「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a base-layer film forming composition for lithography which is used for a lithography process of manufacturing a semiconductor device, has a faster dry etching speed than photoresist, and does not cause intermixing with the photoresist, and is for forming an organic base layer film having excellent charging property of a hole on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用され、フォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、フォトレジストとのインターミキシングを起こさず、半導体基板上のホールの充填性に優れた有機下層膜を形成するためのリソグラフィー用下層膜形成組成物を提供する。 - 特許庁

After a reaction vessel of a plasma CVD apparatus has been cleaned by gas plasma etching using a fluoride gas, a substrate is carried into a reaction chamber while the fluoride gas still remains in the reaction vessel, and a thin-film formation process gas is introduced into the reaction chamber, thus forming a thin film on the substrate.例文帳に追加

フッ化物ガスを用いたガスプラズマエッチングによって、プラズマＣＶＤ装置の反応容器のクリーニングを行った後、反応室内にフッ化物ガスが残留した状態で、反応容器に基板を搬入し、薄膜形成用のプロセスガスを反応室に導入し、基板上に薄膜を形成する。 - 特許庁

A core pattern 17 is formed by applying a core material onto the lower clad 16 from a dispenser 10, and the conventional resist-forming, etching, removal of the resist, or the like are abolished, and as a result, the manufacturing process is simplified and improved in workability.例文帳に追加

そしてこの目的を達成するために本発明は下部クラッド１６上にディスペンサ１０からコア材料を塗布してコアパターン１７を形成するものであり、従来のようなレジストの形成、エッチング、レジストの除去などが廃止され、この結果として工程が簡素化され作業性を高めることができる。 - 特許庁

To provide a base material having a negative photoresist layer for an optical disk, which has superior contrast obtained in a developing stage, using dry process and superior mask performance also in a substrate etching stage in subsequent developing stages, and to provide a method for manufacturing a stamper for the optical disk, using the base material.例文帳に追加

ドライプロセスを用いた現像工程で優れたコントラストが得られ、その後の基板エッチング工程においても優れたマスク性能を有する、光ディスク用ネガ型レジスト層付き基材、上記基材を使用して光ディスク用スタンパを製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing quartz vibrator preventing out-of-plane vibration that arises at vibration leg even at the absence of angular velocity because of residues of a side surface of the vibration leg of a quartz vibrator for vibration gyro in wet etching process.例文帳に追加

ウエットエッチング加工で製作する振動ジャイロ用水晶振動子の振動脚の側面残渣は、角速度が発生していないときも振動脚に面外振動を生じる原因となるが、そのような面外振動を生じない水晶振動子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a resist is applied to the surface of the wafer 8, the distortion of the optical system 5 can be measured by measuring the shape of the image of the standard pattern of the mask by reproducing the image through the well-known process of developing the resist and etching the wafer 8 by using the remaining resist as a mask.例文帳に追加

ウエハ８の表面にはレジストが塗布されており、レジストを現像して、残ったレジストをマスクとしてウエハ８をエッチングするという周知のプロセスにより、マスク４の標準パターンの像を再現し、その形状を測定することにより、極短紫外線光学系のディストーションが測定できる。 - 特許庁

In the manufacturing method of the magnetoresistive effect device, a coating layer removed in a subsequent process is previously formed on the protection layer 26, and an oxidized layer formed by naturally oxidizing a part of the upper side of the coating layer and the coating layer are removed before the electrode layers 6 are formed by etching.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置の製造方法では、予め、保護層２６の上に、後の工程で除去される被覆層を形成しておき、電極層６を形成する前に、被覆層の上面側の一部が自然酸化されて形成された酸化層および被覆層をエッチングによって除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which comprises a capacity element having a high reliability and a method of manufacturing the semiconductor device by preventing a capacity insulating film from deteriorating in electric characteristics in the process of forming a contact hole by means of dry etching for connecting an upper electrode with an electric wiring.例文帳に追加

上部電極と電極配線を接続するためのドライエッチングによるコンタクト孔形成における容量絶縁膜の電気的特性劣化を防止することにより、高い信頼性を有する容量素子を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, the layer similar to the SiC film formed on the surface of the SiN film 8 can be removed in the etching process of the second BPSG film 9 as the upper layer and the SiN film 8 and the first BPSG film 7 as the lower layer thereof can be etched without any residue.例文帳に追加

