「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

The process flow follows steps similar to standard STI fabrication methods except that in one of the etching steps, body tie contacts 222 are etched through the nitride layer 210 and STI oxide layer 206, directly to the body tie 204.例文帳に追加

プロセスフローは、ボディ・タイ・コンタクト２２２が、ボディ・タイ２０４まで直接、ナイトライド層２１０およびＳＴＩ酸化物層２０６を通してエッチングされるエッチングステップの一つを除いて、標準的なＳＴＩ製造方法と同様である。 - 特許庁

A semiconductor wafer 1 divided into a plurality of chips 2 in a plasma etching process in a chamber 5, is carried out of the chamber 5 while a holding sheet 10 is applied on its upper surface and a protective sheet 3 is also applied on the lower surface.例文帳に追加

チャンバ５内でのプラズマエッチング処理によって複数のチップ２に個片化された半導体ウェハ１を、その上面に保持シート１０、下面に保護シート３をそれぞれ貼り付けた状態でチャンバ５から搬出するようにした。 - 特許庁

The method has first and second thin film forming processes by sputter deposition and a simultaneous etching process for the first and second thin films and manufactures the thin films under the conditions to make the reflectivity of the second thin film higher than the reflectivity of the first thin film and to lower the resistance.例文帳に追加

スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device that makes the unevenness of electric field distribution on a surface of an electrode small so that etching rate distribution is uniform in a plasma process using a high density plasma that can correspond to further fining.例文帳に追加

より微細化に対応可能な高密度プラズマを用いたプラズマ処理において、電極表面における電界分布の不均一を小さくすることが可能であり、エッチングレート分布が均一なプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a DAC having a constant current cell which suppresses deterioration of a gate insulating film of a MOS transistor for constant current cell by an antenna effect caused by plasma etching in a manufacturing process, etc. to output uniform fixed current.例文帳に追加

製造工程中のプラズマエッチング等で発生するアンテナ効果による定電流セル用のＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の劣化を抑制し、均一な一定電流を出力する定電流セルを有するＤＡＣを提供する。 - 特許庁

Further, the method may include a flattening process for removing the step bunching 3 generated on the surface of the SiC epitaxial film 2 by CMP (chemomechanical polishing), gas etching in a hydrogen atmosphere, or the like, for producing a device.例文帳に追加

また、デバイスを作製するために、このＳｉＣエピタキシャル膜２の表面に発生させたステップバンチング３をＣＭＰ（化学的機械研磨）あるいは水素雰囲気中でのガスエッチング等により除去する平坦化工程を追加しても良い。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element using a multi-chamber system having etching equipment for semiconductor element manufacturing, which has advantages such as higher wafer transfer speed by disposing multiple process chambers serially in multiple layers.例文帳に追加

多数個の工程チャンバーを多層に直列配置してウェハの移送速度を向上させる等の効果を奏する半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを用いる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing process for the semiconductor has applying, after forming a resist pattern on an underlaying layer, the thickening material to the surface of the resist pattern to be thickened, and patterning the underlying layer by etching, the pattern as a mask.例文帳に追加

下地層上にレジストパターンを形成後、該パターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該パターンを厚肉化する工程と、該パターンをマスクとしてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a plasma etching method which inhibits a damage to a device, and has high accuracy, which is attained by development of a plasma treatment method using a gas free of a greenhouse effect in order to realize the global environmental preservation, and the plasma process of high performance.例文帳に追加

地球環境保全およびプラズマプロセスの高性能化を実現するため、非温室効果ガスを用いたプラズマ処理方法を開発し、デバイスへの損傷を抑制することができる高精度のプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of forming an etching structure of a fine dimension where an increase in the number of a manufacturing process and an increase in a manufacturing cost are restrained, and on the other hand, the control of manufacturing conditions is not difficult, and which allows exposure to exceed its limit.例文帳に追加

