「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

The substrate transfer apparatus transfers the substrate during the etching process of the substrate, and includes a substrate support base which supports both sides of the substrate which is curved to cause the etchant to flow on both sides of the substrate, and a transfer drive section which moves the substrate support base to transfer the substrate.例文帳に追加

本発明は、基板のエッチング工程中に基板を移送させる基板移送装置であって、基板が湾曲され、基板の両側にエッチング液が流れるように基板の両側を支持する基板支持台と、 基板が移送されるように基板支持台を移動させる移送駆動部とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition and a photosensitive resin laminate which yields no residue by development, exhibits high sensitivity and high resolution, has high adhesiveness to a substrate and excellent etching resistance, is developable with a diluted alkali aqueous solution, and produces fine chips of stripped material in a stripping process with the alkali aqueous solution.例文帳に追加

現像残りがなく高感度、高解像度を有し、基板に対する密着性が良好で、かつ耐エッチング性に優れ、さらに希アルカリ水溶液を用いて現像可能で、アルカリ水溶液による剥離において剥離片形状が細片となる感光性樹脂組成物および感光性樹脂積層体を提供する。 - 特許庁

After the eave of eave-supporting shape substance is exposed from the surface of a photosensitive resin film by embedding a part or the entire part of the eave-supporting shape substance in the photosensitive resin film and then processing the photosensitive resin film with exposure and development, the eave is removed by an etching process using the photosensitive resin film as a mask.例文帳に追加

庇部支持型形状物の一部あるいは全体を感光性樹脂膜中に埋め込み、露光および現像により感光性樹脂膜を加工して、感光性樹脂膜の表面から庇部支持型形状物の庇部を露出せしめた後、感光性樹脂膜をマスクとして庇部をエッチングし、除去する。 - 特許庁

To suppress the characteristics variation of MOS transistors due to charging by a plasma to lessen the influence causing the characteristics deterioration of an analog circuit on both gate electrodes of the MOS transistors paired in the analog circuit of a MOS type semiconductor integrated circuit device in a process of patterning a metal wiring layer by plasma etching.例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体集積回路装置におけるアナログ回路の互いにペアとなるＭＯＳトランジスタ対の双方のゲート電極への金属配線層をプラズマ・エッチングによりパターニングする工程で、プラズマの帯電によるＭＯＳトランジスタの特性変動を抑制し、アナログ回路の特性の悪化の原因となる影響を軽減する。 - 特許庁

To provide a producing method for semiconductor device, with which the deposition of polymerized films on the surface of a wafer is suppressed in the case of etching an insulating film with a resist pattern as a mask and satisfactory alloy reaction can be provided between a metal depositing film and the surface of the wafer while unnecessitating the mask formation of a side in a following lift-off process.例文帳に追加

レジストパターンをマスクとする絶縁膜のエッチングの際に基板表面への重合膜の堆積を抑制し、その後のリフトオフ工程におけるサイドのマスク形成を不要としながら金属蒸着膜と基板表面との間の良好なアロイ反応を得ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for obtaining refined phosphoric acid from an aqueous phosphoric acid solution containing a plurality of metal ions by easily removing the metal ions from the solution, and to provide a system for reusing recovered refined phosphoric acid by application to a waste aqueous mixed acid solution containing highly concentrated phoshoric acid discharged from a metal etching process.例文帳に追加

複数の金属イオンを含むリン酸水溶液から簡便に金属イオンを除去して精製リン酸を得る方法及び装置の提供、更には、金属エッチング工程で排出される高濃度のリン酸を含む混酸水溶液廃液に応用することにより、回収した精製リン酸を再利用するシステムの提供。 - 特許庁

To provide an electronic device cleaning method and electronic device cleaning system wherein, in a process for stripping and removing residues by etching, the residues floating on performing a foreign matter removing liquid discharge step is prevented from being stuck on the inner wall surface of a treating tank to have no effect on a material to be cleaned and treated in the next batch.例文帳に追加

本発明は、エッチングにより残渣物を剥離除去する工程で異物除去液排出ステップの実行時に浮遊している残渣物の処理槽の内壁面への付着を回避し、次バッチで処理する被洗浄物に影響を及ぼさないようにできる電子装置洗浄方法および電子装置洗浄システムを得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that manufactures a mesa-type semiconductor device in which a channel stopper is prepared at the bottom surface of its groove, which does not require a mask forming process for forming a channel stopper, and which has no need of precise etching techniques when forming the groove.例文帳に追加