これにより、上層の第２のＢＰＳＧ膜９のエッチング工程でＳｉＮ膜８の表面部に形成されたＳｉＣ膜類似層を除去することが可能になり、ＳｉＮ膜８およびその下層の第１のＢＰＳＧ膜７を残渣なくエッチングすることが可能になった。 - 特許庁

Instead of an implanted heavy body and heat cycle, the invented process forms the transistor heavy body by etching a trench into the body region and filling the heavy body trench with a high conductivity material such as metal that makes contact to both the source and the body region.例文帳に追加

高量注入および熱サイクルの代わりに、トレンチを基体領域にエッチングして、その高重基体トレンチをその基体およびソース領域の双方にコンタクトを形成する金属のような高導電材料で充填することによってトランジスタの高重基体を形成する。 - 特許庁

Tabs 43a, 42a for the metal plates for allowing the pull-around are formed at the same time in an etching process for forming the through-hole and other tabs than the tabs applicable to the individual power lines, are easily and removably formed along with separation cut lines 43b, 42b.例文帳に追加

この引き回しを可能とする、各金属板のタブ４３ａ，４２ａは、貫通孔を形成するためのエッチング工程において、同時に形成されるとともに、個々の電源線に対応されるタブ以外のタブが、容易に除去可能に、分離用切断線４３ｂ，４２ｂをともなって、形成される。 - 特許庁

In another embodiment, a method for process integration in manufacture of a photomask includes depositing a hard mask on a substrate in a first processing chamber, depositing a resist layer on the substrate, patterning the resist layer, etching the hard mask through apertures formed in the patterned resist layer in a second chamber, and etching a chromium layer through apertures formed in the hard mask in a third chamber.例文帳に追加

別の実施形態では、フォトマスク製造におけるプロセス集積方法は、第１の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第２のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第３のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride semiconductor device forming an electrode on a nitride semiconductor layer, includes the steps of: carrying out plasma etching on a front surface of the nitride semiconductor layer by using a reactive etching gas containing at least silicon; cleaning the etched region by an acid or an alkali process liquid, while putting the etched region to an inert gas plasma; and forming the electrode on a cleaned etched region front surface.例文帳に追加

窒化物半導体層上に電極を形成する窒化物半導体装置の製造方法において、少なくともシリコンを含む反応性エッチングガスを用いて、窒化物半導体層の表面をプラズマエッチングする工程と、そのエッチング領域を、不活性ガスのプラズマに曝すと共に、酸系あるいはアルカリ系の処理液で清浄化する工程と、清浄化されたエッチング領域表面に電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

Using the protection layer as an etching stopper, the process includes, in producing a peripheral driving circuit structure, arranging TFTs having an LDD structure through self-alignment process using sidewalls 126, while, in producing a pixel matrix, arranging TFTs having an LDD structure through non-self-alignment process using insulators 125.例文帳に追加

耐熱性の高いＴａ膜またはＴａを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護層で覆うことで、高温（４００〜７００℃）での加熱処理を施すことが可能となり、且つ保護層をエッチングストッパーとして用いることで周辺駆動回路部においては、サイドウォール１２６を用いた自己整合プロセス（セルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する一方、画素マトリクス部においては、絶縁物１２５を用いた非自己整合プロセス（ノンセルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する - 特許庁

The method of manufacturing the silicon carbide single crystal substrate includes a process (A) of preparing a silicon carbide single crystal substrate which has first and second principal surfaces and conductivity, the work-affecting layer being provided on at least one of the first and second principal surfaces; and a process (B) of removing at least a part of the work-affecting layer through electrolytic etching.例文帳に追加

本発明の炭化珪素単結晶基板の製造方法は、第１および第２の主面を備え、導電性を有する炭化珪素単結晶基板であって、前記第１および前記第２の主面のうち、少なくとも一方に加工変質層を有する炭化珪素単結晶基板を用意する工程（Ａ）と、前記加工変質層の少なくとも一部を電解エッチングによって除去する工程（Ｂ）とを包含する。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material of a multilayer resist film used in lithography for forming a resist underlayer that prevents wiggling in substrate etching and prevents a poisoning problem in forming an upper layer pattern using a chemically amplified resist, to provide a process for forming the resist underlayer film, and to provide a patterning process and a fullerene derivative.例文帳に追加