製造工程の増加及び製造コストの増大を抑制する一方で、製造条件の制御が困難ではなく且つ露光の限界を超えるような微細な寸法のエッチング構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a printed circuit board, capable of manufacturing a high-density printed circuit board having high reliability by using a laminate substrate equipped with a dual metal layer and making an etching process be dual.例文帳に追加

二元化された金属層を備えた積層基板を使用し、エッチング工程を二元化することにより、信頼性の高い高密度印刷回路基板を製造することができる印刷回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A part of the conductive pattern film 13a is exposed by etching the core layer 14 by RIE and a part 14c of the core layer 14 formed on the conductive pattern film 13a is separated from a waveguide core 14a (process 6).例文帳に追加

ＲＩＥにより、コア層１４の一部をエッチングし、導波路パターン膜１３ａの一部を露出させ、導波路パターン膜１３ａ上に成膜したコア層の一部１４ｃと導波路コア１４ａとを分離する（工程６）。 - 特許庁

With this constitution, an offset region and an LDD region can be easily formed by utilizing double gate film process that utilizes the upper gate film, which serves as an auxiliary film, and an undercut shape that is the characteristic of isotropic etching.例文帳に追加

かかる構成により，オフセット領域やＬＤＤ領域を，補助膜的に機能する上部ゲート膜を利用した二重ゲート膜工程と等方性エッチングの特質であるアンダーカットの形状を利用して簡便に形成できる。 - 特許庁

Since the upper surface part of the first metal film 302 is covered with the resist film 303, remaining on the upper surface of the first metal film 302 after a previous etching process, a part to be oxidized only becomes a side edge part 304.例文帳に追加

前工程のエッチング工程後に第１の金属膜３０２の上面に残存しているレジスト膜３０３によって第１の金属膜３０２の上面部分は覆われているため酸化される部分は側面部分３０４のみとなる。 - 特許庁

To efficiently extract a hole without using a conductive buffer layer, without requiring a complicated process, without requiring extremely high depth-precision dry etching, and without deteriorating crystalline concerning a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、導電性バッファ層を用いることなく、煩雑なプロセスも必要なく、非常に高い深さ精度のドライエッチングも必要なく、また、結晶性を劣化させずに、効率良くホールを引き抜くことができるようにする。 - 特許庁

In this method of decomposing a package, a soft etchant 32 is made to easily permeate in an etching process by subjecting an optional surface of a decomposing object region A1 of an outer resin part 19 of a package device 10 to grinding work by a router to be roughened.例文帳に追加

パッケージ分解方法は、パッケージ装置１０の外側樹脂部１９の任意の分解対象領域Ａ１表面をルーターで研削加工し粗面とすることで、エッチング処理の際にソフトエッチング液３２が浸透し易くする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic element device with a high numerical aperture equivalent to an etching from a substrate surface, by which any expensive manufacturing apparatus and any additional process are not required, and any sticking is not generated, either.例文帳に追加

基板表面からのエッチングと同等の高い開口率の電子素子デバイスを製造する方法であって、高価な製造装置や追加の工程を要することなくしかもスティッキングを生じることもない方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polysiloxane positive-type radiation-sensitive composition which has high compatibility with a quinonediazide compound and with which an interlayer insulating film excellent in resistance to resist peeling liquid in an ITO film etching process can be formed.例文帳に追加

キノンジアジド化合物との相溶性が高く、ＩＴＯ膜エッチング工程におけるレジスト剥離液耐性に優れた層間絶縁膜を形成可能なポリシロキサン系ポジ型感放射線性組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

The gas is plasma- discharged in a plasma generator 1, and first active starting gas is jetted from the nozzle part 20 to the side of the silicon wafer W, the nozzle part 20 is scanned by an X-Y driving mechanism 4, and a local etching process is performed.例文帳に追加

プラズマ発生器１でこのガスをプラズマ放電させて第１の活性種ガスをノズル部２０からシリコンウエハＷ側に噴射すると共に、Ｘ−Ｙ駆動機構４でノズル部２０を走査させて局部エッチング工程を行う。 - 特許庁

