「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a capacitor preventing that an electrode support film may be removed and fall off or be contracted to lead a lower electrode to collapse even when solution etching is used to form the lower electrode of a crown structure, involving simple processes, and suppressing an increase of a process cost.例文帳に追加

クラウン構造の下部電極形成に溶液エッチングを用いても電極支持膜が剥離脱落したり、収縮して下部電極が倒壊することを抑制し、工程が簡略であり、プロセスコストの増大を抑えたキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming composition capable of forming an insulating film that is not susceptible to damages even in an etching process and maintains film characteristics, an insulating film formed from such a film-forming composition, and a semiconductor device equipped with such an insulating film.例文帳に追加

エッチング工程によってもダメージを受けにくく、膜特性が維持された絶縁膜を形成することができる膜形成用組成物、かかる膜形成用組成物により形成された絶縁膜、および、かかる絶縁膜を備える半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A heater with relatively small critical dimensions (CD) which has a sloped linear side wall is provided through a process of adjusting one or more physical parameters (for example, pressure, high frequency (RF) power 1010 and/or temperature) during etching and/or deposition.例文帳に追加

エッチングおよび／または堆積の間、一つ以上の物理的パラメータ（例えば圧力、高周波（ＲＦ）電力１０１０および／または温度）を調整するプロセスにより、傾斜した直線側壁を有する比較的小さい限界寸法（ＣＤ）のヒーターを実現できる。 - 特許庁

Further, a metal substance scattered during the etching of the metal material 104 never sticks directly on the polysilicon film 105 because of the protective film 107 of the carbon polymer, and is thereby easily removed through an ashing process together with the protective wall 107 of the carbon polymer.例文帳に追加

また、このカーボンポリマによる保護膜１０７により、金属材料１０４をエッチングする際に飛散した金属物質はポリシリコン膜１０５に直接付着することなく、アッシング工程によりカーボンポリマの保護壁１０７とともに簡単に取り除くことができる。 - 特許庁

To provide a plasma treating device capable of maintaining reproducibility and reliability of a process at a low cost over a long period time without producing secular change on etching characteristics by controlling a temperature of a reactor inside and a deposition state of a reactive organism to a wall face.例文帳に追加

リアクタ内部の温度と壁面への反応性生物の堆積状態を制御して、エッチング特性に経時的な変化を生じさせることなく、プロセスの再現性・信頼性を、長期間にわたって低コストで維持できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

(3) The wafer is carried to the next process (for example, accommodation in a storage cassette, etching, and polishing) by suction pad, after chucking the wafer by rotating the suction pad 112a of a carriage mechanism 112 onto the topside of the wafer cleaned and rinsed, while continuing the supply of the rinsing water.例文帳に追加

（３）前記リンス水の供給を続けつつ、洗浄・リンスされたウエハの上面に搬送機構１１２の吸着パッド１１２ａを回動させ、ウエハを吸着させたのちに吸着パッドによりウエハを次工程（例えば収納カセット、エッチング、研磨）へ搬送する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device using a multi-chamber system which includes etching facilities for manufacturing the semiconductor device with a plurality of process chambers arranged in series in a multi-layered configuration so as to be effectual for improving a wafer transfer rate and so on.例文帳に追加

本発明は、多数個の工程チャンバーを多層に直列配置してウェハの移送速度を向上させる等の効果を奏する半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを用いる半導体素子の製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

Before a metallic film is deposited on the surface of silicon used for forming the silicide film in a supersonic semiconductor device using cobalt silicide or nickel silicide, a chemical oxide film is formed on the surface of the silicon after a natural oxide film is removed from the surface of the silicon by performing a wet etching process.例文帳に追加

コバルトシリサイドあるいはニッケルシリサイドを使う超高速半導体装置において、シリサイド膜形成のためシリコン表面に金属膜を堆積する前に、シリコン表面から自然酸化膜をウェットエッチングプロセスで除去した後、化学酸化膜を形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the piezoelectric device comprises the steps of opening a window in a triangular shape on the main surface of a crystal plate to form a protective film, then melting the window part through wet etching, thinning the window part to process into recessed shape, and processing so that a thin plate is in the triangular shape as seen from the main surface.例文帳に追加

水晶の板の主面に三角形の形状で窓を開けて保護膜を形成した後、ウエットエッチングすることで窓の部分が溶解され薄板化し凹形状に加工し、薄板部が主面より見て三角形であるよう加工する。 - 特許庁

To provide a new polymer usable as a photoresist in each process in the production of a printed wiring board, i.e., electroplating using an acid, covering pores, acid-alkali etching, gold plating, and electroless nickel immersion gilding (ENIG), and to provide a negative type photographic imaging composition containing the polymer.例文帳に追加

