「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a TFT substrate with contact holes that are accurately formed by enhancing the accuracy of processing a contact etching, and to provide a method of manufacturing the TFT substrate which can reduce manufacturing costs without causing complication in manufacturing process of the TFT substrate.例文帳に追加

コンタクトエッチングの加工精度を上げて、精度良くコンタクトホールが形成されたＴＦＴ基板及び、そのＴＦＴ基板を工程が煩雑にならずに製造コストが抑制可能なＴＦＴ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In an element isolating process for forming a plurality of isolated element regions, a semiconductor layer (SOI layer) is removed by etching from the element isolating region, using the stacked films of a nitride film (Si3N4) and an oxide film (SiO2) as an element isolating mask.例文帳に追加

複数の素子領域を分離形成する素子分離工程において、窒化膜（Ｓｉ_3Ｎ_4）と酸化膜（ＳｉＯ_2）との積層膜を素子分離マスクとして、素子分離領域から半導体層（ＳＯＩ層）をエッチングにより除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GaAs single crystal substrate, by which the generation of a columnar residual material in a via hole can be suppressed in a process for forming the via hole in a semiconductor substrate by dry etching; and to provide the GaAs single crystal substrate.例文帳に追加

ドライエッチングによる半導体基板へのビアホール形成プロセスにおいて、柱状の残留物をビアホール中に発生させないＧａＡｓ単結晶基板の製造方法及びＧａＡｓ単結晶基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a pattern by which shoulder dropping of a hard mask can be prevented in an etching process for forming the pattern in an organic polymer film, and to provide a method of forming a multilayer wiring and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.例文帳に追加

有機ポリマー膜へのパターン形成におけるエッチング時のハードマスクの肩落ちを低減できるパターン形成方法、及びこれを用いた多層配線形成方法並びに半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an air cleaner, with which costs for installation can be reduced, and further, environmental disruption can be prevented as well by circulating air inside a device, provided in a wet process device such as developing device, etching device, or cleaning device.例文帳に追加

現像装置、エッチング装置、洗浄装置等のウエットプロセス装置に設けられ、装置内の空気を循環させることにより、設置時にかかるコストを低減し、さらには環境破壊も防止できる空気浄化装置を提供する。 - 特許庁

A slider support beam 11, a bending part 13, a slider support 14 and a wiring structure 12 are formed on the basis of an etching process to a multilayer sheet 20 comprising a metallic material 21, an insulation material 22, and a conductive material 23.例文帳に追加

スライダ支持ビーム１１、たわみ部１３、スライダ支持部１４および配線構造体１２が、金属材料２１、絶縁材料２２および導電性材料２３の積層シート２０に対するエッチング処理に基づいて形成されている。 - 特許庁

The process flow follows steps similar to standard STI fabrication methods except that in one of the etching steps, body tie contacts 222 are etched through the nitride layer 210 and STI oxide layer 206, directly to the body tie 204.例文帳に追加

プロセスフローは、ボディ・タイ・コンタクト２２２が、ボディ・タイ２０４まで直接、ナイトライド層２１０およびＳＴＩ酸化物層２０６を通してエッチングされるエッチングステップの一つを除いて、標準的なＳＴＩ製造方法と同様である。 - 特許庁

In the process of removing the lead component, the pipes are dipped into an alkaline etching liquid in which an oxidant is added to remove the lead on the surfaces, and then dipped into a chromate liquid to form a chromate film on the surfaces.例文帳に追加

鉛成分の除去処理の方法としては、酸化剤を添加したアルカリ性のエッチング液に浸漬して表面の鉛を除去し、次いでクロメート液に浸漬して表面にクロメート被膜を形成したもの、などが挙げられる。 - 特許庁

Then, second masking films 41 are formed on the wiring pattern corresponding part of the rear surface of the metal plate 11, and a etching process is performed from above the second masking films 41 so as to form a first wiring pattern 43 from the metal plate 11.例文帳に追加

次に金属板１１の裏面側の配線パターン相当部分に第２のマスキング４１を形成し、この第２のマスキング４１の上からエッチング処理して金属板１１から第１の配線パターン４３を形成する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for measuring a thin film in an accurate and rapid measurement real time when the film is deposited or etched in a film forming step or an etching step used in a manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程で用いられている成膜工程や、エッチング工程で、薄膜を堆積あるいはエッチングしていく際に、高精度で迅速にリアルタイムで測定のできる薄膜測定方法とその装置を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor wafer 1 divided into a plurality of chips 2 in a plasma etching process in a chamber 5, is carried out of the chamber 5 while a holding sheet 10 is applied on its upper surface and a protective sheet 3 is also applied on the lower surface.例文帳に追加