In an element isolating process for forming a plurality of isolated element regions, a semiconductor layer (SOI layer) is removed by etching from the element isolating region, using the stacked films of a nitride film (Si3N4) and an oxide film (SiO2) as an element isolating mask.例文帳に追加

複数の素子領域を分離形成する素子分離工程において、窒化膜（Ｓｉ_3Ｎ_4）と酸化膜（ＳｉＯ_2）との積層膜を素子分離マスクとして、素子分離領域から半導体層（ＳＯＩ層）をエッチングにより除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GaAs single crystal substrate, by which the generation of a columnar residual material in a via hole can be suppressed in a process for forming the via hole in a semiconductor substrate by dry etching; and to provide the GaAs single crystal substrate.例文帳に追加

ドライエッチングによる半導体基板へのビアホール形成プロセスにおいて、柱状の残留物をビアホール中に発生させないＧａＡｓ単結晶基板の製造方法及びＧａＡｓ単結晶基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a pattern by which shoulder dropping of a hard mask can be prevented in an etching process for forming the pattern in an organic polymer film, and to provide a method of forming a multilayer wiring and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.例文帳に追加

有機ポリマー膜へのパターン形成におけるエッチング時のハードマスクの肩落ちを低減できるパターン形成方法、及びこれを用いた多層配線形成方法並びに半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an air cleaner, with which costs for installation can be reduced, and further, environmental disruption can be prevented as well by circulating air inside a device, provided in a wet process device such as developing device, etching device, or cleaning device.例文帳に追加

現像装置、エッチング装置、洗浄装置等のウエットプロセス装置に設けられ、装置内の空気を循環させることにより、設置時にかかるコストを低減し、さらには環境破壊も防止できる空気浄化装置を提供する。 - 特許庁

To provide a superior optical component-mounting substrate which has a plurality of grooves of different depth that can not be formed in the same etching process and is free of shift in relative position among the respective grooves, and its manufacturing method, and an optical module.例文帳に追加

同一のエッチングプロセスでは形成不可能な複数の異なった深さの溝を有し、且つ各溝の相対位置ずれが生じない、優れた光部品実装用基板及びその製造方法並びに光モジュールを提供すること。 - 特許庁

An interlayer insulation film including lower layer wirings of the predetermined shapes is formed on a semiconductor substrate, and a first groove aperture and a first hole aperture are simultaneously formed by a half-etching method in the first photolithography process.例文帳に追加

所定の形状の下層配線を有する層間絶縁膜を、半導体基板上に形成し、一回目のフォトリソグラフィ工程で、第一の溝状開口部と第一の孔状開口部とをハーフエッチングにより同時に形成する。 - 特許庁

The alignment mark 40 is opened on a inter-layer insulation film in a single etching process of opening the via hole for forming a metal contact for connecting lower layer wiring to upper layer wiring.例文帳に追加

本アライメントマーク４０は、下層配線に上層配線を接続するメタルコンタクトを形成するビアホールを層間絶縁膜に開口する際に、ビアホールを開口する同じエッチング工程で層間絶縁膜に開口するアライメントマークである。 - 特許庁

Since the contours of the oscillation legs are exactly finished over sufficient time in the first crystal etching process, the base part is connected with the connection frame and firm, the crystal chip does not break at the thin connection part 1600 during processing.例文帳に追加

第１水晶エッチング工程で十分時間をかけて振動脚外形を正確に仕上げることができ、基部が連結フレームで連結されていて強固であるから、加工中に細い接続部１６００で折損したりしない。 - 特許庁

To provide a plasma etching method wherein a side wall spacer shoulder part formed around a gate during a manufacturing process of a semiconductor device having an LDD structure is so removed as the upper part of gate is exposed with high dimension control precision.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有する半導体装置の製造工程中にゲート周囲に形成する側壁スペーサ肩部を、高い寸法制御精度でゲート上部が露出するように除去するプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nonvolatile memory device that suppresses an increase in the number of steps while performing process using a plurality of hard masks corresponding to kinds of films when films of many kinds of materials are processed by etching.例文帳に追加

