「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

10^-4Pa or less is desirable for the base degree of vacuum of the process, ion-etching processing is desirable for the cleaning processing.例文帳に追加

前記工程のベース真空度は、１０^−４Ｐａ以下であることが好ましく、前記清浄化処理は、イオンエッチング処理であることが好ましい。 - 特許庁

Preferably, at least either of alkali treatment and acid treatment processes is provided as a pretreatment process for the plasma etching treatment.例文帳に追加

好ましくは、前記プラズマによるエッチング処理の前処理工程として、アルカリ処理および酸処理の少なくとも一方の処理工程を設ける。 - 特許庁

To restrain the mixing of impurities into a metal gate and unnecessary etching of the metal gate in a subsequent process when using the metal gate as a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極として、メタルゲートを用いる場合に、メタルゲートへの不純物の混入や、後の工程におけるメタルゲートの不要なエッチングを抑える。 - 特許庁

A dicing groove 12 which is broader than the thickness of a dicing blade 13 is formed in a dicing line area by utilizing an etching step performed in a wafer process.例文帳に追加

ウエハプロセスにおけるエッチング工程を利用してダイシングライン領域にダイシングブレード１３の厚さよりも広いダイシング溝１２を形成する。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, after dry etching, the inside of a process chamber 11 is treated with the plasma of an inert gas 25, such as He or the like.例文帳に追加

ドライエッチング後に、プロセスチャンバー１１内をＨｅ等の不活性ガス２５のプラズマによって処理する、半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor display plate that can minimize generation of an impurity due to exposure of copper at an etching process.例文帳に追加

エッチング工程時に銅が露出して不純物が発生することを最小化できる薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since an overhang portion 19, which is formed so as to extrude the recess 12 in the film forming process, is removed in the etching process, the opening of the recess 12 is not closed in the next film forming process, then, it is possible to make the metal film 15 inside the recess 12 grow.例文帳に追加

成膜工程で凹部１２に突き出すように形成されるオーバーハング部１９はエッチング工程で除去されるので、次の成膜工程の時に凹部１２の開口は塞がれておらず、凹部１２内部の金属膜１５を成長させることができる。 - 特許庁

To provide a multilayer composite material that does not require an etching barrier layer removing process and a re-roughening treatment process that are essential for a conventional multilayer composite material manufacturing process for manufacturing a printed wiring board by directly forming bumps on a surface.例文帳に追加

表面にバンプを直接形成してプリント配線板を製造するための従来の多層複合材料の製造過程で必須のエッチングバリア層除去工程、再粗化処理工程を必要としない多層複合材料を提供する。 - 特許庁

In a CMP process, a photolithographic process and an anisotropic etching process which are performed for preventing the problem wherein the insulating film is left after CMP are performed, and the insulating film on the trench 15 is previously eliminated by a prescribed depth.例文帳に追加

ＣＭＰ工程において、ＣＭＰ後に埋込み用絶縁膜が残留する問題を防止するために行われるフォトリソグラフィ工程及び異方性エッチング工程を用い、トレンチ１５上の埋込み用絶縁膜を予め所定の深さだけ除去する。 - 特許庁

A process for irradiating a mesa-side face with a laser beam 111 is added between a process for accumulating a passivation film 18 on a mesa-structure on a wafer formed by etching and a process for forming an electrode 19 covering the passivation film.例文帳に追加

エッチングにより形成したウェーハ上のメサ構造にパッシベーション膜１８を堆積する工程と、パッシベーション膜を覆う電極１９の形成を行う工程の間に、メサ側面に向けてレーザ光１１１を照射する工程を追加する。 - 特許庁

At the same time, deformation of the wafer 110 for a channel formation substrate is guided or minimized to a desired range in a process for etching an ink channel by regulating deformation of the wafer 110 for a channel formation substrate in the initial process.例文帳に追加

また、初期工程での流路形成基板用ウエハ１１０の変形を調整し、インク流路のエッチング工程での流路形成基板用ウエハ１１０の変形を所望の範囲に誘導（抑制）する。 - 特許庁

