chromium acid bath, a sensitizing process, an activating process and an electroless plating process for forming the conductive layer film.例文帳に追加

Ｘ線パターンが形成されたＰＭＭＡ母型３の表面上に導電層膜を形成し電鋳を行う微細金属構造体の製造方法において、ＰＭＭＡ母型３の表面を高クロム酸浴により粗化するエッチング工程と、センサタイジング工程と、アクチベーティング工程と、導電層膜を形成する無電解めっき工程と、を含むことを特徴とする微細金属構造体５の製造方法。 - 特許庁

Thus, the outer appearance of the end surface portion of the wafer W in the dry etching which is highly relevant to the occurrence of a defect in the device process is observed, so that it can be suitably evaluated whether the wafer W has a high possibility of defect occurrence in the device process.例文帳に追加

デバイスプロセスの欠陥の発生と関連性が強い、ドライエッチングを行った際のウェーハＷの端面部の外観を観察するようにしているので、ウェーハＷがデバイスプロセスにおいて欠陥を発生させる可能性が高いか否かを適切に評価することができる。 - 特許庁

In the electrode-forming process, the etching depth of the piezoelectric substrate 2 is changed within the same substrate, on the basis of the film thickness distribution of the metal film 11 measured in the film thickness measurement process, thereby adjusting the center frequency in each of a plurality of element regions.例文帳に追加

そして、電極形成工程の際に、膜厚測定工程により測定された金属膜１１の膜厚分布に基づいて、圧電性基板２のエッチング深さを同一基板内で変化させることにより、複数の素子領域のそれぞれにおける中心周波数を調整する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which forms a protection film on a side wall of a via hole in the middle of etching process of a trench in order to reduce a faceting of the via hole, while which makes it possible to effectively protect an object to be protected by selecting its forming process properly.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、ビアホールに於ける肩落ちを低減させる為、トレンチのエッチング加工途中でビアホールの側壁に保護膜を形成するのであるが、その形成工程段階を適切に選定することで、保護対象を有効に保護できるようにする。 - 特許庁

By conducting a process of partially forming a mask on the surface of a substrate and a process of forming concave portions by etch-removing a portion of the surface of the substrate which is not covered with the mask by a dry etching method in this order, concave-convex portions are formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板の表面に部分的にマスクを形成する工程と、ドライエッチング法を用いて前記基板の表面の前記マスクに覆われていない部分をエッチング除去して凹部を形成する工程とを、この順に行うことにより、基板の表面に凹凸部を設ける。 - 特許庁

To prevent the peeling-off of a low dielectric constant insulation film when etching gas and moisture, etc., fetched in the low dielectric constant insulation film are eliminated in a heating process in process even at realizing the structure, for which a diffusion preventing insulation film is directly formed on the low dielectric constant insulation film.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜上に直接に拡散防止絶縁膜を成膜した構造を実現しても、低誘電率絶縁膜中に取り込まれたエッチングガスや水分等がプロセス中の熱工程で脱離した際に低誘電率絶縁膜の剥離を防止する。 - 特許庁

To provide a fabrication method by which a fine wiring structure is formable without using dry etching or ashing process of a wiring trench for a multiple layer fine wiring in a semiconductor device, at the same time the simplification of wiring process, the improvement of wiring reliability, and cost reduction are achieved.例文帳に追加

半導体装置における微細な多層配線において、配線溝のドライエッチングやアッシングプロセスを用いることなく、微細な配線構造の形成が可能であって、配線工程の簡略化、配線信頼性向上、低コスト化を同時に達成する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for forming an insulating film that is capable of forming an insulating film low in moisture absorption and a relative dielectric constant, excellent in etching resistance and chemical resistance and also excellent in mechanical strength, to provide a polymer and a process for producing the polymer, to provide a process for producing an insulating film and to provide a silica-based insulating film.例文帳に追加

吸湿性および比誘電率が低く、エッチング耐性および薬液耐性に優れ、かつ、機械的強度に優れた絶縁膜を形成することができる絶縁膜形成用組成物、ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor giving no damage to a semiconductor layer in a process for making conductivity of the semiconductor layer comprising an amorphous oxide including In, Ga, and Zn high, and in an etching process of a source electrode and a drain electrode, and to provide a liquid crystal display using the same.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層の高導電率化工程やソース電極及びドレイン電極のエッチング工程において、半導体層にダメージを与えないような薄膜トランジスタ及びこれを用いた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problems of high cost, the complication and time-lengthening of a manufacturing process, deterioration in the quality of a film or the like in the self-organized nano-thin film formation technique using an etching step or a bottom-up system performed in the existing thin film manufacturing process.例文帳に追加

本発明は、既存の薄膜製造工程で行われている蝕刻工程又はボトム-アップ方式を用いた、自己組織化ナノ薄膜形成技術の問題点である、高コスト、製造工程の複雑化や長時間化、膜の質の低下などを解決することを課題とする。 - 特許庁

To provide a fixing method capable of easily and surely attaching an IC tag to a target article without a process such as an etching which needs labor and costs for a water fluid process, which fixing method is for an IC chip for fixing a non-contact IC tag to a target article.例文帳に追加

非接触方式のＩＣタグを対象とする物品に固定するためのＩＣチップの固定方法であって、廃液処理に手間とコストのかかるエッチング等の処理を行わず、簡単かつ確実にＩＣタグを対象物品に取り付けることのできる固定方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a wiring structure of simple wiring process, for improving wiring reliability, and realizing cost reduction, where a minute wiring structure is formed without the use of dry-etching or ashing process with a wiring groove, related to a fine multilayer interconnection of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置における微細な多層配線において、配線溝のドライエッチングやアッシングプロセスを用いることなく、微細な配線構造の形成が可能であって、配線工程の簡略化、配線信頼性向上、低コスト化を同時に達成する配線構造を提供する。 - 特許庁

In order to locate the recess on the side of the metal wiring layer, after the current density of an intermediate process is made lower than a current density of before/after process to form a plating layer of a fine metal crystal when depositing the metal wiring layer by plating, the recess can be obtained by carrying out an etching treatment.例文帳に追加

金属配線層の側面に窪みを設けるには、金属配線層をメッキにより析出させるに際して、中間工程の電流密度を前後の工程の電流密度よりも低くして微細金属結晶のメッキ層とした後、エッチング処理を行うことにより得られる。 - 特許庁

To provide a photosetting ink composition which eliminates a photolithography stage in a TFT process, is satisfactory in etching resistance, is wide in printing process margin and can perform printing in the resolution of several tens μm, to provide a method for producing an electronic component using the photosetting ink composition, and to provide the electronic component.例文帳に追加

ＴＦＴ製造過程におけるフォトリソグラフィー工程を無くし、エッチング耐性が良好で、印刷プロセスマージンも広く、数十μｍ以下の解像度で印刷することが可能な、光硬化性インキ組成物と、それを用いた電子部品の製造法ならびに電子部品の提供。 - 特許庁

To provide a cleaning composition capable of sufficiently removing a plasma etching residue and/or an ashing residue on a semiconductor substrate without damaging a wiring structure and an interlaminar insulation structure; and to provide a cleaning process and a process for producing a semiconductor device using the cleaning composition.例文帳に追加

配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