「gate source」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

Drain and source of a 2nd transistor Q12 are connected to the output terminal OUT and the gate of the 1st transistor Q11, respectively.例文帳に追加

第２のトランジスタＱ１２は、出力端子ＯＵＴと第１のトランジスタＱ１１のゲートに各々ドレインとソースが接続されている。 - 特許庁

A floating gate electrode 6 is arranged on the tunnel insulating film 5 in such a manner that it does not overlap the source 2 nor the drain 3.例文帳に追加

トンネル絶縁膜５の上に、フローティングゲート電極６が、ソース２及びドレイン３のいずれにも重ならないように配置されている。 - 特許庁

A gate is formed proximately to an upper surface of the semiconductor layer and at least partially between the source and drain regions.例文帳に追加

半導体層の上部表面の近傍に、かつ少なくとも部分的にソース領域とドレイン領域の間にゲートが形成される。 - 特許庁

Then a p-type impurity region is formed by implanting ions into a source cell SC1, by using the gate electrodes 142a-142c as masks.例文帳に追加

その後、それらゲート電極をマスクとしてソースセルＳＣ１に対してイオン注入を行って、Ｐ型の不純物領域を形成する。 - 特許庁

The shield electrode 31 is formed in the same layer as that of a gate bus line 15 and is formed in the same layer as that of the source bus line 18.例文帳に追加

シールド電極３１は、ゲートバスライン１５と同層に形成したり、ソースバスライン１８と同層に形成したりすることができる。 - 特許庁

To enable constituting a gate region getting into underside of a source region, without subjecting the region high-energy ion implantation.例文帳に追加

高エネルギーのイオン注入を行わなくても、ソース領域の下方までゲート領域が入り込んだ構造を形成できるようにする。 - 特許庁

The transistor comprises an n-source 310 and an n-drain 312 with shallow regions 311 and 313, respectively, extending as far as the gate.例文帳に追加

このトランジスタは、ｎ−ソース３１０およびｎ−ドレイン３１２を有し、これらは各々、ゲートまで伸びる浅い領域３１１，３１３を含む。 - 特許庁

The source electrode 15S and the drain electrode 15D are disposed, whose edges are detached from interelement separation regions 12 and sidewalls 14 of a gate.例文帳に追加

素子間分離領域１２及びゲートのサイド・ウォール１４からエッジが離隔したソース電極１５Ｓ及びドレイン電極１５Ｄを備える。 - 特許庁

The MOS transistor is formed on the surface part of a semiconductor substrate (50) and is provided with a gate (10), a source region (13) and a drain region (14).例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタは、半導体基板（５０）の表面部に形成され、ゲート（１０）、ソース領域（１３）、ドレイン領域（１４）を有する。 - 特許庁

By the cascade connection, feedback capacitance between a source and a gate of the P channel MOSFET 4 is reduced to perform stable operations.例文帳に追加

カスコード接続することでＰチャネルＭＯＳＦＥＴ４のソース、ゲート間の帰還容量を小さくし、安定に動作させることができる。 - 特許庁

A transistor-type protection device includes: a semiconductor substrate 1; a P well 2; a gate electrode 4; a source region 5; a drain region 6; and a resistive breakdown region 8.例文帳に追加

半導体基板１、Ｐウェル２、ゲート電極４、ソース領域５、ドレイン領域６および抵抗性降伏領域８を有する。 - 特許庁

V12 and negative phase voltage V11 are also applied to the gate of MOS transistor M15 with potential B being applied to the source thereof.例文帳に追加

また、ＭＯＳトランジスタＭ１５のゲートにはＶ１２と逆相の電圧Ｖ１１が印加されると共にソースには電位Ｂが印加されている。 - 特許庁

To provide a high withstand voltage MOS transistor, having a high gate withstand voltage, a high source/drain withstand voltage, and a low ON resistance.例文帳に追加

高いゲート耐圧、高いソース・ドレイン耐圧を有するとともに、低いオン抵抗を有した高耐圧ＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a power MOSFET structure, in which by widening the surface between the gate and the source, the channel width is increased in which the current flows.例文帳に追加

ゲートとソース間の接触面を広めて電流の流れるチャネル幅を増大させたパワーＭＯＳＦＥＴ構造を提供すること。 - 特許庁

This can prevent a potential difference exceeding a gate-source withstand voltage of the first PchMOSFET 4.例文帳に追加

これにより、第１ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４のゲート−ソース間の耐圧を超える電位差が発生することを防止することが可能となる。 - 特許庁

