「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

A process performing the anisotropic etching is carried out by an etching gas in which a mixing ratio expressed by formula: (compound gas including nitrogen + inert gas)/compound gas including fluorineis set 45 or more, or 100 or less.例文帳に追加

異方性エッチングを行う工程が、式：（窒素含有化合物ガス＋不活性ガス）／フッ素含有化合物ガスで表される混合比を４５以上１００以下としたエッチングガスにより行われる。 - 特許庁

Thereafter, a reactive ion etching process is used to form the pins in the silica wafer by etching away a predetermined amount of the top surface from the silica wafer that is not covered by the photoresist material.例文帳に追加

その後、シリカウエハからフォトレジスト材で覆われていない上面のあらかじめ定められた量をエッチング除去することによりシリカウエハにピンを形成するために、反応性イオンエッチングプロセスが用いられる。 - 特許庁

The two respective plate-like parts are defined by an etching process for selectively etching an insulating material for the element isolation trench to a semiconductor substrate material.例文帳に追加

上記一実施形態では、上記２つの各プレート状部は、上記半導体基板の材料に対して、上記素子分離用トレンチの絶縁材料を選択的にエッチングするエッチングプロセスによって規定される。 - 特許庁

Thus, there is no risk that any carbon compound derived from carbon contained in the etching gas used in this plasma etching process may reside on the semiconductor substrate surface (especially the surfaces of isolated regions).例文帳に追加

このため、そのプラズマ・エッチング工程で使用されるエッチング・ガス中の炭素に起因する炭素化合物が、前記半導体基板の表面（特に分離領域の表面）に残留する恐れがなくなる。 - 特許庁

Continued to the etching process, growth gas, etching gas, doping gas and carrier gas are supplied into the furnace to make epitaxial growth of a second conductive type semiconductor 6 in the trench 4 and fill up the trench 4.例文帳に追加

このエッチング工程に連続して、炉内に、成長ガス、エッチングガス、ドーピングガスおよびキャリアガスを供給して、トレンチ４内に第２導電型の半導体６をエピタキシャル成長させ、トレンチ４を埋める。 - 特許庁

To enable etching process which assures good pattern shape by using, in the adequate flow ratio, a mixed gas of chlorine gas and rare gas as the etching gas in order to restrain adverse effect of the remaining chlorine ion.例文帳に追加

エッチングガスに塩素ガスと希ガスとの混合ガスを適切なる流量比で用いることで、残留塩素イオンによる悪影響を抑えてパターン形状が良好となるエッチング加工を可能とする。 - 特許庁

To provide a dry etching residue remover that has superior removal effect of dry etching residue being generated in a process for manufacturing a device, and prevents metal contained in the device from corroding.例文帳に追加

本発明は、デバイスを製造する過程で発生するドライエッチング残渣の除去効果に優れ、デバイスに含まれる金属を腐食させる虞れのないドライエッチング残渣除去剤を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a wafer-processing apparatus for manufacturing a semiconductor element, wherein uniformity in a process such as etching process or cleaning process is improved by minimizing changes in temperature of a wafer process solution supplied on a wafer attached stably to a spin chuck.例文帳に追加

スピンチャックに安着されたウェーハ上に供給されるウェーハ処理溶液の温度変化を最小化することでエッチング工程または洗浄工程等の処理工程の均一度を向上させる半導体素子製造用ウェーハ処理装置を提供する。 - 特許庁

Accordingly, stud bump connection for reducing occurrence of defective shape and peeling or the like of the stud bump 1d can be assured, and process control on the occasion of forming the through-hole 1e with the laser process or etching process can be done easily, resulting in increment of process margin.例文帳に追加

これにより、スタッドバンプ１ｄの形状不良や剥がれ等を低減するスタッドバンプ接続を確保することができ、レーザー加工やエッチング加工によって貫通孔１ｅを形成する際のプロセス制御が容易になり、プロセスマージンを増やすことができる。 - 特許庁

In a dry etching process for forming a gate, a conventional etching process is performed using gas including HBr, Cl_2 and O_2 as a general plasma gas, till a point when at least part of the oxide film of the gate is exposed (gate oxide film exposure time).例文帳に追加

ゲートを形成するためのドライエッチング工程において、ゲート酸化膜の少なくとも一部分が露出する時点（ゲート酸化膜露出時点）までは一般的なプラズマガスとしてＨＢｒ、Ｃｌ_２及びＯ_２を含むものを用いて従来のエッチング工程を行う。 - 特許庁

