「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

A polishing stopper layer 42 with high polishing resistance is formed on a substrate 41, and then is subjected to a dry etching process with a dry etching device by using a photoresist layer as a mask so as to form an opening section 46, and a first coloring layer 56 is formed so as to bury the upper side of the polishing stopper layer 42 and the opening section 46.例文帳に追加

支持体４１上に研磨耐性の高い研磨ストッパー層４２を形成した後、フォトレジスト層をマスクとしてドライエッチング装置でドライエッチング処理し、開口部４６を形成し、研磨ストッパー層４２上及び開口部４６を埋め込むように第１の着色層５６を形成する。 - 特許庁

To provide a resist lower layer film forming composition capable of forming a resist lower layer film capable of transferring a resist pattern with satisfactory fidelity and reproducibility to a substrate to be processed because the composition has a film curing property, superior etching resistance, and because the pattern formed by a dry etching process is hardly bent.例文帳に追加

膜硬化性を有し、エッチング耐性に優れ、更に、ドライエッチングプロセスによって形成したパターンが折れ曲がり難いため、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能なレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

To suppress the remainder after etching in the second insulating film 2 or generation of side etching for a device separating structure comprising the first and second insulating films for suppressing a mixed colors and avoiding short-circuiting in a display of an organic electroluminescence in which a luminescence layer is formed by an ink-jet process.例文帳に追加

インクジェットプロセスにより発光層が形成される有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、混色抑制と短絡回避のために、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を備えた素子分離構造に対して、第２の絶縁膜2のエッチング残さやサイドエッチの発生を、抑制する。 - 特許庁

Thereafter, the surface of the insulating film is irradiated with reactive plasma having an action of chemically etching the insulating film, and the surface of the insulating film irradiated with the plasma is irradiated with inert gas ion for sputter etching to process a cross section of the connection hole into a forward tapered shape.例文帳に追加

その後、絶縁膜の表面に、絶縁膜を化学的にエッチングする作用を有する反応性プラズマを照射し、プラズマが照射された絶縁膜の表面に不活性ガスのイオンを照射してスパッタエッチングすることにより、接続孔の断面を順テーパーに加工する。 - 特許庁

To provide a cleaning liquid capable of removing an etching residue remaining after dry etching, in a short time, in a wiring process of a semiconductor element used for a semiconductor integrated circuit, without causing oxidation nor corrosion of a copper wiring material, an insulating film material, etc., and to provide a cleaning method using the same.例文帳に追加

半導体集積回路に用いられる半導体素子の配線工程における、ドライエッチング後に残存するエッチング残渣を短時間で除去でき、かつ、銅配線素材や絶縁膜材料等を酸化または腐食しない洗浄液を用いた洗浄法を提供すること。 - 特許庁

An insulating layer is made of the first insulating layer and the second insulating layer which is stacked on the first insulating layer and is lower in etching speed than the first insulating layer, and even in a light etching process for a surface oxide film, the topside of an isolation wall projects from the top end of the storage node layer.例文帳に追加

絶縁層を、第１絶縁層と、第１絶縁層上に積層された第１絶縁層よりエッチング速度の遅い第２絶縁層から形成し、表面酸化膜のライトエッチング工程後においても、分離壁の上面がストレージノード層の上端より突出した構造とする。 - 特許庁

Then, the projected part projected upwards from the upper surface of the metal film 17 of the side wall 31 composed of a reaction product and formed on the inner side face of an etching part 18 in the process of the dry etching is removed by plasma treatment using gas containing fluorine elements.例文帳に追加

そして、前記ドライエッチングの過程でエッチング部位１８の内側面に形成された反応生成物からなる側壁３１の、金属膜１７の上面より上方に突出する突出部を、フッ素元素を含むガスを用いたプラズマ処理により行うこと除去する。 - 特許庁

To overcome the problem of a prior art such that the reaction product of the atom of a metal film and the gas of dry etching is generated for preventing the patterning of the insulating film in a termination process when the insulating film on the metal film is subjected to dry etching by a mask made of a photosensitive resin that is subjected to pattern formation.例文帳に追加

金属膜上の絶縁膜を、パターン形成された感光性樹脂のマスクでのドライエッチングを行うと、終端工程で、上記金属膜の原子と上記ドライエッチングのガスとの反応生成物が生成され、上記絶縁膜のパターン化の支障になる。 - 特許庁

