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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > face mに関連した英語例文

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face mの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 529



例文

The reflection face M can be freely and easily varied from a concave face, a flat face, to a convex face.例文帳に追加

反射面Mは凹面から平面、凸面へと自在に容易に変更される。 - 特許庁

Fig.2a and 2b show that the M-face has less roughness than the A-face.例文帳に追加

図2a、bのように、A面よりもM面の方が荒れが少ないことが分かる。 - 特許庁

Radius of curvature of an outer face of a face panel is not less than 10 m.例文帳に追加

フェースパネル1の外面の曲率半径は10m以上である。 - 特許庁

The substrate M has a pattern face Ma where a pattern is formed.例文帳に追加

パターンが形成されたパターン面Maを有する。 - 特許庁

例文

Fig.2c and 2d show that the roughness on the A-face and M-face are eliminated, and especially, the M-face has a mirror surface.例文帳に追加

図2c、dのように、A面、M面ともに荒れが解消されていて、特にM面は鏡面状になっている。 - 特許庁


例文

The face authenticating apparatus obtains a facial image of a pedestrian M before the pedestrian M approaches a camera.例文帳に追加

顔認証装置は、歩行者Mがカメラに近付くまでに歩行者Mの顔画像を取得する。 - 特許庁

Then, the gear teeth in the side face of the projected part 871 of the tray 87b is meshed with the gear G of the motor M.例文帳に追加

このときトレイ87bの突出部871側面のギア歯とモータMのギアGとが歯合する。 - 特許庁

In the outside first DBR film 13 having a part which does not face the SiO_2 film 10, at least one layer contains Al_nO_m (n, m: integer).例文帳に追加

SiO_2膜10に対向しない部分を有する外側第1DBR膜13は、少なくとも一層がAl_nO_m(n,m:整数)を含んでいる。 - 特許庁

The upper wall 10 includes an upper face support 12 covering the upper face peripheral edge of the metal plate M, a lower face support covering the lower face of the metal plate M, and a side face support covering the side faces of the metal plate M and connecting the upper face support 12 to the lower face support.例文帳に追加

上壁10は金属板Mの上面周縁部分を覆う上面支持部12と、金属板Mの下面を覆う下面支持部と、金属板Mの側面を覆うとともに上面支持部12と下面支持部とを接続する側面支持部とを備える。 - 特許庁

例文

A part B_m of a line of magnetic force coming out from a lower face (N pole) of a segment magnet m_E descends to the peripheral plasma region PS_B just below, makes the U-turn upward, and reaches a lower face (S pole) of a segment magnet m_O adjacent to the circumference direction.例文帳に追加

また、セグメント磁石m_Eの下面(N極)から出た磁力線の一部B_mは、直下の周辺プラズマ領域PS_Bに降りてから上方へUターンして円周方向隣のセグメント磁石m_Oの下面(S極)に達する。 - 特許庁

例文

A part B_M of a line of magnetic force coming out from the lower face (N pole) of a segment magnet M_O descends to a peripheral plasma region PS_B just below, makes a U-turn upward, and reaches the lower face (S pole) of a segment magnet M_E adjacent to a circumference direction.例文帳に追加

セグメント磁石M_Oの下面(N極)から出た磁力線の一部B_Mは、直下の周辺プラズマ領域PS_Bに降りてから上方へUターンして円周方向隣のセグメント磁石M_Eの下面(S極)に達する。 - 特許庁

A side 13c of the mesa section 13a is an m face, and a side 15b of the Schottky electrode 15 is formed along the m face.例文帳に追加

メサ部13aの側面13cはm面であり、ショットキー電極15の側面15bは、m面に沿うように形成されている。 - 特許庁

An alignment layer comprises a base layer having a main face with a plurality of grooves M formed in parallel, and a coating film for coating the main face formed the grooves M.例文帳に追加

