「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

When the temperature state in the processing vessel is determined as adjusted by the part 270, the part 280 does not make the part 275 to execute, but immediately controls to execute the etching process to the product substrate.例文帳に追加

判定部２７０により処理容器の温度状態が整えられていると判定された場合，基板処理実行部２８０は，ダミー処理実行部２７５にダミー処理を実行させることなく，直ちに製品基板に対してエッチング処理を実行するように制御する。 - 特許庁

A pattern-coating material 5, for use in a process of etching a pattern 3B formed on a substrate 1 with use of the pattern as a mask 4, contains a metal compound which can generate hydroxyl groups through hydrolysis.例文帳に追加

基板１の上に形成されたパターン３Ｂをマスク４としてエッチングをするプロセスに用いられるパターン被覆材料５であって、加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物を含有することを特徴とするパターン被覆材料を用いてパターンを被覆する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a high dielectric thin film, an ultrathin gate insulation layer which is indispensable to high integration and acceleration of MOSFET in particular, and a high dielectric thin film etching agent composition used in the manufacturing process of a semiconductor device with a gate electrode.例文帳に追加

高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にＭＯＳＦＥＴの高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供する。 - 特許庁

When a laminated film formed on a semiconductor substrate is etched in the manufacture of a semiconductor device, a process for etching and removing the underlying dielectric film located on the bottom of the via is carried out by depositing carbon fluoride hydride, cyclized olefin fluoride hydride or a polymer of hydrocarbon, using carbon fluoride hydride, cyclized olefin fluoride hydride or hydrocarbon gas plasma, and also by etching and removing the underlying dielectric film.例文帳に追加

半導体装置の製造において、半導体基板上に形成した積層膜をエッチングする際に、ビアの底部にある下地誘電体膜をエッチング除去するプロセスを、水素化フッ化炭素、水素化フッ化環化オレフィン又は炭化水素ガスプラズマを用いて、水素化フッ化炭素、水素化フッ化環化オレフィン又は炭化水素のポリマを堆積すると共に、下地誘電体膜をエッチング除去することにより行う。 - 特許庁

In a wet etching process, the quantity of a wet etching solution penetrated between a layer insulation film and a resist film varies depending on the impurity concentration ratio of boron to phosphorus, B/P, and it is controlled to reduce the proportion of the boron impurity concentration to the phosphorous impurity concentration since the penetration quantity tends to increase with the increase of the B/P ratio.例文帳に追加

ウェットエッチング工程においてウェットエッチング液が層間絶縁膜とレジスト膜との間に染み込む量である染み込み量は、硼素の不純物濃度と燐の不純物濃度との比によって変化し、Ｂ／Ｐ（硼素の不純物濃度／燐の不純物濃度）の値が大きいほど染み込み量が増加する傾向があるため、燐の不純物濃度に対する硼素の不純物濃度の割合を低く抑えるようにコントロールする。 - 特許庁

The master disk for the optical recording medium is manufactured by exposing and developing the photoresist on the substrate to form the first rugged patterns, subjecting the substrate to dry etching using the photoresist as a mask to form the second rugged patterns, removing the photoresist remaining on the substrate and detecting the reflected and diffracted light obtained by irradiating the second rugged patterns of the substrate with the laser beam in the dry etching process step.例文帳に追加

また、基板上のフォトレジストを露光現像して第１の凹凸パターンを形成し、フォトレジストをマスクとして基板に対してドライエッチングを行って第２の凹凸パターンを形成して、基板上に残ったフォトレジストを除去し、ドライエッチング工程において、基板の第２の凹凸パターンにレーザ光を照射して、得られる反射回折光を検出して光記録媒体用原盤を製造する。 - 特許庁

The production method for a vehicle window glass for forming an infrared reflective film using a vacuum deposition method is characterized by involving a process for removing, by means of dry etching, the film edge of an infrared reflective film having an electromagnetic wave transmission window that has been formed using a masking material and transmits electromagnetic waves, and is particularly characterized by using a whetstone or a laser as the dry etching means.例文帳に追加

真空成膜法を用いて赤外線反射膜を形成する車両用窓ガラスの製造方法であって、マスキング材を用いて形成した電磁波を透過する電磁波透過窓を有する赤外線反射膜の膜端部をエッチングにより除去する工程を有することを特徴とし、特に上記エッチング手段として砥石又はレーザーを使用することを特徴とする車両用窓ガラスの製造方法。 - 特許庁

