「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an air cleaner, with which costs for installation can be reduced, and further, environmental disruption can be prevented as well by circulating air inside a device, provided in a wet process device such as developing device, etching device or cleaning device.例文帳に追加

現像装置、エッチング装置、洗浄装置等のウエットプロセス装置に設けられ、装置内の空気を循環させることにより、設置時にかかるコストを低減し、さらには環境破壊も防止できる空気浄化装置を提供する。 - 特許庁

A large number of holes 24 are made by etching in the central part of a transistor of a passivation film 22 on the drain electrode D and the source electrode S of an output transistor formed with an ordinary thickness by LSI fabrication process and a highly conductive metal film 25 of gold or aluminum is deposited on the entire surface thereof.例文帳に追加

ＬＳＩ製造工程で通常の薄さに作成された出力トランジスタのドレインの電極Ｄとソースの電極Ｓの上のパシベーション膜２２のトランジスタの中央部位置にエッチングにより多数の孔２４を設ける。 - 特許庁

At the top face of the peripheral protrusion part 31, the sealing plate 30 is provided with a non-alkali glass thin plate 311 that has a corner size of 5.0 cm and a thickness of 0.1 mm, with an opening part having a corner size of 4.5 cm put under an etching process at the center.例文帳に追加

封止板３０は、周辺突条部３１の頂面に、中央にエッチング加工された４．５ｃｍ角の開口部を有する大きさ５．０ｃｍ角、厚さ０．１ｍｍの無アルカリガラス製のガラス薄板３１１を備える。 - 特許庁

Dimensional deviation occurs in an etching process or the like as mentioned above, and even if a gate increases or decreases in length, the size of a relative error in the length of the gate in the clock driver gets smaller than that in the flip-flop group.例文帳に追加

このように、エッチング工程等により寸法ずれが発生し、ゲート長が増加又は減少したとしても、クロックドライバにおけるゲート長の相対誤差の大きさはフリップフロップ群における相対誤差の大きさよりも小さくなる。 - 特許庁

The flaws and cracks of various sizes exist on the surface of the glass substrate 10 (a) and therefore after the surface is polished by a precision polishing process (b) and (c), a prescribed amount of the surface layer is removed by anisotropic etching, and thereby the latent flaws are removed (d) and (e).例文帳に追加

ガラス基板１０の表面には大小の傷やクラックが存在するので（ａ）、表面を精密研磨工程により研磨した後（ｂ）、（ｃ）、異方性エッチングにより表層を所定量除去し、潜傷を取り除く（ｄ）、（ｅ）。 - 特許庁

To provide a cleaning apparatus for effectively cleaning a metal stuck to a tool in the tool used in a dry etching apparatus, a CVD (chemical vapor deposition) apparatus, or the like, used in a process for manufacturing a semiconductor, a liquid crystal substrate or a solar battery.例文帳に追加

半導体又は液晶基板、太陽電池の製造過程で使用されるドライエッチング装置、ＣＶＤ装置などで使用される冶具に対して、この冶具に付着した金属を有効に洗浄する洗浄装置を実現すること。 - 特許庁

After a resist layer 22 having a hole 22a exposing a shoulder of the insulation film 16a and a part of the resist layer 20B near the shoulder is formed, a connection hole 24 is formed in a wet-etching process with the resist layers 22, 20B as masks.例文帳に追加

絶縁膜１６ａの肩部とその近傍のレジスト層２０Ｂの一部とを露呈する孔２２ａを有するレジスト層２２を形成した後、レジスト層２２，２０Ｂをマスクとするウェットエッチング処理により接続孔２４を形成する。 - 特許庁

After completing the etching, a control part 8 introduces cleaning gas by the gas introducing system 3, forms the plasma by the plasma forming means 4 and removes films deposited on exposed surfaces in the process chamber 1 by the action of plasma.例文帳に追加

制御部８は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系３により導入し、プラズマ形成用手段４によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー１内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。 - 特許庁

To form a fine pattern of an organic material film in an easy process and reduce the fringing capacitance of the gate electrode of a field effect transistor using a selective dry recess etching to improve the operating speed of a semiconductor device.例文帳に追加