In manufacturing the SIMOX wafer, the SOI film having a thickness larger than a target SOI film thickness is formed in advance, and the final adjustment of the SOI film thickness is performed by an etching process provided differently from a cleaning process.例文帳に追加

SIMOXウェーハの製造に際し、予め目標とするSOI膜厚よりも厚めのSOI膜を形成しておき、最終的なSOI膜厚の調整を、洗浄工程とは別途に設けたエッチング工程により行う。 - 特許庁

A process of depositing a coating type insulation material film and a process of removing the insulation material film in a region for forming the heating element by etching are repeated two or more times.例文帳に追加

本発明は、塗布型の絶縁材料膜を堆積する処理と、エッチングにより発熱素子の作成領域における絶縁材料膜をほぼ除去する処理とを少なくとも複数回繰り返す。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an optical waveguide, which is advantageous to the forming of an optical waveguide having an orderly core shape by removing excessive parts of a core material without using an etching process or a vacuum process.例文帳に追加

エッチングや真空プロセスを用いることなくコア材料の余剰分を除去してコア形状の整った光導波路を形成する上で有利な光導波路の製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, it is preferable to roughen the silicone rubber layer surface by a dry etching process, thereby performing plate inspection without a dyeing process.例文帳に追加

またシリコーンゴム層表面をドライエッチング処理により粗面化することが好ましく、それにより染色工程を必要とせずに検版が可能である水なし平版印刷版原版を提供することができる。 - 特許庁

In the method for the production of a silicon epitaxially grown wafer, a flattening process by plasma etching of a silicon wafer 1 after primary polishing and a growth process of an epitaxial layer are successively performed.例文帳に追加

一次ポリッシング後のシリコンウェーハ１を、プラズマエッチングによる平坦化工程と、エピタキシャル層成長工程とを連続で行なうことを特徴とするシリコンエピタキシャル成長ウェーハの製造方法である。 - 特許庁

To obtain an active-energy-ray curable composition capable of providing excellent etching resistance ad alkali solubility without causing corrosion even when a baking process is applied and its residue can be decomposed thermally by the baking process.例文帳に追加

優れた耐エッチング性及びアルカリ溶解性を発揮しつつ、焼成をしても腐食を生じさせることがなく、当該焼成によって残渣の熱分解が可能な活性エネルギー線硬化性組成物。 - 特許庁

To provide a plurality of processes intended to suppress the errors of an etching process due to the asymmetry of a shape and a technique of designing the process.例文帳に追加

そこで本願にかかる発明の目的は形状の非対称性に起因するエッチング工程の誤差を抑制することを目的とした複数回のプロセス、およびプロセスの設計手法を提供すること。 - 特許庁

This method has a process of depositing a metal film containing aluminum on a semiconductor substrate, and a process of etching the metal film by using plasma of mixed gas of Cl_2 gas, BCl_3 gas, and CH_2Cl_2 gas.例文帳に追加

半導体基板上にアルミニウムを含む金属膜を堆積する工程と、Ｃｌ_2ガス、ＢＣｌ_3ガス、ＣＨ_2Ｃｌ_2ガスを含む混合ガスのプラズマを用いて、前記金属膜をエッチングする工程とを有する。 - 特許庁

In one or more embodiments, the selective epitaxy process includes a step of repeating, until an epitaxial layer grows to a desired thickness, a cycle composed of: the deposition, an etching process after the deposition, and a desired purge cycle.例文帳に追加

一つ以上の実施形態によれば、選択的エピタキシャルプロセスは、エピタキシャル層の所望の厚さが成長するまで、堆積と、その後のエッチングプロセスと、所望によるパージのサイクルを繰り返すステップを含む。 - 特許庁

To manufacture an optical element, in which unstable processes such as a developing process and an etching process or the like are eliminated, and hereby a fine pattern is formed employing only photoirradiation to ensure high stable reflection preventive function with high reproducibility.例文帳に追加

