「grown on」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A gate insulating film thickness is formed so that the stress increase of the edge of the gate electrode 2 can be suppressed, and that the deterioration of insulation breakdown resistivity can be suppressed, when the film thickness of a gate insulating film 3 grown on a gate electrode 2 and a gate insulating film 3 grown on a glass substrate 1 other than the gate electrode are made equivalent or more.例文帳に追加

ゲート電極２上に成長するゲート絶縁膜３とゲート電極以外のガラス基板１上に成長するゲート絶縁膜３の膜厚が同等以上になる時のゲート絶縁膜厚を形成することで、ゲート電極２の端部のストレス増大を抑制するとともに、絶縁破壊耐性の劣化を抑制することが可能となる。 - 特許庁

After a buffer layer 11, a channel layer 12, a spacer layer 13, an electron supplying layer 14, and a contact layer 15 are sequentially grown on a substrate 10; the substrate 10 is taken out from the vapor growth apparatus, and a non-alloy contact layer 16 is additionally grown on the contact layer 15 with the other vapor growth apparatus to eliminate adverse effect of the memory effect.例文帳に追加

基板１０上にバッファ層１１、チャネル層１２、スペーサ層１３、電子供給層１４、コンタクト層１５を順次成長させた後、その基板１０を気相成長装置から取り出し、他の気相成長装置でコンタクト層１５上にノンアロイコンタクト層１６を別途成長させてメモリー効果の影響を排除するようにしたものでる。 - 特許庁

The light emitting element 100 comprises a light emitting layer 24 having a double heterostructure composed of AlGaInP, a first GaP light extraction layer 20 thicker than the light emitting layer 24 grown epitaxially on one major surface side of the light emitting layer 24, and a second GaP light extraction layer 90 thicker than the light emitting layer 24 grown epitaxially on the other major surface side of the light emitting layer 24.例文帳に追加

発光素子１００は、ＡｌＧａＩｎＰからなるダブルへテロ構造を有する発光層部２４と、発光層部２４の一方の主表面側にエピタキシャル成長された発光層部２４よりも厚い第一のＧａＰ光取出層２０と、発光層部２４の他方の主表面側にエピタキシャル成長された発光層部２４よりも厚い第二のＧａＰ光取出層９０とを備える。 - 特許庁

Projections 12 made of magnetostriction material are formed on one main surface of a substrate 11, and a nitride-based III-V group compound semiconductor layer 15 is grown on recessed parts 13 among the projections 12, which has first a triangular sectional shape with a bottom side as their bottom surfaces, and is further grown from the nitride-based III-V group compound semiconductor layer 15 in horizontal direction.例文帳に追加

基板１１の一主面に磁歪材料からなる凸部１２を形成し、凸部１２の間の凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させた後、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から横方向成長を行う。 - 特許庁

In a method for growing CNT wherein a substrate having a layer of a catalyst metal oxide is used as a catalyst layer for growing CNT and CNT is grown on the substrate by supplying a process gas for growing CNT to the substrate, the catalyst metal oxide is reduced by the process gas and CNT is grown on the catalyst metal during the CNT growth process.例文帳に追加

ＣＮＴ成長用触媒層として触媒金属の酸化物層を有してなる基板を用い、この基板に対してＣＮＴ成長用プロセスガスを供給し、この基板上にＣＮＴを成長させるＣＮＴ成長方法において、ＣＮＴ成長プロセス中に、プロセスガスより触媒金属の酸化物を還元させ、この触媒金属上にＣＮＴを成長させる。 - 特許庁

In a nitride semiconductor grown on a substrate 1 and in a method of manufacturing the same, after the nitride semiconductor layer 10 is grown on the substrate 1 and a porous layer 2 having number of fine voids 2a is formed in the nitride semiconductor layer 10, a heat treatment is made to form a recrystaized layer 3 by recrystallizing the surface.例文帳に追加

基板１上に成長される窒化物半導体及びその製造方法において、基板１上に窒化物半導体層１０を成長させ、その窒化物半導体層１０に多数の微細なボイド２ａを有する多孔質層２を形成した後、熱処理を施して表面を再結晶化させて再結晶層３を形成する。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 is grown on a semiconductor substrate 1, two or more of granular, beltlike or filmy metallic masks 3 having a coating ratio less than 1 are precipitated in the same epitaxial growth device, and secondary layers 4 are further grown on the layer 2 not coated with the metallic masks 3, thus constituting the compound semiconductor structure.例文帳に追加