チャンバ５内でのプラズマエッチング処理によって複数のチップ２に個片化された半導体ウェハ１を、その上面に保持シート１０、下面に保護シート３をそれぞれ貼り付けた状態でチャンバ５から搬出するようにした。 - 特許庁

The method has first and second thin film forming processes by sputter deposition and a simultaneous etching process for the first and second thin films and manufactures the thin films under the conditions to make the reflectivity of the second thin film higher than the reflectivity of the first thin film and to lower the resistance.例文帳に追加

スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。 - 特許庁

The rectangular grooves 108a to 108c are formed by the wet etching process using a stacked substrate 105 which is formed by stacking, through silicon oxide films 106a to 106c, the silicon substrates 101 to 104 having the [110] orientation directed to the desired direction.例文帳に追加

シリコン酸化層１０６ａ〜１０６ｃを介して、〈１１０〉方向が所望の方向に向けられたシリコン基板１０１〜１０４を張り合わせた積層基板１０５を用い、矩形溝１０８ａ〜１０８ｃをウエットエッチングによって形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nonvolatile memory device that suppresses an increase in the number of steps while performing process using a plurality of hard masks corresponding to kinds of films when films of many kinds of materials are processed by etching.例文帳に追加

多数の種類の材質の膜をエッチングによって加工する際に、膜の種類に応じた複数のハードマスクで加工を行いながら、工程数の増加を抑えることができる不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an accurate plasma etching method suppressing a damage on a device by developing a plasma treatment method using a non-greenhouse effect gas to achieve global environmental protection and improvement of performance of a plasma process.例文帳に追加

地球環境保全およびプラズマプロセスの高性能化を実現するため、非温室効果ガスを用いたプラズマ処理方法を開発し、デバイスへの損傷を抑制することができる高精度のプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

As a result, a process margin at the time of wet-etching the first side wall film 106 and the sacrifice gate insulated film 104 is increased, and the generation of a slit at the gate electrode side lower part of the second side wall film 110 can be prevented.例文帳に追加

これにより、第１の側壁膜１０６および犠牲ゲート絶縁膜１０４をウェットエッチングする際のプロセスマージンを大きくして、第２の側壁膜１１０のゲート電極側下部にスリットが入るのを防ぐことができる。 - 特許庁

When the wafer 10 is subjected to plasma process in this state, the wafer 10 and tray 11 are both cooled during the plasma processing, so that the wafer 10 is unlikely to have a temperature difference between a center part and an outer peripheral part thereof, thereby improving uniformity of etching.例文帳に追加

この状態でウエハ１０をプラズマ処理すれば、プラズマ処理中にウエハ１０とトレイ１１の両方が冷却されるため、ウエハ１０の中心部と外周部で温度差が生じにくくエッチングの均一性が向上する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device that makes the unevenness of electric field distribution on a surface of an electrode small so that etching rate distribution is uniform in a plasma process using a high density plasma that can correspond to further fining.例文帳に追加

より微細化に対応可能な高密度プラズマを用いたプラズマ処理において、電極表面における電界分布の不均一を小さくすることが可能であり、エッチングレート分布が均一なプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a DAC having a constant current cell which suppresses deterioration of a gate insulating film of a MOS transistor for constant current cell by an antenna effect caused by plasma etching in a manufacturing process, etc. to output uniform fixed current.例文帳に追加

製造工程中のプラズマエッチング等で発生するアンテナ効果による定電流セル用のＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の劣化を抑制し、均一な一定電流を出力する定電流セルを有するＤＡＣを提供する。 - 特許庁

Further, the method may include a flattening process for removing the step bunching 3 generated on the surface of the SiC epitaxial film 2 by CMP (chemomechanical polishing), gas etching in a hydrogen atmosphere, or the like, for producing a device.例文帳に追加

また、デバイスを作製するために、このＳｉＣエピタキシャル膜２の表面に発生させたステップバンチング３をＣＭＰ（化学的機械研磨）あるいは水素雰囲気中でのガスエッチング等により除去する平坦化工程を追加しても良い。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element using a multi-chamber system having etching equipment for semiconductor element manufacturing, which has advantages such as higher wafer transfer speed by disposing multiple process chambers serially in multiple layers.例文帳に追加

多数個の工程チャンバーを多層に直列配置してウェハの移送速度を向上させる等の効果を奏する半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを用いる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing process for the semiconductor has applying, after forming a resist pattern on an underlaying layer, the thickening material to the surface of the resist pattern to be thickened, and patterning the underlying layer by etching, the pattern as a mask.例文帳に追加

下地層上にレジストパターンを形成後、該パターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該パターンを厚肉化する工程と、該パターンをマスクとしてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a plasma etching method which inhibits a damage to a device, and has high accuracy, which is attained by development of a plasma treatment method using a gas free of a greenhouse effect in order to realize the global environmental preservation, and the plasma process of high performance.例文帳に追加