プリント配線板製造における酸を用いた電気メッキ、封孔処理（covering pores）、酸アルカリエッチング、金メッキ、無電解ニッケル浸漬金メッキ（ＥＮＩＧ）の各プロセスにおいてフォトレジストとして使用できる、新規ポリマー及び該ポリマーを含有するネガ型フォトイメージング組成物を提供する。 - 特許庁

The method of cleaning the metallic surfaces to make the stable application of the gold plating for protecting the copper wiring possible by subjecting the insulation layer to plasma cleaning after wet etching thereof in a manufacturing process step for the suspension blanks with wiring for the hard disks is established.例文帳に追加

本発明は、ハードディスク用配線付きサスペンションブランクの製造工程において、絶縁層のウェットエッチング後にプラズマクリーニングを行うことで、銅配線保護の金メッキを安定的に施すことを可能にする、金属表面清浄化方法を確立したものである。 - 特許庁

A source electrode 50S and a drain electrode 50D are provided, in contact with the crystallized film 42, thereby preventing the oxide semiconductor film 40 from being etched, when etching the source electrode 50S and the drain electrode 50D during a manufacturing process.例文帳に追加

ソース電極５０Ｓおよびドレイン電極５０Ｄを結晶化膜４２に接して設けることにより、製造工程においてソース電極５０Ｓおよびドレイン電極５０Ｄをエッチングする際に酸化物半導体膜４０がエッチングされてしまうことを抑える。 - 特許庁

In the TAB tape for semiconductor device, the inner lead 6 and a wiring pattern 5 are formed by patterning a conductor foil 11 by a wet-etching process using an etchant to which an inhibitor constituted of an organic compound or an inorganic compound is added.例文帳に追加

本発明の半導体装置用ＴＡＢテープでは、インナーリード６および配線パターン５が、有機化合物または無機化合物からなるインヒビタを添加したエッチャントを用いたウェットエッチングプロセスによって導体箔１１をパターン加工することにより形成されている。 - 特許庁

The formation of the AlN layer 1013 at the end portion of the Al alloy layer 1011 can prevent the formation of an inversely tapered cross section of the scan line which is caused by side-etching of the Al alloy layer 1011 due to alkali formed from peeling liquid and water during a resist-peeling process.例文帳に追加

Ａｌ合金層１０１１の端部にＡｌＮ層１０１３が形成されているので、レジスト剥離を行う際に、剥離液と水で形成されるアルカリによって、Ａｌ合金層１０１１がサイドエッチされて走査線断面が逆テーパとなることを防止できる。 - 特許庁

To improve reliability and a manufacturing yield in multilayer interconnection by forming a wiring groove so that no crown fences are generated around a via hole, and by protecting lower layer wiring from a damage due to the etching of a process for forming the via hole and wiring groove.例文帳に追加

ビアホールの周囲にクラウンフェンスが生じないように配線溝を形成し、且つビアホール及び配線溝を形成する工程のエッチングによるダメージから下層配線を保護して多層配線の信頼性及び製造歩留まりを向上できるようにする。 - 特許庁

To remove remaining amorphous or polycrystalline silicon through a process, in which amorphous or polysilicon is deposited on a silicon semiconductor substrate, and the amorphous or polysilicon is solid-phase down selectively only on an impurity diffusion region to a single crystal layer, without treatment at a high temperature, through etching.例文帳に追加

シリコン半導体基板にアモルファス又はポリシリコンを堆積後高温処理を伴わずに選択的にこれを不純物拡散領域上のみ単結晶層に固相成長させる工程を経て残留したアモルファスや多結晶のシリコンをエッチング除去する。 - 特許庁

In an etching process in which an active layer 1a of the semiconductor device is formed on by patterning a polysilicon layer after depositing the polysilicon layers on the insulating substrate 10, front surface of the substrate 10 exposed by removing the polysilicon layer is also slightly etched.例文帳に追加

絶縁性の基板１０にポリシリコン層を堆積した後、当該ポリシリコン層をパターニングして半導体装置の能動層１ａに形成するエッチング工程において、当該ポリシリコン層の除去により露出した基板１０の表面も若干エッチングする。 - 特許庁

To provide aluminum foil for an low-tension anode for an electrolytic capacitor in which ineffective melting due to AC electrolytic etching can be suppressed and electrostatic capacity can be increased, in the case of manufac ture using relatively inexpensive high-purity aluminum prepared by a segregation process.例文帳に追加