容易なプロセスで有機材料膜の微細パターンを形成し、選択ドライリセスエッチングを用いて、電界効果型トランジスタのゲート電極のフリンジング容量を低減し、半導体装置の動作速度を向上することを目的とする。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which is sensitive to visible ray, enables a process in which problems such as ensuring of etching solution and plating solution resistances and lowering of productivity are solved and can form a fine high density pattern.例文帳に追加

可視光感光性で、エッチング液耐性とメッキ液耐性の確保の問題や生産性低下などの問題を解決するプロセスを可能にし、微細かつ高密度なパターンを形成することができる感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

According to this invention, the problems in an etching step performed in the existing top-down system thin film manufacturing process are remarkably reduced, and further, the pattern of the nanostructure can be freely controlled in the nano-thin film structure.例文帳に追加

本発明によると、既存のトップ-ダウン方式の薄膜製造工程で行われている蝕刻工程の問題点を著しく減少させ、さらにナノ薄膜構造においてナノ構造の模様を自由に制御することができる。 - 特許庁

In this manufacturing process of a multilayer circuit board 1, after the 3rd and 4th copper foil circuits 11 and 15 of 1st and 2nd outer layer boards 9 and 13 are formed by etching, a through-hole 17 is formed by using a drill.例文帳に追加

多層回路基板１の製造工程において、エッチングによって第１及び第２の外層基板９，１３の第３及び第４の銅箔回路１１，１５の形成をした後に、ドリルを用いてスルーホール１７を形成する。 - 特許庁

To provide a method for recycling copper resources in a production process where an etching waste liquid after treatment is recharged to an electroplating stage, the waste liquid is reduced from the origin, and the most environment-friendly recycling system is obtained.例文帳に追加

処理後のエッチング廃液を電気めっき工程に再投入し、廃液を元から減少して最も環境にやさしい循環再生方式を実現した、製造プロセスにおける銅資源の循環再生方法の提供。 - 特許庁

Since the wettability of the surface of the interlayer insulating film is satisfactorily improved by etching a drain signal line 14 consisting of an Al film in a wet process after the nitrogen plasma treatment, an etchant is easily put in a contact hole part and Al does not remain in the contact hole part.例文帳に追加

この窒素プラズマ処理後に、Ａｌ膜からなるドレイン信号線１４をウェットエッチングすると、層間絶縁膜表面のぬれ性が良好であるため、エッチャントがコンタクトホール部に入り込み易く、コンタクトホール部にＡｌが残らない。 - 特許庁

In view of controlling increase in the interface level at the silicon/silicon oxide film interface due to the influence of ultraviolet ray generated during the plasma etching process, a pulse time modulation plasma method for intermittently supplying the high-frequency electric power is introduced.例文帳に追加

このプラズマエッチング中に発生する紫外線の影響によるシリコン−シリコン酸化膜界面の界面準位の増加を抑止するため、高周波電力を間欠的に供給するパルス時間変調プラズマ法が用いられる。 - 特許庁

To prolong the operating life time of apparatus which can be applied to the etching process using different kinds of reaction gases, does not bring about reduction in a net working rate thereof resulting from the change of a discharge bulb and is capable of controlling the wearing of an expensive quartz discharge bulb.例文帳に追加

種々の異なる反応ガスを用いたエッチングプロセスに対応でき、放電管の交換に伴う装置の稼働率低下を招くことがなく、高価な石英放電管の消耗を抑制して装置の寿命を延ばす。 - 特許庁

To provide a thin film piezoelectric resonator production method which has high process margin, and hence can employ easy processes and achieve a reduction in production costs in the production of the thin film piezoelectric resonator by a wet etching method.例文帳に追加

ウエットエッチング法により薄膜圧電共振器を製造するにあたり、プロセス余裕度が高く、そのため工程が容易であり、製造コストの低廉化を図ることができる薄膜圧電共振器の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In another way, light of a wavelength having an energy larger than the band gap energy of a semiconductor crystal forming the semiconductor substrate 101 is irradiated during the wet etching process of the surface of the semiconductor substrate 101 including the first well 104.例文帳に追加