地球環境保全およびプラズマプロセスの高性能化を実現するため、非温室効果ガスを用いたプラズマ処理方法を開発し、デバイスへの損傷を抑制することができる高精度のプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of forming an etching structure of a fine dimension where an increase in the number of a manufacturing process and an increase in a manufacturing cost are restrained, and on the other hand, the control of manufacturing conditions is not difficult, and which allows exposure to exceed its limit.例文帳に追加

製造工程の増加及び製造コストの増大を抑制する一方で、製造条件の制御が困難ではなく且つ露光の限界を超えるような微細な寸法のエッチング構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a printed circuit board, capable of manufacturing a high-density printed circuit board having high reliability by using a laminate substrate equipped with a dual metal layer and making an etching process be dual.例文帳に追加

二元化された金属層を備えた積層基板を使用し、エッチング工程を二元化することにより、信頼性の高い高密度印刷回路基板を製造することができる印刷回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A part of the conductive pattern film 13a is exposed by etching the core layer 14 by RIE and a part 14c of the core layer 14 formed on the conductive pattern film 13a is separated from a waveguide core 14a (process 6).例文帳に追加

ＲＩＥにより、コア層１４の一部をエッチングし、導波路パターン膜１３ａの一部を露出させ、導波路パターン膜１３ａ上に成膜したコア層の一部１４ｃと導波路コア１４ａとを分離する（工程６）。 - 特許庁

With this constitution, an offset region and an LDD region can be easily formed by utilizing double gate film process that utilizes the upper gate film, which serves as an auxiliary film, and an undercut shape that is the characteristic of isotropic etching.例文帳に追加

かかる構成により，オフセット領域やＬＤＤ領域を，補助膜的に機能する上部ゲート膜を利用した二重ゲート膜工程と等方性エッチングの特質であるアンダーカットの形状を利用して簡便に形成できる。 - 特許庁

Since the upper surface part of the first metal film 302 is covered with the resist film 303, remaining on the upper surface of the first metal film 302 after a previous etching process, a part to be oxidized only becomes a side edge part 304.例文帳に追加

前工程のエッチング工程後に第１の金属膜３０２の上面に残存しているレジスト膜３０３によって第１の金属膜３０２の上面部分は覆われているため酸化される部分は側面部分３０４のみとなる。 - 特許庁

To efficiently extract a hole without using a conductive buffer layer, without requiring a complicated process, without requiring extremely high depth-precision dry etching, and without deteriorating crystalline concerning a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、導電性バッファ層を用いることなく、煩雑なプロセスも必要なく、非常に高い深さ精度のドライエッチングも必要なく、また、結晶性を劣化させずに、効率良くホールを引き抜くことができるようにする。 - 特許庁

In this method of decomposing a package, a soft etchant 32 is made to easily permeate in an etching process by subjecting an optional surface of a decomposing object region A1 of an outer resin part 19 of a package device 10 to grinding work by a router to be roughened.例文帳に追加

パッケージ分解方法は、パッケージ装置１０の外側樹脂部１９の任意の分解対象領域Ａ１表面をルーターで研削加工し粗面とすることで、エッチング処理の際にソフトエッチング液３２が浸透し易くする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic element device with a high numerical aperture equivalent to an etching from a substrate surface, by which any expensive manufacturing apparatus and any additional process are not required, and any sticking is not generated, either.例文帳に追加

基板表面からのエッチングと同等の高い開口率の電子素子デバイスを製造する方法であって、高価な製造装置や追加の工程を要することなくしかもスティッキングを生じることもない方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polysiloxane positive-type radiation-sensitive composition which has high compatibility with a quinonediazide compound and with which an interlayer insulating film excellent in resistance to resist peeling liquid in an ITO film etching process can be formed.例文帳に追加

キノンジアジド化合物との相溶性が高く、ＩＴＯ膜エッチング工程におけるレジスト剥離液耐性に優れた層間絶縁膜を形成可能なポリシロキサン系ポジ型感放射線性組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a superior optical component-mounting substrate which has a plurality of grooves of different depth that can not be formed in the same etching process and is free of shift in relative position among the respective grooves, and its manufacturing method, and an optical module.例文帳に追加

同一のエッチングプロセスでは形成不可能な複数の異なった深さの溝を有し、且つ各溝の相対位置ずれが生じない、優れた光部品実装用基板及びその製造方法並びに光モジュールを提供すること。 - 特許庁

An interlayer insulation film including lower layer wirings of the predetermined shapes is formed on a semiconductor substrate, and a first groove aperture and a first hole aperture are simultaneously formed by a half-etching method in the first photolithography process.例文帳に追加