溝の底面にチャネルストッパを設けたメサ型の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、チャネルストッパを形成するためのマスク形成工程を必要とせず、かつ、溝を形成する際に精密なエッチング技術を必要としない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition suitable for forming an antihalation film by which an irregularly reflected light from a base substrate can be effectively suppressed in an exposure process of a solid imaging element during forming a color filter or a microlens and which has high heat resistance and in which a rough film surface is not caused during a dry etching thereof.例文帳に追加

固体撮像素子におけるカラーフィルターやマイクロレンズを形成する際の露光工程において、下地基板からの乱反射光を効果的に抑制でき、かつ高度の耐熱性を有し、ドライエッチングでも膜荒れが発生しないハレーション防止膜を形成するのに適した熱硬化性樹脂組成物を得る。 - 特許庁

After forming a conductive layer 12a composed of chromium film or chromium alloy film for a lower electrode on an insulating substrate 11, a resist layer 9 is formed on the conductive layer 12a (fig.(a)), then the conductive layer 12a is patterned by a wet etching process, thereby, the lower electrode 12 is formed (fig.(b)).例文帳に追加

絶縁性基板１１上に下部電極用のクロム膜若しくはクロム合金膜からなる導電性層１２ａを成膜した後、導電性層１２ａ上にレジスト層９を形成し（図１（ａ））、導電性層１２ａをウェットエッチング工程にてパターニングすることで下部電極１２を形成する（図１（ｂ））。 - 特許庁

To lessen dispersion in etched dimensions in a base barrier metal layer by completing with one patterning of a resist into an etching mask when an aluminum alloy wiring layer not less than 3 μm in thickness deposited on the base barrier metal layer is patterned as desired in a semiconductor device manufacturing process.例文帳に追加

半導体装置の製造プロセスにおいて、下地バリアメタル層の上に、３μｍ以上の厚さのアルミニウム合金層が積層された積層配線層を所望のパターンに成形するにあたり、エッチングマスクとなるレジストのパターニングを１回で済ませ、下地バリアメタル層のエッチング寸法のばらつきを小さくすること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for improving operating characteristics and process yield by preventing generation of an etching residue or a damage of a semiconductor substrate and preventing an oxidation of a tungsten layer by a high temperature step such as an ion implantion for forming an LDD region and a source/drain regions.例文帳に追加

食刻残留物が発生するか又は半導体基板が損傷されることを防止し、LDD領域及びソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入工程等の高温工程により前記タングステン層が酸化する現象を防止し、素子の動作特性及び工程収率を向上させる技術を提供する。 - 特許庁

Also, a contact hole 8 is formed in a first interlayer insulating film 4, and the high melting point metal silicide is accumulated on the whole face, and the patterning of the high melting point metal silicide is carried out without operating etching- back, and metallic wirings including the bit lines 12 are formed so that a manufacturing process can be shortened in time.例文帳に追加

また、第１層間絶縁膜４にコンタクト孔８を形成し高融点金属シリサイドを全面に堆積させた後にエッチバックを行うことなく、そのまま高融点金属シリサイドのパタ−ニングを行い、ビット線１０を含む金属配線を形成しているので製造工程を短縮できる。 - 特許庁

A splitting-groove resist-printing step for printing a resist for splitting grooves is provided between a development step and the wet-etching step in the photolithographic process for forming the thin-film resistance-member layer, so that the resist can cover a thin-film upper-electrode layer, resistance-member film-applied portions, and a photoresist, positioned within the splitting grooves.例文帳に追加

薄膜抵抗体層を形成するフォトリソプロセス工程における現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝内に位置する薄膜上面電極層、抵抗体着膜部、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けたものである。 - 特許庁

The N well-ion-implantation is carried out in the region where the oxide film 120 is removed, and a second alignment key 220 is formed in the inside of the region key, which is provided by removing the oxide film 120, by etching using a P well mask, in a process where the N well is formed using a P well-ion-implantation mask.例文帳に追加

前記酸化膜１２０が除去された領域にＮウェルイオン注入を実行し、Ｐウェルイオン注入マスクを利用してＮウェル形成工程時、前記酸化膜１２０除去により既設定された領域キーの内部にＰウェルマスクを利用したシリコンエッチングで第２整列キー２２０を形成する。 - 特許庁