半導体基板１に上にエピタキシャル層２を成長し、同一エピタキシャル成長装置内で２上の被覆率が１に満たない粒状、帯状あるいは膜状の金属マスク３を析出させ、金属マスク３に覆われていないエピタキシャル層２上に更に２次エピタキシャル層４を成長させることにより、化合物半導体構造を構成する。 - 特許庁

In the case of the surface emitting laser, since a problem such as grid mismatching, etc., is generated when an epitaxial layer is grown on an Si substrate, the epitaxial layer 14 is grown on the substrate of a Gas substrate 11, e.g. it is joined onto the Si substrate upside down to form the element 2 and then the block 1 is formed and divided by Si anisotropic etching.例文帳に追加

面発光レーザの場合、エピタキシャル層をＳｉ基板上で成長させると、格子不整合等の問題が生じるため、例えばＧａＡｓ基板１１基板上にエピタキシャル層１４を成長させ、それを逆向きにしてＳｉ基板１７上に接合し、面発光レーザ素子２を成形してから、異方性エッチングによりＳｉ製ブロック１を成形・分割する。 - 特許庁

In this method, a carbon nanofiber 52 is grown on the surface of a dense fine particle 50, and the dense fine particle 50 and the dense fine particle 50 on which the carbon nanofiber 52 is grown are recovered, then the carbon nanofiber 52 is separated from the surface of the dense fine particle 50 by a physical method and the carbon nanofiber 52 is recovered.例文帳に追加

緻密性微粒子５０の表面にカーボンナノファイバ５２を成長させ、上記緻密性微粒子５０及びカーボンナノファイバ５２の成長した緻密性微粒子５０を回収し、物理的手段により、カーボンナノファイバ５２を緻密性微粒子５０の表面から分離し、カーボンナノファイバ５２を回収する。 - 特許庁

In the case that the subcollector layer 41, a collector layer 42, a base layer 43 and an emitter layer 44 are grown in a gas phase on a GaAs substrate 2 by using an MOCVD method and the semiconductor wafer 1 for manufacturing HBT is manufactured, an n-type GaAs layer is grown on the GaAs substrate 2 as the sub-collector layer 41 by making a V/III ratio 20 or less.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板２上にサブコレクタ層４１、コレクタ層４２、ベース層４３、及びエミッタ層４４をＭＯＣＶＤ法を用いて気相成長させてＨＢＴ製造用の半導体ウェーハ１を製造する場合、サブコレクタ層４１として、ｎ型ＧａＡｓ層をＧａＡｓ基板２上にＶ／ＩＩＩ比を２０以下として成長させるようにした。 - 特許庁

To provide a technique for accurately and easily identifying whether rice has isogenic lines and between these lines even by no verification based on gene transfer style and even in on-market product stage, and for discriminating in-prefecture grown rice and rice grown in other prefectures and rice grown in a specific region and that in other regions in one prefecture.例文帳に追加

同質遺伝子系統を対象とし、稲に同質遺伝子系統が配合されているかどうかの識別、及び、配合された同質遺伝子系統同士の識別を、導入形式に基づく検定によらずとも正確かつ簡便に行うことができ、かつ市場品の段階でも正確に、かつ簡便に行うことができる技術の提供、及び県産米と他県産米との識別や（県内の）特定の栽培地域の産米と（県内の）他の栽培地域の産米との識別を可能にする技術の提供。 - 特許庁

CATALYST SUPPORT USING CELLULOSE FIBER, ITS PRODUCTION METHOD, CARBON NANOTUBE GROWN DIRECTLY ON SURFACE OF THE CATALYST SUPPORT, SUPPORTED CATALYST COMPOSED OF CARBON NANOTUBE AND NANO METAL CATALYST SUPPORTED ON SURFACE THEREOF, AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加

セルロース繊維を用いた触媒支持体、その製造方法、触媒支持体の表面に直接成長した炭素ナノチューブ及び炭素ナノチューブの表面にナノ金属触媒が担持された担持触媒及びその製造方法 - 特許庁

By the method, a gallium nitride single crystal comprising only a hexagonal crystal can be grown on the substrate 13, in which tetragonal gallium nitride is not mixed on the interface between the crystal and the substrate 13.例文帳に追加

