「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

At the top face of the peripheral protrusion part 31, the sealing plate 30 is provided with a non-alkali glass thin plate 311 that has a corner size of 5.0 cm and a thickness of 0.1 mm, with an opening part having a corner size of 4.5 cm put under an etching process at the center.例文帳に追加

封止板３０は、周辺突条部３１の頂面に、中央にエッチング加工された４．５ｃｍ角の開口部を有する大きさ５．０ｃｍ角、厚さ０．１ｍｍの無アルカリガラス製のガラス薄板３１１を備える。 - 特許庁

Dimensional deviation occurs in an etching process or the like as mentioned above, and even if a gate increases or decreases in length, the size of a relative error in the length of the gate in the clock driver gets smaller than that in the flip-flop group.例文帳に追加

このように、エッチング工程等により寸法ずれが発生し、ゲート長が増加又は減少したとしても、クロックドライバにおけるゲート長の相対誤差の大きさはフリップフロップ群における相対誤差の大きさよりも小さくなる。 - 特許庁

The flaws and cracks of various sizes exist on the surface of the glass substrate 10 (a) and therefore after the surface is polished by a precision polishing process (b) and (c), a prescribed amount of the surface layer is removed by anisotropic etching, and thereby the latent flaws are removed (d) and (e).例文帳に追加

ガラス基板１０の表面には大小の傷やクラックが存在するので（ａ）、表面を精密研磨工程により研磨した後（ｂ）、（ｃ）、異方性エッチングにより表層を所定量除去し、潜傷を取り除く（ｄ）、（ｅ）。 - 特許庁

To provide a TFT substrate with contact holes that are accurately formed by enhancing the accuracy of processing a contact etching, and to provide a method of manufacturing the TFT substrate which can reduce manufacturing costs without causing complication in manufacturing process of the TFT substrate.例文帳に追加

コンタクトエッチングの加工精度を上げて、精度良くコンタクトホールが形成されたＴＦＴ基板及び、そのＴＦＴ基板を工程が煩雑にならずに製造コストが抑制可能なＴＦＴ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a vertical channel transistor, which has reduced resistance of a word line and minimized nitride film loss in a process of etching an insulating film between active pillars, and to provide a semiconductor device having the transistor.例文帳に追加

ワードラインの抵抗が減少され、活性ピラー間の絶縁膜のエッチング過程における窒化膜損失が最小化される垂直チャネルトランジスタの形成方法及びそのトランジスタを備えた半導体素子を提供すること。 - 特許庁

The surface of the silicon boat is etched in the etching process with the mixed liquid of nitric acid and hydrofluoric acid to remove a processing distortion layer containing metal impurities and metal impurities (not mixed with an organic matter) on the processing distortion layer.例文帳に追加

エッチング工程で硝酸及びフッ酸の混合液により、シリコンボートの表面をエッチングして、金属不純物を含有する加工歪層及び加工歪層上の金属不純物（有機物と混ざっていないもの）を除去する。 - 特許庁

The micro-lens array manufacturing method is configured so that a work for micro-lens array is polished after shaping through an etching or molding process so that a high transmittance and a reduced unevenness in the transmitted light are obtained.例文帳に追加

マイクロレンズアレイの製造方法において、マイクロレンズアレイをエッチングまたはモールドにより成形した後に、研磨することにより、高い透過率の、透過光ムラを低減させたマイクロレンズアレイの製造方法を提供することができる。 - 特許庁

To provide an organic antireflection forming material that is deposited in the same process as the conventional art, effectively prevents reflection of exposure light with an antireflective coating, has high dry etching speed, and is useful for forming a fine pattern.例文帳に追加

従来と同じプロセスで成膜可能で、その反射防止膜は効果的に露光光の反射を防止し、更に、高いドライエッチング速度を兼ね備え、微細パターン形成に有用である有機反射防止形成材料を提供する。 - 特許庁