There is provided plasma etching equipment in which a sprayed film is set to be a conductor, by attaching the sprayed film to the front surface of a wall with which plasma is in contact, such as the wall of a processing chamber and mixing a conductor with the material of the sprayed film in plasma processing equipment using a plasma process by use of halogen gas for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの作成に、ハロゲン系のガスによるプラズマプロセスを用いたプラズマ処理装置において、処理室内の壁等のプラズマが接触する壁の表面に溶射膜を付け、この溶射膜の材料に導体を混入することにより、溶射膜を導体としたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 特許庁

A buried layer 34 is formed through a process of applying material of low viscosity on the ferroelectric film 32 formed through an MOCVD method, then the whole surface of the buried layer 34 is subjected to anisotropic etching to remove projection tops on the surface of the ferroelectric film 32, and then the buried layer 34 left on the surface of the ferroelectric film 32 is removed.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤにより形成した強誘電体膜３２上に、低粘度の材料を塗布して埋め込み層３４を形成し、次いで、全面を異方性エッチングして強誘電体膜３２表面の凸部頂上を除去し、次いで、強誘電体膜３２表面に残存する埋め込み層３４を除去する。 - 特許庁

To provide a method of chipping, a semiconductor wafer in which a thin part is formed by plasma etching and it is difficult to apply a dicing method for the chipping, wherein there is a low possibility that a wafer is damaged in handling, it is unnecessary to increase a production process and the number of semiconductor devices to be taken can be increased.例文帳に追加

プラズマエッチングによって肉薄部を形成されてチップ化にダイシング法を適用することが困難な半導体ウェハをチップ化する方法であって、取扱い時にウェハを破損する可能性が低く、製造工程を増やす必要がなく、且つ半導体デバイスの取れ個数をより多くできる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin wafer manufacturing method of simultaneously establishing grinding resistance in reverse-surface grinding of a wafer, high temperature heat resistance for heat applied during the process that followed, chemical resistance during plating or etching, smooth peeling of the processed wafer from a support substrate, and excellent removability of adhesive layer residue on a wafer surface after the peeling.例文帳に追加

ウエハの裏面研削時の耐研削抵抗、その後のプロセス中にかかる熱に対する高温耐熱性、めっき又はエッチング時の耐薬品性、加工後のウエハの、支持基板からのスムースな剥離、剥離後のウエハ表面の接着層残渣の優れた除去性を同時に成立させる、薄化ウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which gives a resist pattern having high sensitivity and high resolution as ≤0.15 μm and having a square cross section in the production of a semiconductor device and to provide a positive photoresist composition showing small dimensional shift when a pattern is transferred to a lower layer in an oxygen plasma etching process of a two-layer resist method.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において高感度且つ0.15μｍ以下の高解像力を有し、矩形形状を有するレジストパターンを与えるポジ型フォトレジスト組成物、２層レジスト法において酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The device and manufacturing method of the device, wherein a first conductive layer contacting a semiconductor area is formed, an insulating layer is formed on the first conductive layer in a coating process, a mask pattern is formed by radiating a laser beam to a part of the insulating layer, etching is performed with the mask pattern as a mask to form a divided first conductive layer.例文帳に追加

本発明は、半導体領域に接する第１の導電層を形成し、第１の導電層上に絶縁層を塗布法により形成し、絶縁層の一部にレーザ光を照射してマスクパターンを形成し、前記マスクパターンをマスクとしてエッチングして、分割された第１の導電層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Before the deposition of the III-V compound semiconductor film 17 with the MBE method, forming the homoepitaxial film 15 on a polished surface 13a of the semiconductor single crystal wafer 13 reduces a dependency of an optical characteristic of the III-V compound semiconductor film 17 on the presence of a chemical etching process on the main surface of the wafer.例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体膜１７をＭＢＥ法で堆積するに先立って、半導体単結晶ウエハ１３の研磨面１３ａ上にホモエピタキシャル膜１５を形成すると、ウエハ主面のケミカルエッチング処理の有無に関するIII−Ｖ化合物半導体膜１７の光学特性の依存性が低減される。 - 特許庁

Then, the resulting single crystal SiC substrate 15 is heat treated under saturated vapor pressure of silicon so as to form a sacrificial growth layer (amorphous SiC layer 15c) comprising amorphous SiC in the part of the carbonized layer 15b and at the same time, to perform thermal etching by sublimating the amorphous SiC layer 15c (second process).例文帳に追加

