「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

Preferably, the manufacturing method further includes a process S103 for removing an ion layer injected into the silicon substrate in the slit portion formed in the etching mask material by the focused ion beam.例文帳に追加

好ましくは、電子部品の製造方法は、集束イオンビームでエッチングマスク材に形成したスリット部分のシリコン基板に注入されたイオン層を除去する工程Ｓ１０３をさらに備える。 - 特許庁

A process for forming an opening in an insulation layer 4 formed of a silicone ladder polymer to expose a carbon nanotube layer 3 is executed by using two kinds of dry etching having distinct conditions.例文帳に追加

シリコーンラダーポリマーからなる絶縁層４に開口部を形成し、カーボンナノチューブ層３を露出させる工程は、条件が異なる２種類のドライエッチングを用いて実行される。 - 特許庁

To realize micromirror formation of high quality by an easy manufacturing process in a manufacturing method of a semiconductor device having a micromirror formed by anisotropic etching of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の異方性エッチングにより形成されるマイクロミラーを有する半導体装置の製造方法において、簡易な製造プロセスにより高品質のマイクロミラー形成を実現する。 - 特許庁

A method for manufacturing the magnetic head includes a process in which the groove parts 25a, 25b1 and 25b2 are formed in a nonmagnetic layer by using an etching mask layer having a first-third aperture parts.例文帳に追加

磁気ヘッドの製造方法は、第１ないし第３の開口部を有するエッチングマスク層を用いて非磁性層に溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２を形成する工程を備えている。 - 特許庁

To provide a method for economically manufacturing a fine structure having a fine unevenness part permitting incident light to pass efficiently using a nano-imprinting technique but not an etching process.例文帳に追加

入射した光を効率よく通過させ得る微細凹凸部を有する微細構造体をエッチングプロセスではなく、ナノインプリント技術を使用して、経済的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminate having an inorganic oxide layer on one surface or both surfaces of a polymer film includes a film deposition process for depositing the inorganic oxide layer and a treating process for performing a plasma treatment by RIE (Reactive Ion Etching) and is characterized by simultaneously performing the film deposition process and the treating process.例文帳に追加

本発明の積層体の製造方法及び製造装置は、高分子フィルムの片面もしくは両面上に、無機酸化物層を有する積層体の製造方法において、少なくとも、前記無機酸化物層を成膜する成膜工程と、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）によるプラズマ処理を施す処理工程と、を有し、前記成膜工程と処理工程とが、同時に施されることを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method of the wiring board includes a process for forming a plurality of patterned wiring on a substrate, a process for depositing the insulating film on the wiring, a process for arranging the wiring in environment for allowing the wiring to be subjected to etching treatment, and a process for forming a conductive layer for electrically connecting the wiring to a contact hole provided in the insulating film.例文帳に追加

基板上に、パターニングされた複数の配線を形成する工程と、前記配線上に絶縁膜を成膜する工程と、前記基板を、前記配線をエッチング処理する環境に配置する工程と、前記配線と、前記絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して電気的に接続する導電層を形成する工程と、を備えた配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

This surface unevenness forming method includes a process for forming an energy-sensitive negative resin composite layer containing at least one or more kinds of polymarizable monomers or oligomers, a process for irradiating activated energy rays at least once or more via a mask with the pattern formed or a process for directly plotting the pattern and a process for performing afterbaking without performing an etching operation.例文帳に追加

少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を形成する工程、パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を少なくとも一回以上照射する工程またはパターンを直接描画する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程を含む表面凹凸形成方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor laser device comprises a process of forming a laser wafer by laminating a plurality of layers on a substrate, a process of forming a plurality of recesses nearly in parallel with the laser wafer, an etching process of dipping the laser wafer in an etchant, and process of dividing the laser wafer along the recesses into a plurality of bar-like bodies.例文帳に追加

本発明による半導体レーザ素子の製造方法は、基板上に複数の層を積層してレーザウェハを形成する工程と、前記レーザウェハに略平行な複数の溝を形成する工程と、前記レーザウェハをエッチング溶液に浸漬するエッチング工程と、前記レーザウェハを前記溝に沿ってバー状成形体に分割する工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

At this time, the spectral analysis involves introduction of a semiconductor substrate into the process chamber, dry etching of the semiconductor substrate with a plasma, detection of the beam emitted from a viewpoint during dry etching, and turning of the beam into a spectrum, as well as sampling the spectrum per dry etching time zone, and aquisition of more than one specific wave strength.例文帳に追加