On a gate insulation film 103, a conductive film as the material of a first gate electrode element 104 is formed first and a partitioning insulation film 105 consisting of a material allowing etching process is laminated next selectively on this conductive film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０３上に、第１ゲート電極要素１０４の材料となる導電膜と、この導電膜に対して選択的にエッチング可能な材料からなる仕切絶縁膜１０５とを積層状態に形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of reducing membrane stress by a nitride film and protecting a semiconductor substrate from damage by preventing an etching stop film from disappearing, when forming source/drain contact holes by a self-alignment process.例文帳に追加

ソース/ドレインコンタクトホールを自己整列工程で形成する際に、窒化膜による膜ストレスを減らすことができ、エッチング停止膜の消失を防ぐことにより半導体基板を損傷から保護することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device where an interlayer insulating film having a hollow structure and a relative permittivity as near as 1 is formed by employing an oxide film having a high selectivity and carrying out a selective etching process.例文帳に追加

高い選択性を有する酸化膜を使用して選択エッチング処理を行うことにより、比誘電率が限りなく１に近い中空構造の層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element for preventing damage to metal wiring caused by etching in forming a capacitor by eliminating a useless mask process by forming metal wiring after forming an MIM capacitor, and provide a method of forming the same.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタを形成した後に金属配線を形成することにより無駄なマスク工程を省略し、キャパシタ形成時のエッチングでの金属配線の損傷を防止できる半導体素子及びその形成方法を提供すること。 - 特許庁

To remove a deposited foreign matter 106 consisting of a metal fluoride generated at the time of performing processing such as etching by a fluorine-based gas on a metal film containing titanium such as TiN film 103 in a manufacturing process of an electronic device.例文帳に追加

電子デバイスの製造工程において、ＴｉＮ膜１０３等のチタンを含む金属膜に対してフッ素系ガスによってエッチング等の加工をした際に発生する、金属フッ化物からなる析出異物１０６を除去する。 - 特許庁

To provide a method for recycling copper resources in a production process where an etching waste liquid after treatment is recharged to an electroplating stage, the waste liquid is reduced from the origin, and the most environment-friendly recycling system is obtained.例文帳に追加

処理後のエッチング廃液を電気めっき工程に再投入し、廃液を元から減少して最も環境にやさしい循環再生方式を実現した、製造プロセスにおける銅資源の循環再生方法の提供。 - 特許庁

In view of controlling increase in the interface level at the silicon/silicon oxide film interface due to the influence of ultraviolet ray generated during the plasma etching process, a pulse time modulation plasma method for intermittently supplying the high-frequency electric power is introduced.例文帳に追加

このプラズマエッチング中に発生する紫外線の影響によるシリコン−シリコン酸化膜界面の界面準位の増加を抑止するため、高周波電力を間欠的に供給するパルス時間変調プラズマ法が用いられる。 - 特許庁

To prolong the operating life time of apparatus which can be applied to the etching process using different kinds of reaction gases, does not bring about reduction in a net working rate thereof resulting from the change of a discharge bulb and is capable of controlling the wearing of an expensive quartz discharge bulb.例文帳に追加

種々の異なる反応ガスを用いたエッチングプロセスに対応でき、放電管の交換に伴う装置の稼働率低下を招くことがなく、高価な石英放電管の消耗を抑制して装置の寿命を延ばす。 - 特許庁

To provide a thin film piezoelectric resonator production method which has high process margin, and hence can employ easy processes and achieve a reduction in production costs in the production of the thin film piezoelectric resonator by a wet etching method.例文帳に追加

ウエットエッチング法により薄膜圧電共振器を製造するにあたり、プロセス余裕度が高く、そのため工程が容易であり、製造コストの低廉化を図ることができる薄膜圧電共振器の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In another way, light of a wavelength having an energy larger than the band gap energy of a semiconductor crystal forming the semiconductor substrate 101 is irradiated during the wet etching process of the surface of the semiconductor substrate 101 including the first well 104.例文帳に追加