所定の形状の下層配線を有する層間絶縁膜を、半導体基板上に形成し、一回目のフォトリソグラフィ工程で、第一の溝状開口部と第一の孔状開口部とをハーフエッチングにより同時に形成する。 - 特許庁

The alignment mark 40 is opened on a inter-layer insulation film in a single etching process of opening the via hole for forming a metal contact for connecting lower layer wiring to upper layer wiring.例文帳に追加

本アライメントマーク４０は、下層配線に上層配線を接続するメタルコンタクトを形成するビアホールを層間絶縁膜に開口する際に、ビアホールを開口する同じエッチング工程で層間絶縁膜に開口するアライメントマークである。 - 特許庁

Since the contours of the oscillation legs are exactly finished over sufficient time in the first crystal etching process, the base part is connected with the connection frame and firm, the crystal chip does not break at the thin connection part 1600 during processing.例文帳に追加

第１水晶エッチング工程で十分時間をかけて振動脚外形を正確に仕上げることができ、基部が連結フレームで連結されていて強固であるから、加工中に細い接続部１６００で折損したりしない。 - 特許庁

To provide a plasma etching method wherein a side wall spacer shoulder part formed around a gate during a manufacturing process of a semiconductor device having an LDD structure is so removed as the upper part of gate is exposed with high dimension control precision.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有する半導体装置の製造工程中にゲート周囲に形成する側壁スペーサ肩部を、高い寸法制御精度でゲート上部が露出するように除去するプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The surface of the silicon boat is etched in the etching process with the mixed liquid of nitric acid and hydrofluoric acid to remove a processing distortion layer containing metal impurities and metal impurities (not mixed with an organic matter) on the processing distortion layer.例文帳に追加

エッチング工程で硝酸及びフッ酸の混合液により、シリコンボートの表面をエッチングして、金属不純物を含有する加工歪層及び加工歪層上の金属不純物（有機物と混ざっていないもの）を除去する。 - 特許庁

The micro-lens array manufacturing method is configured so that a work for micro-lens array is polished after shaping through an etching or molding process so that a high transmittance and a reduced unevenness in the transmitted light are obtained.例文帳に追加

マイクロレンズアレイの製造方法において、マイクロレンズアレイをエッチングまたはモールドにより成形した後に、研磨することにより、高い透過率の、透過光ムラを低減させたマイクロレンズアレイの製造方法を提供することができる。 - 特許庁

To provide an organic antireflection forming material that is deposited in the same process as the conventional art, effectively prevents reflection of exposure light with an antireflective coating, has high dry etching speed, and is useful for forming a fine pattern.例文帳に追加

従来と同じプロセスで成膜可能で、その反射防止膜は効果的に露光光の反射を防止し、更に、高いドライエッチング速度を兼ね備え、微細パターン形成に有用である有機反射防止形成材料を提供する。 - 特許庁

On a gate insulation film 103, a conductive film as the material of a first gate electrode element 104 is formed first and a partitioning insulation film 105 consisting of a material allowing etching process is laminated next selectively on this conductive film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０３上に、第１ゲート電極要素１０４の材料となる導電膜と、この導電膜に対して選択的にエッチング可能な材料からなる仕切絶縁膜１０５とを積層状態に形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of reducing membrane stress by a nitride film and protecting a semiconductor substrate from damage by preventing an etching stop film from disappearing, when forming source/drain contact holes by a self-alignment process.例文帳に追加

ソース/ドレインコンタクトホールを自己整列工程で形成する際に、窒化膜による膜ストレスを減らすことができ、エッチング停止膜の消失を防ぐことにより半導体基板を損傷から保護することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device where an interlayer insulating film having a hollow structure and a relative permittivity as near as 1 is formed by employing an oxide film having a high selectivity and carrying out a selective etching process.例文帳に追加

高い選択性を有する酸化膜を使用して選択エッチング処理を行うことにより、比誘電率が限りなく１に近い中空構造の層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element for preventing damage to metal wiring caused by etching in forming a capacitor by eliminating a useless mask process by forming metal wiring after forming an MIM capacitor, and provide a method of forming the same.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタを形成した後に金属配線を形成することにより無駄なマスク工程を省略し、キャパシタ形成時のエッチングでの金属配線の損傷を防止できる半導体素子及びその形成方法を提供すること。 - 特許庁

To remove a deposited foreign matter 106 consisting of a metal fluoride generated at the time of performing processing such as etching by a fluorine-based gas on a metal film containing titanium such as TiN film 103 in a manufacturing process of an electronic device.例文帳に追加

電子デバイスの製造工程において、ＴｉＮ膜１０３等のチタンを含む金属膜に対してフッ素系ガスによってエッチング等の加工をした際に発生する、金属フッ化物からなる析出異物１０６を除去する。 - 特許庁