By this, the resistor layer 14 can be easily formed without an additional process, and it is unnecessary to use an expensive material for the resistor layer, and there is such an effect that the resistor layer is hardly damaged by an etching liquid at an etching process due to its strong acid resistant property unlike a conventional resistor layer.例文帳に追加

これにより，別途の追加工程なしに容易に抵抗層１４を形成でき，高価な抵抗層材料を使う必要がなく，通常の抵抗層とは違って耐酸性が強くエッチング工程時にエッチング液によって損傷しないという効果がある。 - 特許庁

To provide a method and device for washing a substrate capable of performing high-quality washing treatment by performing an etching process and a rinsing process respectively in the state of covering the whole area of the surface of the substrate with etching reagent or pure water.例文帳に追加

基板表面の全域をエッチング液または純水で覆った状態でエッチング工程およびリンス工程をそれぞれ行うことができ、これにより高品質な洗浄処理を行えるようにした基板洗浄方法および基板洗浄装置を提供する。 - 特許庁

To form an oxide film exhibiting "durability against etching liquid sufficient for protecting silicon films against etching" in dry process and having "such a film quality that impurities can migrate through the oxide film during a heating process for gettering so that the gettering is carried out without problems".例文帳に追加

ドライプロセスで「エッチングに十分耐えシリコン膜を保護することができる、エッチング液に対する耐性」及び「ゲッタリング処理を問題なく行うために、ゲッタリングのための加熱処理の際に、酸化膜中を不純物が移動できる膜質」を有する酸化膜を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of semiconductor device for controlling etching of the front surface of an element isolating film in the etching process of a silicon oxide film after element isolating film formation in the case where the element isolating film has a structure embedded within a semiconductor substrate.例文帳に追加

素子分離膜が半導体基板に埋め込まれた構造である場合、素子分離膜を形成した後の酸化シリコン膜のエッチング工程において、素子分離膜の表面がエッチングされることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric actuator in which uniformity of pattern dimensions by etching can be enhanced and the degree of freedom of setting conditions in etching process can be enhanced, and to provide its fabrication process, a droplet ejection head equipped with it, and a droplet ejector.例文帳に追加

エッチングによるパターン寸法の均一性を向上できるとともに、エッチングプロセスにおける条件設定の自由度を向上できる圧電アクチュエーターとその製造方法並びにそれを備えた液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置の提供を課題とする。 - 特許庁

Also, the method for manufacturing the reflection type electrode substrate includes a process of etching the metal oxide layer by using an etchant composed of oxalic acid and a process of etching the inorganic compound layer by using an etchant composed of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid.例文帳に追加

また、シュウ酸からなるエッチング液を用いて前記金属酸化物層をエッチングする工程と、燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液を用いて前記無機化合物層をエッチングする工程とを含む反射型電極基板の製造方法である。 - 特許庁

The upper layer of the thin film is etched by a dry etching process by using a chlorine-based gas that substantially does not contain oxygen, and subsequently the lower layer of the thin film and the substrate are etched together by a dry etching process using a fluorine-based gas to obtain a mold for imprint.例文帳に追加

薄膜の上層を、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工し、続いて薄膜の下層及び基板を、弗素系ガスを用いたドライエッチング処理により一度にエッチング加工することによりインプリント用モールドを得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can easily form T-type patterns in different degrees of apertures to remarkably reduce the manufacturing processes with the single process of reactive ion etching with a kind of BCB film and a kind of the etching gas, by utilizing the property that the etching characteristic of benzocyclobutene film for reactive ion etching changes isotropically and anisotropically depending on execution of hardening process with the Ar plasma.例文帳に追加

Ａｒプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、ＢＣＢ膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでＴ型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるＴ型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a lead frame which generates no metal strip from a lead frame in a post-process by crushing ends of a thin metal bar after an etching process in manufacturing the lead frame.例文帳に追加

リードフレームの製造工程でエッチング処理後の薄板金属条材の端部を押し潰して、後工程でリードフレームから金属片が発生しないリードフレームの製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrode 28 is formed through two processes, a first process where an Al-Si thin film is formed on the semiconductor layer 23 and a second process, where the Al-Si thin film is partially removed by etching.例文帳に追加

電極２８は、半導体層２３上にＡｌ−Ｓｉから成る薄膜の成膜する工程と、該薄膜の一部分をエッチング処理によって除去する工程とによって構成される。 - 特許庁

The rugged form 15 can be realized through a method wherein the rear surface 11B of the semiconductor chip 11 is subjected to a cutting process using a blade or the like or a selective chemical etching process.例文帳に追加