偏析法によって得られた比較的安価な高純度アルミニウムを用いて製造する場合において、交流電解エッチングによる無効溶解を抑制し、静電容量を高めることが可能な電解コンデンサ低圧陽極用アルミニウム箔を提供することである。 - 特許庁

This method for producing a PDP comprises a process for forming a constitutent element of PDP by transferring the inorganic particle-containing resin layer constituting the transfer film to a substrate, subjecting the inorganic particle- containing resin layer to etching treatment and baking treatment.例文帳に追加

本発明のＰＤＰの製造方法は、上記の転写フィルムを構成する無機粒子含有樹脂層を基板上に転写し、無機粒子含有樹脂層をエッチング処理および焼成処理することにより、ＰＤＰの構成要素を形成する工程を含む。 - 特許庁

The manufacturing method uses a low-cost process step and a wet chemical etching step at a mainframe, and the SPM sensor which is provided with the rectangular cantilever having the tip protruding or not protruding from the free end part is manufactured from a single object.例文帳に追加

本製造法は費用のかからないプロセスステップ、大体において湿式化学エッチングステップを利用し、その結果自由端部より突出しまたは突出しないチップを持つ矩形片持ちばりを備えたＳＰＭセンサーを単一物から製造することを可能にする。 - 特許庁

In an immersion process, the surface of the reflection layer 7 having fine irregularity is melted to be smoothed by immersing the reflection layer 7 made of metal consisting mainly of aluminum in etching solution containing phosphoric acid within a range of 20-60wt%.例文帳に追加

浸漬工程において、アルミを主成分とした金属からなる反射層７を２０〜６０ｗｔ％の範囲内の燐酸を含むエッチング溶液中に浸漬することにより、微細な凹凸を有する反射層７の表面を溶かして滑らかにすることができる。 - 特許庁

On the entire structure including the trench 105, a liner insulation film 107 comprising DCS-HTO having an etching rate in the level similar to that of a polysilazane (PSZ) film is formed, and the trench 105 is gap filled with the polysilazane film 108 thereon to perform a planarization process.例文帳に追加

トレンチ１０５を含む全体構造上にポリシラザン（ＰＳＺ）膜と類似した水準のエッチング率を有するＤＣＳ−ＨＴＯからなるライナ絶縁膜１０７を形成し、その上にポリシラザン膜１０８でトレンチ１０５を埋め込み平坦化工程を実施する。 - 特許庁

By applying this method, the distortion occurring in the reed screen type part of the thin metal sheet with the slit type apertures manufactured by the photo-etching process can be corrected, which enables elimination of rejection to be disposed and improvement of the manufacturing yield.例文帳に追加

この方法を用いることにより、フォトエッチング法にて製造されたスリット状の開口部を有する金属製薄板の簾部分に発生した変形を修正することができ、今まで廃棄していた不良品を無くし、製造時における歩留りを上げることができる。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist material having high resolution, wide exposure latitude, a small difference in dimension between thinness and denseness, process adaptability, a good pattern shape after exposure and excellent etching resistance.例文帳に追加

従来のポジ型レジスト材料を上回る高解像度、露光余裕度、小さく疎密寸法差、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、さらに優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

By applying this method, the distortion occurring in the reed screen type part of the thin metal sheet with the slit type apertures manufactured by the photo-etching process can be corrected, which enables elimination of rejection to be disposed and improvement of the manufacturing yield.例文帳に追加

この方法を用いることにより、フォトエッチング法にて製造されたスリット状の開口部を有する金属製薄板の簾部分に発生した変形を修正することができ、今まで廃棄していた不良品を無くして製造の歩留りを上げることができる。 - 特許庁

To provide a treatment system in which in-plane uniformity can be enhanced in the treatment for enhancing durability in etching process by varying the inclining direction of a mounting table sequentially through a relatively simple arrangement thereby fixing a resist film onto the surface of an article being treated.例文帳に追加

比較的簡単な構成で載置台の傾斜方向を順次変化させることにより、被処理体の表面にレジスト膜を固定させ、エッチング工程における耐性を高める処理の面内均一性を向上させることが可能な処理装置を提供する。 - 特許庁

Then, after a p-type InP block layer 7 and an n-type InP block layer 8 are formed on both the sides of a ridge 6, the n-type InP block layer 8 formed on the (111) B surface of the p-type InP block layer 7 is removed by a second dry etching process.例文帳に追加

次に、リッジ部６の両側に、ｐ型ＩｎＰブロック層７およびｎ型ＩｎＰブロック層８を形成した後、ｐ型ＩｎＰブロック層７の（１１１）Ｂ面の上に形成されたｎ型ＩｎＰブロック層８を第２のドライエッチングによって除去する。 - 特許庁

