「grown on」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To suppress braking of GaN crystal or warping of a substrate when the GaN crystal is epitaxial-grown on an Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させた場合の基板の反り、またはＧａＮ結晶の割れを抑制する。 - 特許庁

Then a GaN crystal 102 is grown on the GaN crystal 100 at a growth rate faster than 7 μm/h and slower than 25 μm/h.例文帳に追加

その後、ＧａＮ結晶１００上に７μｍ／ｈよりも速く、２５μｍ／ｈよりも遅い成長速度でＧａＮ結晶１０２を成長させた。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-quality silicon substrate, in which a silicon epitaxial layer is grown on a SIMOX wafer, with high efficiency.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸウェーハの上にシリコンのエピタキシャル層を成長させた高品質のシリコン基板を高効率で製造する方法を提供する。 - 特許庁

The epitaxial film is vapor-phase grown on a surface of a mirror plane silicon wafer before finish mirror plane polishing.例文帳に追加

仕上げ鏡面研磨されていない鏡面シリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を気相成長させる。 - 特許庁

The nitride semiconductor element 11 has a channel layer 15 and a carrier supply layer 17 grown on an opening 31 of a semiconductor laminate 13.例文帳に追加

窒化物半導体素子１１では、半導体積層１３の開口部３１上に、チャネル層１５及びキャリア供給層１７が成長される。 - 特許庁

The device includes two or more LEDs grown on a substrate, each generating light of a different wavelength and separately controlled.例文帳に追加

この光素子は、基板上で成長された二個、或いは、それ以上のLEDを含み、各ＬＥＤは、個別に制御されて、異なる波長の光線を生成する。 - 特許庁

The nitride-based compound semiconductor layer is epitaxially grown on a growth substrate whose average surface roughness is controlled to 0.2 to 10 nm.例文帳に追加

平均表面粗さが０．２〜１０ｎｍに制御された成長用基板上に、窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

On an InP substrate 11, a semiconductor laminate part 10 is grown which has an active layer 14a and a surface layer (cap layer) 17a.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１１上に、活性層１４ａ及び表層（キャップ層）１７ａを有する半導体積層部１０を成長させる。 - 特許庁

To provide a substrate capable of obtaining a group III nitride semiconductor layer having good crystallinity grown on a nonpolar plane.例文帳に追加

結晶性が良好な無極性面成長のIII族窒化物半導体層を得ることができる基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate for epitaxial growth, which can obtain such a structure that a GaN-based semiconductor crystal with low dislocation defect density is grown on a PSS.例文帳に追加

転位欠陥密度の低いＧａＮ系半導体結晶がＰＳＳ上に成長た構造が得られるエピタキシャル成長用基板を提供すること。 - 特許庁

Then a GaN crystal 105 is grown on the GaN crystal 102 at a growth rate of 7 μm/h or less.例文帳に追加

次に、ＧａＮ結晶１０２上に７μｍ／ｈ以下の成長速度でＧａＮ結晶１０５を成長させた。 - 特許庁

To provide a p-type ZnO nanostructure which is excellent in crystallinity and is oriented and grown on a substrate, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

結晶性に優れ、基板に対して配向成長したｐ型ＺｎＯナノ構造体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method, an SiGe film 11 is epitaxially grown on a main surface of an Si substrate 10 by a chemical vapor deposition method.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０の主面上にＳｉＧｅ膜１１を化学気相堆積法でエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide three-dimensional grower for ornamental plants which is tasteful to appreciate and can easily fix grown plants on a culture medium.例文帳に追加

観賞する際に風情があり、育成植物を培地に容易に定着できる観賞植物用立体的育成体を提供することである。 - 特許庁

On the ground film, an intermediate film is epitaxially grown so that a (111) surface may be parallel to the main surface of the ground substrate.例文帳に追加

下地膜の上に、（１１１）面が下地基板の主表面と平行になるように、中間膜がエピタキシャル成長している。 - 特許庁

First, a base wafer 1 and a bond wafer 2 are prepared, and an oxide film 3 is grown on the surface of the bond wafer 1.例文帳に追加