次に、前記単結晶ＳｉＣ基板１５をシリコンの飽和蒸気圧下で加熱処理することにより、前記炭化層１５ｂの部分にアモルファスＳｉＣからなる犠牲成長層（アモルファスＳｉＣ層１５ｃ）を形成するとともに、このアモルファスＳｉＣ層１５ｃを昇華させて熱エッチングする（第２工程）。 - 特許庁

To provide a new printed circuit board manufacturing method assuring the through-hole forming process of an insulation film of the relevant printed circuit board with higher accuracy and effectiveness for entire area of the printed circuit board without generation of problems such as generation of damage on circuit patterns and elimination of conductive circuits due to the over-etching.例文帳に追加

プリント配線板の全面積にわたって精度良く、かつ効率的に、しかもオーバーエッチングによる回路パターンへのダメージ発生や導体回路の消失といった問題を生じることなしに、当該プリント配線板の絶縁層を貫通加工することが可能な、新規なプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

On a transparent insulating substrate 1, a titanium film as a lower layer 2a, an aluminum film as a middle layer 2b and a nitrogen containing titanium film as an upper layer 2c are laminated by a sputtering process by 30 nm, 100 nm, 50 nm respectively in this order and a gate electrode and gate signal line 2 are formed by a photolithography-dry etching technique.例文帳に追加

透明絶縁性基板１上にスバッタ法を用いて下層２ａにチタニウム膜、中間層２ｂにアルミニウム膜、上層２ｃに窒素を含有したチタニウム膜を順にそれぞれ３０ｎｍ、１００ｍｍ、５０ｎｍ積層し、フォトリソ・ドライエッチ技術を用いて、ゲート電極及びゲート信号線２を形成した。 - 特許庁

To provide an electron emitting electrode having a sharp projection and suitable for a purpose requiring large emission current such as an X-ray generating device by a simple manufacturing method which does not require etching in the separation process from a die, or does not require bonding of a support substrate for reinforcement to the electrode produced or the like.例文帳に追加

鋭利な突起を有し、Ｘ線発生装置などエミッション電流の多い用途に適した電子放出電極を、型からの剥離工程でエッチングを必要としない、作製した電極に補強のための支持基板を接着する必要がない等、簡単な製造方法で提供できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

To improve product yield and quality of a liquid-crystal display panel by, related to a method for manufacturing a liquid-crystal display panel, decreasing the number of processes, especially for exposure process, for improved productivity and lower manufacturing cost while occurrence of transistor defect related to an etching stopper part is suppressed.例文帳に追加

本発明の液晶ディスプレイパネルの製造方法は、第１に、工程数、特に露光工程数を低減することにより、生産性を向上させ、以て製造コストを下げることにあり、第２に、エッチングストッパー部に関連するトランジスタ不良の発生を抑え、液晶ディスプレイパネルの製品歩留り及び品質の向上を図ることにある。 - 特許庁

To provide a polymer compound suitable as a base resin for a positive resist material, especially for a chemically amplified positive resist material, having a high sensitivity, a high degree of resolution, a good pattern configuration after exposure, and in addition an excellent etching resistance; a positive resist material using the polymer compound; and a patterning process.例文帳に追加

高感度および高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

As a result, by introducing the conductive impurities of the second conductivity types into the part which is positioned between the two capacitor electrodes 11 and constituted of the same layer as the capacitor electrodes 11, the two capacitor electrodes 11 can be electrically isolated from each other without performing a process like etching.例文帳に追加

このようにすれば、２つのキャパシタ電極１１の間に位置し、このキャパシタ電極１１と同一レイヤからなる部分に第２導電型の導電性不純物を導入することにより、エッチングなどの工程を行うことなく２つのキャパシタ電極１１を電気的に分離することが可能になる。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin laminate having high resolution, capable of diminishing defects in a resist pattern and failures such as chipping, breaking and short circuit in a circuit formed in an etching or plating step and less liable to generate residue on removal in a resist pattern removing step particularly after electroplating by a semi-additive process.例文帳に追加

高解像性を有し、レジストパターンの欠陥や、エッチング工程またはめっき工程において形成される回路の欠けや断線、ショートなどの欠陥を低減することができ、特にセミアディティブ工法の電解めっき後のレジストパターン剥離工程における剥離残が発生しにくい感光性樹脂積層体を提供すること。 - 特許庁

To provide a polymer compound, having a high sensitivity, a high degree of resolution, a good pattern configuration after exposure, and in addition an excellent etching resistance, suitable as a base resin for a positive resist material, especially for a chemically amplified positive resist material; a positive resist material using the polymer compound; and a patterning process.例文帳に追加