The etching method is designed to process an Au film (processed layer) 5 formed on a crystal substrate (substrate) 2 into a predetermined shape, wherein the Au film 5 is etched into a plurality of SAW patterns 3 as the predetermined shape, and during the etching, the crystal substrate 2 is arranged with the side of the Au film 5 down in a state wherein the crystal substrate 2 is dipped in an etchant 21.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、水晶基板（基板）２に形成されたＡｕ膜（被加工層）５を所定の形状に加工するための方法であって、Ａｕ膜５は、所定の形状である複数のＳＡＷパターン３にエッチング加工され、このエッチング加工時において、水晶基板２をエッチング液２１に浸漬した状態では、水晶基板２のＡｕ膜５の側が下方へ向いて配置されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the process for producing a flexible substrate, sheet-like substrate materials 4 are carried while coupling the edges thereof in the carrying direction into roll-shape by means of a substrate connection tape 1 produced by laminating at least a layer dissolving into etching liquid, a layer dissolving into resist removing liquid and exhibiting etching resistance, and a layer dissolving into resist removing liquid and exhibiting viscosity.例文帳に追加

少なくともエッチング液に溶解する層と、レジスト除去液に溶解し且つ耐エッチング性を有する層と、レジスト除去液に溶解し且つ粘着性を有する層が積層されてなる基板接続用テープ１でシート状基板材料４の搬送方向の縁部同士を互いに連結してロール状にし、ロール・トゥ・ロール方式で搬送することによって製造することを特徴とするフレキシブル基板の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a halftone phase shift mask includes steps of forming the MoSi halftone phase shift film having a film thickness giving the phase difference of ≤135° on the quartz glass substrate by reactive sputtering and etching the quartz glass substrate using a chromium film as a mask by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma with addition of a gas having an effect of protecting a side wall to the process gas.例文帳に追加

また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が１３５°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。 - 特許庁

The second etching process is performed after referring to the relation of the temperature in the second etching process with the quantity of the antireflective film to be removed depending on that temperature, the quantity of a removed protective film, and the ratio of both removed films quantities.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１の工程で除去されなかった部分の反射防止膜を除去するために第２のエッチング処理を行う第３の工程であって、前記第２のエッチング処理での温度と、前記温度に依存する、前記第２のエッチング処理により除去されるであろう反射防止膜の除去量、保護膜の除去量、及び、前記両除去量の比との関係を参照して、前記第２のエッチング処理に割り当てられた時間に基づき特定される温度で前記第２のエッチング処理を行う第３の工程とを有する。 - 特許庁

To provide a direct recovery of an aiming valuable metal from waste water including the metal ion, by an electrolysis process without generating Cl, an electric energy saving in the recovery process by electrolysis, and a method for regenerating an etching solution at the same time when recovering the valuable metal from waste water by electrolysis.例文帳に追加

本発明の課題は、塩素の発生を伴わずに電気分解プロセスによって、金属イオンを含む廃液から目的とする有価金属を直接電解回収すること、および電解回収に際して電気エネルギーの省力化を提案すること、ならびに廃液から有価金属を電解回収することで同時にエッチング液を再生する方法を提案することにある。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for forming a photosensitive resin layer superior in forming metal printed wiring, by eliminating the problem of tangle to a conveying system by an peeling piece in an etching resist peeling process, in the final stage of a manufacturing process in a printed circuit board manufacture, and to provide a photosensitive transfer material, and a method for manufacturing a printed circuit board which uses it.例文帳に追加

プリント基板製造において、製造工程の最終段階でのエッチングレジスト剥離工程で剥離片による搬送系への絡み付きなどの問題が無く、金属のプリント配線を形成するに良好な感光性樹脂層を形成する感光性樹脂組成物及び感光性転写材料、並びにそれを用いたプリント基板の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A process of manufacturing a semiconductor device that comprises a step of implementing plasma-etching 250 through a patterned hardmask layer 210 located over a semiconductor substrate 225, and forming a modified layer 210a on the hardmask layer 210; and a step of removing at least a substantial portion of the modified layer 210a by performing a post plasma clean process on the modified layer 210a.例文帳に追加