この時、スペクトル分析は、工程チェンバー内に半導体基板を投入する段階と、前記半導体基板をプラズマで乾式エッチングする段階と、乾式エッチングの間にビューポイントから投射された光を検出する段階と、前記光をスペクトル化することは勿論、スペクトルを乾式エッチング時間帯ごとに抽出して、一つ以上の特定波の強さを得る段階で構成される。 - 特許庁

To provide a method and device for producing an X-ray mask by which the starting point and end point of etching are detected with high precision even in the case the etching area is very small, the reproducibility of the etching in the producing process of the X-ray mask is enhanced, and the formation of patterns high in precision is realized.例文帳に追加

エッチング中のプラズマからの発光を分光し、エッチング反応に関わる化学種の発光強度の変化を感度よくモニターすることで、エッチング面積が微少な場合でも、エッチングの開始点、終点を高精度に検出し、Ｘ線マスクの作製プロセスにおけるエッチングの再現性を高め、高精度のパターン形成を実現するＸ線マスクの製造方法と装置を提供する。 - 特許庁

When Cu wiring 33 is embedded, by the damascene process, in the wiring trench 32 formed by dry-etching the interlayer dielectric containing the SiOF films 26, 29, an oxynitrided silicon film 27 is interposed between a silicon nitride film 28 constituting the etching stopper layer of the dry etching and the SiOF film 26, thereby trapping free F generated in the SiOF film 26 with the oxynitrided silicon film 27.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜２６、２９を含む層間絶縁膜をドライエッチングして形成した配線溝３２の内部にダマシン法でＣｕ配線３３を埋め込む際、上記ドライエッチングのエッチングストッパ層を構成する窒化シリコン膜２８とＳｉＯＦ膜２６との間に酸窒化シリコン膜２７を介在させ、ＳｉＯＦ膜２６中で発生した遊離のＦを酸窒化シリコン膜２７でトラップする。 - 特許庁

Although a first piezoelectric layer 71 on a vibration plate 52 is removed at a step of a photolithography etching process with remaining a region where a lower electrode 60 is formed, a second piezoelectric layer 72 containing lead zirconate titanate having a thickness equal to or more than 4 nm and equal to or less than 20 nm is formed over the first piezoelectric layer 71, the lower electrode 60, and the vibration plate 52 after the photolithography etching process.例文帳に追加

フォトリソエッチ工程の段階で、下電極６０が形成される領域を残して、振動板５２上の第１圧電体層７１が除去されるが、フォトリソエッチ工程後に、第１圧電体層７１、下電極６０および振動板５２にわたって、４ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の厚みのチタン酸ジルコン酸鉛を含む第２圧電体層７２を形成する。 - 特許庁

This method includes a process step of forming a plurality of apertures (402) inclusive of at least two apertures having areas varying from each other according to the lens-forming regions to be formed with one microlens and a process step subjecting the substrate to wet etching by using these, in which the external shapes of the microlenses are formed by this wet etching.例文帳に追加

基板（１０）上の該レジスト（４０１）に対して、一つのマイクロレンズを形成すべきレンズ形成用領域に応じ、相異なる面積を有する少なくとも二つの開口部を含む複数の開口部（４０２）を形成する工程と、これらを利用して前記基板に対するウェットエッチングを実施する工程とを含み、該ウェットエッチングによりマイクロレンズの外形形状を形成する。 - 特許庁

To provide a metal wiring substrate and a method of manufacturing the same, which can form a pattern of a metal film with a simple process not requiring any etching process on a metal film, can precisely form a fine pattern, even on a metal such as copper (Cu) that is difficult to control etching, and is superior in material utilization efficiency, and a metal wiring substrate for reflection liquid crystal display.例文帳に追加

金属膜のエッチング工程を必要とせず簡単なプロセスによりパターン形成することができ、銅（Ｃｕ）等のエッチング制御が困難な金属であっても精細にパターニングでき、かつ材料の利用効率の優れた金属配線基板及び金属配線基板の製造方法並びに反射型液晶表示装置用金属配線基板を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing semiconductor device includes steps of conducting an etching process to a film formed on a semiconductor substrate and peeling the deposits on the film by supplying a chemical solution, after the etching process, to the semiconductor substrate in a state where the substrate is rotated in the number of rotations lower than the predetermined number of rotations and then rotating the semiconductor substrate in the number of rotations larger than the predetermined number of rotations.例文帳に追加