または、第１ウェル１０４を含む半導体基板１０１の表面をウェットエッチングする工程中に、半導体基板１０１を形成する半導体結晶のバンドギャップエネルギより大きいエネルギを持つ波長の光を照射する。 - 特許庁

To provide an industrially advantageous method for efficiently producing a perfluoroalkyne compound useful as a raw material for producing gas for plasma reaction, a fluorine-containing polymer, a medicine and an agrochemical or as an etching agent useful in a semiconductor production process.例文帳に追加

プラズマ反応用ガス、含フッ素ポリマーや医農薬の製造原料または半導体製造工程で使用されるエッチング剤などとして有用であるパーフルオロアルキン化合物を効率良く、工業的に有利に製造する方法を提供する。 - 特許庁

This method for electroless plating includes dividing a precipitation process into several steps, and removing the catalyst of the part in which the plated layer has not been formed, between every steps by either one or both of washing or chemical etching.例文帳に追加

また、無電解メッキの処理において、メッキ析出を複数の段階に分け、各段階の中間工程でメッキ層が形成されない部分の触媒を洗浄及び化学的エッチングのいずれか一方または両方によって除去する。 - 特許庁

With the use of a photosensitized polyimide instead of polyimide, a via hole, etc., required for multi layer or other application is provided by exposure and development through a mask with no etching dry film pasted nor laser process.例文帳に追加

ポリイミドの代わりに感光性ポリイミドを使用することによって、エッチング用ドライフィルムを貼ったり、レーザー処理しなくてそのままマスクを通して、露光、現像すれば多層化その他の用途に必要なビアホール等ができることになる。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material for a multilayer resist process improved in ashing speed after substrate etching, whereby a substrate just beneath a resist underlayer film can be prevented from changing in quality during ashing.例文帳に追加

多層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング後に行うアッシングの速度が速く、このため、アッシング中にレジスト下層膜の直下の基板が変質するのを防ぐことのできるレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric capacitor of a semiconductor element where an electrode can be formed without performing a patterning of a capacitor electrode by etching, process is stabilized and a parasitic capacitance is suppressed.例文帳に追加

エッチングによるキャパシタ電極のパターニングを行わずに電極を形成することができ、かつ工程の安定性及び寄生キャパシタンスの抑制が可能である半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an antenna forming method for forming an antenna for RFID use inexpensively and safely without using a method complicated in process and high in manufacturing cost such as an etching technology or a winding coil forming technology.例文帳に追加

エッチング技術や巻線コイル形成技術など、工程が複雑で製造コストが高い方法を用いることなく、安価にかつ安全にＲＦＩＤ用途のアンテナを形成することができるアンテナの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a temperature measuring instrument capable of measuring a temperature precisely under a plasma generating environment in a process for PVD, CVD, dry etching or the like, and capable of precluding atmosphere from being contaminated even when measuring the temperature in a high temperature range.例文帳に追加

ＰＶＤ、ＣＶＤ、ドライエッチング等の工程におけるプラズマ発生環境下において、精度の高い温度計測が可能で、且つ高温域で温度計測する場合にも雰囲気を汚染することのない温度計測器を提供すること。 - 特許庁

Next, the anti-reflection film 12 and the SiOC film 11 are subjected to dry-etching using the resist pattern 13 as the mask and using process gas prepared by adding CO gas to mixed gas of CHF_3 gas, CF_4 gas, O_2 gas and Ar gas.例文帳に追加

次に、反射防止膜１２及びＳｉＯＣ膜１１に対して、レジストパターン１３をマスクにすると共に、ＣＨＦ_3 ガス、ＣＦ_4 ガス、Ｏ_2 ガス及びＡｒガスの混合ガスにＣＯガスが添加されてなるプロセスガスを用いてドライエッチングを行なう。 - 特許庁

With this spectrum, a process for obtaining a signal intensity ratio of a plurality of elements is performed for a plurality of times, etching the standard sample surface in parallel, and a calibration curve indicating the distribution of the signal intensity ratio of a plurality of elements in the standard sample.例文帳に追加

