「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

Preferably, the manufacturing method further includes a process S103 for removing an ion layer injected into the silicon substrate in the slit portion formed in the etching mask material by the focused ion beam.例文帳に追加

好ましくは、電子部品の製造方法は、集束イオンビームでエッチングマスク材に形成したスリット部分のシリコン基板に注入されたイオン層を除去する工程Ｓ１０３をさらに備える。 - 特許庁

A process for forming an opening in an insulation layer 4 formed of a silicone ladder polymer to expose a carbon nanotube layer 3 is executed by using two kinds of dry etching having distinct conditions.例文帳に追加

シリコーンラダーポリマーからなる絶縁層４に開口部を形成し、カーボンナノチューブ層３を露出させる工程は、条件が異なる２種類のドライエッチングを用いて実行される。 - 特許庁

To realize micromirror formation of high quality by an easy manufacturing process in a manufacturing method of a semiconductor device having a micromirror formed by anisotropic etching of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の異方性エッチングにより形成されるマイクロミラーを有する半導体装置の製造方法において、簡易な製造プロセスにより高品質のマイクロミラー形成を実現する。 - 特許庁

A method for manufacturing the magnetic head includes a process in which the groove parts 25a, 25b1 and 25b2 are formed in a nonmagnetic layer by using an etching mask layer having a first-third aperture parts.例文帳に追加

磁気ヘッドの製造方法は、第１ないし第３の開口部を有するエッチングマスク層を用いて非磁性層に溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２を形成する工程を備えている。 - 特許庁

To provide a method for economically manufacturing a fine structure having a fine unevenness part permitting incident light to pass efficiently using a nano-imprinting technique but not an etching process.例文帳に追加

入射した光を効率よく通過させ得る微細凹凸部を有する微細構造体をエッチングプロセスではなく、ナノインプリント技術を使用して、経済的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of the wiring board includes a process for forming a plurality of patterned wiring on a substrate, a process for depositing the insulating film on the wiring, a process for arranging the wiring in environment for allowing the wiring to be subjected to etching treatment, and a process for forming a conductive layer for electrically connecting the wiring to a contact hole provided in the insulating film.例文帳に追加

基板上に、パターニングされた複数の配線を形成する工程と、前記配線上に絶縁膜を成膜する工程と、前記基板を、前記配線をエッチング処理する環境に配置する工程と、前記配線と、前記絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して電気的に接続する導電層を形成する工程と、を備えた配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminate having an inorganic oxide layer on one surface or both surfaces of a polymer film includes a film deposition process for depositing the inorganic oxide layer and a treating process for performing a plasma treatment by RIE (Reactive Ion Etching) and is characterized by simultaneously performing the film deposition process and the treating process.例文帳に追加

本発明の積層体の製造方法及び製造装置は、高分子フィルムの片面もしくは両面上に、無機酸化物層を有する積層体の製造方法において、少なくとも、前記無機酸化物層を成膜する成膜工程と、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）によるプラズマ処理を施す処理工程と、を有し、前記成膜工程と処理工程とが、同時に施されることを特徴とする。 - 特許庁

This surface unevenness forming method includes a process for forming an energy-sensitive negative resin composite layer containing at least one or more kinds of polymarizable monomers or oligomers, a process for irradiating activated energy rays at least once or more via a mask with the pattern formed or a process for directly plotting the pattern and a process for performing afterbaking without performing an etching operation.例文帳に追加

少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を形成する工程、パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を少なくとも一回以上照射する工程またはパターンを直接描画する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程を含む表面凹凸形成方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor laser device comprises a process of forming a laser wafer by laminating a plurality of layers on a substrate, a process of forming a plurality of recesses nearly in parallel with the laser wafer, an etching process of dipping the laser wafer in an etchant, and process of dividing the laser wafer along the recesses into a plurality of bar-like bodies.例文帳に追加

本発明による半導体レーザ素子の製造方法は、基板上に複数の層を積層してレーザウェハを形成する工程と、前記レーザウェハに略平行な複数の溝を形成する工程と、前記レーザウェハをエッチング溶液に浸漬するエッチング工程と、前記レーザウェハを前記溝に沿ってバー状成形体に分割する工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

At this time, the spectral analysis involves introduction of a semiconductor substrate into the process chamber, dry etching of the semiconductor substrate with a plasma, detection of the beam emitted from a viewpoint during dry etching, and turning of the beam into a spectrum, as well as sampling the spectrum per dry etching time zone, and aquisition of more than one specific wave strength.例文帳に追加