半導体製造方法は、半導体基板上に形成された膜にエッチングを施す工程と、エッチングの後に、膜上の堆積物を剥離する薬液を所定の回転数よりも回転数が小さい状態の半導体基板に供給し、その後、半導体基板を所定の回転数よりも大きい高回転数で回転する剥離工程とを含む。 - 特許庁

The production method includes a process of forming a film consisting of any of an oxide of molybdenum silicon, nitride of molybdenum silicon, oxide nitride of molybdenum-silicon, nitride of silicon and oxide nitride of silicon on a quartz substrate, and a process of forming a phase shift mask pattern by reactive ion etching to selectively etch and remove the film by using an etching gas containing gaseous chlorine.例文帳に追加

石英基板上にモリブデン−シリコンの酸化物、モリブデン−シリコンの窒化物、モリブデン−シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

The method described above includes a process step of working the metallic layer 1 and the conductive layer 3 respectively by a photoetching method and a process step of working the insulating layer 2 by forming resist images in order to work the insulating layers and wet etching according to the resist images.例文帳に追加

金属層１と導電性層３をそれぞフォトエッチング法により加工する工程と、絶縁層２を加工するためのレジスト画像を形成し、当該レジスト画像に従ってウェットエッチングにより絶縁層２を加工する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

This method comprises: a process of coating an element isolation region and at least a part of an element region adjacent to the element isolation region by a resist layer; and a process of completely removing the oxide film on the source and drain regions and on the gate electrode by acidification or anisotropic etching.例文帳に追加

素子分離領域及び少なくとも素子分離領域に隣接した素子領域をレジスト層で覆う工程と、ソース、ドレイン領域及びゲート電極上の前記酸化膜を酸処理及び異方性エッチングにより完全に除去する工程を有する。 - 特許庁

In addition, the method includes the process of forming a first recessed part by laser processing in a region in which at least a region in which the beam 19 is formed in the face to be etched is excluded, and has the process of performing a first wet etching from the face to be etched to the silicon substrate.例文帳に追加

さらに、被エッチング面のうち梁１９を形成する領域を少なくとも除いた領域に、レーザー加工によって第１の凹部を形成する工程と、シリコン基板に対して、被エッチング面から第１のウエットエッチングを行う工程とを有する。 - 特許庁

Concave-convex portions are formed on the surface of a substrate by performing a process of partly forming masks on the surface of the substrate, and a process of forming concave portions by applying etching removal to the portions not covered by the mask on the surface of the substrate, in this order.例文帳に追加

基板の表面に部分的にマスクを形成する工程と、ドライエッチング法を用いて前記基板の表面の前記マスクに覆われていない部分をエッチング除去して凹部を形成する工程とを、この順に行うことにより、基板の表面に凹凸部を設ける。 - 特許庁

To provide an epitaxial growth method of semiconductor element in which a uniform shape can be formed epitaxially by preventing etching damage of a silicon peripheral insulation film being grown in the surface treatment process of a semiconductor substrate for SEG process.例文帳に追加

ＳＥＧ工程のための半導体基板の表面処理工程において成長させるシリコン周辺絶縁膜のエッチング損傷を防止することにより、均一な形状のエピチャネルを形成し得る半導体素子のエピチャネル形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a circuit forming method which reduces etching process load and resist process load to achieve improvement of dimensional precision and minuteness of circuit intervals when obtaining a circuit board comprising a metal-insulator composite member and is versatile, and to provide a product manufactured by the circuit forming method.例文帳に追加

金属−絶縁体複合部材による回路基板を得るにあたり、エッチング加工負荷およびレジスト工程負荷の軽減を図り、寸法精度の向上や回路間隔の細小化を図ると共に汎用性のある回路形成方法とその製品を提供する。 - 特許庁

The method for etching the surface of a seed crystal is characterized by including a process for introducing catalytic agents 6 and 76 into a crystal growth vessel 12 after housing a seed crystal 2 in a reaction chamber 11 and a process for raising the temperature in the reaction chamber 11.例文帳に追加

本種結晶表面のエッチング方法は、種結晶２を反応室１１内に格納した後、触媒剤６および７６を結晶成長容器１２に導入する工程、反応室１１内を昇温する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