凹凸形状１５は例えば半導体チップ１１の裏面１１Ｂに対し、ブレード等による切削工程、または選択的に化学的にエッチングすることにより実現する。 - 特許庁

This achieves the production of capacitors and semiconductor devices that secure electrical characteristics and integration at required levels with a simple process without using a photographic etching process.例文帳に追加

写真エッチング工程を利用せずに簡単な工程で要求されるレベルの電気的な特性と集積度を確保することのできるキャパシタと半導体装置を実現することができる。 - 特許庁

After a first sealing film 14 is formed on a second electrode 13 by a CVD method in a first sealing film formation process, the first sealing film 14 is etched in an etching process.例文帳に追加

第１封止膜形成工程で、ＣＶＤ法によって第２電極１３上に第１封止膜１４を形成した後、エッチング工程で、第１封止膜１４をエッチングする。 - 特許庁

The etching process of the ferrodielectric film 3 is added to the process for forming one type of normal capacitor so that two types of capacitors 10a and 10b can be formed.例文帳に追加

通常の１種類のキャパシタを形成する工程に、強誘電体膜３のエッチング工程を追加するのみで、２種類のキャパシタ１０ａ、１０ｂを形成することができる。 - 特許庁

Thus, the open type semitransmissive reflection base plate (3) is available without the positioning process of the microlens array (31) and the fine hole (34), an etching process for forming the fine hole (34) or the like.例文帳に追加

それにより、マイクロレンズアレイ(31)と微小孔(34)との位置合わせや、微小孔(34)を形成するエッチングプロセス等を必要としないで、開口型の半透過反射基板(3)を得ることができる。 - 特許庁

As for the device, the device used for the flattening process by plasma etching and the device for the epitaxial layer growth process and accompanying devices are housed in one vacuum chamber.例文帳に追加

また、本発明の装置は、プラズマエッチングによる平坦化工程と、エピタキシャル層成長工程およびそれに付随する装置とを同一の真空室に収納してなるものである。 - 特許庁

To provide an aligned conductive wiring board to easily form a reliable circuit board without use of a photosensitive agent, etching process, and plating process by utilizing the aligned conductive wires.例文帳に追加

引き揃えた導電線を用いることで、感光剤を使わず、エッチング、メッキの加工がなく、確実な配線基板が容易に形成できる引き揃え導電配線基板の提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an inkjet head in which a process of making a cavity substrate in a thin plate can be carried out in a short time, and etching after the thinning process can be carried out highly precisely.例文帳に追加

キャビティ基板を薄板化する工程を短時間で行うことができ、薄板化の工程の後のエッチングを高精度に行うことのできるインクジェットヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises a process of forming a layer doped with fluorine on the surface of a glass material, and a process for immersing the glass material in an etching liquid and processing.例文帳に追加

ガラス材料表面に予めフッ素をドープした層を形成する工程と、そのガラス材料をエッチング液に浸漬して加工する工程とを具備することを特徴とするガラス加工方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a recess gate of a semiconductor device, which can suppress occurrence of pointy horns in an etching process of a recess region during a recess gate process.例文帳に追加

リセスゲート工程中にリセス領域のエッチング工程で尖状のホーン（Ｈｏｒｎ）が発生することを抑制できる半導体装置のリセスゲート製造方法を提供すること。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor wafer includes a step of carrying out a grinding process for grinding and flattening the both faces of the wafer instead of a process for flattening a beveled wafer, that is, a lapping process, and carrying out a dry etching process (for example, sandblast) for putting uniform scratches on the back face of the wafer after the grinding process.例文帳に追加

半導体ウェーハの製造方法のうち、面取りしたウェーハを平坦化する工程すなわちラッピング工程に代えて、ウェーハの両面を研削して平坦化する研削工程を行い、さらにこの研削工程後にウェーハの裏面に不均一な傷を入れて梨地にする梨地加工工程（例えば、サンドブラスト）を行う。 - 特許庁

A method of etching a chromium layer comprises the steps of providing a substrate having a chromium layer partially exposed from a patterned carbon hard mask into a processing chamber; providing a process gas containing chlorine and carbon monoxide into an etching chamber; maintaining plasma of the process gas; and etching the chromium layer through the hard mask layer.例文帳に追加

クロム層をエッチングする方法は、パターン化された炭素ハードマスクから部分的に露出するクロム層を有する基板を処理チャンバ内に提供するステップと、塩素および一酸化炭素を含有するプロセスガスをエッチングチャンバの中に提供するステップと、プロセスガスのプラズマを維持するステップと、クロム層を炭素ハードマスク層を介してエッチングするステップとを含む。 - 特許庁

