「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

The diaphragm 300 is composed of Si single crystal containing P type impurities and functions as a layer for stopping erosion due to etching in a process for obtaining an ink chamber substrate by performing etching.例文帳に追加

振動板３００は、Ｓｉ単結晶中にＰ型不純物を含んでなるものであり、エッチングを施すことにより、インク室基板を得る工程において、エッチングによる侵食の進行を停止させるストッパ層として機能する。 - 特許庁

Thereby, on the ashing process of a photosensitive layer, etching ratio on a part where wiring is positioned is equalized to the etching ratio on a part where the wiring is not positioned and, therefore, the advantage of preventing a defect from occurring on the surface of the wiring can be obtained.例文帳に追加

ここれにより、感光層をアッシングする工程で、配線が位置した部分と、そうではない部分に対するエッチングの比率を合わせることができるために、配線の表面に欠陥が発生する不良を防げる長所がある。 - 特許庁

When a high melting point metal film formed on a substrate via an SiO_2 film is subjected to dry etching, the transition of the plasma emission intensity in an overetching process is monitored to confirm that the etching selection ratio between the high melting point metal film and the SiO_2 film can be secured.例文帳に追加

基板上にＳｉＯ_2を介して形成された高融点金属薄膜をドライエッチングする際、オーバーエッチングにおけるプラズマ発光強度の推移をモニターすることにより、ＳｉＯ_2とのエッチング選択比の確保が確認可能となる。 - 特許庁

Consequently, in the manufacturing process of the bipolar transistor associated with the present embodiment there is no need of forming a protective film, such as an SiN film separately as an etching stopper.例文帳に追加

したがって、本実施形態に係るバイポーラトランジスタの製造工程においては、エッチストッパーとして別途ＳｉＮ膜などの保護膜を成膜する必要がない。 - 特許庁

To provide a pattern forming method for enabling a double patterning process in which a substrate is processed by one-time dry etching, and a resist material used therefor.例文帳に追加

１回のドライエッチングで基板を加工するダブルパターニングプロセスを可能にするためのパターン形成方法及びこれに用いるレジスト材料を提供する。 - 特許庁

To provide an element isolation film forming method for a semiconductor device, in which two times of wet etching processes are applied to recover damages duet to a CMP process.例文帳に追加

２次に亘るウェットエッチング工程により、ＣＭＰ工程により発生する損傷を回復される半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To detect abnormality in a process having a critical effect on a workpiece, e.g. an abnormal rate in processing, in parallel with an etching work.例文帳に追加

加工処理中のレート異常などのように、被処理物に重大な影響をもたらす虞のある（プロセスの）異常を、エッチング加工作業と併行して検出する。 - 特許庁

To provide a method for analyzing the behavior of front side marks on a substrate, during a process of manufacturing a device, without the need for etching global alignment marks.例文帳に追加

グローバル・アライメント・マークをエッチングする必要なしにデバイス作製プロセス中に基板上の表面マークの挙動を分析する方法を提供すること。 - 特許庁

For example, when InGaP is used for an emitter layer 2, since selective etching is conducted by hydrochloric acid to expose the base layer 1, a device manufacturing process becomes easy.例文帳に追加

例えば、ＩｎＧａＰをエミッタ層２とした場合に、塩酸で選択エッチングしてベース層１を露出させることができるので、デバイス製造プロセスが容易となる。 - 特許庁

Preferably, the surface of the core wire thus cut out is treated by etching for the purpose of removing a residual strain generated in process of cutting.例文帳に追加

このようにして切り出した芯線の表面は、切断加工時に生じた残留歪みを除去する目的で、エッチング処理を施すことが好ましい。 - 特許庁

In the process for etching a semiconductor substrate 4 having an N type impurity region with etchant dissolving the semiconductor substrate 4, metal ions (Cu ions) having electro-negativity higher than that of the semiconductor substrate 4 are added to the etchant 5.例文帳に追加

Ｎ型不純物領域を有する半導体基板４を、該半導体基板４を溶解するエッチング液でエッチングする方法にかかる。 - 特許庁

To provide an electrode substrate having a low specific resistance, capable of being patterned and converted into a transparent conductive film having the low specific resistance with heat treatment after an etching process.例文帳に追加

パターニングが容易で、エッチング工程後の熱処理にて低比抵抗の透明導電膜に転化でき、比抵抗の小さい電極基板を提供する。 - 特許庁

Then the cap layer 5 is etched in a recessed state until the undercut of 0.1-0.5 μm is formed on the upper surface the etching stopping layer 4 by using the mask (second process).例文帳に追加

そしてこのマスクを用いてエッチング停止層の上面に０.１〜０.５μｍのアンダーカットが生じるまでキャップ層をリセスエッチングする（第２の工程）。 - 特許庁

To provide an electronic device and an optical resonator that can, for example, decrease infiltration of an etching liquid and can be manufactured without inducing complication of a manufacture process.例文帳に追加