半導体基板２２５の上に位置するパターニングされたハードマスク層２１０を通してプラズマエッチング２５０を行い、ハードマスク層２１０上に変性層２１０ａを形成する工程と、変性層２１０ａに対してポストプラズマ洗浄プロセスを行い変性層２１０ａの少なくとも実質的な部分を除去する工程とを備える、半導体装置を製造するプロセスを提供する。 - 特許庁

The photomask is to be used for transferring a predetermined transfer pattern including a line-and-space pattern onto a resist film formed on a process object to be etched to obtain a resist pattern in the resist film, which functions as a mask in the etching process, wherein the line pattern of the line-and-space pattern formed on a transparent substrate comprises a translucent portion while the space pattern comprises a light-transmitting portion.例文帳に追加

エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、ライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを転写させ、レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクにおいて、透明基板上に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンを半透光部で設け、スペースパターンを透光部で設ける。 - 特許庁

Processes are performed: a process of measuring the film thickness distribution of a metal film 11 formed on a piezoelectric substrate 2; and an electrode-forming process for forming a mask layer 13 having forming patterns of interdigital transducers 3 on the metal film 11, etching a portion where the metal film 11 and the substrate 2 are not covered with the mask layer 13, thereby forming the interdigital transducers 3.例文帳に追加

圧電性基板２上に成膜された金属膜１１の膜厚分布を測定する工程と、櫛形電極３の形状パターンを有するマスク層１３を金属膜１１上に形成し、金属膜１１及び圧電性基板２のうちマスク層１３に覆われていない部分をエッチングすることにより櫛形電極３を形成する電極形成工程とを行う。 - 特許庁

The method has the process of forming a pattern with a slant part prepared therein to a photoresist 52 in the periphery of a silicon exposed part for forming the nozzle 31 by carrying out exposure and development to the photoresist 52 formed on a silicon substrate 51, and the process of forming the hole to be the nozzle 31 of a taper shape by carrying out anisotropic dry etching using the photoresist 52 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板５１に形成したフォトレジスト５２に対して露光及び現像を行って、ノズル３１を形成するためのシリコン露出部分周辺におけるフォトレジスト５２に対して、傾斜部分を設けたパターンを形成する工程と、フォトレジスト５２をマスクとして異方性ドライエッチングを行って、テーパ形状のノズル３１となる穴を形成する工程とを有する。 - 特許庁

This semiconductor device manufacturing method comprises a process, where a processed layer 11 with a stepped part 12 is processed, a mask layer 19 or an etching stopper layer is formed on the stepped part 12 provided to the processed layer 11, and the process is carried out by the use of the mask layer 19 or the stopper layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、段差部１２を有する被加工層１１の加工を行う加工工程を含む半導体装置の製造方法において、あらかじめ段差部１２が形成された被加工層１１の段差部１２上部にマスク層１９あるいはエッチングストッパー層を形成し、前記マスク層１９あるいはストッパー層を用いて加工を行うことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated structure for the disk driving suspension assembly and the laminated structure uses the multilayer sheet having the first layer 50 made of the metallic spring material, the second layer 90 in between consisting of the electric insulation material and the third layer 70 consisting of the conductive material and uses only the wet etching process as the molding process of the second layer 90.例文帳に追加

金属ばね材からなる第１層５０と、電気絶縁材からなる中間の第２層９０と、導電材からなる第３層７０とを有する多層合わせシートを使用し、第２層９０の成形工程としてウェットエッチングのみを用いることを特徴とするディスク駆動サスペンションアセンブリ用の積層構造体の製造方法及びその積層構造体を提供する。 - 特許庁

On the printed board 4, the circuit patterns are formed in the expected pattern width by alternating a process of blowing an etchant from an etching nozzle (liquid chemical nozzle) 1 onto the printed board 4 which is being carried and a process of blowing air from an air nozzle 11 onto the printed board 4 so that the etchant is removed from on the printed board 4.例文帳に追加

搬送状態にあるプリント基板４上にエッチングノズル（薬液ノズル）１よりエッチング液を吹き付ける工程と、該エッチング液がプリント基板４上から除去されるべく、プリント基板４上にエアーノズル１１より気体を吹き付ける工程とが交互に繰返されるようにして、プリント基板４上に回路パターンが所期のパターン幅として形成されるようにしたものである。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition excellent in dry etching resistance, sensitivity, resolution, etc., as a chemical amplification type resist, capable of avoiding a change of the line width of a resist pattern due to a change of the time elapsed from exposure to post-exposure heating and having superior process stability.例文帳に追加