It also includes a hole formation process wherein a hole 11a reaching deep in the semiconductor substrate 10 is formed from the surface RS of the semiconductor substrate 10 using the LOCOS oxide film 12 formed in the interlayer film formation process as an etching mask.例文帳に追加

孔形成工程では、層間膜形成工程にて形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜１２をエッチングマスクとして利用して、半導体基板１０の表面ＲＳから該半導体基板１０の深層に至る孔１１ａを形成する孔形成工程を備える。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which can control a reflection electric power generated when an etching primary process and a deposition primary process are switched or when on and off of a high frequency electric power which is supplied to a plasma generation device or an electrode are switched.例文帳に追加

エッチング主体の工程とデポジション主体の工程を切り換えたときや、プラズマ発生装置または電極に供給する高周波電力のＯＮ／ＯＦＦを切り換えたときに発生する反射電力を抑制できるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The length of the short sides of the vibrating plate is formed 150μm or less and the clearance 7 is formed by the sacrificing layer process performing dry etching using sacrificing layer removal holes provided along the long sides.例文帳に追加

振動板の短辺長は１５０μｍ以下に形成され、空隙７は振動板の長辺に沿って設けられた犠牲層除去孔を用いてドライエッチングを行う犠牲層プロセスによって形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a film transistor in which an etch stop material remains in a source/drain isolation etching process, and which solves a problem of deterioration of source/drain interface characteristics, and decreases the required number of optical masks.例文帳に追加

ソース／ドレーン分離エッチングプロセスでエッチストップ材質が残留し、ソース／ドレーンインターフェース特性が悪くなる問題を解消し、必要な光マスク数を減少するフィルムトランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the photosensitive liquid composition good in coating performance by an immersion process and adapted to an etching-or plating- resistant film necessary for forming a microcircuit pattern high in density.例文帳に追加

浸漬法による塗布性が良好な感光液組成物であり、高密度で微細な回路パターンを形成する際に必要なエッチングレジストまたはメッキレジスト用皮膜として好適な感光液組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming an element isolation film for preventing a liner insulation film or the like from remaining on the sidewall of a conductive film for a floating gate in an etching process for performing the adjustment of effective field height of the element isolation film.例文帳に追加

素子分離膜の有効高調整を行うためのエッチング工程時、フローティングゲート用導電膜の側壁にライナ絶縁膜などを残留させない素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

A non-SiN-based insulating film, such as a P-SiO film having N-H groups on its surface generated by an HMDS process may be uses as the CU anti-diffusion layer and/or etching stopper layer.例文帳に追加

ＨＭＤＳ処理などにより表面にＮ−Ｈ基を生成したＰ−ＳｉＯ膜などの非ＳｉＮ系絶縁膜をＣｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層として用いてもよい。 - 特許庁

To provide a fabrication method of a semiconductor device in which an etching process is eliminated by removing residue of a pattern obtained from mold pressing, and even a fine pattern having a size equal to a wavelength of irradiated light or less can be formed.例文帳に追加

モールドプレスすることにより得られたパターンの残渣をなくすことでエッチング工程をなくし、照射光の波長以下の微細パターンまで形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A groove (85) is partially etched and the groove (85) is formed almost inside the secondary dielectric layer (40) after BARC (back side anti-reflection coating) is completely or partially removed from the via (62), which completes a groove etching process.例文帳に追加

溝（８５）を部分的にエッチングし、ＢＡＲＣをビア（６２）から完全にまたは部分的に除去して溝（８５）をほとんど第２の誘電層（４０）内に形成し、溝エッチング・プロセスを完了する。 - 特許庁

The isotropic etching (third process) is performed again and this needle-like body 31 constituted of a conical tip part 31a having a desired tapered shape and a column part 31b continued from it is manufactured (d).例文帳に追加

再び等方性エッチング（第３工程）を行って、所望のテーパ形状を有する円錐状の先端部３１ａとそれに連なる円柱部３１ｂとで構成される針状体３１を作製する（ｄ）。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2, an active layer 3, and an n-type InP clad layer 4 formed on a p-type InP substrate 1 are processed through a first dry etching process for the formation of a ridge 6.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板１の上に形成された、ｐ型ＩｎＰバッファ層２、活性層３およびｎ型ＩｎＰクラッド層４を第１のドライエッチングにより加工して、リッジ部６を形成する。 - 特許庁