現像工程やエッチング工程等の不安定な工程を排除して、光照射のみで微細なパターンを形成し、再現性よく安定的に反射防止機能を有する光学素子を製造する。 - 特許庁

To provide a coating solution for formation of a low-permittivity insulating coating suitable in a semiconductor formation process including a controlled etching step such as a dual damascene process in a semiconductor device having high integration.例文帳に追加

高集積度の半導体装置において、デュアルダマシン法のようなコントロールエッチング工程を含む半導体形成プロセスにおいて好適な低誘電率絶縁膜形成用塗布液を提供すること。 - 特許庁

Specially, when the semiconductor layer is silicon, the defect is evaluated with the microscope of the confocal optical system after etching process with the process liquid of ammonia water and hydrogen peroxide water to remove a part of the semiconductor layer.例文帳に追加

特に半導体層がシリコンであれば、アンモニア水、過酸化水素水よりなる処理液でエッチング処理し、半導体層の一部を除去した後、コンフォーカル光学系のレーザ顕微鏡で評価する。 - 特許庁

To provide a clean rear face by suppressing the staying-behind of foreign matters such as grinding waste and the traces of a chuck and a belt in an etching process of the rear face after a back-grinding process of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハのバックグラインド工程後の裏面のエッチング工程において、研削屑等の異物やチャック跡、ベルト跡の残留を抑制して清浄な裏面を得る手段を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device which reduces the variety of a removing amount in removing process such as dry etching process or the like, and to provide a semiconductor manufacturing system for realizing the method.例文帳に追加

ドライエッチングプロセス等の除去プロセスにおいて除去量のばらつきを減少することができる半導体装置の製造方法及びその方法を実現する半導体製造システムを提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the group III-V nitride semiconductor layer has a process of forming a metal fluoride layer containing a bivalent or trivalent metal element as at least one part of an etching mask on a group III-V nitride semiconductor layer; a process of patterning the metal fluoride layer by wet etching; and a process of dry etching the group III-V nitride semiconductor layer using the patterned metal fluoride layer as a mask.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層上に、エッチングマスクの少なくとも一部として、２価または３価の金属元素を含む金属フッ化物層を形成する工程と、この金属フッ化物層をウェットエッチングによりパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層をマスクとして、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層をドライエッチングする工程とを有することを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層のエッチング方法。 - 特許庁

To provide an etching liquid which is used for the production process of a semiconductor device, a display for a liquid crystal or the like requiring microfabrication precision, which has no peculiar odor of acetic acid, and which, in the etching process, suppresses the changes of the composition and liquid properties and the production of gases, and which attains stable and uniform etching of high precision.例文帳に追加

微細加工精度を必要とする半導体及び液晶用表示装置等の製造工程に用いられるエッチング液であって、これに補助剤として用いられていた酢酸に代えて、酢酸特有の臭気がなく、またエッチング工程においてエッチング液の組成及び液性の変化や、気体の発生を抑制し、安定して精度良く均一にエッチング可能なエッチング液を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of the optical waveguide for forming the optical waveguide in an oxide compound substrate includes first process of forming the optical waveguide in the oxide compound substrate by dry etching process, and a second process of re-coupling the oxygen damaged by the dry etching process by applying heat treatment to the oxide compound substrate having the optical waveguide in an oxygen atmosphere.例文帳に追加

酸化物化合物基板に光導波路を形成する光導波路の製造方法において、ドライエッチングプロセスにより、前記酸化物化合物基板に光導波路を形成する第１の工程と、前記光導波路が形成された前記酸化物化合物基板を、酸素雰囲気中で熱処理を行うことにより、前記ドライエッチングプロセスで欠損した酸素を再結合させる第２の工程とを備えた。 - 特許庁

The method of patterning a thin film includes a process for laminating a deposition film 30 on the thin film 20, a process for laminating a photo resist layer 40 on the deposition film, a process for patterning the photoresist layer by photolithography, and etching and patterning the deposition film by using the patterned photoresist layer, and a process for etching and patterning the thin film by using the patterned deposition film as a pattern mask.例文帳に追加