このスペクトルから、複数の元素の信号強度比を求める工程を、標準試料表面をエッチングしながら複数行い、標準試料における複数の元素の信号強度比の分布を示す検量線を作成する。 - 特許庁

As compared with a case where the light transmission lattice is set to a slit formed on the semiconductor substrate, the etching process in the semiconductor substrate is simplified, and the decrease in the strength at the semiconductor substrate section where the light transmission lattice is formed can be inhibited.例文帳に追加

光透過格子を半導体基板に形成したスリットとする場合に比べて、半導体基板のエッチング工程を簡略化でき、また、光透過格子が形成されている半導体基板部分の強度低下を抑制できる。 - 特許庁

A protective film 11 of photosensitive resin is formed at the crystal wafer 5 side end where the crystal wafer 5 is exposed by removing the Cr film 6a and the Au film 6b thus protecting the crystal wafer 5 side end in the subsequent etching process.例文帳に追加

Ｃｒ膜６ａとＡｕ膜６ｂを除去することで水晶ウエハー５が露出した水晶ウエハー５側端部には、感光性樹脂からなる保護膜１１を形成し、水晶ウエハー５側端部を以降のエッチング工程から保護する。 - 特許庁

A control unit 8 introduces gas for cleaning by the gas introduction system 3 after completion of etching, forms plasma by the means 4 for plasma formation, and removes a film deposited on an exposure surface in the process chamber 1 by the action of plasma.例文帳に追加

制御部８は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系３により導入し、プラズマ形成用手段４によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー１内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。 - 特許庁

The method for treating the surface of the metal carbide substrate used in a semiconductor manufacturing process includes a process for forming a carbon surface layer (13) on the metal carbide substrate (10) by selectively etching the surface of the metal carbide substrate (10) by using a reactive gas mixture, and a process for removing the carbon surface layer (13) formed on the metal carbide substrate (10).例文帳に追加

半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体の表面処理方法であって、反応性ガス混合物を用いて金属炭化物基体（１０）の表面を選択的にエッチングし、それにより金属炭化物基体（１０）上に炭素表面層（１３）を形成する工程、および金属炭化物基体（１０）上に形成された炭素表面層（１３）を除去する工程を包含する方法。 - 特許庁

This treatment method of silicon wafers includes a polishing process 12 for polishing the surface of a wafer where chemical etching treatment 11 is performed by polishing liquid containing a polishing particle, a first washing process 17 for washing the surface of the wafer by first washing liquid containing hydrogen peroxide and ammonium hydroxide, and a second washing process 18 for washing the surface of the wafer by second washing liquid containing the hydrogen peroxide and diluted hydrochloric water acid.例文帳に追加

研磨粒子を含む研磨液を用いて化学エッチング処理１１を施したウェーハの表面を研磨する研磨工程１２と、ウェーハの表面を過酸化水素と水酸化アンモニウムを含む第１洗浄液により洗浄する第１洗浄工程１７と、ウェーハの表面を過酸化水素と希塩酸を含む第２洗浄液により洗浄する第２洗浄工程１８とを含むシリコンウェーハの処理方法である。 - 特許庁

The method includes a resin layer forming process in which an uncured ultraviolet curable resin layer 2 is formed on a substrate 1, a curing process in which beads 3 are immersed in the uncured layer 2 to a prescribed depth to cure the uncured layer 2, and a separation process in which the beads 3 are separated from the cured layer 2 by dissolution or by applying etching and ultrasonic vibration.例文帳に追加

基材１上に未硬化の紫外線硬化樹脂層２を設ける樹脂層形成工程と、複数のビーズ３を未硬化の紫外線硬化樹脂層２に所定の深さまで浸漬してこの未硬化の紫外線硬化樹脂層２を硬化させる硬化工程と、硬化させた紫外線硬化樹脂層２からビーズ３を溶解またはエッチングと超音波振動の付与とにより脱離する脱離工程とを有する。 - 特許庁