まず、ベースウェハ１とボンドウェハ２を準備し、ボンドウェハ１表面に酸化膜３を成膜する。 - 特許庁

According to another aspect of this system, in a method of manufacturing the TFR, the piezoelectric film is first grown on a substrate.例文帳に追加

本発明の別の側面によれば、ＴＦＲを製造する方法は、まず基板上にピエゾ電気膜が成長させられる。 - 特許庁

To provide a method for improving characteristics of a diamond heteroepitaxial film grown on the substrate of a different kind of single crystal and making the film like a single crystal.例文帳に追加

異種単結晶基板の上に成長したダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の特性を改善し、単結晶に近づける方法を提供する。 - 特許庁

In the process S104, after removing the first mask, an active layer is grown on the first-nth periodic structures in the semiconductor region.例文帳に追加

工程Ｓ１０４では、第１のマスクを除去した後に、半導体領域の第１〜第ｎの周期構造上に活性層を成長する。 - 特許庁

An n-GaAs layer 102 and an n^+-GaAs layer 109 are successively grown on a semi-insulating GaAs substrate 101.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１０１上にｎ−ＧａＡｓ層１０２、次いでｎ^＋−ＧａＡｓ層１０９を成長させる。 - 特許庁

Then, the silicon in the silicon containing tin metal fused solution is crystal grown on the area starting from the step 12, and a silicon layer 15 is formed.例文帳に追加

またそのシリコン層１５に所定の処理を施して半導体素子を形成する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To improve magnetic characteristics and electric-to-magnetic conversion by reducing an initial grown layer on a magnetic layer by applying a positive bias.例文帳に追加

正バイアス印加を行うことにより、磁気記録層に存在する初期成長層を低減し、磁気特性・電磁変換特性を向上させること。 - 特許庁

The droplets 406 on the liquid surface 64 are made grown to be objective size by contact of the liquid surface with the wet air 400.例文帳に追加

湿潤空気４００との接触により、液面６４上の水滴４０６を目標寸法になるまで成長させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon wafer capable of extinguishing a Grown-in defect on a surface layer where a device is formed.例文帳に追加

デバイスが形成される表層のＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を消滅可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

An AlN buffer layer 12 is formed with the film thickness of about 20 nm at a temperature 500°C on an SiC substrate 11, the temperature is turned to 1050°C, and a GaN layer 13 is grown for about 3 μm.例文帳に追加

SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を20nm程度の膜厚で形成し、温度を1050℃にしてGaN層13を3μm程度成長させる。 - 特許庁

Next, on the second main surface MP2 of the light-emitting layer growth preparing layer 8 of the substrate 50, the layer part 24 is epitaxially grown.例文帳に追加

次に、該複合透光性基板５０の発光層成長準備層８の第二主表面ＭＰ２に発光層部２４をエピタキシャル成長する。 - 特許庁

A p-conductive carbon nanowall 82 is grown on the surface of the n-conductive carbon nanowall 81 while the n-conductive carbon nanowall 81 is covered.例文帳に追加

ｎ伝導型カーボンナノウォール８１の表面に、それを覆うように、ｐ伝導型カーボンナノウォール８２を成長させた。 - 特許庁

To provide a crystal layer composition determination method which enables a precise determination of a composition of a ternary compound semiconductor crystal layer which is epitaxial-grown on a substrate.例文帳に追加

基板上にエピタキシャル成長された３元化合物半導体結晶層の組成を精度良く決定する。 - 特許庁

The single crystal is grown by being passed through a temperature region of 800-600°C while taking a time of 250-180 min on the way of pulling in the chamber.例文帳に追加

単結晶はチャンバ内の引上げ途中の８００〜６００℃の温度領域を２５０〜１８０分かけて通過させて育成される。 - 特許庁

When forming the GMR film 5, an anti-ferromagnetic film is epitaxially grown on the lower shield layer 4 first.例文帳に追加

ＧＭＲ膜５の形成に当たっては、先ず、下部シールド層４上に反強磁性膜をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

On an Si substrate 51, a second AlAs layer 59, a first GaN layer 53, and a second AlAs layer 60 are epitaxially grown.例文帳に追加