薄膜２０上に、蒸着膜３０を積層する工程と、 前記蒸着膜上に、フォトレジスト層４０を積層する工程と、 フォトリソグラフィにより、前記フォトレジスト層をパターニングし、パターニングされた前記フォトレジスト層を用いて前記蒸着膜をエッチングしてパターニングする工程と、 パターニングされた前記蒸着膜をパターンマスクとして、前記薄膜をエッチングしてパターニングを行う工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The etching method includes a process to form a layer of Al or Al alloy on a surface of a substrate, a process to treat the surface of the layer of Al or Al alloy with TMAH, a process to form a resist pattern on the surface of the Al or Al alloy layer treated with TMAH, and a process to wet-etch the Al or Al alloy layer with the resist pattern as an etching mask.例文帳に追加

下地表面上にＡｌまたはＡｌ合金の層を形成する工程と、前記ＡｌまたはＡｌ合金の層の表面をＴＭＡＨで処理する工程と、前記ＴＭＡＨで処理したＡｌまたはＡｌ合金の層の表面上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして用い、前記ＡｌまたはＡｌ合金の層をウエットエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

The method for producing glass 10 on the surface of which unevenness 10b is formed includes a process for etching the surface 10a of the glass 10 with an etching solution in such a state that a net 20 is brought into contact with the surface 10a of the glass 10.例文帳に追加

ガラス１０の表面１０ａに網２０を接触させた状態で、ガラス１０の表面１０ａをエッチング液によりエッチングする工程を備える、表面に凹凸１０ｂが形成されたガラス１０の製造方法である。 - 特許庁

To provide a device and method for manufacturing a substrate in which accuracy in detecting a finishing point of etching process can be improved even when an etching object has light transmissivity and has a minute pattern.例文帳に追加

エッチング対象が透光性を有し、且つパターンが微細である場合であってもエッチング処理の終点検出の精度を向上させることができる基板の製造装置および基板の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with an MOS transistor which can increase a gate width of the MOS transistor and can restrain excess etching of a gate insulating film in dry etching process for pattern formation of a gate wiring.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタを備える半導体装置であって、ＭＯＳトランジスタのゲート幅を増加でき、且つ、ゲート配線をパターニング形成するドライエッチング工程に際して、ゲート絶縁膜の過剰なエッチングを抑制可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

Since the PSG film and the BSG film are higher in etching rate than the surface and the rear insulating films of the front and the rear surfaces, the films of PSG and BSG can be removed by only wet etching without using a further photoetching process, and contact holes for electrodes can be formed.例文帳に追加

ＰＳＧ，ＢＳＧ膜は，表面，裏面絶縁膜よりエッチング速度が速いので，更なる写真エッチング工程を用いずに，湿式エッチングのみで，ＰＳＧ，ＢＳＧ膜部を除去でき，電極用の接触孔を形成できる。 - 特許庁

A lift-off process is then carried out by forming an etching resistant film to cover the photoresist film, then removing the photoresist film to form, on the etched film, a pattern of the etching resistant film corresponding to an opening of the photoresist film.例文帳に追加

次に、フォトレジスト膜を覆うように耐エッチング膜を形成したのち、フォトレジスト膜を除去することにより、被エッチング膜上に、フォトレジスト膜の開口部に対応する耐エッチング膜のパターンを形成するリフトオフ工程を行う。 - 特許庁

To provide a composition for a thermosetting silicon-containing film allowing formation of a silicon-containing film which can be used as a good dry etching mask and having good etching selectivity especially with a photoresist on an upper layer in a multilayer resist process.例文帳に追加

多層レジスト法において、良好なドライエッチングマスクとして使用できるケイ素含有膜を形成でき、特に上層のフォトレジストとのエッチング選択性が良好な熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物の提供。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device including a process for dry etching a silicon nitride film, a mixed gas obtained by doping methanol gas with a prescribed density for a total gas flow rate to fluorocarbon gas is used for the dry etching of a silicon nitride film 15.例文帳に追加