多数の種類の材質の膜をエッチングによって加工する際に、膜の種類に応じた複数のハードマスクで加工を行いながら、工程数の増加を抑えることができる不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an accurate plasma etching method suppressing a damage on a device by developing a plasma treatment method using a non-greenhouse effect gas to achieve global environmental protection and improvement of performance of a plasma process.例文帳に追加

地球環境保全およびプラズマプロセスの高性能化を実現するため、非温室効果ガスを用いたプラズマ処理方法を開発し、デバイスへの損傷を抑制することができる高精度のプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

As a result, a process margin at the time of wet-etching the first side wall film 106 and the sacrifice gate insulated film 104 is increased, and the generation of a slit at the gate electrode side lower part of the second side wall film 110 can be prevented.例文帳に追加

これにより、第１の側壁膜１０６および犠牲ゲート絶縁膜１０４をウェットエッチングする際のプロセスマージンを大きくして、第２の側壁膜１１０のゲート電極側下部にスリットが入るのを防ぐことができる。 - 特許庁

When the wafer 10 is subjected to plasma process in this state, the wafer 10 and tray 11 are both cooled during the plasma processing, so that the wafer 10 is unlikely to have a temperature difference between a center part and an outer peripheral part thereof, thereby improving uniformity of etching.例文帳に追加

この状態でウエハ１０をプラズマ処理すれば、プラズマ処理中にウエハ１０とトレイ１１の両方が冷却されるため、ウエハ１０の中心部と外周部で温度差が生じにくくエッチングの均一性が向上する。 - 特許庁

According to this invention, the problems in an etching step performed in the existing top-down system thin film manufacturing process are remarkably reduced, and further, the pattern of the nanostructure can be freely controlled in the nano-thin film structure.例文帳に追加

本発明によると、既存のトップ-ダウン方式の薄膜製造工程で行われている蝕刻工程の問題点を著しく減少させ、さらにナノ薄膜構造においてナノ構造の模様を自由に制御することができる。 - 特許庁

To provide a cleaning apparatus for effectively cleaning a metal stuck to a tool in the tool used in a dry etching apparatus, a CVD (chemical vapor deposition) apparatus, or the like, used in a process for manufacturing a semiconductor, a liquid crystal substrate or a solar battery.例文帳に追加

半導体又は液晶基板、太陽電池の製造過程で使用されるドライエッチング装置、ＣＶＤ装置などで使用される冶具に対して、この冶具に付着した金属を有効に洗浄する洗浄装置を実現すること。 - 特許庁

The rectangular grooves 108a to 108c are formed by the wet etching process using a stacked substrate 105 which is formed by stacking, through silicon oxide films 106a to 106c, the silicon substrates 101 to 104 having the [110] orientation directed to the desired direction.例文帳に追加

シリコン酸化層１０６ａ〜１０６ｃを介して、〈１１０〉方向が所望の方向に向けられたシリコン基板１０１〜１０４を張り合わせた積層基板１０５を用い、矩形溝１０８ａ〜１０８ｃをウエットエッチングによって形成する。 - 特許庁

After a resist layer 22 having a hole 22a exposing a shoulder of the insulation film 16a and a part of the resist layer 20B near the shoulder is formed, a connection hole 24 is formed in a wet-etching process with the resist layers 22, 20B as masks.例文帳に追加

絶縁膜１６ａの肩部とその近傍のレジスト層２０Ｂの一部とを露呈する孔２２ａを有するレジスト層２２を形成した後、レジスト層２２，２０Ｂをマスクとするウェットエッチング処理により接続孔２４を形成する。 - 特許庁