これにより、基板１３との界面において正方晶の窒化ガリウムが混在されていない、六方晶のみの窒化ガリウム単結晶を基板１３上において生成することができる。 - 特許庁

The semiconductor laser device includes a semiconductor layer laminate 20 grown selectively on a substrate 11 except on a predetermined region of the substrate 11.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、基板１１の所定の領域の上を除いて基板１１の上に選択的に成長した半導体層積層体２０を備えている。 - 特許庁

(d) A carbon nanotube precursor is pyrolyzed, an alignment 105 of the carbon nanotube is made grown up on the surface of the cathode electrode on which carbon blacks are not adhered to make up emitters.例文帳に追加

（ｄ）カーボンナノチューブの前駆体を熱分解し、カーボンブラックが付着していないカソード電極面に、カーボンナノチューブの配列１０５を成長させ、エミッタとする。 - 特許庁

A catalyst layer is formed on a surface by using an arc plasma gun, thereafter, the catalyst layer is activated by using hydrogen radicals, and then, a carbon nanotube is grown on the activated catalyst layer by a CVD process.例文帳に追加

アークプラズマガンを用いて表面上に触媒層を形成した後、水素ラジカルを用いて該触媒層を活性化し、次いで活性化された触媒層上にＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを成長させる。 - 特許庁

A first semiconductor crystal substrate is prepared, then the first semiconductor crystal substrate is fixed on a susceptor by bonding, and a group III-V nitride-based semiconductor crystal is grown on the first semiconductor crystal substrate.例文帳に追加

第一の半導体結晶基板を準備し、この第一の半導体結晶基板を接着によりサセプタ上に固定し、この第一の半導体結晶基板上にIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶を成長する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element with a high reliability which enhances the crystallinity of a nitride semiconductor crystal grown selectively on a stripe-shaped ridge formed on the main face of a substrate.例文帳に追加

基板主面に形成したストライプ状リッジの上に選択的に成長させた窒化物半導体結晶の結晶性を向上し、信頼性の高い窒化物半導体素子が提供する。 - 特許庁

The semiconductor nanowires on both sides which are grown on the metal catalyst layers of the two electrodes are segregated from the substrate and connected so as to make contact with each other in the air.例文帳に追加

上記２つの電極の金属触媒層上に成長された両側の半導体ナノ線が上記２つの電極の間で上記基板と離隔され互いが空中で接触する構造で連結されている。 - 特許庁

A substrate 2 is placed on a susceptor S in an OMVPE device, and a subcollector film 30, a collector film 50 and a base film 60 are epitaxially grown on the substrate 2.例文帳に追加

ＯＭＶＰＥ装置内のサセプタＳに基板２を載置し、基板２上にサブコレクタ膜３０、コレクタ膜５０、およびベース膜６０をエピタキシャル成長する。 - 特許庁

To obtain a laser beam having an elliptical far field pattern profile obtained by forming a resonance surface on a nitride semiconductor which is grown on a sapphire substrate that is hard to cleave.例文帳に追加

劈開の難しいサファイア基板の上に成長された窒化物半導体に共振面が形成されて、楕円状のファーフィールドパターン形状を有するレーザビームを得る。 - 特許庁

A GaN layer 2 is grown on a sapphire substrate 1, an inorganic mask 3 is formed on the GaN layer so that a surface of the GaN layer becomes substantially flat, thereby obtaining a semiconductor growth substrate.例文帳に追加

サファイア基板１上にＧａＮ層２を成長させ、その表面に無機マスク３をＧａＮ層表面が実質平坦になるよう形成し、半導体成長用基板とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor substrate 41, semiconductor layers are epitaxially grown on only an SOI element forming region 13 in a silicon substrate 11 on condition that a silicon buffer layer 18 and a silicon germanium layer 15 can grow.例文帳に追加

半導体基板４１の製造方法は、シリコン基板１１上におけるＳＯＩ素子形成領域１３のみに、シリコンバッファ層１８及びシリコンゲルマニウム層１５が成長する条件でエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A semiconductor substrate 206 is then mounted on the susceptor 207 in place of the substrate 106, and an SiC film 302 is grown epitaxially on the semiconductor substrate 206.例文帳に追加

次いで、サセプタ２０７の上に基板１０６に代えて半導体基板２０６を載置し、半導体基板２０６の上にＳｉＣ膜３０２をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

When a crystal layer made of a gallium nitride compound semiconductor is crystal grown on a sapphire substrate, the sapphire substrate is laid on a supporting fixture which performs mirror polishing of the front surface, and the warpage is grasped by observing a Newton ring.例文帳に追加

サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる結晶層を結晶成長させるに際し、サファイア基板を表面を鏡面研磨した支持具上に載置し、ニュートンリングを観察することにより反りを把握する。 - 特許庁

P-type regions 6 are formed on the surface layer between the layer and the layers 4, which are epitaxially grown selectively on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の上面における選択的にエピタキシャル成長させたｎ型エピタキシャル層４の間での表層部にｐ型領域６が形成されている。 - 特許庁

To provide a structure of a catalyst, which is formed by growing a multilayer carbon nanotube on a substrate in high density so that the grown carbon nanotube has almost uniform height, high linearity in shape and a high vertical orientational property on the substrate.例文帳に追加

多層カーボンナノチューブを基板上に概ね高さ均等で形状の直線性と基板上での垂直配向性とが共に高く、高密度に成長させることができる触媒構造を提供すること。 - 特許庁

A c-BP film is formed as a buffer layer on the Si substrate, and a film of 3C-SiC or c-GaN is epitaxially grown on the buffer layer to manufacture a semiconductor.例文帳に追加

Ｓｉ基板にｃ−ＢＰの膜をバッファー層として成形し、そのバッファー層の上に３Ｃ−ＳｉＣ又はｃ−ＧａＮをエピタキシャル成長させて、半導体を製造する。 - 特許庁

The carbon nanotubes are grown by a vapor phase synthesis by supplying a raw material gas containing carbon atoms to a base material made of a porous material, on whose surface a catalyst is supported, from an opposite side of the catalyst supporting surface on which the catalyst is supported.例文帳に追加

表面上に触媒が担持された多孔体からなる基材に対し、触媒が担持されている触媒担持面の反対側から炭素原子を含む原料ガスを供給し、カーボンナノチューブを気相合成により成長させる。 - 特許庁

Alternatively, carbon nanotubes grown up with catalytic particles on a substrate as nuclei are integrated with the etching foil via the irregularities formed on the surface of the etching foil to prepare the electrode for the electric double-layer capacitor.例文帳に追加

あるいは、基板上の触媒粒子を核として成長させたカーボンナノチューブを、エッチング箔の表面に形成された凹凸部を介してエッチング箔と一体化して、電気二重層キャパシタ用電極を作成する。 - 特許庁

After a connecting layer 2 is formed by depositing Mo on lower-layer Cu wiring 1, the carbon nanotube 6 is grown on the connecting layer 2 by using the CVD method.例文帳に追加

下層Ｃｕ配線１上にＭｏを堆積して接続層２を形成し、この接続層２上にＣＶＤ法を用いてカーボンナノチューブ６を成長させる。 - 特許庁

An SBD 10 has: an n-type GaN layer 13 grown epitaxially on a GaN substrate 11; a Schottky electrode 15 formed on the GaN layer 13; and a back electrode 16.例文帳に追加

ＳＢＤ１０は、ＧａＮ基板１１の上に形成されたｎ型のＧａＮ層１３と、ＧａＮ層１３上に形成されたショットキー電極１５と、裏面電極１６とを備えている。 - 特許庁

The CNT 4 is grown from a titanium-cobalt combined fine particle 3 by the CVD method after the titanium-cobalt combined fine particle 3 is deposited on an insulating film 2 on a silicon substrate 1 using a catalytic fine particle forming system.例文帳に追加

触媒微粒子生成システムを用いて、シリコン基板１の絶縁膜２上にチタン・コバルト複合微粒子３を堆積した後、ＣＶＤ法によりチタン・コバルト複合微粒子３からＣＮＴ４を成長させる。 - 特許庁

To achieve a semiconductor substrate having improved flatness of each semiconductor layer that is crystal-grown on a GaN substrate, and to provide a semiconductor element having higher performance characteristics, based on the semiconductor substrate.例文帳に追加

ＧａＮ基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性向上した半導体基板を実現し、この半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体素子を提供する。 - 特許庁

This semiconductor comprises (Al, Ga, In) N compound semiconductor layer grown on a substrate, and an electrode formed of at least one metal selected from a group comprising Pt, Pd and Au, or an alloy of them on the semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に成長された（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ系化合物半導体層と、半導体層上にPt、Pd及びAuを含む群から選ばれた少なくとも一つの金属、あるいは、それらの合金で形成された電極とを含む。 - 特許庁