配向層は、複数本の溝Mが平行に形成された主面を有する基層と、溝Mの形成された主面を被覆する被膜とからなる。 - 特許庁

Then, the end pieces M are inserted between clipping pieces 48 of a fourth piece object 18 from the front face 10A toward the rear face 10B.例文帳に追加

つぎに、モダンMを、表面10Aから裏面10Bに向けて第4片体18の挟持片48の間に挿通させる。 - 特許庁

Next, the end pieces M are inserted between clipping pieces 44 of a second piece object 16 from the rear face 10B toward the front face 10A.例文帳に追加

つぎに、モダンMを、裏面10Bから表面10Aに向けて第3片体16の挟持片44の間に挿通させる。 - 特許庁

A GaN substrate 1 has a main face other than a c-plane (e.g., m-plane).例文帳に追加

GaN基板1は、c面以外の主面(たとえばm面)を持つ。 - 特許庁

The upper ends of work support parts 9a constitute a work mounting face M.例文帳に追加

ワーク支持部9aの上端がワーク載置面Mを構成している。 - 特許庁

Preferably, the food material (M) in a state of being put on a supporting face (2e) is arranged in the vacuum container (4), and the first layer (50) soaked in the liquid oil (L) and the second layer (52) not soaked in the liquid oil (L) are formed in the food material (M).例文帳に追加

好ましくは、食品素材(M)を、支持面(2e)の上に置いた状態で真空容器(4)の中に配置し、食品素材(M)において、液状の油(L)に浸された第1の層(50)と、液状の油(L)に浸されていない第2の層(52)を形成する。 - 特許庁

This method for manufacturing a thin strip-like cast slab of austenitic stainless steel is characterized in that a mold wall face pressing force P is brought to more than 1.0 t/m and less than 2.5 t/m, preferably more than 1.1 t/m and less than 1.6 t/m.例文帳に追加

鋳型壁面の押し付け力Pを1.0t/m超かつ2.5t/m未満、好ましくは1.1t/m超かつ1.6t/m以下とすることを特徴とするオーステナイト系ステンレス鋼薄帯状鋳片の製造方法。 - 特許庁

The array is composed of n sheets of substrates (n substrates), which are laminated with each other with a pitch Pv in the y-direction, and n×m pieces of optical fibers (n×m optical fibers) the end face of which is arrayed in the n×m (m, n >2) matrix in the xy plane.例文帳に追加

y方向にピッチPvで互いに積層されたn枚の基板と、それぞれの端面がxy面内にn×m(m、n>2)のマトリクス状に配列されたn×m本の光ファイバとを有する。 - 特許庁

Provided that the face progression b2 of these m clubs is defined as b2(1), b2(2), ... b2(m) following the ascending order of the loft angle of the golf club of the smallest value, this set 2 satisfies the relationships of: b2(1)≥b2(2)≥...b2(m), and b2(1)>b2(m).例文帳に追加

これらm本のクラブのフェースプログレッションb2が、ロフト角の小さいクラブから順にb2(1)、b2(2)、・・・、b2(m)とされたとき、このセット2は、 b2(1)≧b2(2)≧・・・≧b2(m)且つb2(1)>b2(m) を満たしている。 - 特許庁

Then a solvent contained in the coating M boils and on account of an increase in the volume of the coating M and the breaking of bubbles during boiling, the coating M is applied to the wall face of the cavity 17 to form a coating film layer on the wall face of the cavity 17.例文帳に追加

すると、塗料Mの溶剤が沸騰し、沸騰時の塗料Mの体積増加及び破泡によりキャビティ17の壁面に塗料Mが塗布されて塗膜層がキャビティ17の壁面に形成される。 - 特許庁

The substrate 2 consists of GaN single crystal, and a main face 2b of the substrate 2 is configured with an m-face which is a nonpolar face.例文帳に追加