本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜、を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。 - 特許庁

This diffraction grating formation method includes at least a process of forming stripe mask patterns 104 with a constant period and different coating widths on a substrate 100, and a process of transferring the mask patterns 104 onto the substrate 100 by an etching method having chemical anisotropic selectivity for a material constituting the substrate 100, in a method for forming diffraction gratings 106 (106a, 106b) with periodic irregularity.例文帳に追加

本発明に係る回折格子の形成方法は、周期的な凹凸を有する回折格子の形成方法において、基板上に周期が一定で被覆幅の異なるストライプ状のマスクパターンを形成する工程と、前記基板を構成する材料に対して化学的異方選択性を有するエッチング方法を用いて前記マスクパターンを該基板に転写する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a sheet type adhesive laminate capable of pasting a liquid crystal display element board to a flat board for transfer system, utilizing a liquid crystal display element manufacturing unit and process using conventional glass board as it is, and very easy to dismantle the liquid crystal display element after treatment such as resist formation, etching, cleaning, and directed film printing process, etc.例文帳に追加

液晶表示素子用基板を平坦性を有する搬送用基板に貼着することができ、従来のガラス基板を用いた液晶表示素子製造装置や工程がそのまま利用でき、レジスト形成工程、エッチング工程、洗浄工程、配向膜印刷工程等の処理後に、該液晶表示素子用基板の取り外しがきわめて容易となるようなシート状粘着剤積層体を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing a printed wiring board with a via hole for interlayer connection includes a process of making a barrier metal layer at least on the front side of the wiring circuit and/or the metal foil formed on the outer layer of an insulator substrate to prevent the wiring circuit and/or the metal foil from being etched by etching treatment during a following circuit formation process in the via hole.例文帳に追加

層間接続用のビアホールを備えたプリント配線板の製造方法であって、当該ビアホール形成のためのめっき処理工程前に、少なくとも絶縁基板の外層に形成された配線回路及び／又は金属箔の表側面に、後のビアホール部の回路形成の際のエッチング処理により当該外層配線回路及び／又は金属箔がエッチングされることを防止するバリア金属層を設ける。 - 特許庁

To provide an evaluation method of a silicon substrate where surface defect observation due to etching after device film peeling is facilitated, by creating a clear surface for observing crystal defects on a semiconductor substrate and surface defects due to a device process, and it can be made clear that defects on the surface are caused by crystal itself or stress and contamination due to the process.例文帳に追加

半導体基板上の結晶欠陥やデバイスプロセス起因の表面欠陥を観察するための綺麗な表面を作成することによってデバイス膜剥離後のエッチングによる表面欠陥観察がし易くなり、表面にある欠陥が結晶起因の欠陥か、又はプロセス起因のストレスや汚染による欠陥なのかを明らかにすることができるようにしたシリコン基板の評価方法を提供する。 - 特許庁

A hole 5 that contains a groove cut on the surface of a silicon substrate W as an object of processing is filled through a filling method comprising a titanium film forming process in which a titanium metal film 6 is formed on the surface of the substrate, an etching process in which the surface of the titanium metal film 6 is uniformly removed as thick as prescribed excluding its part that combines with the ground material.例文帳に追加

シリコン基板Ｗよりなる被処理体の表面に形成されている溝を含むホール５を埋め込む埋め込み方法において、前記被処理体の表面にチタン金属膜６を形成するチタン膜形成工程と、前記チタン金属膜の表面を、チタン塩化物ガスをエッチングガスとして下地と化合した部分を除いて所定の厚さだけ略均一に除去するエッチング工程とを有する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resist solution which can etch fine and high-density conductor circuits by forming an etching resist layer free of tack on a coating film by using a dipping process, and to provide a method for manufacturing a printed circuit board having the fine and high-density conductor circuits by using the resist solution.例文帳に追加

ディップ法を用いて塗膜にタックのないエッチングレジスト層を形成し、微細で高密度の導体回路をエッチング加工できる感光性レジスト液を提供し、該レジスト液を用い微細で高密度の導体回路を有するプリント配線基板の製造方法を提供することを課題とするものである。 - 特許庁

To prevent insulation failures due to an antireflection film, and allow the antireflection film to remain until the time of spacer formation, and prevent damages on an MOS transistor and a capacitative element in an etching process, at spacer formation in a semiconductor device having the capacitative element and the MOS transistor, and a method for manufacturing this device.例文帳に追加