または、第１ウェル１０４を含む半導体基板１０１の表面をウェットエッチングする工程中に、半導体基板１０１を形成する半導体結晶のバンドギャップエネルギより大きいエネルギを持つ波長の光を照射する。 - 特許庁

To provide an industrially advantageous method for efficiently producing a perfluoroalkyne compound useful as a raw material for producing gas for plasma reaction, a fluorine-containing polymer, a medicine and an agrochemical or as an etching agent useful in a semiconductor production process.例文帳に追加

プラズマ反応用ガス、含フッ素ポリマーや医農薬の製造原料または半導体製造工程で使用されるエッチング剤などとして有用であるパーフルオロアルキン化合物を効率良く、工業的に有利に製造する方法を提供する。 - 特許庁

This method for electroless plating includes dividing a precipitation process into several steps, and removing the catalyst of the part in which the plated layer has not been formed, between every steps by either one or both of washing or chemical etching.例文帳に追加

また、無電解メッキの処理において、メッキ析出を複数の段階に分け、各段階の中間工程でメッキ層が形成されない部分の触媒を洗浄及び化学的エッチングのいずれか一方または両方によって除去する。 - 特許庁

With the use of a photosensitized polyimide instead of polyimide, a via hole, etc., required for multi layer or other application is provided by exposure and development through a mask with no etching dry film pasted nor laser process.例文帳に追加

ポリイミドの代わりに感光性ポリイミドを使用することによって、エッチング用ドライフィルムを貼ったり、レーザー処理しなくてそのままマスクを通して、露光、現像すれば多層化その他の用途に必要なビアホール等ができることになる。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material for a multilayer resist process improved in ashing speed after substrate etching, whereby a substrate just beneath a resist underlayer film can be prevented from changing in quality during ashing.例文帳に追加

多層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング後に行うアッシングの速度が速く、このため、アッシング中にレジスト下層膜の直下の基板が変質するのを防ぐことのできるレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric capacitor of a semiconductor element where an electrode can be formed without performing a patterning of a capacitor electrode by etching, process is stabilized and a parasitic capacitance is suppressed.例文帳に追加

エッチングによるキャパシタ電極のパターニングを行わずに電極を形成することができ、かつ工程の安定性及び寄生キャパシタンスの抑制が可能である半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an antenna forming method for forming an antenna for RFID use inexpensively and safely without using a method complicated in process and high in manufacturing cost such as an etching technology or a winding coil forming technology.例文帳に追加

エッチング技術や巻線コイル形成技術など、工程が複雑で製造コストが高い方法を用いることなく、安価にかつ安全にＲＦＩＤ用途のアンテナを形成することができるアンテナの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a temperature measuring instrument capable of measuring a temperature precisely under a plasma generating environment in a process for PVD, CVD, dry etching or the like, and capable of precluding atmosphere from being contaminated even when measuring the temperature in a high temperature range.例文帳に追加

ＰＶＤ、ＣＶＤ、ドライエッチング等の工程におけるプラズマ発生環境下において、精度の高い温度計測が可能で、且つ高温域で温度計測する場合にも雰囲気を汚染することのない温度計測器を提供すること。 - 特許庁

Next, the anti-reflection film 12 and the SiOC film 11 are subjected to dry-etching using the resist pattern 13 as the mask and using process gas prepared by adding CO gas to mixed gas of CHF_3 gas, CF_4 gas, O_2 gas and Ar gas.例文帳に追加

次に、反射防止膜１２及びＳｉＯＣ膜１１に対して、レジストパターン１３をマスクにすると共に、ＣＨＦ_3 ガス、ＣＦ_4 ガス、Ｏ_2 ガス及びＡｒガスの混合ガスにＣＯガスが添加されてなるプロセスガスを用いてドライエッチングを行なう。 - 特許庁

With this spectrum, a process for obtaining a signal intensity ratio of a plurality of elements is performed for a plurality of times, etching the standard sample surface in parallel, and a calibration curve indicating the distribution of the signal intensity ratio of a plurality of elements in the standard sample.例文帳に追加