To achieve an Fin structure having excellent shape in executing a post-process such as gate processing by maintaining a side etching quantity of a pad oxide film to the minimum without causing retraction of side surfaces of a hard mask or damage of the side surfaces in manufacture of a Bulk Fin structure.例文帳に追加

Ｂｕｌｋ Ｆｉｎ構造の製造に於いて、ハードマスクの側面の後退・破損を発生させること無く、パッド酸化膜のサイドエッチ量を最小限度にとどめて、ゲート加工等の後工程を行うに際して良好な形状を有するＦｉｎ構造を実現する。 - 特許庁

At the time of forming the capacitor and inductor element in the printed wiring board in the manufacturing process, the lower electrode 4 of the capacitor is formed by the subtractive method used for etching metal foil 2, and the upper electrode 7 of the capacitor is formed by the additive method or semi-additive method used for plating a metal.例文帳に追加

製造工程内にてキャパシタ及びインダクタ素子を作り込む際に、金属箔２をエッチングするサブトラクティブ法でキャパシタの下部電極４を形成し、金属をめっきするアディティブ法又はセミアディテイブ法でキャパシタの上部電極７を形成すること。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor, whose electrical signal performance in low illuminance environment, has been eliminated of an etching process, for forming an STI insulating film, at least in the image region and as a result of the elimination.例文帳に追加

少なくともイメージ領域ではＳＴＩ絶縁膜の形成のためのエッチング工程が省略され、このようなエッチング工程の省略によって低照度の環境で電気的な信号性能が向上したＣＭＯＳイメージセンサとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device, where the contact resistance of a metal film is reduced by removing a polymerized film produced by etching an insulating film with a simple process, in a method of manufacturing a semiconductor device in which the metal film is vapor- deposited, after the insulating film is etched.例文帳に追加

絶縁膜のエッチング処理後に金属膜を蒸着する半導体製造方法において、絶縁膜のエッチングにより生成された重合膜を簡単なプロセスで除去し金属膜のコンタクト抵抗の低減を図った半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laminate plate for flexible printed wiring board, particularly having higher migration resistance and electrical characteristics such as electrical insulation property, in which a film, having removed copper foil with the etching process, has superior transparency and automatic image recognition can be realized easily with a CCD camera or the like.例文帳に追加

銅箔をエッチングにより除去したフィルムが透明性に優れ、ＣＣＤカメラ等による自動画像認識を容易に行うことができ、かつとりわけ耐マイグレーションや電気絶縁性等の電気特性に優れるフレキシブルプリント基板用積層板を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, the backside of the substrate 1SA is ground and polished to a degree that the penetrated separation unit 5 and the penetrated wiring unit 9 will not be exposed, and wet etching process is applied to a degree that a part of lower sections is exposed in the penetrated isolation part 5 and the penetrated wiring unit 9.例文帳に追加

その後、基板１ＳＡの裏面を、貫通分離部５および貫通配線部９が露出しない程度まで研削および研磨した後、貫通分離部５および貫通配線部９の下部の一部が露出する程度までウエットエッチング処理する。 - 特許庁

In forming a laminated layer film comprising a first conductive film 106, a dielectric film 108 and a second conductive film 110 on a semiconductor substrate 102, an etching process is performed after protecting a sidewall of the second conductive film 110 with a second protective film (buffer film).例文帳に追加

半導体基板１０２上に第１導電膜１０６と、誘電体膜１０８と、そして第２導電膜１１０からなる積層膜を形成する際、第２導電膜１１０の側壁を第２保護膜（バッファ膜）で保護してからエッチング工程を実施する。 - 特許庁

To provide a method for producing an organic porous film having ≤2.2 relative dielectric constant, with which processes of etching processing, cleaning liquid treatment, etc., are facilitated in an insulating film processing process of semiconductor device of advanced micronization and to obtain a composition for forming the organic porous film.例文帳に追加

より微細化が進む半導体デバイスの絶縁膜加工プロセスに対し、エッチング加工あるいは洗浄液処理等の工程が容易となる、比誘電率２．２以下の有機多孔化膜の製造方法および当該有機多孔化膜を形成できる組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the side wall 2a of an oxide film 2 is prevented from being tapered inversely in a wet etching process for removing a natural oxide film in the case of forming contacts between a semiconductor substrate and a metal wiring.例文帳に追加