After a trench 14 is cut in a silicon substrate 11 through an etching process where a pad oxide film 12 and a nitride film 13 are used as mask, an oxide film is filled into the trench 14 to form a trench isolation oxide film 16.例文帳に追加

パッド酸化膜１２，窒化膜１３をマスクとするエッチングにより、シリコン基板１１にトレンチ１４を形成した後、トレンチ内に酸化膜を埋め込んで、トレンチ分離酸化膜１６を形成する。 - 特許庁

To provide a vacuum processing method for reducing adhesion of foreign matter to a sample in transporting the sample from a vacuum transport chamber to a processing chamber, and reducing the foreign matter adhering to the sample after starting an etching process.例文帳に追加

真空搬送室から処理室に搬送する際の試料への異物付着を低減すると共に、試料に付着している異物をエッチング処理開始後に低減する真空処理方法を提供する。 - 特許庁

Thus, a problem that a hole is made in the insulation protection film of a wiring arrangement except the bonding pad is solved in the etching process for opening the bonding pad is solved, and a defect of the insulation protection film is prevented.例文帳に追加

これにより、ボンディングパッドを開口するためのエッチング工程においてボンディングパッド上以外の配線配置部絶縁保護膜に穴が開く問題を解決し、絶縁保護膜の欠損を防止する。 - 特許庁

To provide a method for forming a mask pattern in an easy process so as to increase the etching selection ratio for a material to be etched (such as a metal film to be etched) comparable with a hard mask.例文帳に追加

ハードマスクに匹敵する被エッチング材料（例えば金属からなる被エッチング膜）とのエッチング選択比を大きくすることが可能なマスクパターンを簡単な工程で形成する方法を提供する。 - 特許庁

Thus, without carrying out any heat treatment to actualize the defects, the area of the region where the protrusions are generated in the etching process can be made ≤10% of the area of the silicon wafer 40.例文帳に追加

これにより、欠陥を顕在化させるための熱処理を行うことなく、エッチング工程にて突起が発生する領域の面積をシリコンウェーハ４０の面積の１０％以下とすることができる。 - 特許庁

To provide a method of forming a bit contact which settles an issue of insufficient separation margin on resist pattern exposure as well as local variations in dry-etching process to suppress increase in the number of steps and laboriousness.例文帳に追加

レジストパターン露光時の分離マージン不足の解消と同時にドライエッチング加工の局所ばらつきを解消し、工程数の増大及び煩雑化を抑えたビットコンタクトの形成方法を提供する。 - 特許庁

Afterwards, the vias are filled with low dielectric constant materials 60 serving as sacrificial layers in a spin-coating process followed by using a chemical mechanical polishing or etching back to remove the excess low dielectric constant material.例文帳に追加

その後、ビアはスピン塗布工程で犠牲膜として働く低誘電率材料６０で充填され、さらに化学機械的研磨またはエッチバックを用いて低誘電率材料の余分な部分が除去される。 - 特許庁

To surely remove smears without excessively etching a conductor layer part in a smear removing process, even if a hole diameter becomes small down to 40 μm, and the prepared hole of a via hole is made by laser irradiation.例文帳に追加

孔径が４０μｍと小さくなり、レーザー照射によりビアホールの下穴を形成した場合にも、スミア除去工程において、導体層部を過剰にエッチングすることなく、スミアを確実に除去する。 - 特許庁

In this process, even when the pattern of contact hole 18 is diffused into the trench 12, the denatured SOG film 13a is not etched because the etching grade is rather low and therefore the side wall of trench 12 is never exposed.例文帳に追加

この工程において、コンタクトホール１８のパターンがトレンチ１２にずれ込んでも改質ＳＯＧ膜１３ａはそのエッチングレートが低いため食刻されず、トレンチ１２側壁は露出しない。 - 特許庁

Thus, the radical composition in plasma is changed from CF_2 dominant to CF dominant, by the catalytic effects of copper and a process margin is increased by controlling the thickness of the precursor layer of etching.例文帳に追加

これにより、銅の触媒効果でプラズマ中のラジカル組成をＣＦ_2ドミナントからＣＦドミナントに変化させ、エッチングの前駆体層の厚みを制御することでプロセスマージンの拡大を図ることができる。 - 特許庁