高感度および高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In a process of manufacturing the diffraction optical element through full plate exposure and dry etching by means of an exposure device, an exposure wavelength used upon the patterning of the diffraction optical element is approximately equal to the wavelength used upon the usage of the finished diffraction optical element.例文帳に追加

回折光学素子を露光装置による一括露光とドライエッチングにより作製するプロセスにおいて、回折光学素子にパターンニングを行う際に使用される露光波長と、出来上がった回折光学素子を使用する際に用いられる波長とが、ほぼ同一であることを特徴とする回折光学素子の作製方法である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing overlap of a doped region by cell channel ion implantation with a junction region by source/drain ion implantation and damage of a substrate in isotropic etching for formation of a valve pattern of a valve-shaped recess, improving refreshing characteristics of the element, and stabilizing a process.例文帳に追加

セルチャネルイオン注入によるドーピング領域とソース／ドレインイオン注入による接合領域とのオーバーラップ、及び、バルブ型リセスのバルブパターン形成のための等方性エチング時の基板の損傷を防止し、素子のリフレッシュ特性の改善及び工程の安定化が可能な半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method is provided with a process of introducing gas containing fluorinated silicon-based gas whose F/Si ratio is larger than 0 and smaller than 4 to a vacuum container with gas containing HBr, gas containing O_2 and gas containing NF_3 and/or SF_6 for etching a single crystal silicon film 1 with an insulation film 8 of a prescribed pattern as a mask.例文帳に追加

真空容器中に、ＨＢｒを含有するガス、Ｏ_２を含有するガス、ＮＦ３及び／又はＳＦ_６を含有するガスとともに、Ｆ／Ｓｉ比が０を超えて４未満であるフッ化シリコン系ガスを含有するガスを導入し、所定パターンの絶縁膜８をマスクとして、単結晶シリコン膜１をエッチングする工程を備える。 - 特許庁

To provide an exfoliating liquid for a multistage treatment, with which an exfoliating treatment of etching residual substances formed in a wiring structure forming process of a display panel of a semiconductor multilayered wiring structure, a liquid crystal panel, or the like, is safely carried out without lowering the exfoliating performance in comparison with a conventional exfoliating liquid.例文帳に追加

半導体多層配線構造や液晶パネルなどの表示パネルの配線構造形成工程において形成されるエッチング残渣物を安全に、かつ従来の剥離液に比べて剥離性能を低下させることなく剥離処理を行うことのできる多段階処理用剥離液およびこれを用いた剥離方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask material for dry etching, which is suitable for fine patterning of thin magnetic films of about several nanometers such as NiFe and CoFe composing a TMR film, and furthermore, which can simplify a manufacturing process of a TMR element and reduce a manufacturing cost concerned with facilities and materials例文帳に追加

ＴＭＲ膜を構成するＮｉＦｅやＣｏＦｅのように数ｎｍ程度の薄い磁性膜の微細加工に適したドライエッチング用のマスク材、更に、このようなマスク材であって、なおかつ、ＴＭＲ素子の生産工程の簡略化、設備、材料に関わる製造コストの低減を図ることのできるドライエッチング用のマスク材を提供する。 - 特許庁

An element isolation oxide film 103 is formed on the surface of a semiconductor substrate 101, a silicon nitride film 104 is formed on the surface of the element isolation oxide film, an oxide film 108 is formed on the surface of the semiconductor substrate 101, and a process for etching the oxide film is included for forming an element.例文帳に追加

半導体基板１０１の表面に素子分離酸化膜１０３を形成し、かつ素子分離酸化膜の表面上にシリコン窒化膜１０４を形成した上で、半導体基板１０１の表面上に酸化膜１０８を形成し、かつ当該酸化膜をエッチングする工程を含んで素子を形成する。 - 特許庁

For the method of manufacturing the semiconductor element, more specifically, a technique is disclosed in which a reflection preventing film containing silicon is formed, and then, coating of a hard mask layer and an etching processes are executed only once by performing an O_2 plasma process to simplify processes, thereby reducing time and cost.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、より詳しくはシリコンが含まれた反射防止膜を形成した後、Ｏ_２プラズマ工程を行なうことによりハードマスク層のコーティング及び食刻工程は１回のみ行なうようにして工程を単純化させ、時間及び費用を低減させる技術を示す。 - 特許庁