例えば、エッチング液の染み込みを低減でき、且つ製造プロセスの煩雑化を招くこともなく製造可能な電子装置、及び光共振器を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a plurality of thin-film elements, in which the number of mask master making processes of the process as a whole and of the etching processes can be reduced.例文帳に追加

工程全体のマスクマスター作製及びエッチング工程の数を削減することができる複数の薄膜素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

If only the condition of the SAG is secured, a double core SSC having a small beam divergent angle is realized with a high yield even through a simple etching process.例文帳に追加

SAG条件さえ確保されれば、簡単なエッチング工程を通じてもビーム発散角が非常に小さな２重コアSSCを非常に高い収率で具現できる。 - 特許庁

To provide a mask blank and a photomask suitable for a wet process in a large mask for an FPD (such as a resist stripping method, an etching method and a cleaning method).例文帳に追加

ＦＰＤ用大型マスクにおけるウエットプロセス（レジスト剥離方法やエッチング方法、洗浄方法等）に適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a method for machining an aperture of consistent sub-μm accuracy in which no dross nor smear is generated without using any complicated machining process such as etching.例文帳に追加

エッチング処理のような複雑な加工プロセスを使用することなく、ドロスやスミアの発生を伴わないサブμｍ精度の安定した孔の加工方法を得る。 - 特許庁

In this step, the base film 3a is formed in the region where a film 5 for a reflection electrode is to be removed by etching in the succeeding process of forming the reflection electrode.例文帳に追加

この時、該下地膜３ａは、後の反射電極形成工程時において、エッチングにより反射電極用膜５が除去される領域に形成される。 - 特許庁

In an anisotropic etching process, the photoresist inside the trenches 12, 14, 16 and 18 is partially removed, thereby forming recessed parts inside the trenches 12, 14, 16 and 18.例文帳に追加

異方性エッチング・プロセスはトレンチ１２、１４、１６、１８内のフォトレジストを部分的に除去し、それによりトレンチ１２、１４、１６、１８内に凹部を作成する。 - 特許庁

To solve the problem in that the normal method for accessing a buried oxide layer through mesa etching complicates the next process step because of the thereby elevated level of the non-planarity of a wafer.例文帳に追加

メサエッチによって埋込み酸化層にアクセスする通常の方法は、ウェーハの非平面性のレベルが増すので、次に続く処理工程が複雑になる。 - 特許庁

The insulator, comprising one or more insulation unit layer and being etched by a wet process, is subjected to heat treatment following wet etching.例文帳に追加

ウェットプロセスによってエッチング可能な、一層以上の絶縁ユニット層を積層した絶縁体が、ウエットエッチングされた後に熱処理して得られた絶縁体である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, by which a side etching of a gate electrode film in a process of exposing a gate insulating film can be suppressed.例文帳に追加

ゲート絶縁膜を露出させる工程におけるゲート電極膜のサイドエッチングを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The undercoat of the light shielding layer is subjected to a third etching process by using the light shielding layer and the resist pattern for correction as a mask to correct the excess defect.例文帳に追加

遮光層及び修正用レジストパターンをマスクにして遮光層の下層に対して第３のエッチング処理を施し余剰欠陥箇所を修正する。 - 特許庁

The tapered end face of the stopper film 4 is removed by etching carried out until an overhand 4H located under the stopper film 4 and generated in a cleaning process is eliminated.例文帳に追加

清浄化工程の際に生じるストッパ膜４の下のオーバハング４Ｈを解消するまでストッパ膜４のテーパ状の端面をエッチングで除去する。 - 特許庁

To form a metallic film on a base, and to require an etching process in order to form a circuit pattern by using an inprint technology or a photolithography technology.例文帳に追加

インプリント技術やフォトリソグラフィー技術を用いて回路パターンを形成するためには、下地に金属膜を形成し、さらにエッチング工程を必要とする。 - 特許庁

To prevent the traces of water drops from remaining on substrate substrates in manufacturing process steps, such as cleaning treatment and etching treatment, of liquid crystal display substrates using liquid chemicals.例文帳に追加

液晶ディスプレイ基板の薬液を用いた洗浄処理またはエッチング処理等の製造工程において、基板表面に水滴の跡が残る。 - 特許庁

According to this process, at least a part of the surface of the dental implant is etched with an etching solution including hydrofluoric acid at a temperature of 70°C or higher.例文帳に追加

該歯科インプラントの表面の少なくとも一部が、少なくとも７０℃の温度においてフッ化水素酸を含むエッチング液によりエッチング処理される。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which a damage on a substrate to be processed is suppressed while enhancing the etching rate of alumina.例文帳に追加

アルミナのエッチング加工速度を高めつつ、被処理基板へのダメージを抑えることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

More specifically, a storage section 850 stores a plurality of recipes describing different processing procedures and a target value as a control value in applying etching process.例文帳に追加