After completing the etching, a control part 8 introduces cleaning gas by the gas introducing system 3, forms the plasma by the plasma forming means 4 and removes films deposited on exposed surfaces in the process chamber 1 by the action of plasma.例文帳に追加

制御部８は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系３により導入し、プラズマ形成用手段４によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー１内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。 - 特許庁

To form a fine pattern of an organic material film in an easy process and reduce the fringing capacitance of the gate electrode of a field effect transistor using a selective dry recess etching to improve the operating speed of a semiconductor device.例文帳に追加

容易なプロセスで有機材料膜の微細パターンを形成し、選択ドライリセスエッチングを用いて、電界効果型トランジスタのゲート電極のフリンジング容量を低減し、半導体装置の動作速度を向上することを目的とする。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which is sensitive to visible ray, enables a process in which problems such as ensuring of etching solution and plating solution resistances and lowering of productivity are solved and can form a fine high density pattern.例文帳に追加

可視光感光性で、エッチング液耐性とメッキ液耐性の確保の問題や生産性低下などの問題を解決するプロセスを可能にし、微細かつ高密度なパターンを形成することができる感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing process of a multilayer circuit board 1, after the 3rd and 4th copper foil circuits 11 and 15 of 1st and 2nd outer layer boards 9 and 13 are formed by etching, a through-hole 17 is formed by using a drill.例文帳に追加

多層回路基板１の製造工程において、エッチングによって第１及び第２の外層基板９，１３の第３及び第４の銅箔回路１１，１５の形成をした後に、ドリルを用いてスルーホール１７を形成する。 - 特許庁

The related invention (Claim 2) is the gas phase etching medium by sputtering. It does not correspond to the "equipment," but it falls under "other products" directly used in working the process for fabrication of the specified invention (Claim 1). 例文帳に追加

（請求項２）は、スパッタリングによるエッチングを行うためのガス状エッチング媒体であり、特定発明（請求項１）の基板の製造方法の実施に直接使用する「装置類」には該当しないが、「その他の物」に該当する。 - 特許庁

Since the wettability of the surface of the interlayer insulating film is satisfactorily improved by etching a drain signal line 14 consisting of an Al film in a wet process after the nitrogen plasma treatment, an etchant is easily put in a contact hole part and Al does not remain in the contact hole part.例文帳に追加

この窒素プラズマ処理後に、Ａｌ膜からなるドレイン信号線１４をウェットエッチングすると、層間絶縁膜表面のぬれ性が良好であるため、エッチャントがコンタクトホール部に入り込み易く、コンタクトホール部にＡｌが残らない。 - 特許庁

Next, a wafer 7 is etched in a state where the covering film is formed, and a reaction product which is adhered to the covering film during the process of etching is removed together with the covering film.例文帳に追加

次に、当該被覆膜が形成された状況下で、ウエハ７のエッチング処理が行われ、その後当該エッチング処理の過程で上記被覆膜上に付着した反応生成物が、上記被覆膜とともにエッチング除去される。 - 特許庁

As shown in Fig. 4, dispersion in the size of the pattern due to the loading effect and the micro-loading effect produced in the etching process can be reduced and the linearity accuracy of an LS pattern can be improved as compared with the conventional method.例文帳に追加

これにより、図４に示すように、エッチング工程で発生するローディング効果及びマイクロローディング効果によるパターンのパターン寸法ばらつきを低減し、ＬＳパターンのリニアリティー精度を従来よりも向上させることができる。 - 特許庁

In the production process, current block layers 17 and 18 are formed by epitaxial growth, following to formation of the ridge 1 excepting the upper surface of the ridge 1, the support layer 2 is formed by next epitaxial growth, and then the recess 2a is formed by etching.例文帳に追加

その作製工程は、リッジ１形成後の結晶成長によりリッジ１の上面以外に電流ブロック層１７、１８が積層され、次の結晶成長によりサポート層２が積層され、凹部２ａがエッチングにより形成される。 - 特許庁