In this method, the lithographic printing plate support is obtained by performing an electrochemical surface roughening process using alternating current in an aqueous solution containing at least nitric acid, aluminum nitrate and sulfuric acid, an etching process in an aqueous alkali solution and an electrochemical surface roughening process using alternating current in an aqueous solution containing nitric acid, to an aluminum plate in that order.例文帳に追加

アルミニウム板に、少なくとも、硝酸、硝酸アルミニウムおよび硫酸を含有する水溶液中での交流電流を用いた電気化学的粗面化処理、アルカリ水溶液中でのエッチング処理、および、硝酸を含有する水溶液中での交流電流を用いた電気化学的粗面化処理、をこの順に施し、平版印刷版用支持体を得る、平版印刷版用支持体の製造方法。 - 特許庁

The method has a process for forming a resist pattern on a film formed on a semiconductor substrate, performing the dry etching using the resist pattern as a mask to form the micro pattern, a process for supplying a resist removing liquid to the micro pattern formation plane of the semiconductor substrate to remove the resist pattern by single wafer processing, and a process for performing rinsing on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に設けられた膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いてドライエッチングを行い、前記膜の微細パターンを形成する工程と、前記半導体基板の微細パターン形成面にレジスト除去液を供給し、枚葉式処理により前記レジストパターンを除去する工程と、前記半導体基板をリンス処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a process for forming a silicon film on an insulating film, a process for forming a rough-surface polysilicon film having a rough surface, and a process for forming larger unevenness of the surface than that of the rough-surface polysilicon film by etching the rough-surface polysilicon film in a recess region of the rough-surface polysilicon film and the silicon film selectively.例文帳に追加

絶縁膜上にシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜上に、表面が粗面化された粗面ポリシリコン膜を形成する工程と、エッチングに対してデポジションが相対的に強いエッチング条件を用いることにより、粗面ポリシリコン膜の凹部領域の前記粗面ポリシリコン膜及び前記シリコン膜を選択的にエッチングし、前記粗面ポリシリコン膜の表面凹凸よりも大きい表面凹凸を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist underlayer film of a multilayer resist film having at least three layers used in lithography, wherein the resist underlayer film reduces reflectance, has high etching resistance, high heat, and solvent resistances, and avoids wrinkling on a substrate particularly during the etching of the substrate, and also to provide a patterning process using the same.例文帳に追加

リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In the etching process where a non-transfer region is dug down in order to form a mesa structure having a transfer region as the upper surface, an identification structure configuring a name mark, or the like, is formed simultaneously and an etching mask for forming the identification structure is formed to have a specific size corresponding to the height of the mesa structure having a transfer region as the upper surface.例文帳に追加

転写領域を上面とするメサ構造を形成するために非転写領域を掘り下げるエッチング工程において、同時にネームマーク等を構成する識別構造体を形成し、前記識別構造体形成用のエッチングマスクを、前記転写領域を上面とするメサ構造の高さに応じた特定の大きさに形成することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a method of producing a TFT-LCD having a tapered cross section of a Mo alloy/Al alloy laminated line and having good coverage for an insulating film by using a wet etching method to process a laminated line of a molybdenum alloy upper layer and an aluminum alloy lower layer into a tapered cross section and then by using a shower type batch etching method to obtain good coverage for an insulating film.例文帳に追加

湿式エッチングを用いて、上層がモリブデン合金，下層がアルミニウム合金の積層配線の断面をテーパ状に加工し、絶縁膜のカバレッジを良好にするシャワー方式による一括エッチングで、Ｍｏ合金／Ａｌ合金積層配線の断面形状をテーパ状に加工し、良好な絶縁膜カバレッジを有するＴＦＴ−ＬＣＤの製造方法を提供する。 - 特許庁

When regions 6a and 6b, where the impurities of different concentration or the impurities of different types are partially implanted, exist in a polysilicon film 6 formed on a semiconductor substrate as shown in Fig. (b), the impurities of high etching rate are implanted (6c) in an etched region after a lithographic process for patterning a gate electrode, and the etching rate is made uniform.例文帳に追加