具体的には、記憶部８５０は、異なる処理手順が示された複数のレシピとエッチング処理するときの制御値となる目標値を記憶する。 - 特許庁

A metal layer 14 which can be removed is laminated by the selective etching process, over an oxide conductive layer 12 of this laminated substrate 10.例文帳に追加

この積層基板１０の酸化物導電層１２上に、これに対して選択エッチングにより除去可能な被除去金属層１４を積層する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a contact pad is protected from an etching process in the connection of upper metal wiring layer with a lower contact pad.例文帳に追加

上部金属配線層と下部コンタクトパッドとの接続においてコンタクトパッドをエッチング工程から保護する半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

As for the production method, after hot rolling, its surface is subjected to etching in a fixed amount in the process of cold rolling or after the completion of final cold rolling.例文帳に追加

製造方法としては、熱間圧延を施した後、冷間圧延途中又は最終冷間圧延終了後に表面を一定量エッチングする。 - 特許庁

In a second process, trimming treatment narrowing down the pattern width of the mask layer 212 is carried out in parallel, not only etching an anti-reflection coating 210 longitudinally.例文帳に追加

第２工程では，反射防止膜２１０を縦方向にエッチングするだけでなく，マスク層２１２のパターン幅を狭めるトリミング処理も並列実施する。 - 特許庁

The element separation insulating film 11 formed on the side of the tapered part 5aa of the upper part 5a of the first film 5 can be removed by the dry-etching process.例文帳に追加

第１の多結晶シリコン膜５の上部５ａのテーパ部５ａａの側部に形成された素子分離絶縁膜１１をドライエッチング処理で除去できる。 - 特許庁

To suppress the generation of a small piece even in case of a process carrying out a wet etching treatment to a buried oxide film in a silicon island region.例文帳に追加

シリコンアイランド領域における埋め込み酸化膜にウェットエッチング処理を施す工程を有する場合であっても、小片の発生を抑制する。 - 特許庁

Thereby, the ruggedness which is formed by inverting the ruggedness formed on the first etching process S2 is provided on the second region B of the first member 11 (S16).例文帳に追加

これにより、第１部材１１の第２領域Ｂに、第１エッチング工程Ｓ２で形成された凹凸が反転された凹凸を形成する（Ｓ１６）。 - 特許庁

Thus, the need of performing a special protective process is eliminated and this plane light emission type semiconductor laser with the high yield is manufactured just by one time etching.例文帳に追加

よって、特別な保護工程を行う必要がなくなり、１回のエッチングのみで、歩留まりの高い面発光型半導体レーザの作製が可能となる。 - 特許庁

Next, the electrode forming region of the heterostructure layer exposed in the wet etching process is cleaned with the room-temperature ammonia water of not less than 18°C nor more than 25°C.例文帳に追加

次に、ウェットエッチング工程で露出した、ヘテロ構造層の電極形成領域を１８℃以上２５℃以下の室温アンモニア水で洗浄する。 - 特許庁

In a third plasma etching process, a mixed gas of the sulfur hexafluoride and chlorine is used, and at the same time, the substrate bias power is set to 0 W for conducting overetching.例文帳に追加

第３プラズマエッチング工程では、六フッ素化硫黄と塩素の混合ガスを用い、かつ、基板バイアス電力を０ｗとして、オーバーエッチングを行なう。 - 特許庁

The first and second ridges 127 and 137 are formed by dry etching process and the side surface thereof is not covered with a current block layer.例文帳に追加

第一リッジ部１２７及び第二リッジ部１３７はドライエッチングにより形成されたものであり、その側面は電流ブロック層により覆われていない。 - 特許庁

In the same process as plasma etching for forming the thin part, a trench 11a for chipping is simultaneously formed in a region except for an outer peripheral part of a semiconductor wafer 1.例文帳に追加

肉薄部を形成するプラズマエッチングと同じ工程において同時に、半導体ウェハ１の外周部を除く領域にチップ化用溝１１ａを形成する。 - 特許庁

Since the resist pattern 10 is not formed at the crystal wafer 5 side end, the Cr film and Au film at that portion are removed by etching in subsequent process.例文帳に追加

その際、水晶ウエハー５側端部にはレジストパターン１０を形成しないため、その部分のＣｒ膜とＡｕ膜は、後工程のエッチングにより除去される。 - 特許庁

To provide a semiconductor cleaning agent for removing a residual generating in etching, etc., in a process for manufacturing an element using a ferroelectric material.例文帳に追加

強誘電体材料を用いた素子の製造工程で、エッチング時などに発生する残渣物を除去するための半導体用洗浄剤を提供すること。 - 特許庁

The insulator, comprising one or more insulation unit layer and being etched by a wet process, is subjected to plasma processing following wet etching.例文帳に追加

ウェットプロセスによってエッチング可能な、一層以上の絶縁ユニット層を積層した絶縁体が、ウエットエッチングされた後にプラズマ処理されて得られた絶縁体である。 - 特許庁