シリコン窒化膜をドライエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法において、シリコン窒化膜１５のドライエッチングに、フロロカーボンガスと、総ガス流量に対し所定の濃度のメタノールガスとを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁

This method for manufacturing a multilayered wiring structure for preventing an etching damage and oxidation caused by exposing lower wirings in an etching atmosphere by using a dual damascene wiring method introducing a via capping process.例文帳に追加

ビアキャッピング工程を導入したデュアルダマシン方法を使用して下部配線がエッチング雰囲気に露出されることによって惹起しうるエッチング損傷及び酸化を防止できる多層金属配線構造を形成する方法を含む。 - 特許庁

To provide an etchant with which an etching aqueous solution is prevented from changing in composition and a low reflectivity is effectively obtained inexpensively when pyramidal unevenness is formed on the surface of a silicon substrate for a solar cell by a wet etching process.例文帳に追加

湿式エッチングで太陽電池用シリコン基板の表面にピラミッド状の凹凸を形成するに際し、エッチング水溶液の組成変化を防止し安価かつ効果的に低反射率化することが可能なエッチング液を提供する。 - 特許庁

An anisotropic etching is executed by employing a dry etching process after forming an aluminum film 103 by means of spattering on the layer insulating film 101 on which the hole 321 is formed, and forming a resist pattern 104 at a part at which a bit wire 13b is formed.例文帳に追加

ホール３２１が形成された層間絶縁膜１０１の上に、スパッタリングにてアルミニウム膜１０３を形成し、ビット線１３ｂの形成部位にレジストパターン１０４を形成した後、ドライエッチングプロセスを用いて異方性エッチングを行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a magnetic layer is accurately etched to obtain a prescribed form in an etching process of the magnetic layer and etching going to be applied to a conductive layer and an insulation layer can be prevented and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

磁性層のエッチング工程において、磁性層を正確にエッチングして所定の形状とすることができ、かつ、導電層や絶縁層がエッチングされることを防止可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Even if the electrostatic chuck device is subjected to etching process, etc., corrosion from its side surface can be suppressed, thus preventing formation of a corrosion-eroded part, for superior plasma-resistance and etching- resistance, while dielectric breakdown is prevented and high durability is imparted.例文帳に追加

静電チャック装置をエッチング処理等に供しても、その側面からの侵食を抑制でき、侵食欠損部の形成を防ぐことのできる耐プラズマ性、耐エッチング性に優れ、絶縁破壊を防止し、耐久性能が高い。 - 特許庁

To realize an etching method, where a hard mask is used, wherein the hard mask is formed of a material which is high in adhesion with respect to an electrode material and does not have complicated formation and removal processes through a simple process and whose selection ratio of etching to the electrode material is high.例文帳に追加

電極材料に対し密着性が高く、かつ電極材料に対しエッチング選択比が高く、しかも形成および除去の工程が複雑でない材料をハードマスクに用いたエッチング方法を実現する。 - 特許庁

When an ink nozzle of 50 μm wide is machined at 40 μm deep (number of times of nozzle path = 8), a depth of 65 μm is attained in an ink pressurization chamber of 2 mm wide and a shallow etching part of ink nozzle can be machined simultaneously with a deep etching part of ink pressurization chamber by the same machining process.例文帳に追加

幅50μm のインクノズルで深さ40μm を加工すると（ノズルパス回数＝８回）、幅２mmのインク加圧室では深さが65μm となり、インクノズル等の浅彫部とインク加圧室等の深彫部とが同じ加工工程で同時に加工できる。 - 特許庁

To provide the side etching of a silicon oxide film base which is generated in a washing process after dry etching for forming a transfer elec trode, and to prevent the transfer failure of the signal charge of a vertical registor to improve the image pickup of an incidence image.例文帳に追加

転送電極を形成するドライエッチング後の洗浄工程で生じる下地の酸化シリコン膜のサイドエッチングを防止して、垂直レジスタの信号電荷の転送不良を防いで入射画像の撮像を良好にする。 - 特許庁