図３（ｂ）に示すように、半導体基板上に形成されたポリシリコン膜（６）に部分的に異なる濃度の不純物または異なる種類の不純物が注入された領域（６ａ及び６ｂ）がある場合に、図３（ｃ）に示すゲート電極をパターニングするためのリソグラフィー工程の後、エッチングする領域にエッチングレートの大きな不純物を注入し（６ｃ）、エッチングレートの均一化を図る。 - 特許庁

To provide a piezoelectric substrate that can solve a defect caused by an inner wall of a border groove between piezoelectric vibrating elements formed by etching to be a slope not orthogonal to the substrate face in the case of manufacturing many piezoelectric vibrating elements from a piezoelectric substrate base material with a large area through etching process employing a mask and to provide the piezoelectric vibrating element, a piezoelectric device and the piezoelectric substrate base material.例文帳に追加

マスクを用いたエッチング加工によって大面積の圧電母材から多数の圧電振動素子を製造する際に、エッチングによって形成される圧電振動素子間の境界溝の内壁が基板面と直交しない傾斜面になることによって発生する不具合を解決できる圧電基板、圧電振動素子、圧電デバイス及び圧電基板母材を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning method of easily removing residues generated at dry-etching carried out for etching an a-Si semiconductor layer or a polysilicon semiconductor layer and very efficiently cleaning a semiconductor substrate without corroding a silicon wafer, a board of glass, plastic or the like, and a-Si, polysilicon, and wiring materials used for a thin film circuit at all in a semiconductor substrate manufacturing process.例文帳に追加

半導体基板を製造する工程で、半導体層であるａ−Ｓｉやポリシリコン等のドライエッチング時に発生する残渣物を容易に除去でき、さらにガラス、シリコンウェハー、プラスチック等の基板や薄膜回路に使用されるａ−Ｓｉ、ポリシリコンや配線材料を全く腐食することなく極めて効率良く半導体基板を洗浄する方法を提供する。 - 特許庁

By the method for producing the indium compound, the indium compound can be easily produced from a ferrous chloride solution containing indium (for example, a waste solution produced in an etching process for etching an ITO material or the like by ferric chloride) by using a chelate resin having a polyamine group or N-methylglucamine group.例文帳に追加

本発明者らは、インジウムを含有する塩化第一鉄液（例えばＩＴＯ材等の塩化第二鉄によるエッチング廃液より）からインジウムを回収する方法を鋭意検討した結果、インジウムを含有する塩化第一鉄液からポリアミン基またはN−メチルグルカミン基を有するキレート樹脂を用いることによりインジウム化合物を容易に製造することができることを見出して完成させた。 - 特許庁

The dry etching process comprises a step of disposing a semiconductor substrate where the photoresist pattern is formed on an etched membranous object in a reactor, a step of selectively depositing polymer on an upper section of the photoresist pattern by supplying the CO gas into the reactor to form a polymer layer, and a step of etching the etched membranous object with the photoresist pattern and polymer layer as the masks.例文帳に追加

乾式エッチング方法は、被エッチング膜質上にフォトレジストパターンが形成された半導体基板を反応器内に配置する段階と、反応器内にＣＯガスを供給してフォトレジストパターンの上部にポリマーを選択的に蒸着してポリマー層を形成する段階と、フォトレジストパターン及びポリマー層をマスクとして被エッチング膜質をエッチングする段階と、を含む。 - 特許庁

About a process by a particle seed such as ion having a strong anisotropic for an entering, an ion angle energy distribution function (IAEDF) which is respectively the function of an angle θ and an energy E, and an etching yield energy component which is the coefficient of an action with respect to the surface, are numerically integrated to generate the weighted etching yield ion angle distribution function (EYIADF) in advance.例文帳に追加

入射に関する異方性の強いイオンなどの粒子種によるプロセスに関して、それぞれ角度θおよびエネルギーＥの関数であるイオン角度エネルギー分布関数（ＩＡＥＤＦ）と、表面との作用の係数としてのエッチング・イールドのエネルギー成分とを数値積分して、エッチング・イールドの重み付けのついたイオン角度分布関数（ＥＹＩＡＤＦ）をあらかじめ作成する。 - 特許庁