The composition for etching silicon nitride which contains phosphoric acid, a soluble silicon compound, nitric acid and/or nitrate, and water and contains no hydrofluoric acid has a high etching selection ratio of silicon nitride to silicon oxide and is free of a problem of redeposition of silicon oxide when a batch process is repeated.例文帳に追加

リン酸、可溶性ケイ素化合物、硝酸及び／又は硝酸塩、水を含んでなり、しかもフッ酸を含有しない窒化ケイ素のエッチング用組成物では、酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチング選択比が高く、なおかつバッチ処理を繰り返した場合における酸化ケイ素の再析出の問題がない。 - 特許庁

Since the thick first oxide film covering the CMOS section is removed by wet etching and the thick first oxide film remaining on the trench MOSFET is removed by anisotropic etching in the fabrication process, the gate oxide film in the trench does not sink and a high gate breakdown voltage can be ensured.例文帳に追加

その製造方法はＣＭＯＳ部を被覆している厚い第１の酸化膜をウェットエッチングで除去し、トレンチＭＯＳＦＥＴ上に残った厚い第１の酸化膜を異方性エッチングで除去することで、トレンチ内のゲート酸化膜に落ち込みが発生しないために高いゲート耐圧を確保できる。 - 特許庁

To stably manufacture a highly reliable capacitive pressure sensor with less dispersion of sensitivity characteristic at a high non-defective rate by reducing the fluctuation of silicon etching rate in the process of forming the cavity part and diaphragm part of a sensor chip by etching.例文帳に追加

センサチップのキャビティ部とダイアフラム部をエッチングにより形成する工程において、シリコンエッチングレートの変動を減少させることにより、感度特性のばらつきが少なく、信頼性の高い静電容量型圧力センサを高い良品率で安定的に製造し、提供すること。 - 特許庁

To provide a simple matching circuit for generating plasma, which can generate uniform plasma by high-frequency discharge by the high-frequency discharging current, can plasma process a dry etching as plasma etching or plasma CVD without sputtering.例文帳に追加

高周波電流による高周波放電によってプラズマを均一に発生させるとことができ、プラズマエッチングなどのドライエッチングやプラズマＣＶＤにおいて、スパッタを起こさずに、所定のプラズマ処理を行うことができ、しかも簡単な回路構成のプラズマ発生のためのマッチング回路を提供する。 - 特許庁

To provide a method for processing silicon, by which the problems found in a wet etching process of the silicon that accurate administration of the etching time is difficult, there is a danger of physical damage caused by sticking on a human body, and the environmental load is large at the time of disposal can be solved.例文帳に追加

シリコンのウェットエッチング方法において、エッチング時間を厳密に管理することが困難であるという問題、使用時の人体への付着による怪我の危険性や廃棄時の環境に対する負荷が大きいという問題を解決するシリコンの加工方法を提供すること。 - 特許庁

In the etching process, a wall face 17a which is arranged between at least the thin film magnetic head elements 20 and a recording medium out of the surfaces facing the medium is formed every part to become each thin film magnetic head by etching part of the materials for the head by using a convergent ion beam.例文帳に追加

エッチング工程は、ヘッド用素材の一部を集束イオンビームを用いてエッチングすることによって、各薄膜磁気ヘッドとなる部分毎に、媒体対向面のうち、少なくとも薄膜磁気ヘッド素子２０と記録媒体との間に配置される壁面１７ａを形成する。 - 特許庁

After a prescribed treatment comprising a heat treatment process for forming an integrated circuit at a temperature of 450°C or higher is performed to the substrate pieces 1, a layer 3 deposited on the rear of the holder 2 is removed by etching or a treatment similar to the etching and the individual substrate pieces 1 are separated from the holes formed in the spacers 9.例文帳に追加

これにより、従来の半導体ウエハより小さいが、それから形成される、又はより大きな直径の半導体ウエハから形成される、又はその上に半導体層が形成された材料から形成される、個々の基板のピース１上で行われる。 - 特許庁

In a repair etching process for opening a fuse box in a chip, etching loading effects attendant on the pattern density of the fuse box can be uniformly reflected, and residual oxide films can be constantly distributed to the fuses of all the fuse boxes regardless of the size of an open region.例文帳に追加

チップ内のヒューズボックスをオープンするためのリペアエッチング工程時ヒューズボックスのパターン密度に伴うエッチングローディング効果が均一に反映することができるようにし、オープン領域のサイズに係りなく全てのヒューズボックスのヒューズに残留酸化膜が一定に分布され得るようにする。 - 特許庁