この時、スペクトル分析は、工程チェンバー内に半導体基板を投入する段階と、前記半導体基板をプラズマで乾式エッチングする段階と、乾式エッチングの間にビューポイントから投射された光を検出する段階と、前記光をスペクトル化することは勿論、スペクトルを乾式エッチング時間帯ごとに抽出して、一つ以上の特定波の強さを得る段階で構成される。 - 特許庁

To provide a method and device for producing an X-ray mask by which the starting point and end point of etching are detected with high precision even in the case the etching area is very small, the reproducibility of the etching in the producing process of the X-ray mask is enhanced, and the formation of patterns high in precision is realized.例文帳に追加

エッチング中のプラズマからの発光を分光し、エッチング反応に関わる化学種の発光強度の変化を感度よくモニターすることで、エッチング面積が微少な場合でも、エッチングの開始点、終点を高精度に検出し、Ｘ線マスクの作製プロセスにおけるエッチングの再現性を高め、高精度のパターン形成を実現するＸ線マスクの製造方法と装置を提供する。 - 特許庁

When Cu wiring 33 is embedded, by the damascene process, in the wiring trench 32 formed by dry-etching the interlayer dielectric containing the SiOF films 26, 29, an oxynitrided silicon film 27 is interposed between a silicon nitride film 28 constituting the etching stopper layer of the dry etching and the SiOF film 26, thereby trapping free F generated in the SiOF film 26 with the oxynitrided silicon film 27.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜２６、２９を含む層間絶縁膜をドライエッチングして形成した配線溝３２の内部にダマシン法でＣｕ配線３３を埋め込む際、上記ドライエッチングのエッチングストッパ層を構成する窒化シリコン膜２８とＳｉＯＦ膜２６との間に酸窒化シリコン膜２７を介在させ、ＳｉＯＦ膜２６中で発生した遊離のＦを酸窒化シリコン膜２７でトラップする。 - 特許庁

To provide a metal wiring substrate and a method of manufacturing the same, which can form a pattern of a metal film with a simple process not requiring any etching process on a metal film, can precisely form a fine pattern, even on a metal such as copper (Cu) that is difficult to control etching, and is superior in material utilization efficiency, and a metal wiring substrate for reflection liquid crystal display.例文帳に追加

金属膜のエッチング工程を必要とせず簡単なプロセスによりパターン形成することができ、銅（Ｃｕ）等のエッチング制御が困難な金属であっても精細にパターニングでき、かつ材料の利用効率の優れた金属配線基板及び金属配線基板の製造方法並びに反射型液晶表示装置用金属配線基板を提供する。 - 特許庁

Although a first piezoelectric layer 71 on a vibration plate 52 is removed at a step of a photolithography etching process with remaining a region where a lower electrode 60 is formed, a second piezoelectric layer 72 containing lead zirconate titanate having a thickness equal to or more than 4 nm and equal to or less than 20 nm is formed over the first piezoelectric layer 71, the lower electrode 60, and the vibration plate 52 after the photolithography etching process.例文帳に追加

フォトリソエッチ工程の段階で、下電極６０が形成される領域を残して、振動板５２上の第１圧電体層７１が除去されるが、フォトリソエッチ工程後に、第１圧電体層７１、下電極６０および振動板５２にわたって、４ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の厚みのチタン酸ジルコン酸鉛を含む第２圧電体層７２を形成する。 - 特許庁

This method includes a process step of forming a plurality of apertures (402) inclusive of at least two apertures having areas varying from each other according to the lens-forming regions to be formed with one microlens and a process step subjecting the substrate to wet etching by using these, in which the external shapes of the microlenses are formed by this wet etching.例文帳に追加

基板（１０）上の該レジスト（４０１）に対して、一つのマイクロレンズを形成すべきレンズ形成用領域に応じ、相異なる面積を有する少なくとも二つの開口部を含む複数の開口部（４０２）を形成する工程と、これらを利用して前記基板に対するウェットエッチングを実施する工程とを含み、該ウェットエッチングによりマイクロレンズの外形形状を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing semiconductor device includes steps of conducting an etching process to a film formed on a semiconductor substrate and peeling the deposits on the film by supplying a chemical solution, after the etching process, to the semiconductor substrate in a state where the substrate is rotated in the number of rotations lower than the predetermined number of rotations and then rotating the semiconductor substrate in the number of rotations larger than the predetermined number of rotations.例文帳に追加