容量素子とＭＯＳトランジスタとを有する半導体装置及びその製造方法において、反射防止膜による絶縁不良を防止するとともに、スペーサ形成時まで反射防止膜を残し、スペーサ形成時のエッチング工程においてＭＯＳトランジスタ及び容量素子にダメージを与えることを回避する。 - 特許庁

To suppress a phenomenon in which the conductivity of a p-type nitride semiconductor is inserted in a process for exposing one portion of the surface of a p-type nitride semiconductor, by containing an n-type impurity or etching an i-type nitride semiconductor partially while being formed on the surface of a p-type nitride semiconductor region.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体領域の表面に形成されており、ｎ型不純物を含むか又はｉ型の窒化物半導体の一部をエッチングしてｐ型の窒化物半導体の表面の一部を露出させる工程において、ｐ型窒化物半導体の導電型が反転する現象を抑制する。 - 特許庁

To provide a process for producing an aluminium material for the electrode of an electrolytic capacitor having excellent etching characteristics by solving the problem of treatment with aqueous solution of nitric acid being carried out before final annealing in the conventional production of an aluminium material for an electrolytic capacitor thereby stabilizing the surface layer oxide film of the aluminium material furthermore.例文帳に追加

従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造における最終焼鈍前の硝酸水溶液による処理の問題点を解決し、アルミニウム材の表層酸化膜をより安定なものとすることにより優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a method for easily removing a residual generated in dry-etching on SiN (silicon nitride) which is an insulting film layer in a process for manufacturing a semiconductor substrate and efficiently cleaning the semiconductor substrate without the corrosion of a-Si, polysilicon and a wiring material, which are used for a glass substrate and a thin film circuit.例文帳に追加

半導体基板を製造する工程で、絶縁膜層であるＳｉＮ（窒化シリコン）等のドライエッチング時に発生する残渣物を容易に除去でき、さらにガラス基板や薄膜回路に使用されるａ−Ｓｉ、ポリシリコンや配線材料を全く腐食することなく極めて効率良く半導体基板を洗浄する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fabrication process of a semiconductor device which forms a tensile stress film and a compressive stress film, respectively, in an NMOS formation region and a PMOS formation region without causing such a problem as formation of a recess in an isolation portion or etching residue, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

素子分離部への凹部の形成やエッチング残りなどの問題を生じることなく、ＮＭＯＳ形成領域およびＰＭＯＳ形成領域にそれぞれ引張り応力膜および圧縮応力膜を選択的に形成することができる、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

An inner region on the surface of a focus ring is finish-worked at mean surface roughness Ra in e.g., 0.1 or less as fine as suppressing the adhesion of a reaction product in an etching process, and an outer region is finish-worked at mean surface roughness Ra e.g., 3.2 or less.例文帳に追加

フォーカスリングの表面における内側領域を、エッチング処理時の反応生成物の付着を抑えることができる程度の平均表面粗さＲａとなるように例えば０．１以下に仕上げ加工し、外側領域を反応生成物を捕集するためにその平均表面粗さを例えばＲａ３．２以下に仕上げ加工する。 - 特許庁

A mask blank has a thin film for forming a pattern on a light transmitting substrate, wherein the thin film comprises an upper layer made of a material containing Cr and oxygen and a lower layer made of a material that contains Ta or its compound and can be etched by a dry etching process that uses a fluorine-based gas.例文帳に追加

透光性基板上にパターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクにおいて、薄膜は、Ｃｒと酸素を含む材料で形成されている上層と、Ｔａまたはその化合物を含み、且つ、弗素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な材料で形成されている下層とからなる。 - 特許庁

To provide a post-ashing treatment solution which prevents the corrosion of metallic wiring and reliably removes residue such as a degenerated photoresist film and a metallic deposition from a substrate subjected a ashing after dry etching under severer conditions in an ultrafine patterning process and a treatment method using the solution.例文帳に追加

超微細パターン化プロセスにおけるより過酷な条件のドライエッチング、続いてアッシングが施された基板において、金属配線に対する腐食を防止し、かつホトレジスト変質膜、金属デポジション等の残渣物を確実に除去し得るアッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法を提供する。 - 特許庁