半導体基板と金属配線とのコンタクトを形成するとき、自然酸化膜を除去するためのウェットエッチング工程にて、酸化膜２の側壁２ａが逆テーパー形状となるのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method, patterning is directly applied to the organic thin film formed on a substrate, based on a mask having micro apertures with a scale of micron to nanometer by a dry etching process or vacuum ultraviolet radiation.例文帳に追加

ミクロンからナノメータースケールの微細開口を有するマスクをもとに、基板上に形成された有機物薄膜をドライエッチングプロセスまたは真空紫外光照射により直接パターニングを行なうことを特徴とする有機薄膜の製造方法とそれによる有機薄膜。 - 特許庁

The fine processing method of a glassy carbon base material has a step for providing the glassy carbon base material and performing a heat treatment for 1-10 hours at a temperature not lower than 2,000°C and not higher than 2,500°C in an atmosphere of a halogen gas, and a step for performing a dry etching process after said step.例文帳に追加

本ガラス状カーボン基材の微細加工方法は、ガラス状カーボン基材を用意し、ハロゲンガス雰囲気、２０００℃以上２５００℃以下の温度で１〜１０時間の熱処理を行う工程と、この工程後にドライエッチング加工を行う工程を有する。 - 特許庁

The damage given to the element by the plasma process is reduced to the utmost by reducing the density of electric charges accumulated in a gate electrode during the course of anisotropic etching performed in the LDD forming step, by forming an LDD in a state where a conductive protective film is formed to cover the whole surface of a substrate.例文帳に追加

基板全面を覆うように導電性保護膜を形成した状態でＬＤＤを形成することで、ＬＤＤ形成工程の異方性エッチングにおいて、ゲート電極に蓄積される電荷密度を低減し、プラズマによる損傷を極力低減する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the printed circuit board in which metal layers are laminated via insulating layers and a via-hole is provided to connect the metal layers, the metal layers in the front surface side of the via-hole are reduced in thickness by the chemical etching process after resin is supplied into the via-hole.例文帳に追加

絶縁層を介して金属層を積層し、金属層間を接続するビアホールを設けるプリント配線板の製造方法にあって、前記ビアホール内に樹脂を注入後、化学エッチングで前記ビアホールの表面側の前記金属層を薄くする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light element capable of preventing the reduction of contact area between a semiconductor layer in a waveguide ridge top and an electrode by a simple process, and preventing the semiconductor layer in the waveguide ridge top from being damaged by etching.例文帳に追加

簡単な工程により導波路リッジ頂部の半導体層と電極の接触面積の減少を防ぎ、導波路リッジ頂部の半導体層がエッチングによって損傷を受けるのを防ぐことができる半導体光素子の製造方法を得る。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a process of forming a gate trench in a semiconductor layer containing silicon by etching the semiconductor layer using, as a mask, a mask layer containing silicon nitride and a side wall film formed on a side wall of the mask layer.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、シリコン窒化物を含むマスク層及びマスク層の側壁に形成されたサイドウォール膜をマスクにして、シリコンを含む半導体層をエッチングし、半導体層にゲートトレンチを形成する工程を有する。 - 特許庁

To provide a liquid composition for removing resist which can completely remove a resist residue remaining after etching or ashing in the process of wiring a semiconductor device or a liquid crystal panel device at a low temperature in a short time and which does not corrode the wiring material or an inner wiring material.例文帳に追加

半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるエッチングまたはアッシング後に残存するレジスト残渣物を、低温、短時間で完全に除去でき、且つ配線材料、内部配線材料を腐食しないレジスト剥離液組成物を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the film 32 is etched and removed, and thereafter the underlying film 42 is subjected to a dry etching process with use of the Pt film 45 as a mask, thus forming a lower electrode of a capacitive element with use of the Pt film 45 and the conductive underlying film 42 remaining thereunder.例文帳に追加

その後、酸化シリコン膜４３をエッチングで除去した後、Ｐｔ膜４５をマスクにして導電性下地膜４２をドライエッチングすることにより、Ｐｔ膜４５とその下部に残った導電性下地膜４２とで容量素子の下部電極を形成する。 - 特許庁

To provide a convenient method for producing monofluoromethane, by which monofluoromethane is produced with a high yield, which is suitable for producing high-purity monofluoromethane usable as an etching agent or a cleaning agent etc., in a thin film process of a semiconductor industry, and which is conducted with a simple apparatus and an easy operation.例文帳に追加

モノオフルオロメタン収率が高く、半導体工業の薄膜プロセスでのエッチング剤、クリーニング剤等として使用できる高純度のモノフルオロメタンの製造に適し、かつ簡易な装置と容易な操作で行える簡便なモノオフルオロメタンの製造方法を提供する。 - 特許庁