基板2は、GaN単結晶からなり、基板2の主面2bは、無極性面であるm面で構成されている。 - 特許庁

In the vertical winding coil-manufacturing apparatus, a flat type wire M is wound so that wide surfaces F and F of the wire M face each other to form a coil.例文帳に追加

平角状の線材Mを該線材Mの広面F,F同士が対向するように巻き付けてコイル状とする縦巻コイル製造装置である。 - 特許庁

At the time of demolding of a mold disc 2a and a workpiece M, a defect such as a protuberance of the top face center section of the workpiece M does not arise.例文帳に追加

型円板2aと素材Mとの離型時に、素材Mの上面中央部の隆起などの不具合が生じない。 - 特許庁

In this instance, the power E4 per unit area of a joining face, in a work used for press fitting, is secured at or above 1.0×10^7 W/m^2.例文帳に追加

この時、圧入に使用される仕事の、接合面の単位面積当りの仕事率 E4 を、1.0×10^7 W /m^2 以上に確保する。 - 特許庁

Subsequently, in a second process, after the raw material body part M is reversed, a first flat blade face 3 and a second inclined blade face 6 of the first blade part A are formed on a second face side of the portion half the thickness of the raw material body part M.例文帳に追加

次いで第2の工程で前記素材本体部Mを反転させた後に、前記素材本体部Mの厚さの半分の箇所の第2面側に対して、第1刃部Aの第1平坦刃面3と第2傾斜刃面6とを形成すること。 - 特許庁

Air pressure is applied to a pressurizing chamber 25 equipped on a back face of a reflection face M of the curvature varying mirror 3, so that the curvature of the reflection face M can be freely varied and adjusted.例文帳に追加

曲率可変ミラー3の反射面Mの背面に備えた加圧室25に気体圧を加えることにより、反射面Mの曲率を自在に変更調整可能とする。 - 特許庁

The base board 1 supports an article M at a definite position, and has a mounting face 4 on the top face of which the article M is mounted, a rising part 5 folded upward and supported by a lower face of an external box 3, and a falling part 6 consisting of a vertical face forming part 7 and a horizontal face forming part 8.例文帳に追加

ベースボード1は、物品Mを定位置に支えるものであり、上面に物品Mを搭載する搭載面4と、上向きに折曲して外箱3の下面に支えられる立上り部分5と、直面形成部分7と、水平面形成部分8とからなる立下がり部分6とを有している。 - 特許庁

A III nitride semiconductor layer 2 is formed on an AlN substrate 1 having m face as a major surface.例文帳に追加

m面を主面としたAlN基板1上に、III族窒化物半導体層2が形成されている。 - 特許庁

To produce a group III nitride compound semiconductor having the major face forming a minute off-angle with the m-plane.例文帳に追加

主面がm面とわずかなオフ角を有するIII族窒化物系化合物半導体の製造。 - 特許庁

In this state, at least one face of the magnesium strip M is faced by the cutting tools 23, 24.例文帳に追加

この状態で、マグネシウム帯板Mの少なくとも一面がバイト23,24により面削される。 - 特許庁

Furthermore, a groove 10 is formed in the outer side face of the tube 2 on the leeward side of the center M in the ventilating direction.例文帳に追加

また、チューブ2外側面の中央Mより通風方向A風下側に溝10を形成する。 - 特許庁

A bed 1 provided with a bedding receiving frame 4 having a bedding mounting face m for mounting bedding.例文帳に追加

寝具を載置する寝具載置面mを有する寝具受け枠4を具えたベッド1である。 - 特許庁

During grinding, the grinding jig 4 keeps pressing the face 1a at a prescribed pressure (4 to 5 t/m^2).例文帳に追加

研磨中では研磨治具4はフェース面1aを所定の圧力(4〜5t/m^2)で押し続ける。 - 特許庁

The molding face 2 including the bumps 3 is made of a polymer resin having ≤0.01 m^2/h coefficient of thermal diffusion.例文帳に追加