化学増幅型レジストとして、ドライエッチング耐性、感度、解像度等に優れるとともに、露光から露光後の加熱処理までの引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変動を回避でき、優れたプロセス安定性を示す感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 formed with an opening and a thin diaphragm 2 from a (110) plane accompanied with an etching process, is arranged on a glass seat (a glass substrate) 20 having a pressure-introducing opening 20a, and then the semiconductor substrate 1 and the glass seat 20 are jointed by a positive electrode jointing method.例文帳に追加

（１００）面からエッチング処理に伴って開口部及び薄肉のダイアフラム部２が形成されてなる半導体基板１を圧力導入孔２０ａを有するガラス台座（ガラス基板）２０上に配設し、半導体基板１とガラス台座２０とを陽極接合法によって接合する。 - 特許庁

In a process of forming the well region, a part of a part (silicon oxide film 51) which is formed in the formation scheduled region A2 of the MOS transistor 4 of the silicon oxide film 31 is removed by wet etching and after that, the first ion implantation is performed by using the silicon oxide film 31 as a mask.例文帳に追加

ウェル領域を形成する工程では、シリコン酸化膜３１のうちＭＯＳトランジスタ４の形成予定領域Ａ２に形成されている部分（シリコン酸化膜５１）の一部をウェットエッチングにより除去してから、シリコン酸化膜３１をマスクとして第１のイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a plasma treating apparatus constituted such that a container top place is not damaged by the heat shock of an electromagnetic wave power incident in the container and not corroded by an etching process gas or a gas for removing films deposited to the container inner wall.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、容器天井板が容器内に入射させる電磁波パワーにより熱衝撃で破損されず、また、エッチング用のプロセスガスや容器内壁面に付着した皮膜除去用のガスによって腐食されないように構成したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a stamper production device using a dot printer theory forming a dot pattern by giving a physical deformation to a stamper without using complex process nor expensive equipment such as removing or cutting off stamper surface by etching.例文帳に追加

ドットパターンを形成することにおいて、エッチィングなどのようにスタンパ表面を剥ぎ取ったり、削り取ったりするなど、複雑な工程や高価な装備を備えず、スタンパに物理的な変形を加えることで、ドットパターンを形成するドットプリンター原理を利用したスタンパ製造装置を提供する。 - 特許庁

When wall spacers are formed on both side surfaces of a gate pole, the distance between a silicide and a channel can be shortened, by advancing a silicide process, after removing a fixed width of a semiconductor substrate both sides of the wall spacers by adjusting the amount of etching gas.例文帳に追加

ゲート電極の両側面に側壁スペーサを形成する時、エッチングガスの量を調節して側壁スペーサの両側の半導体基板の一定厚さを除去した後、シリサイド工程を進行することにより、シリサイドとチャネルとの間の距離を短縮させることができる。 - 特許庁

To provide a method for forming transparent conductive film excellent in transparency, high in conductivity (low resistance value), uniformly high in etching speed and safe during forming process, the transparent conductive film manufactured with the method mentioned above, and an article including the transparent conductive film.例文帳に追加

透明性に優れ、高い導電性（比抵抗値が低い）を有し、エッチング速度が均一で速く、更に形成過程において安全性が高い透明導電膜を形成する方法と上記方法で作製された透明導電膜及び透明導電膜を有する物品を提供する。 - 特許庁

The production process of an electromagnetic wave shielding material comprises a step for forming a substrate with a metal thin film by applying a molten resin substrate material onto the metal thin film, and a step for patterning the metal thin film into mesh by etching and forming a meshed metal thin film.例文帳に追加

金属薄膜上に溶融状態の樹脂基材原料を塗工することにより金属薄膜付基材を形成する工程、該金属薄膜をエッチング法によりメッシュ状にパターニングし、メッシュ状金属薄膜を形成する工程、を有する電磁波遮蔽材の製造方法とする。 - 特許庁

To provide a composition for forming a lower layer film for lithography and a composition for forming a planarizing film, both being used for a lithography process for manufacturing a semiconductor device, and to provide a lower layer film and a planarizing film that exhibit an etching rate greater than that of a photoresist and does not cause the intermixing with a photoresist.例文帳に追加