To provide a resist material, of a chemically amplified type in particular, for use in lithography with a high-energy light source in particular, having a practically sufficient level of etching resistance, excellent in adhesion to a substrate and in affinity with the developing solution, much higher than conventional materials in sensitivity and in resolution performance, and swelling less during the developing process.例文帳に追加

特に高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、実用レベルのエッチング耐性を有し、基板密着性及び現像液親和性に優れ、従来品を大きく上回る感度と解像性を有し、加えて現像時の膨潤の小さいレジスト材料、特に化学増幅型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

A pair of first base marks 405 to position the semiconductor laser element 410 is formed in a symmetrical position against optical axes on both sides of the region where the semiconductor laser element 410 at the base 400 is mounted, by an identical etching process by using an identical photomask as the base concave shaped ditch 401.例文帳に追加

半導体レーザ素子４１０を位置決めするための一対の第１のベースマーク４０５がベース４００における半導体レーザ素子４１０が搭載される領域の両側における光軸に対して対称の位置に、ベース凹状溝４０１と同一のフォトマスクを用いて同一のエッチング工程により形成されている。 - 特許庁

When an n^+-GaN layer 6 is selectively etched with respect to an n^+-AlGaN layer 5 in the manufacturing process of the GaN semiconductor device, dry etching is performed with gas plasma whose concentration of gas including Cl atom is set to be 60 to 90% by using gas including the Cl atom and gas including a F atom.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体デバイスの製造工程において、ｎ^+ −ＧａＮ層６をｎ^+ −ＡｌＧａＮ層５に対して選択的にエッチングを行う際に、Ｃｌ原子を含むガスとＦ原子を含むガスを用い、そのＣｌ原子を含むガスの濃度を６０〜９０％としたガスプラズマにてドライエッチングを行う。 - 特許庁

To obtain an inorganic particle-containing resin composition capable of forming an inorganic particle-containing resin layer having excellent flexibility and transferability, causing neither deformation nor peeling in pattern of sintered compact formed through an etching process and baking process, a transfer film having the inorganic particle-containing resin layer and to provide a method for producing a PDP capable of forming a pattern having a high dimensional accuracy, having excellent workability.例文帳に追加

可撓性、転写性に優れ、エッチング工程および焼成工程を経て形成される焼結体のパターンに変形やはがれを生じさせることのない無機粒子含有樹脂層を形成することのできる無機粒子含有樹脂組成物、当該無機粒子含有樹脂層を有する転写フィルムを提供すること、および寸法精度が高いパターンを形成でき、作業性に優れたＰＤＰの製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of times of engraving can be conducted to the same resin by a photolithographic method by using a positive type photosensitive polyimide resin material to an insulating layer 21, mask formation by a resist in a solder ball forming process and a rear etching process in the manufacture can be omitted, processes can be simplified, and a material used can be decreased, and manufacturing cost can be reduced.例文帳に追加

絶縁層２１にポジ型の感光性ポリイミド樹脂材料を使用することで、フォトリソグラフィー法によって同一の樹脂に対して複数回の製版を行うことが可能であり、従来の製造方法における半田ボール形成工程、裏面エッチング工程時のレジストによるマスク形成を省略することができるので、工程を簡略化でき、かつ使用する材料を減らすことができるので、製造コストの大幅な低減を図ることができる。 - 特許庁

The second thin film 13 is anisotropically etched through the etching masks 15b for the formation of fine patterns 13a, and after a selective oxidation process is carried out using the fine patterns 13a as an oxidation mask, the fine patterns 13a are selectively removed, the first thin film 12a is eliminated, and then a quantum fine wire 17 is epitaxially grown on a part where the semiconductor substrate 11 is exposed.例文帳に追加

エッチングマスク１５bを介して第２薄膜１３を異方性エッチングすることにより形成された微細パターン１３aを酸化用マスクとして選択酸化した後、微細パターン１３aを選択的に除去すると共に、第１薄膜１２aを除去して、半導体基板１１が露出した部分に量子細線１７をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

According to the structure, reaction products resulting from etching in storage element fabrication process are prevented from adhering to the side wall to cause short circuit and leakage current.例文帳に追加

基板上に第２の絶縁膜を形成・加工して開口部を形成し、開口部内に下部電極及び強誘電体膜を形成し、強誘電体膜上に上部電極を形成する製造方法としたので、容量素子の面積を増大させることなく、平坦でエッチングダメージのない強誘電体を用いた半導体記憶素子が容易に形成できる。 - 特許庁