Ｓｉ基板５１上に、第２のＡｌＡｓ層５９，第１のＧａＮ層５３第２のＡｌＡｓ層６０をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Further, a GaP window layer 22 is grown on a p cover layer 20 during an epitaxial process at a temperature of 840 to 860°C.例文帳に追加

ｐカバー層２０の上にはさらに、８４０〜８６０℃でのエピアキシャルプロセス中にＧａＰ窓層２２が成長される。 - 特許庁

Finally a conductive substance 14 is grown only on the reformed surface 13 of the oxide film 12 existing above the specified region 1.例文帳に追加

特定領域１上に存する酸化膜１２の改質された表面１３のみに導電性物質１４を成長させる。 - 特許庁

An obstacle is arranged at a proper position on the wafer 1, with which a plating film of uniform thickness can be grown.例文帳に追加

ウェーハ上の適宜の位置に障害物を配置することにより、めっき膜を均一な膜厚で成長させることができる。 - 特許庁

To surely control only moss such as Bryum grown thick on the green without adversely affecting the growth of turf and human health.例文帳に追加

芝生の生長や人の健康を害することなく、グリーンに繁茂するギンゴケ等のコケのみを確実に防除する。 - 特許庁

After removing the resist pattern 7, an oxide film 9 is grown on the exposed surface of the conductive film 5 by effecting oxidizing process.例文帳に追加

レジストパターン７を除去した後、酸化処理を行うことによって導電膜５の露出面に酸化膜９を成長させる。 - 特許庁

To provide a film formation method and a film formation device by which a crystal film grown on an epitaxial substrate can be made uniform.例文帳に追加

エピタキシャル基板上に成長させる結晶膜を均一化する成膜方法および成膜装置を提供する。 - 特許庁

Prior to a photolithography process, a mask 16 composed of a SiO_2 film is formed on a coating grown layer 14.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程に先立って、被覆成長層１４の上に、ＳｉＯ_２膜からなるマスク１６を形成する。 - 特許庁

A radical species is supplied to the surface of the substrate to activate the surface of a catalyst arranged on the substrate and then the CNT is grown.例文帳に追加

基板表面にラジカル種を供給して触媒表面を活性化させた後にＣＮＴを成長せしめる。 - 特許庁

In an MBE apparatus 13, first to third III-V compound semiconductor layers 33, 35 and 37 are grown on the substrate 31 using metal As.例文帳に追加

ＭＢＥ装置１３で金属Ａｓを用いて、第１〜第３のIII−Ｖ化合物半導体層３３、３５、３７を基板３１に成長する。 - 特許庁

After that, the mask is removed, and an SiGe-containing layer is grown on the patterned silicon layer (110) to produce a photodetector.例文帳に追加

その後、マスクを除去し、パターン形成されたシリコン（１１０）層上にＳｉＧｅ含有層を成長させ、光検知器を製造する。 - 特許庁

Continuously, a first plating layer 19 is grown based on the first catalytic layer 18 by performing a first electroless plating treatment.例文帳に追加

続いて、第１無電解めっき処理を施し、第１触媒層１８を基に第１めっき層１９を成長させる。 - 特許庁

After the temperature is stabilized, the n-type GaN buffer layer 5, having a thickness of 1 μm, is further grown on the substrate 1.例文帳に追加

温度が安定した後に、更に厚さ１マイクロメートルのｎ型ＧａＮバッファ層５を基板１上に成長する。 - 特許庁

To obtain a high-performance compound semiconductor element by a method, wherein high performance GaxAlyIn1-x-yN layers are grown on a substrate.例文帳に追加

高品質のＧａ_ｘ Ａｌ_ｙ Ｉｎ_１−ｘ−ｙ Ｎを成長することにより、高性能の化合物半導体素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, the GaN single crystal layer is epitaxially grown on the AiN foundation layer at a temperature of ≤1100°C.例文帳に追加

次いで、このAlN下地層上に、１１００℃以下の温度でGaN単結晶層をエピタキシャル成長させて形成する。 - 特許庁