半導体装置製造のリソグラフィープロセスに使用される、リソグラフィー用下層膜形成組成物並びに平坦化膜形成組成物、及びフォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、そして、フォトレジストとのインターミキシングを起こさない下層膜並びに平坦化膜を提供すること。 - 特許庁

In this laminated plate for flexible printed wiring board where copper foil is laminated via an adhesive agent layer at least on the single surface of a flexible insulation film, haze (cloudiness) value of the flexible insulation film, after the copper foil is removed with the etching process, is 50% or smaller.例文帳に追加

可撓性絶縁フィルムの少なくとも片面に接着剤層を介して銅箔が積層されたフレキシブルプリント基板用積層板であって、その銅箔をエッチングにより除去した後の可撓性絶縁フィルムのヘーズ（曇価）が５０％以下であることを特徴とするフレキシブルプリント基板用積層板。 - 特許庁

A manufacturing method for a semiconductor device including a channel-etched inverted-staggered thin film transistor includes a process of etching an oxide semiconductor film and a conductive film with a mask layer formed using a multi-gradation mask, which is an exposure mask allowing transmitted light to have a plurality of intensities.例文帳に追加

チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical disk substrate and an optical master disk having a shape with which a land prepit(LPP) and neighboring grooves thereof do not affect groove recording quality when pits and grooves having different depths are formed in the same master disk by using plasma etching and an ashing process.例文帳に追加

プラズマエッチングとアッシングプロセスを用いて、深さが異なるピットとグル−ブを同一原盤内に形成する際に、ランドブリピット（ＬＰＰ）及びその隣接グル−ブがグル−ブ記録品質に影響を与えることない形状の光ディスク基板および光ディスク原盤の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a liquid crystal display unit capable of preventing the end of a gate line, the end of a data line, and the surface of a drain electrode from being damaged and from having a reversed tapered structure during the period of the progress of an etching process for forming a contact hole and thereby improving electrical characteristics and the reliability of the liquid crystal display unit.例文帳に追加

接触孔形成のためのエッチング工程進行時に、ゲート線の端部、データ線の端部及びドレーン電極の表面が損傷及び逆テーパ構造となることを防止し、液晶表示装置の電気的特性及び信頼性を向上する製造方法の提供。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device, in order to provide a semiconductor substrate (202), to form a dielectrics layer (204) on the semiconductor substrate (202) and to expose part of a surface of the semiconductor substrate (202), a process is contained wherein a trench or a via (206) is formed on the dielectrics layer (204) by etching.例文帳に追加

半導体デバイスを製造する方法は、半導体基板（２０２）を提供し、半導体基板（２０２）の上に誘電体層（２０４）を形成し、半導体基板（２０２）の表面の一部を露出させるため、誘電体層（２０４）にトレンチ又はバイア（２０６）をエッチングする工程を含む。 - 特許庁

The mask blanks for electron beam lithography are manufactured as intermediate products by forming a protective coat 14 and a hard mask 15 on the front and back sides of the SOI substrate 10 (Fig. 1 (A)), respectively (process for simultaneously forming a protective film and a hard mask in Fig. 1 (B)), followed by subjecting the silicon base layer 13 and a BOX layer 12 to etching.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１０（図１（Ａ））の表裏面に保護膜１４およびハードマスク１５を形成した後（保護膜・ハードマスク同時形成工程 図１（Ｂ））、シリコンベース層１３およびＢＯＸ層１２をエッチングして、中間製品としての電子ビーム描画用マスクブランクスを製造する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition with which a photosensitive resist film can be formed by using a dipping method and a fine high-density conductive circuit be obtained by an etching process, and to provide a method for manufacturing a printed wiring board having a fine high-density conductive circuit by using the above composition.例文帳に追加

浸漬法を用いて感光性レジスト膜を形成し、微細で高密度の導体回路をエッチング加工できる感光性樹脂組成物を提供することを目的とし、該組成物を用い微細で高密度の導体回路を有するプリント配線基板の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The areas of a gate oxide films 2a, 2b of two transistors are set the same, and side areas of sixth metal-wiring layers 15a, 15b which are exposed due to being the uppermost layers are also set the same in a metal- wiring forming process carried out by a plasma treatment such as a plasma etching.例文帳に追加