The production process of an electromagnetic wave shielding material comprises a step for forming a substrate with a metal thin film using a metal thin film 4 and a resin substrate material 3 by a melting extrusion laminating method, and a step for patterning the metal thin film into mesh by etching and forming a meshed metal thin film.例文帳に追加

金属薄膜４及び樹脂基材原料３を用い、溶融押し出しラミネート法により金属薄膜付基材を形成する工程、該金属薄膜をエッチング法によりメッシュ状にパターニングし、メッシュ状金属薄膜を形成する工程、を有することを特徴とする電磁波遮蔽材およびその製造方法とする。 - 特許庁

To provide a flash memory element in which a semiconductor substrate in the boundary of a cell region and a peripheral circuit region can be protected from an etching step for forming first and second trenches and a leak current generated due to damage on the semiconductor substrate can be prevented from increasing, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

セル領域と周辺回路領域との境界部の半導体基板を第１トレンチおよび第２トレンチの形成のためのエッチング工程から保護することができ、半導体基板の損傷で発生する漏れ電流の増加を防止することができる、フラッシュメモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition and a photosensitive resin laminate which yields no residue by development, exhibits high sensitivity and high resolution, has high adhesiveness to a substrate and excellent etching resistance, is developable with a diluted alkali aqueous solution, and produces fine chips of stripped material in a stripping process with the alkali aqueous solution.例文帳に追加

現像残りがなく高感度、高解像度を有し、基板に対する密着性が良好で、かつ耐エッチング性に優れ、さらに希アルカリ水溶液を用いて現像可能で、アルカリ水溶液による剥離において剥離片形状が細片となる感光性樹脂組成物および感光性樹脂積層体を提供する。 - 特許庁

After the eave of eave-supporting shape substance is exposed from the surface of a photosensitive resin film by embedding a part or the entire part of the eave-supporting shape substance in the photosensitive resin film and then processing the photosensitive resin film with exposure and development, the eave is removed by an etching process using the photosensitive resin film as a mask.例文帳に追加

庇部支持型形状物の一部あるいは全体を感光性樹脂膜中に埋め込み、露光および現像により感光性樹脂膜を加工して、感光性樹脂膜の表面から庇部支持型形状物の庇部を露出せしめた後、感光性樹脂膜をマスクとして庇部をエッチングし、除去する。 - 特許庁

To solve the following problem: eaves occurs due to a difference in etching rate of a multilayer film at a peripheral part to cause contamination diffusion to a next process in a conventional substrate peripheral processing method for making constant the number of rotations of the substrate, in a substrate processing method for supplying a processing liquid to a substrate having a multilayer film formed, from backside of the substrate, while rotating the substrate.例文帳に追加

多層膜成膜した基板を、回転させながら基板に裏面側から処理液を供給する基板処理方法では、基板の回転数を一定にした従来の基板の周辺処理方法では、周辺部の多層膜のエッチングレートの差により、庇（ひさし）が発生し、次工程への汚染拡散の原因となる。 - 特許庁

In the laminated plastic film containing the inorganic matter layer and a plastic film base material of which the surface is treated with the plasma due to microwave discharge before the inorganic matter layer is formed on the surface by a dry process, the surface of the plastic film base material is etched in an etching amount of 12-563 nm by the plasma.例文帳に追加

無機物層と、表面に該無機物層がドライプロセスによって形成される前に、マイクロ波放電によるプラズマによって該表面が処理されるプラスチックフィルム基材とを含む積層プラスチックフィルムであって、前記プラスチックフィルム基材の表面が、前記プラズマによって１２〜５６３ｎｍのエッチング量でエッチングされている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a field effect transistor capable of suppressing damage of an active layer in a patterning process by etching, and the field effect transistor which diminishes the damage, in the field effect transistor which activates an oxide semiconductor mainly composed of magnesium (Mg) and (In) indium as the active layer.例文帳に追加

ＭｇとＩｎを主成分とする酸化物半導体を活性層とする電界効果型トランジスタにおいて、エッチングによりパターニングする工程における活性層のダメージを抑制することが可能な電界効果型トランジスタの製造方法、及び該ダメージが軽減された電界効果型トランジスタを提供すること。 - 特許庁

To provide the structure of a transparent conductive film which controls the reflectance of a transparent conductive film by the thickness and refractive index of a reflectance adjusting layer and by eliminating a difference in reflectance between different blocks after an etching process, and improves the same optical display effect between the different blocks.例文帳に追加