このスペクトルから、複数の元素の信号強度比を求める工程を、標準試料表面をエッチングしながら複数行い、標準試料における複数の元素の信号強度比の分布を示す検量線を作成する。 - 特許庁

As compared with a case where the light transmission lattice is set to a slit formed on the semiconductor substrate, the etching process in the semiconductor substrate is simplified, and the decrease in the strength at the semiconductor substrate section where the light transmission lattice is formed can be inhibited.例文帳に追加

光透過格子を半導体基板に形成したスリットとする場合に比べて、半導体基板のエッチング工程を簡略化でき、また、光透過格子が形成されている半導体基板部分の強度低下を抑制できる。 - 特許庁

A protective film 11 of photosensitive resin is formed at the crystal wafer 5 side end where the crystal wafer 5 is exposed by removing the Cr film 6a and the Au film 6b thus protecting the crystal wafer 5 side end in the subsequent etching process.例文帳に追加

Ｃｒ膜６ａとＡｕ膜６ｂを除去することで水晶ウエハー５が露出した水晶ウエハー５側端部には、感光性樹脂からなる保護膜１１を形成し、水晶ウエハー５側端部を以降のエッチング工程から保護する。 - 特許庁

A control unit 8 introduces gas for cleaning by the gas introduction system 3 after completion of etching, forms plasma by the means 4 for plasma formation, and removes a film deposited on an exposure surface in the process chamber 1 by the action of plasma.例文帳に追加

制御部８は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系３により導入し、プラズマ形成用手段４によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー１内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。 - 特許庁

This treatment method of silicon wafers includes a polishing process 12 for polishing the surface of a wafer where chemical etching treatment 11 is performed by polishing liquid containing a polishing particle, a first washing process 17 for washing the surface of the wafer by first washing liquid containing hydrogen peroxide and ammonium hydroxide, and a second washing process 18 for washing the surface of the wafer by second washing liquid containing the hydrogen peroxide and diluted hydrochloric water acid.例文帳に追加

研磨粒子を含む研磨液を用いて化学エッチング処理１１を施したウェーハの表面を研磨する研磨工程１２と、ウェーハの表面を過酸化水素と水酸化アンモニウムを含む第１洗浄液により洗浄する第１洗浄工程１７と、ウェーハの表面を過酸化水素と希塩酸を含む第２洗浄液により洗浄する第２洗浄工程１８とを含むシリコンウェーハの処理方法である。 - 特許庁

The method has a process for forming a resist pattern on a film formed on a semiconductor substrate, performing the dry etching using the resist pattern as a mask to form the micro pattern, a process for supplying a resist removing liquid to the micro pattern formation plane of the semiconductor substrate to remove the resist pattern by single wafer processing, and a process for performing rinsing on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に設けられた膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いてドライエッチングを行い、前記膜の微細パターンを形成する工程と、前記半導体基板の微細パターン形成面にレジスト除去液を供給し、枚葉式処理により前記レジストパターンを除去する工程と、前記半導体基板をリンス処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a process for forming a silicon film on an insulating film, a process for forming a rough-surface polysilicon film having a rough surface, and a process for forming larger unevenness of the surface than that of the rough-surface polysilicon film by etching the rough-surface polysilicon film in a recess region of the rough-surface polysilicon film and the silicon film selectively.例文帳に追加

絶縁膜上にシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜上に、表面が粗面化された粗面ポリシリコン膜を形成する工程と、エッチングに対してデポジションが相対的に強いエッチング条件を用いることにより、粗面ポリシリコン膜の凹部領域の前記粗面ポリシリコン膜及び前記シリコン膜を選択的にエッチングし、前記粗面ポリシリコン膜の表面凹凸よりも大きい表面凹凸を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The method for treating the surface of the metal carbide substrate used in a semiconductor manufacturing process includes a process for forming a carbon surface layer (13) on the metal carbide substrate (10) by selectively etching the surface of the metal carbide substrate (10) by using a reactive gas mixture, and a process for removing the carbon surface layer (13) formed on the metal carbide substrate (10).例文帳に追加