To suppress the occurrence of a bonding peel-off defect caused by the reason that components such as C and F in etching gas such as CF_4 and CHF_3 to be used in an etching process for forming the aperture of a passivation film consisting of a silicon nitride film is left on the Al surface of a bonding pad.例文帳に追加

本発明は、シリコン窒化膜から成るパッシベーション膜に開口部を形成するためのエッチング工程において用いられる、例えばＣＦ_４やＣＨＦ_３等のエッチングガス内のＣやＦの成分などがボンディングパッドのＡｌ表面に残ることに起因するボンディング剥がれ不良を抑止する。 - 特許庁

To reduce differences in dimension due to difference in pattern density on the surface by using a mixed gas, in which reducing gas is added to reactive etching gas consisting of oxygen containing gas and halogen containing gas in dry etching process of a metal thin film.例文帳に追加

微細なパターンを形成する手段としてのドライエッチングにおいて、面内のパターンの疎密の違いに起因する寸法差を小さくするドライエッチング方法、この方法を利用して得たフォトマスクおよびその作製方法、ならびにこのフォトマスクを用いて得た半導体回路およびその製作方法の開発。 - 特許庁

To provide washing liquid and a washing method for removing strongly bonded etching residues remaining after dry etching in a short time, and for preventing copper wiring raw materials or insulating film materials or the like from being oxidized or corroded in the wiring process of a semiconductor element to be used for a semiconcudctor integrated circuit.例文帳に追加

本発明は、半導体集積回路に用いられる半導体素子の配線工程における、ドライエッチング後に残存する強固に固着したエッチング残渣を短時間で除去し、かつ、銅配線素材や絶縁膜材料等を酸化または腐食しない洗浄液、および洗浄法を提供する。 - 特許庁

In this way, in an etching process, even if the etching ions repelled on the surface of a charged oxide film 13 collide with the rear surface of the portion 20, needle-like projections can be prevented from being formed on the rear surface of the portion 20, and the sticking between the section 20 and the film 13 can be suppressed.例文帳に追加

それによって、エッチング工程において、帯電した酸化膜１３の表面で跳ね返されたエッチングイオンを可動部２０の裏面側に当てたとしても、可動部２０の裏面側には針状の突起が形成されず、可動部２０と酸化膜１３とのスティッキングを抑制することができる。 - 特許庁

A process is provided for selectively etching a SiN film or a CVD-deposited SiON film with respect to a SiO_2 film, a Si substrate, or a Si film at the azeotropic temperature of an etching solution, which is a mixed solution of H_2SO_4 and H_2O having an azeotropic point of 150°C or higher.例文帳に追加

共沸点が１５０℃以上のＨ_2ＳＯ_4とＨ_2Ｏとの混合液をエッチング液として用い、共沸点温度で、ＳｉＮ膜またはＣＶＤ法で作製されたＳｉＯＮ膜を、ＳｉＯ_2膜、Ｓｉ基板またＳｉ膜に対して選択的にエッチングする工程を有する。 - 特許庁

For deposition, the magnetic filter may be chosen to provide more uniform deposition, to provide increased deposition rates at or adjacent the edges of a wafer to compensate for increased etching rates at the edges of a wafer in a subsequent etching or polishing process.例文帳に追加

堆積ごとに、この磁気フィルタはより均一な堆積を供給するように、後に続くエッチングまたは研磨処理におけるウェハのエッジでの増大したエッチング速度を補償するためにウェハのエッジまたは隣接部で増大した堆積速度を供給するように選択される。 - 特許庁

To provide a cleaning liquid not oxidizing nor corroding a copper wiring material or an insulating film material and capable of removing an etching residue remaining after dry etching in a short time in a wiring process of a semiconductor element employed in a semiconductor integrated circuit, and to provide a cleaning method employing the cleaning liquid.例文帳に追加

半導体集積回路に用いられる半導体素子の配線工程における、ドライエッチング後に残存するエッチング残渣を短時間で除去でき、かつ、銅配線素材や絶縁膜材料等を酸化または腐食しない洗浄液を用いた洗浄法を提供すること。 - 特許庁

The process where the gate electrode 201 is left unremoved comprises a step, where a disused part is removed from the gate electrode 201 through an isotropic reactive ion etching method, where an etching gas that contains HBr gas and Cl2 gas is used so as to enable the electrode 201 to be provided with an undercut on its each lower sectional side.例文帳に追加