反射率調整層の厚み及び屈折率により、透明導電フィルムの反射率を制御し、エッチング工程の後に異なるブロックの間の反射率の差をなくすことによって、上記異なるブロックの間に同一の光学表示効果向上させる透明導電フィルム構造を提供する。 - 特許庁

To provide manufacturing method such as dry etching process of a cylinder for forming a capacitor of a D-RAM whereas the conventional manufacturing method causes problems of a short circuit between adjacent holes or coverage trouble in electrode deposition formed in the hole since a profile of the cylinder or a contact having high aspect ratio becomes a bowing profile.例文帳に追加

Ｄ−ＲＡＭのキャパシタを形成するシリンダのドライエッチ加工において、従来技術の製造方法ではアスペクト比が高いシリンダやコンタクトの形状がボーイング形状となり隣接するホール間ショートの問題やホール内に形成する電極成膜のカバレッジ異常などの問題が発生する。 - 特許庁

To provide a method for exfoliating the resist without causing resin remainder and exfoliation of the resin layer in a manufacturing method of a polymer optical waveguide substrate comprising a process for removing an unnecessary part of the polymer optical waveguide by reactive ion etching via a resist containing silicon, and then exfoliating the resist.例文帳に追加

シリコン含有レジストを介して反応性イオンエッチングによりポリマー光導波路の不要部を除去し、次いでレジストを剥離する工程を含むポリマー光導波路基板の製造方法において、樹脂残りや樹脂層の剥離を発生させずにレジストを剥離することができる方法を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem in which when a plurality of semiconductor devices are manufactured utilizing a laminate structure including a p-type group III nitride semiconductor layer, subjected to etching and other process and divided into individual semiconductor devices, a leak current flows along a surface of the p-type group III nitride semiconductor layer exposed on a side surface of the individual semiconductor devices.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体層を含む積層構造を利用して複数個の半導体装置を製造し、エッチング等して個々の半導体装置に分割すると、個々の半導体装置の側面に露出するｐ型のIII族窒化物半導体層の表面に沿ってリ−ク電流が流れてしまう。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for improving operating characteristics and process yield by preventing generation of an etching residue or a damage of a semiconductor substrate and preventing an oxidation of a tungsten layer by a high temperature step such as an ion implantion for forming an LDD region and a source/drain regions.例文帳に追加

食刻残留物が発生するか又は半導体基板が損傷されることを防止し、LDD領域及びソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入工程等の高温工程により前記タングステン層が酸化する現象を防止し、素子の動作特性及び工程収率を向上させる技術を提供する。 - 特許庁

Also, a contact hole 8 is formed in a first interlayer insulating film 4, and the high melting point metal silicide is accumulated on the whole face, and the patterning of the high melting point metal silicide is carried out without operating etching- back, and metallic wirings including the bit lines 12 are formed so that a manufacturing process can be shortened in time.例文帳に追加

また、第１層間絶縁膜４にコンタクト孔８を形成し高融点金属シリサイドを全面に堆積させた後にエッチバックを行うことなく、そのまま高融点金属シリサイドのパタ−ニングを行い、ビット線１０を含む金属配線を形成しているので製造工程を短縮できる。 - 特許庁

A splitting-groove resist-printing step for printing a resist for splitting grooves is provided between a development step and the wet-etching step in the photolithographic process for forming the thin-film resistance-member layer, so that the resist can cover a thin-film upper-electrode layer, resistance-member film-applied portions, and a photoresist, positioned within the splitting grooves.例文帳に追加

薄膜抵抗体層を形成するフォトリソプロセス工程における現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝内に位置する薄膜上面電極層、抵抗体着膜部、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けたものである。 - 特許庁

The N well-ion-implantation is carried out in the region where the oxide film 120 is removed, and a second alignment key 220 is formed in the inside of the region key, which is provided by removing the oxide film 120, by etching using a P well mask, in a process where the N well is formed using a P well-ion-implantation mask.例文帳に追加

前記酸化膜１２０が除去された領域にＮウェルイオン注入を実行し、Ｐウェルイオン注入マスクを利用してＮウェル形成工程時、前記酸化膜１２０除去により既設定された領域キーの内部にＰウェルマスクを利用したシリコンエッチングで第２整列キー２２０を形成する。 - 特許庁