半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体の表面処理方法であって、反応性ガス混合物を用いて金属炭化物基体（１０）の表面を選択的にエッチングし、それにより金属炭化物基体（１０）上に炭素表面層（１３）を形成する工程、および金属炭化物基体（１０）上に形成された炭素表面層（１３）を除去する工程を包含する方法。 - 特許庁

The method includes a resin layer forming process in which an uncured ultraviolet curable resin layer 2 is formed on a substrate 1, a curing process in which beads 3 are immersed in the uncured layer 2 to a prescribed depth to cure the uncured layer 2, and a separation process in which the beads 3 are separated from the cured layer 2 by dissolution or by applying etching and ultrasonic vibration.例文帳に追加

基材１上に未硬化の紫外線硬化樹脂層２を設ける樹脂層形成工程と、複数のビーズ３を未硬化の紫外線硬化樹脂層２に所定の深さまで浸漬してこの未硬化の紫外線硬化樹脂層２を硬化させる硬化工程と、硬化させた紫外線硬化樹脂層２からビーズ３を溶解またはエッチングと超音波振動の付与とにより脱離する脱離工程とを有する。 - 特許庁

In this method, the lithographic printing plate support is obtained by performing an electrochemical surface roughening process using alternating current in an aqueous solution containing at least nitric acid, aluminum nitrate and sulfuric acid, an etching process in an aqueous alkali solution and an electrochemical surface roughening process using alternating current in an aqueous solution containing nitric acid, to an aluminum plate in that order.例文帳に追加

アルミニウム板に、少なくとも、硝酸、硝酸アルミニウムおよび硫酸を含有する水溶液中での交流電流を用いた電気化学的粗面化処理、アルカリ水溶液中でのエッチング処理、および、硝酸を含有する水溶液中での交流電流を用いた電気化学的粗面化処理、をこの順に施し、平版印刷版用支持体を得る、平版印刷版用支持体の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist underlayer film of a multilayer resist film having at least three layers used in lithography, wherein the resist underlayer film reduces reflectance, has high etching resistance, high heat, and solvent resistances, and avoids wrinkling on a substrate particularly during the etching of the substrate, and also to provide a patterning process using the same.例文帳に追加

リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The dry etching process comprises a step of disposing a semiconductor substrate where the photoresist pattern is formed on an etched membranous object in a reactor, a step of selectively depositing polymer on an upper section of the photoresist pattern by supplying the CO gas into the reactor to form a polymer layer, and a step of etching the etched membranous object with the photoresist pattern and polymer layer as the masks.例文帳に追加

乾式エッチング方法は、被エッチング膜質上にフォトレジストパターンが形成された半導体基板を反応器内に配置する段階と、反応器内にＣＯガスを供給してフォトレジストパターンの上部にポリマーを選択的に蒸着してポリマー層を形成する段階と、フォトレジストパターン及びポリマー層をマスクとして被エッチング膜質をエッチングする段階と、を含む。 - 特許庁

In addition to a method of manufacturing the FBAR element, there is provided a method of manufacturing the FBAR element, which is capable preventing structural drawbacks occurring in an air gap forming process due to normal wet etching, by forming a sacrificial layer 53 with a polysilicon and forming an air gap (A3) by dry etching, and which is capable of freely adjusting locations and the number of via holes.例文帳に追加

さらに、本発明は、かかるＦＢＡＲ素子の製造方法ばかりでなく、犠牲層５３をポリシリコンから構成しドライエッチングによりエアギャップ（Ａ３）を形成することで通常のウェットエッチングによるエアギャップ形成工程において生じる構造的欠陥を防止できると同時に、バイアホールの形成位置及び数を自在に調節できるＦＢＡＲ素子の製造方法も提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning method of easily removing residues generated at dry-etching carried out for etching an a-Si semiconductor layer or a polysilicon semiconductor layer and very efficiently cleaning a semiconductor substrate without corroding a silicon wafer, a board of glass, plastic or the like, and a-Si, polysilicon, and wiring materials used for a thin film circuit at all in a semiconductor substrate manufacturing process.例文帳に追加