バンプ3を含む成形面2は、熱拡散係数が0.01m^2 /h以下の高分子樹脂で形成する。 - 特許庁

A side wall 12a is formed by an m face in the GaN epitaxially-grown layer 12.例文帳に追加

GaNエピタキシャル成長層12では、m面により側壁12aが形成されている。 - 特許庁

Then, the gangplank M is lowered with respect to the ground face G, without deepening the pit.例文帳に追加

従って、ピットの深さを深くすることなく、道板Mを地上面Gに対して低くすることができる。 - 特許庁

The excavation muck generated by blasting a working face is conveyed using a belt conveyor apparatus M.例文帳に追加

切羽の発破作業によって生じた掘削ずりを、ベルトコンベア装置Mを用いて搬送する。 - 特許庁

The tilt angle of the side face 16a of the opening 16 is closer to that of the (c) plane than to those of the (m) plane and (a) plane.例文帳に追加

開口16の側面16aの傾斜角は、m面やa面よりもc面に近い。 - 特許庁

The direction is specifically a -c axis direction, an m axis direction or a normal direction of a semipolar face.例文帳に追加

具体的には、−c軸方向、m軸方向、または、半極性面の法線方向である。 - 特許庁

When the copying machine M is placed on the mount face 18, the support bases D are engaged with positioning holes (a).例文帳に追加

複写機Mを載置面18上に載置する際、支持台Dを位置決め穴aに係合させる。 - 特許庁

Further, the Mo target material has the area of the sputtering face of ≥1 m^2.例文帳に追加

また、スパッタ面の面積が1m^2以上である上記のMoターゲット材である。 - 特許庁

The face material is preferably formed of a moisture permeable material with a moisture permeation resistance of 1-6 m^2h mmHg/g.例文帳に追加

好適には面材は透湿抵抗が1〜6m^2h・mmHg/gである通湿性材料からなる。 - 特許庁

A pole face of the permanent magnet 31 has a normal perpendicular to the axis of rotation M and has a circular shape.例文帳に追加

永久磁石31の磁極面は回転軸Mに垂直な法線を有しており、円形を呈する。 - 特許庁

The maximum repulsion point M of the head 1 is disposed above the center C of the ball hitting face.例文帳に追加

ヘッド1の最高反発点Mは、打球面中心Cよりも上側に位置している。 - 特許庁

Thus, a GaN film having the major face as a flat surface forming the minute off-angle with the m-plane can be formed.例文帳に追加

こうして、主面が、m面とわずかなオフ角を成す平坦な面であるGaN膜が形成できた。 - 特許庁

The mask stage 1 includes a mask holder 16 that adherently holds the mask M, and the mask holder 16 has a recessed part 16c on the adhering face with the mask M, at a position corresponding to an edge of the mask M.例文帳に追加

また、マスクステージ1がマスクMを密着保持するマスクホルダ16を有すると共に、このマスクホルダ16がマスクMに対する密着面であってマスクMのエッジ部に対応する位置に凹部16cを有している。 - 特許庁

This thick plate rolling line is constituted so that the rear face of a material M to be rolled can be inspected visually by using a mirror 6 from an inspection room 3b on the underside of the material M and also the mirror 6 is made movable in the conveying direction of the material M.例文帳に追加

被圧延材Mの下側の検査室3bからは、鏡6を使って目視により被圧延材Mの裏面を検査できるように構成するとともに、鏡6は、被圧延材Mの搬送方向に移動可能とする。 - 特許庁

例文

The respective reflected lights get incident separately into the CCD 122, and m-degree of the reverse face reflected light get incident between an incident position of m-degree of the surface reflected light and an incident position of (m+1) degree of the surface reflected light.例文帳に追加

一次元CCD122上には、各反射光が分離して入射するとともに、m次の表面反射光の入射位置と(m+1)次の表面反射光の入射位置との間にm次の裏面反射光が入射する。 - 特許庁

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