半導体製造方法は、半導体基板上に形成された膜にエッチングを施す工程と、エッチングの後に、膜上の堆積物を剥離する薬液を所定の回転数よりも回転数が小さい状態の半導体基板に供給し、その後、半導体基板を所定の回転数よりも大きい高回転数で回転する剥離工程とを含む。 - 特許庁

The production method includes a process of forming a film consisting of any of an oxide of molybdenum silicon, nitride of molybdenum silicon, oxide nitride of molybdenum-silicon, nitride of silicon and oxide nitride of silicon on a quartz substrate, and a process of forming a phase shift mask pattern by reactive ion etching to selectively etch and remove the film by using an etching gas containing gaseous chlorine.例文帳に追加

石英基板上にモリブデン−シリコンの酸化物、モリブデン−シリコンの窒化物、モリブデン−シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

The method described above includes a process step of working the metallic layer 1 and the conductive layer 3 respectively by a photoetching method and a process step of working the insulating layer 2 by forming resist images in order to work the insulating layers and wet etching according to the resist images.例文帳に追加

金属層１と導電性層３をそれぞフォトエッチング法により加工する工程と、絶縁層２を加工するためのレジスト画像を形成し、当該レジスト画像に従ってウェットエッチングにより絶縁層２を加工する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Concave-convex portions are formed on the surface of a substrate by performing a process of partly forming masks on the surface of the substrate, and a process of forming concave portions by applying etching removal to the portions not covered by the mask on the surface of the substrate, in this order.例文帳に追加

基板の表面に部分的にマスクを形成する工程と、ドライエッチング法を用いて前記基板の表面の前記マスクに覆われていない部分をエッチング除去して凹部を形成する工程とを、この順に行うことにより、基板の表面に凹凸部を設ける。 - 特許庁

This method comprises: a process of coating an element isolation region and at least a part of an element region adjacent to the element isolation region by a resist layer; and a process of completely removing the oxide film on the source and drain regions and on the gate electrode by acidification or anisotropic etching.例文帳に追加

素子分離領域及び少なくとも素子分離領域に隣接した素子領域をレジスト層で覆う工程と、ソース、ドレイン領域及びゲート電極上の前記酸化膜を酸処理及び異方性エッチングにより完全に除去する工程を有する。 - 特許庁

In addition, the method includes the process of forming a first recessed part by laser processing in a region in which at least a region in which the beam 19 is formed in the face to be etched is excluded, and has the process of performing a first wet etching from the face to be etched to the silicon substrate.例文帳に追加

さらに、被エッチング面のうち梁１９を形成する領域を少なくとも除いた領域に、レーザー加工によって第１の凹部を形成する工程と、シリコン基板に対して、被エッチング面から第１のウエットエッチングを行う工程とを有する。 - 特許庁

To provide an epitaxial growth method of semiconductor element in which a uniform shape can be formed epitaxially by preventing etching damage of a silicon peripheral insulation film being grown in the surface treatment process of a semiconductor substrate for SEG process.例文帳に追加

ＳＥＧ工程のための半導体基板の表面処理工程において成長させるシリコン周辺絶縁膜のエッチング損傷を防止することにより、均一な形状のエピチャネルを形成し得る半導体素子のエピチャネル形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a circuit forming method which reduces etching process load and resist process load to achieve improvement of dimensional precision and minuteness of circuit intervals when obtaining a circuit board comprising a metal-insulator composite member and is versatile, and to provide a product manufactured by the circuit forming method.例文帳に追加

金属−絶縁体複合部材による回路基板を得るにあたり、エッチング加工負荷およびレジスト工程負荷の軽減を図り、寸法精度の向上や回路間隔の細小化を図ると共に汎用性のある回路形成方法とその製品を提供する。 - 特許庁

The method for etching the surface of a seed crystal is characterized by including a process for introducing catalytic agents 6 and 76 into a crystal growth vessel 12 after housing a seed crystal 2 in a reaction chamber 11 and a process for raising the temperature in the reaction chamber 11.例文帳に追加

本種結晶表面のエッチング方法は、種結晶２を反応室１１内に格納した後、触媒剤６および７６を結晶成長容器１２に導入する工程、反応室１１内を昇温する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