An etching profile in a superior tapered shape can be obtained without undercutting nor projection phenomenon by wet-etching an Mo/AlNd double film or an Mo/Al/Mo triple film as gate and source/drain wiring materials in a single process, and a dry etching process is excluded to make processes smooth for improved productivity, thereby lowering manufacturing costs.例文帳に追加

ゲート及びソース／ドレイン配線材料であるＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜またはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ三重膜を単一工程でウェットエッチングして、アンダーカット及び突出現象なしに優秀なテーパ状のエッチングプロファイルを収得でき、ドライエッチング工程を排除することによって、工程を円滑にして生産性を向上させ、生産コストを低減できる。 - 特許庁

Besides, since the inter-layer insulating film 6 is formed between the respective terminals as well, even when etching is performed for the etching time for the ITO formed on the inter-layer insulating film 6, no ITO is left between the terminals, the ITO can be patterned through one time of resist pattern forming process and etching process, and the occurrence of a leak defect between terminals can be prevented.例文帳に追加

また、各端子間にも層間絶縁膜６が形成されているため、層間絶縁膜６上に形成されたＩＴＯに対するエッチング時間でエッチングを行っても端子間にＩＴＯが残ることなく、一回のレジストパターン形成工程及びエッチング工程でＩＴＯのパターン形成を行うことができ、端子間のリーク不良の発生を防止できる。 - 特許庁

A method for manufacturing a glass substrate for a magnetic recording medium includes at least a step for performing a grinding process, a step for performing an etching process, and a step for performing a polishing process in this order with respect to inner and outer peripheral end surfaces of a disk-like glass substrate having a center hole.例文帳に追加

中心孔を有する円盤状のガラス基板の内外周端面に対して少なくとも、研削加工を施す工程と、エッチング加工を施す工程と、ポリッシュ加工を施す工程とを、この順で含む。 - 特許庁

The method is provided with a process for forming a rectangular area on the semiconductor wafer, a process for containing an impurity element in a wafer material in that area and a process for forming a recessed portion in that area by anisotropic etching.例文帳に追加

半導体基板に矩形形状の領域を形成する工程と、その領域の基板材料中に不純物元素を含ませる工程と、その領域に異方性エッチングにより陥没部分を形成する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nonvolatile memory device, the method making a phase change region be a thin layer without executing an etching process.例文帳に追加

エッチング工程を実施することなく相変化領域を薄層化する不揮発性メモリ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method to form vias and grooves without making ridges and crowns in a double etching process used in the production of integrated circuits.例文帳に追加

集積回路製作で用いられる二重食刻プロセスで、リッジとクラウンとを作らずにビアと溝とを形成する方法を提供する。 - 特許庁

To prevent deterioration of a gate insulating film caused by electric charges in a process of etching metal wiring layer and to prevent the generation of leakage current in a semiconductor device.例文帳に追加

メタル配線層のエッチング工程における電荷チャージに起因するゲート絶縁膜の劣化及びリーク電流の発生を防止する。 - 特許庁

The protective film filled into the contact hole is etched by a second etching process with the hard mask pattern as a mask.例文帳に追加

前記ハードマスクパターンをマスクとした第２エッチング工程によって、前記コンタクトホールの内部に充填された前記保護膜をエッチングする。 - 特許庁

To provide a halftone mask that facilitates process shape control during etching and to provide a method of manufacturing a pattern substrate using the mask.例文帳に追加

エッチングの際の加工形状制御が容易となるハーフトーンマスク及びこれを用いたパターン基板の製造方法を提供すること - 特許庁

A pattern width of the thin-film pattern 7 is determined on the basis of two side faces 2B and 2C which are formed through the two-step etching process.例文帳に追加

２段階のエッチング工程を経て形成される２つの側面２Ｂ，２Ｃに基づいて薄膜パターン７のパターン幅が決定される。 - 特許庁

To efficiently execute a uniform etching process at a low cost.例文帳に追加

効率よく低コストで均一なエッチング加工を行うことができるプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an alignment mark capable of being formed with a correct and sharp profile upon forming a via hole and an alignment mark in a single etching process.例文帳に追加

ビアホールとアライメントマークとを同じエッチング工程で形成する際、正確でシャープな輪郭で形成できるアライメントマークを提供する。 - 特許庁

The surface-roughened alignment mark is formed in the process of roughening an LED 10 surface on which the wafer alignment mark resides by plasma etching.例文帳に追加

粗面化アライメントマークは、ウエハアライメントマークが位置するＬＥＤ１０の表面をプラズマエッチングによって粗面化する際に形成される。 - 特許庁