A reinforcing material is connected to the lead frame, electrically insulated therefrom, and helps to maintain the source and gate pad positions of the lead frame.例文帳に追加

補強材は、リードフレームに結合され、そこから電気的に絶縁されて、リードフレームのソースおよびゲート・パッドの位置を維持する助けをする。 - 特許庁

At least one of the source, drain, and gate electrodes is provided with an aluminum alloy layer 131 having titanium layers 132 and 133 on both surfaces of the aluminum alloy layer 131.例文帳に追加

これにより、熱処理工程が行われてもソース電極とドレイン電極間の正常的なチャンネル形成が確保される。 - 特許庁

A MOS transistor 101 generates a gate voltage VG corresponding to a reference current Iref from a reference current source REF100.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１０１は、基準電流源ＲＥＦ１００からの基準電流Ｉｒｅｆに応じたゲート電圧ＶＧを生成する。 - 特許庁

A first terminal T1 is connected to a drain (or a source) of a MOS-FET (Q11) whose back gate is separated through a capacitor C11.例文帳に追加

第１の端子Ｔ1が、コンデンサＣ11を通じて、バックゲートが分離されたＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｑ11）のドレイン（あるいはソース）に接続される。 - 特許庁

Thus, the gate and source of the switching transistors Tr1 and Tr2 in a deactivation state become reverse bias and they are surely cut off.例文帳に追加

これにより、非動作状態にあるスイッチングトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のゲート・ソース間が逆バイアスとなり、これらが確実にカットオフされる。 - 特許庁

Furthermore, if this method is applied after a gate electrode is formed, an LDD region and a source/drain extended region are formed in a self-aligned manner.例文帳に追加

さらに、ゲート電極形成後に適用すれば自己整列的にＬＤＤ領域及びソース／ドレイン拡張領域を形成できる。 - 特許庁

A source driver 5 and a gate driver 6 are thereby driven at every other frame, so as to reduce the electric power consumption.例文帳に追加

これにより、ソースドライバ５およびゲートドライバ６を１フレームおきに駆動することができるので、消費電力を低減することができる。 - 特許庁

The FET 40 includes source-drain regions 42, SD extension regions 43, a gate electrode 44, and sidewalls 46.例文帳に追加

ＦＥＴ４０は、ソース・ドレイン領域４２、ＳＤ ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ領域４３、ゲート電極４４およびサイドウォール４６を含んでいる。 - 特許庁

The light shielding plate 33 is provided with a slit 33A which shields the luminous flux passing through the end 37A on the side of the gate among luminous fluxes emitted from the light source.例文帳に追加

遮光板３３は、光源からの光束のうちゲート側端部３７Ａを通る光束を遮るスリット３３Ａを設けた。 - 特許庁

A protective diode 11 is connected across the gate electrode interconnection of the transistor 5 and the source of the transistor 5.例文帳に追加

横形ＤＭＯＳトランジスタ５のゲート電極配線と横形ＤＭＯＳトランジスタ５のソースとの間に保護ダイオード１１が接続されている。 - 特許庁

An input node 118, connected to one of the electrode layers 57, is connected with drain or source of the reference transistor 106 to a gate of the amplification transistor 108.例文帳に追加

一つの電極層57に接続する入力ノード118は、基準トランジスタ106のドレインまたはソースと、増幅トランジスタ108のゲートに接続される。 - 特許庁

Each spacer abuts against at least one end part of a gate layer line and a source layer line on the thin-film transistor array substrate.例文帳に追加

該スペーサは、薄膜トランジスタアレイ基板上の少なくともゲート層線とソース層線との内の一つの縁部に対して当接している。 - 特許庁

An upper part of a gate electrode 106 and first and second source/drain regions 119A, 119B is an amorphous silicon layer 110.例文帳に追加

ゲート電極１０６及び第１，第２のソース／ドレイン領域１１９Ａ，１１９Ｂの上部が非晶質化シリコン層１１０となっている。 - 特許庁

As a result, it is possible to supply the gate-source voltage of the MOSFET2 proportional to its drain current, that increases with time after it is turned on.例文帳に追加

これによりMOSFET２がONしてから時間とともに増加するMOSFET２のドレイン電流に比例したMOSFET２のゲート・ソース間電圧が供給できる。 - 特許庁

A source electrode 17 and a Schottky gate electrode 19 are provided on the main surface 15a of the gallium nitride semiconductor region 15.例文帳に追加