ゲート電極２０１を残す前記工程は、ＨＢｒガスおよびＣｌ_2ガスを含むエッチングガスを用いた等方性反応性イオンエッチング法によりゲート電極２０１が断面両側下方にアンダーカット部を備えるように不要な部分を除去するステップを含んでいる。 - 特許庁

To solve the problem of undesired effects imposed on an object of plasma processing by plasma, developed during the ashing process from by-products of etching such as an F-containing by-product deposited on processing chamber inner walls or on parts inside the chamber, in case etching and ashing are implemented in one and the same processing chamber.例文帳に追加

エッチングとアッシングを同一処理容器内で行なうと、エッチングによる副生成物、例えばＦを含有する副生成物が処理容器の内壁や内部部品に付着し、この付着物がアッシング工程中にプラズマ化し、このプラズマが被処理体に作用して思わしくない影響を及ぼす。 - 特許庁

When eliminating a reaction product material 4 containing halogen group gas on a wafer made of a piezoelectric substrate 2 by using a rinse liquid, after etching process wherein a pattern is formed on electrodes 1 on the wafer, using a dry etching apparatus, pure water is used, whose specific resistance is controlled to be 20 MΩ.m through the addition of alcohol.例文帳に追加

ドライエッチング装置を用い圧電体基板２からなるウエハ上の電極１にパターンを形成するエッチング処理後にウエハ上のハロゲン系ガスを含んだ反応生成物４を洗浄液にて除去する際、アルコールを添加し比抵抗を２０ＭΩ・ｍ以下に制御した純水を用いる。 - 特許庁

This plasma etching apparatus 10 comprises a chamber 12 having an etching chamber 12a, an XYZ table 16 on which a silicon wafer 14 is loaded, an actuator 18 for the XYZ table 16, a nozzle 20A, and a magnetron 24 for generating a plasma from a process gas fed to the nozzle 20A.例文帳に追加

プラズマエッチング装置１０は、エッチング室１２ａを有するチャンバ１２と、Ｓｉウエハ１４が載置されるＸＹＺテーブル１６と、ＸＹＺテーブル１６の駆動部１８と、ノズル２０Ａと、ノズル２０Ａへ供給される処理ガスをプラズマ化するマグネトロン２４とから構成されている。 - 特許庁

By removing the metal nano particles 2 with the formation of the recesses 1b, the need for a process for removing the metal nano particles 2 after etching is eliminated for ease of manufacturing as compared with a conventional method for roughening by reactive ion etching using the metal nano particles 2 as a mask.例文帳に追加

金属ナノ粒子２が凹部１ｂの形成とともに除去されることにより、金属ナノ粒子２をマスクとして用いた反応性イオンエッチングによって粗面化する従来の方法に比べ、エッチング後に金属ナノ粒子２を除去する工程が不要となるから容易である。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process in which the metal film is etched by a first reactive etching with the resist pattern as a mask to form a metal film pattern, a process where a transparent substrate is etched by a second reactive etching with the resist pattern and the metal film pattern as masks to form a pattern on the transparent substrate, and a process for removing the metal film pattern.例文帳に追加

第１の反応性エッチングにより前記金属膜を前記レジストパターンをマスクとしてエッチングし金属膜パターンを形成する工程と、第２の反応性エッチングにより前記透過性基板を前記レジストパターンと前記金属膜パターンとをマスクとしてエッチングし前記透過性基板上にパターンを形成する工程と、前記金属膜パターンを除去する工程と、を具備することを特徴とする位相変調素子の製造方法である。 - 特許庁

A single crystal silicon base board is put under a dry-etching process using a resist film with a square checker pattern, or in another word, the resist film having an opening pattern with a square checker pattern as a mask.例文帳に追加

正方形の市松模様のレジスト膜、言い換えれば、正方形の市松模様の開口パターンを有するレジスト膜をマスクとして、単結晶シリコン基板をドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device provided with an etching process capable of applying a pattern work, uniform in the surface and excellent in accuracy without depending upon the roughness and fineness of a processing pattern.例文帳に追加

加工パターンの疎密に依存することなく面内均一に精度良好なパターン加工行うことが可能なエッチング工程を備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for and manufacturing line of plated and coated product, by which a conventional etching process becomes unnecessary, all processes can be automated, manufacturing cost is greatly reduced.例文帳に追加