２つのトランジスタのゲート酸化膜２ａおよび２ｂの面積を同一に設定し、プラズマエッチング等のプラズマ処理による金属配線形成工程で、その時点で最上層のため露出する第６の金属配線層１５ａおよび１５ｂの側面の面積をも同一に設定している。 - 特許庁

To provide a wiring board with wiring excellent in a corrosion resistance formed on the surface of the board comprising a porous material by a wet process such as etching or the like without increase in a relative permittivity and influence of a structure disorder, and to provide a method for forming the wiring.例文帳に追加

比誘電率の上昇や構造破壊をおよぼすことなく、多孔質材料からなる基板の表面に耐食性の優れた配線をエッチング等のウェットプロセスによって形成した配線基板、および、この配線を形成する配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

In a micromachining process using a sacrificial layer 103 to manufacture a microstructure floating over a substrate, the manufacturing method of a microstructure includes a step of laminating an anti-sticking film 101 removable by dry etching before or after the lamination of the sacrificial layer.例文帳に追加

基板から浮上する微細構造物を製造するために犠牲層１０３を利用するマイクロマシニング工程において、上記犠牲層の積層前後に乾式エッチングにより除去可能な粘着防止膜１０１を積層する段階を含む微細構造物の製造方法が提供される。 - 特許庁

The developing device includes a developing roller and the recovery roller 40 made of metal, which is disposed opposite to the developing roller and recovers scattering toner, wherein the surface of the recovery roller 40 has recesses 41 and projections 42 formed by an etching process.例文帳に追加

現像ローラと、該現像ローラに対向して配置された、飛散トナーを回収する金属製の回収ローラ４０とを具備する現像装置であって、前記回収ローラ４０の表面に、エッチング処理により凹部４１と凸部４２が形成されたことを特徴とする現像装置。 - 特許庁

To provide a method for surely detecting an end point in an etching process using an electron beam even with a low accelerating voltage, while requiring no advanced skill, or not influenced by charge-up, and to provide a device using the method.例文帳に追加

本発明の課題は、電子ビームを用いたエッチング加工において、熟練したスキルを必要とすることなく、チャージアップの影響を受けることなく、低加速電圧でも加工の終点を確実に検出することができる方法並びにその機能を備えた装置を提供することにある。 - 特許庁

Further, an organic polymer material film 30 for burying the hole pattern and accelerating an etching velocity except a dye component is formed, and its upper layer is coated with an organic antireflection material film 32, thereby forming a uniform film by a multi-stage process.例文帳に追加

さらに、ホールパターン埋め込み用で、かつ色素成分を除いてエッチング速度を大きくしている有機系高分子材料膜３０を形成し、その上層に有機系反射防止材料膜３２を塗布することにより、多段階プロセスで均一な膜を形成することができる。 - 特許庁

To effectively stop etching near a tunnel insulating film and to thereby suppress occurrence of a leakage current in a microminiaturizing process of a tunnel magnetoresistance element having a structure in which a tunnel insulating film containing a non-magnetic material is interposed between thin films each of which mainly contains a magnetic material.例文帳に追加

磁性体材料を主体とした薄膜により非磁性体を主体としたトンネル絶縁膜を挟んだ構造を有するトンネル磁気抵抗素子の微細加工プロセスにおいて、トンネル絶縁膜付近でエッチングを効果的に停止させ、これにより、リーク電流の発生などを抑制する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device comprises an etching process, using an etchant 5 that includes H_2SO_4 of 86 wt.%-97.9 wt.%, HF of 0.1 wt.%-10 wt.%, and H_2O of 2 wt.%-4 wt.%, wherein ozone of 10 ppm or higher is dissolved therein.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、８６ｗｔ％〜９７．９ｗｔ％のＨ_２ＳＯ_４と、０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％のＨＦと、２ｗｔ％〜４ｗｔ％のＨ_２Ｏとを含む液体に１０ｐｐｍ以上のオゾンを溶解させたエッチング液５を用いたエッチング工程を具備する。 - 特許庁

To provide a positive-type resist material, particularly a chemically-amplified, positive-type resist material, having a high resolution, margin of exposure, a small difference between sparse and dense dimensions, and process adaptability, surpassing those of conventional positive-type resist materials, furnishing a good pattern shape on exposure, and showing excellent etching resistance.例文帳に追加

従来のポジ型レジスト材料を上回る高解像度、露光余裕度、小さい疎密寸法差、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、さらに優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