A nitride semiconductor crystal 7 is formed on an M plane (10-10) of the SiC substrate 1 by the MOCVD method or the like, and the growth surface is grown on the M plane.例文帳に追加

窒化物半導体結晶７は、ＳｉＣ基板１のＭ面（１０−１０）上に、ＭＯＣＶＤ法等によって形成され、その成長表面がＭ面で成長する。 - 特許庁

In this method for growing the nitride semiconductor on the substrate, after growing a first nitride semiconductor on the substrate, ruggedness is formed, a decomposition surface is formed through heat treatment or electromagnetic wave irradiation, and a second nitride semiconductor is grown.例文帳に追加

基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、基板上に第１の窒化物半導体を成長後、凹凸を形成し、熱処理、又は電磁波照射により分解面を形成し、第２の窒化物半導体を成長させる。 - 特許庁

To provide an oxide superconductive thin film wire rod having superconductive characteristics by epitaxially growing an oxide superconductive layer thin film on a ceramic film using a metal substrate on which the ceramic film epitaxially grown is formed.例文帳に追加

エピタキシャル成長したセラミックス膜が形成された金属基板を用いて、セラミックス膜上に酸化物超電導層薄膜をエピタキシャル成長させ、超電導特性を有する酸化物超電導薄膜線材を提供する。 - 特許庁

The silicon film on the source region/drain region is not single crystal, but, even it is single crystal, silicon film with high transition concentration grown on it will become single crystal or polycrystalline with high transition concentration.例文帳に追加

ソース領域／ドレイン領域上は単結晶ではないか、たとえ単結晶であっても転位密度が高いのでその上に成膜されるシリコン膜も転位密度の大きい単結晶あるいは多結晶となる。 - 特許庁

The silicon carbide single crystal is grown on a seed crystal of silicon carbide by depositing silicon dioxide fine particles each being coated with carbon on the surface of the seed crystal of silicon carbide and then reducing the silicon dioxide fine particles by the carbon.例文帳に追加

炭化珪素種結晶表面に、炭素で被覆された二酸化珪素微粒子を付着させ、ついで該二酸化珪素微粒子を炭素により還元することにより、炭化珪素単結晶を炭化珪素種結晶上に成長させる。 - 特許庁

The group III-V nitride semiconductor is grown after inorganic particles 2 are arranged on a substrate 1 for growth, forming a group III-V nitride semiconductor 3 with the inorganic particles 2 arranged on the substrate 1 for growth.例文帳に追加

成長用基板１上に無機粒子２を配置した後に３−５族窒化物半導体を成長し、これにより無機粒子２が配された３−５族窒化物半導体３を成長基板１上に形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an excellent nitride semiconductor device, which does not generate a warp on a silicon substrate or a crack in a nitride semiconductor layer even when a thick nitride semiconductor layer is epitaxially grown on the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に厚い窒化物半導体層をエピタキシャル成長しても、シリコン基板に反りや、窒化物半導体層に割れが生じない良好な窒化物半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A porous silicon layer 60 is formed on the silicon substrate 20 by anode conversion, an epitaxial growth film 70 is grown on the porous silicon layer 60, and then the epitaxial growth film 70 is adhered to a glass substrate 90.例文帳に追加

シリコン基板２０の上に陽極化成でポーラスシリコン層６０を形成し、このポーラスシリコン層６０の上にエピタキシャル成長膜７０を成長させ、このエピタキシャル成長膜７０にガラス基板９０を貼り付ける。 - 特許庁

In the film-depositing step, an epitaxial film is grown on the surface of the GaN substrate 10, by supplying a reaction gas containing ammonium, to a region opposing the surface of the GaN substrate 10 disposed on the susceptor 4.例文帳に追加

成膜工程では、サセプタ４上に配置されたＧａＮ基板１０の表面と対向する領域にアンモニアを含む反応ガスを供給することにより、ＧａＮ基板１０の表面上にエピタキシャル膜を成長させる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 10 is equipped with a substrate 1, an underlying layer 2 made of first nitride semiconductor epitaxially grown on the substrate 1, and a light emitting layer 5 made of second nitride semiconductor provided on the underlying layer 2.例文帳に追加

半導体発光素子１０は、基板１、基板１上にエピタキシャル成長した第一の窒化物半導体からなる下地層２、および下地層２上に設けられた第二の窒化物半導体からなる発光層５を備えている。 - 特許庁