半導体基板を製造する工程で、半導体層であるａ−Ｓｉやポリシリコン等のドライエッチング時に発生する残渣物を容易に除去でき、さらにガラス、シリコンウェハー、プラスチック等の基板や薄膜回路に使用されるａ−Ｓｉ、ポリシリコンや配線材料を全く腐食することなく極めて効率良く半導体基板を洗浄する方法を提供する。 - 特許庁

In the etching process where a non-transfer region is dug down in order to form a mesa structure having a transfer region as the upper surface, an identification structure configuring a name mark, or the like, is formed simultaneously and an etching mask for forming the identification structure is formed to have a specific size corresponding to the height of the mesa structure having a transfer region as the upper surface.例文帳に追加

転写領域を上面とするメサ構造を形成するために非転写領域を掘り下げるエッチング工程において、同時にネームマーク等を構成する識別構造体を形成し、前記識別構造体形成用のエッチングマスクを、前記転写領域を上面とするメサ構造の高さに応じた特定の大きさに形成することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a method of producing a TFT-LCD having a tapered cross section of a Mo alloy/Al alloy laminated line and having good coverage for an insulating film by using a wet etching method to process a laminated line of a molybdenum alloy upper layer and an aluminum alloy lower layer into a tapered cross section and then by using a shower type batch etching method to obtain good coverage for an insulating film.例文帳に追加

湿式エッチングを用いて、上層がモリブデン合金，下層がアルミニウム合金の積層配線の断面をテーパ状に加工し、絶縁膜のカバレッジを良好にするシャワー方式による一括エッチングで、Ｍｏ合金／Ａｌ合金積層配線の断面形状をテーパ状に加工し、良好な絶縁膜カバレッジを有するＴＦＴ−ＬＣＤの製造方法を提供する。 - 特許庁

When regions 6a and 6b, where the impurities of different concentration or the impurities of different types are partially implanted, exist in a polysilicon film 6 formed on a semiconductor substrate as shown in Fig. (b), the impurities of high etching rate are implanted (6c) in an etched region after a lithographic process for patterning a gate electrode, and the etching rate is made uniform.例文帳に追加

図３（ｂ）に示すように、半導体基板上に形成されたポリシリコン膜（６）に部分的に異なる濃度の不純物または異なる種類の不純物が注入された領域（６ａ及び６ｂ）がある場合に、図３（ｃ）に示すゲート電極をパターニングするためのリソグラフィー工程の後、エッチングする領域にエッチングレートの大きな不純物を注入し（６ｃ）、エッチングレートの均一化を図る。 - 特許庁

By the method for producing the indium compound, the indium compound can be easily produced from a ferrous chloride solution containing indium (for example, a waste solution produced in an etching process for etching an ITO material or the like by ferric chloride) by using a chelate resin having a polyamine group or N-methylglucamine group.例文帳に追加

本発明者らは、インジウムを含有する塩化第一鉄液（例えばＩＴＯ材等の塩化第二鉄によるエッチング廃液より）からインジウムを回収する方法を鋭意検討した結果、インジウムを含有する塩化第一鉄液からポリアミン基またはN−メチルグルカミン基を有するキレート樹脂を用いることによりインジウム化合物を容易に製造することができることを見出して完成させた。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for etching a substrate having a through hole 11 in a region different from the through hole 11, wherein etching is carried out after forming resist 72 on the substrate over the opening of the through hole 11 and then patterning the resist by exposure.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、貫通孔１１を有した基板に対し、該貫通孔１１とは異なる領域においてエッチングを行う工程を含む半導体装置の製造方法であって、基板に対し、貫通孔１１の開口面に跨る形にてレジスト７２を形成し、該レジスト７２を露光によりパターニングした後に、エッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