It also includes a hole formation process wherein a hole 11a reaching deep in the semiconductor substrate 10 is formed from the surface RS of the semiconductor substrate 10 using the LOCOS oxide film 12 formed in the interlayer film formation process as an etching mask.例文帳に追加

孔形成工程では、層間膜形成工程にて形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜１２をエッチングマスクとして利用して、半導体基板１０の表面ＲＳから該半導体基板１０の深層に至る孔１１ａを形成する孔形成工程を備える。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which can control a reflection electric power generated when an etching primary process and a deposition primary process are switched or when on and off of a high frequency electric power which is supplied to a plasma generation device or an electrode are switched.例文帳に追加

エッチング主体の工程とデポジション主体の工程を切り換えたときや、プラズマ発生装置または電極に供給する高周波電力のＯＮ／ＯＦＦを切り換えたときに発生する反射電力を抑制できるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The length of the short sides of the vibrating plate is formed 150μm or less and the clearance 7 is formed by the sacrificing layer process performing dry etching using sacrificing layer removal holes provided along the long sides.例文帳に追加

振動板の短辺長は１５０μｍ以下に形成され、空隙７は振動板の長辺に沿って設けられた犠牲層除去孔を用いてドライエッチングを行う犠牲層プロセスによって形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a film transistor in which an etch stop material remains in a source/drain isolation etching process, and which solves a problem of deterioration of source/drain interface characteristics, and decreases the required number of optical masks.例文帳に追加

ソース／ドレーン分離エッチングプロセスでエッチストップ材質が残留し、ソース／ドレーンインターフェース特性が悪くなる問題を解消し、必要な光マスク数を減少するフィルムトランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

After a trench 14 is cut in a silicon substrate 11 through an etching process where a pad oxide film 12 and a nitride film 13 are used as mask, an oxide film is filled into the trench 14 to form a trench isolation oxide film 16.例文帳に追加

パッド酸化膜１２，窒化膜１３をマスクとするエッチングにより、シリコン基板１１にトレンチ１４を形成した後、トレンチ内に酸化膜を埋め込んで、トレンチ分離酸化膜１６を形成する。 - 特許庁

Afterwards, the vias are filled with low dielectric constant materials 60 serving as sacrificial layers in a spin-coating process followed by using a chemical mechanical polishing or etching back to remove the excess low dielectric constant material.例文帳に追加

その後、ビアはスピン塗布工程で犠牲膜として働く低誘電率材料６０で充填され、さらに化学機械的研磨またはエッチバックを用いて低誘電率材料の余分な部分が除去される。 - 特許庁

To surely remove smears without excessively etching a conductor layer part in a smear removing process, even if a hole diameter becomes small down to 40 μm, and the prepared hole of a via hole is made by laser irradiation.例文帳に追加

孔径が４０μｍと小さくなり、レーザー照射によりビアホールの下穴を形成した場合にも、スミア除去工程において、導体層部を過剰にエッチングすることなく、スミアを確実に除去する。 - 特許庁

In this process, even when the pattern of contact hole 18 is diffused into the trench 12, the denatured SOG film 13a is not etched because the etching grade is rather low and therefore the side wall of trench 12 is never exposed.例文帳に追加

この工程において、コンタクトホール１８のパターンがトレンチ１２にずれ込んでも改質ＳＯＧ膜１３ａはそのエッチングレートが低いため食刻されず、トレンチ１２側壁は露出しない。 - 特許庁

Thus, the radical composition in plasma is changed from CF_2 dominant to CF dominant, by the catalytic effects of copper and a process margin is increased by controlling the thickness of the precursor layer of etching.例文帳に追加

これにより、銅の触媒効果でプラズマ中のラジカル組成をＣＦ_2ドミナントからＣＦドミナントに変化させ、エッチングの前駆体層の厚みを制御することでプロセスマージンの拡大を図ることができる。 - 特許庁

Using a mixed gas comprising CF4, O2, and Cl2 in an etching chamber 2, a semiconductor substrate 3 where a metal film is formed is etched in a high-temperature process at 100-200°C.例文帳に追加

エッチング室２内においてＣＦ_4 、Ｏ_2 及びＣｌ_2 から構成された混合ガスを用い、金属膜が形成されている半導体基板３のエッチング時の温度を１００〜２００℃の高温プロセスでエッチングする。 - 特許庁