従来のエッチング工程が不要となり、全工程を自動化し得、製造コストが大幅に低減化できるめっき塗装製品の製造方法及びめっき塗装製品の製造ラインの提供。 - 特許庁

Since the glare-proofed surface of a non-etching work functions as a frame for deciding an effective picture size, a painting process for forming the frame for deciding a picture size is no longer required.例文帳に追加

非エッチング加工部の防眩処理面が有効画面サイズを決定するための枠として機能するため、画面サイズ決定用の枠を形成するための塗装工程が不要である。 - 特許庁

An etching back process is carried out to remove excess first conductive material so as to form spacer 12 in the second trench and to leave the conductive material 140 in the first trenches only.例文帳に追加

エッチバックプロセスを行い、余分な第１の導電材料を除去し、第２のトレンチにスペーサ１２２を形成するとともに、第１のトレンチのみに導電材料１４０を残す。 - 特許庁

To provide a method for removing a DLC (Diamond Like Carbon) film where a DLC film is partially removed by a plasma etching process in which cost does not increase for masking and treatment time is not largely taken.例文帳に追加

マスキングにコストが嵩まず、処理時間を多大に費やさないプラズマエッチング法によって部分的にＤＬＣ被膜を除去するＤＬＣ被膜除去方法を提供する。 - 特許庁

In the new method, excellent H passivations for interfaces are formed after thermal budget through a standard process flow is generated by carrying out an SF_6-based metal chemical etching reaction for introducing fluorine.例文帳に追加

新規な方法は、フッ素を導入するためにＳＦ_６ベースの金属エッチング化学反応を用い、これにより標準プロセスフローの熱量の後に、界面の優秀なＨパッシベーションが得られる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device, able to without fail remove a reaction product that adheres to the exposed portion of a wiring pattern during an etching process.例文帳に追加

エッチング工程で配線パターンの露出部に付着する反応生成物の除去を確実に行うことのできる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To avoid increase in inter-gate capacity and to prevent a defect such as a junction leak due to a failure in etching an end of an L-shaped spacer in a silicide forming process for a fine transistor.例文帳に追加

微細トランジスタのシリサイド形成工程において、ゲート間容量の増大がなく且つＬ字状スペーサの端部がエッチングされず接合リーク等の不良を防止できるようにする。 - 特許庁

To perform a high-precision process by suppressing the shooting-out of a resist or striation caused by resist damage when patterns are formed by dry etching by using a resist of post-ArF lithography generation as a mask.例文帳に追加

ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成において レジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。 - 特許庁

In this producing method of liquid crystal display element, spacers 11 and barrier layers 12 are formed at one time by using a photo etching method or a printing method, thereby decreases the number of process and reduces the cost.例文帳に追加

スペーサー１１および隔壁層１２をフォトエッチング法または印刷法を用いて一度に形成することにより、工程数を減少させ、またコストを低減することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which can eliminate a dimensional conversion difference and can simplify a manufacturing process by omitting an etching step.例文帳に追加

エッチング工程を省略することにより寸法変換差を無くすことができるとともに製造プロセスを簡略化することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A region for exposing the semiconductor wafer at gate spacer etching process is made to be non-crystallized, so that a gate poly-oxide film 240 can be formed thick on the upper part of the semiconductor wafer in the region.例文帳に追加

ゲートスペーサエッチング工程時に半導体基板が露出される部位を非晶質化させることによって、その部分の半導体基板上部にゲートポリ酸化膜２４０を厚く形成する。 - 特許庁

Geometrical variation and change in the phase change material composition otherwise to occur due to memory cell element separation during the dry etching process are reduced for the improvement of reliability in memory cell rewrite frequency.例文帳に追加

その結果、ドライエッチングによるメモリセル素子の分離に起因した、形状ばらつきおよび相変化材料の組成変化が低減し、メモリセルの書き換え回数信頼性が向上する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a surface acoustic wave filter having an etching method for an insulation protection film where the process is completed in a short time without eroding a terminal electrode.例文帳に追加

端子電極が侵食される危険性がなく、短時間での工程完了が可能な絶縁保護膜のエッチング方法を有する弾性表面波フィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface-treated copper foil having excellent gray color and workable in a regular copper etching process, and a conductive mesh for PDP manufactured by the surface-treated copper foil.例文帳に追加

良好な灰色を持ち、且つ、通常の銅エッチングプロセスで加工可能な表面処理銅箔、及び、そのような表面処理銅箔で製造されたＰＤＰ用導電性メッシュを提供する。 - 特許庁