ソース電極１７およびショットキゲート電極１９は、窒化ガリウム系半導体領域１５の主面１５ａ上に設けられている。 - 特許庁

A source electrode (3), a drain electrode (4), and a gate electrode (5) are formed on one main surface of the main semiconductor area (1).例文帳に追加

主半導体領域（１）の一方の主面上にソース電極（３）及びドレイン電極（４）及びゲート電極（５）が形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 43 is provided between the source electrode 41 and the drain electrode 42 above the second semiconductor layer 34.例文帳に追加

ゲート電極４３は、ソース電極４１とドレイン電極４２との間であって第２の半導体層３４の上方に設けられている。 - 特許庁

Then, ion is implanted for source/drain formation, with the insulating layer 16 left on the emitter electrode 17 and the gate electrode 18.例文帳に追加

次に、エミッタ電極１７とゲート電極１８の上に絶縁膜１６を残存させたままソース、ドレイン形成用のイオン注入を行う。 - 特許庁

A first polycrystalline cobalt silicide film 10a is selectively left on a gate electrode 4 and a high concentration source drain region 7.例文帳に追加

ゲート電極４及び高濃度ソース・ドレイン領域７上に多結晶体の第１のコバルトシリサイド膜１０ａを選択的に残置させる。 - 特許庁

Then, in the circuit section with a high breakdown voltage AR1, a source/drain active layer can be formed at a remote position from a gate electrode.例文帳に追加

すると、高耐圧回路部ＡＲ１において、ソース／ドレイン活性層をゲート電極からより遠い位置に形成することができる。 - 特許庁

An insulating layer 45 and a pixel electrode 12 are formed on the source signal wirings 17 and the conductive layer 41 for repairing gate disconnection.例文帳に追加

ソース信号配線１７、ゲート断線修復用導電層４１の上には絶縁層４５と画素電極１２が形成されている。 - 特許庁

After first sidewalls 7 are formed at side surfaces of the gate electrode 4, a source-drain region 8 is formed by using these first sidewalls 7 as masks.例文帳に追加

ゲート電極４の側面に第１のサイドウォール７が形成された後、これらをマスクとしてソース・ドレイン領域８が形成される。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes a plurality of JFETs 10 each having a source region 15, a drain region 17 and a gate region 16.例文帳に追加

半導体装置１は、ソース領域１５と、ドレイン領域１７と、ゲート領域１６とを有するＪＦＥＴ１０を複数個備えている。 - 特許庁

Local wiring 151 conducting the gate electrode 120b of the first inverter 20 and the source drain dispersion layer of the second inverter 22 is provided.例文帳に追加

第１インバータ２０のゲート電極１２０ｂと、第２インバータ２２のソースドレイン拡散層とを導通させる局部配線１５１を備える。 - 特許庁

Furthermore, the shield layer and the source/drain layer are simultaneously formed, thereby decreasing light leakage between lead wires connected to the gate layer.例文帳に追加

また、遮蔽層及びソース/ドレイン層は同時に形成され、これにより、ゲート層に接続されたリード線間の光漏れは減少する。 - 特許庁

A channel layer 15 made of an organic semiconductor material is formed on the gate insulation film 9 in a state that the source/drain electrode 11 is covered.例文帳に追加

ソース／ドレイン電極１１を覆う状態でゲート絶縁膜９上に有機半導体材料からなるチャネル層１５を形成する。 - 特許庁

Source/drain diffusion layers S, D are formed within the supporting board so as to sandwich a channel region under the first part of the gate electrode.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層Ｓ、Ｄは、ゲート電極の第１部分の下方のチャネル領域を挟むように支持基板内に形成される。 - 特許庁

A source region 55 and a drain region 56 of the polycrystal silicon film 52A are formed adjacent to both the ends of the gate layer 54.例文帳に追加

ゲート層５４の両端に隣接して多結晶シリコン膜５２Ａのソース領域５５及びドレイン領域５６が形成されている。 - 特許庁

The transistors 9, 11, for example, can be a III-V compound semiconductor field effect transistors having a source, a drain, and a gate.例文帳に追加

トランジスタ９および１１は、例えば、ソース、ドレインおよびゲートを有するIII−Ｖ化合物半導体電界効果トランジスタであることができる。 - 特許庁

The second region, the third region and the conductive element constitute a drain, source and a gate of the MOS transistor, respectively.例文帳に追加

前記第２領域と、前記第３領域と、前記導電素子とは、ＭＯＳトランジスタのドレインと、ソースと、ゲートと、をそれぞれ構成する。 - 特許庁