The sensor 30 for plasma process detection has an insulating film 34 that increase in the hole diameter D11 through wet etching almost, without hardly increasing the hole diameter D10 of an upper electrode 35.例文帳に追加

プラズマプロセス検出用センサ３０は、ウェットエッチングにより、上部電極３５のホール直径Ｄ１０を殆ど広げることなく、絶縁膜３４のホール直径Ｄ１１を広げるようにしている。 - 特許庁

Furthermore, the method comprises a process of etching a SiN film selectively, by using a mixed solution of H2SO4 and H2O or this mixed solution added with a very small amount of hydrofluoric acid.例文帳に追加

さらに、Ｈ_2ＳＯ_4とＨ_2Ｏとの混合液、またはこの混合液に微量のフッ酸を添加したエッチング液を用い、ＳｉＮ膜を選択的にエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

Oxygen-based gas is introduced into the 2nd chamber 2 to generate plasma, and resist provided to the base material and a part of reaction products produced through an etching process are ashed off with the above plasma.例文帳に追加

第２チャンバ２内に酸素系ガスを導入してプラズマを生成し、基材に設けてあるレジスト及びエッチング処理にて生成された反応生成物の一部を前記プラズマによってアッシング除去する。 - 特許庁

Furthermore, the method includes the process of performing a second wet etching until the face to be etched penetrates through the silicon substrate and reaches a sacrifice layer to the silicon substrate to form an ink feeding opening 20 equipped with the beam 19.例文帳に追加

さらに、シリコン基板に対して、被エッチング面がシリコン基板を貫通して犠牲層に達するまで第２のウエットエッチングを行い、梁１９を備えたインク供給口２０を形成する工程を有する。 - 特許庁

To provide a method for recovering valuable materials from a spent copper chloride etching solution that treats the surplus spent solution within the site and allows an effective utilization of the byproducts from the treatment process within the site.例文帳に追加

余剰となる廃液を同一工場内で処理し、処理に伴い発生する副生物が当該工場内で有効利用できる塩化銅エッチング廃液からの有価物回収方法。 - 特許庁

Since beveling is carried out after finishing heat treatment for bonding, conventionally required edge grinding or masking taping or alkaline etching process can be eliminated and production cost of a SOI wafer can be reduced.例文帳に追加

このように、結合熱処理終了後にベベリング処理を行うことで、従来必要であったエッジ研削又はマスキングテープ貼りやアルカリエッチングの工程を削減でき、ＳＯＩウェハの製造コスト削減を図れる。 - 特許庁

In the substrate-processing method for the above purpose, the final process in the surface on which the crystal of the Mg_xZn_1-xO substrate is to be grown is performed by the acidic wet-etching at pH3 or below.例文帳に追加

このための基板処理方法として、Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ基板の結晶成長を行う側の表面における最終処理は、ｐＨ３以下の酸性ウェットエッチングで行われる。 - 特許庁

For example, after a contact hole 25a for forming the CB is formed between gate electrode parts 17, 17 by lithography process and etching, a second interlayer film 35 is removed by pullback.例文帳に追加

たとえば、リソグラフィ工程およびドライエッチングにより、ゲート電極部１７，１７の相互間に、ＣＢを形成するためのコンタクト孔２５ａを開孔した後、さらに第２の層間膜３５をプルバックにより除去する。 - 特許庁

To generate an effect of an inverted phase by means of first and second refraction matching layers and refractive index matching, to allow for interference of an influence on a visual sensation which a trace by an etching process imparts.例文帳に追加

第一、第二屈折整合層の厚み及び屈折率整合（refractive index matching）により、反転位相の効果を生じさせ、エッチング工程による痕跡が視覚に与える影響を干渉可能とすること。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor device free from damages to an organic semiconductor layer having proper on/off ratio regardless of the presence of a source/drain electrode formed through etching process.例文帳に追加

エッチングによりソース・ドレイン電極を形成しても、有機半導体層が損傷を受けることなく、良好なオン／オフ比を示す有機半導体装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an electromagnetic wave shieldable transparent laminate where discoloration of an adhesive layer due to etchant does not occur in the electromagnetic wave shieldable transparent laminate obtained through an etching process.例文帳に追加

エッチングプロセス工程を経て得られる電磁波シールド性透明積層体において、エッチング液に起因する接着剤層の変色のない電磁波シールド性透明積層体を提供することを目的とする。 - 特許庁