「idT」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The elastic boundary wave element 10 has a first piezoelectric substrate 12 and a second piezoelectric substrate 14 which are mutually joined and an IDT 16 comprised of cord electrode which excites elastic waves at a boundary part between the first piezoelectric substrate 12 and the second piezoelectric substrate 14.例文帳に追加

弾性境界波素子１０は、相互に接合された第１圧電基板１２および第２圧電基板１４と、第１圧電基板１２と第２圧電基板１４との境界部に弾性波を励振するすだれ状電極からなるＩＤＴ１６とを有している。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a multi-frequency surface acoustic wave filter that can widely be compatible with a frequency band and specifications of a SAW filter independently of the property of a piezoelectric substrate and that can manufacture a high quality interdigital transducers(IDT) with excellent power capacity.例文帳に追加

圧電基板の性質によらず、またＳＡＷフィルタの周波数帯や仕様に広く対応可能であり、且つ、耐電力性の優れた高品質なＩＤＴを形成することを可能とする多周波弾性表面波フィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A surface acoustic wave element 1 has a finger 3 and bus bars 4 on a piezoelectric substrate 2 and has at least either an IDT (inter Digital Transducer) electrode 6 or reflector electrodes 7, wherein the bus bars 4 have an area 5 where film thickness gradually increases at the finer 3 side.例文帳に追加

圧電基板２上に、フィンガー３およびバスバー４を有しており、バスバー４がフィンガー３側に膜厚漸増領域５を有している、ＩＤＴ（Inter Digital Transducer）電極６および反射器電極７の少なくとも一方を有する弾性表面波素子１である。 - 特許庁

Each electrode finger 22 of an interdigital electrode 18a for composing the IDT 14 for input comprises linear sections 22a, 22b that orthogonally cross the propagation direction of surface acoustic waves, and a connection 22c that is bent in a chevron shape and is formed between the linear sections 22a, 22b.例文帳に追加

入力用ＩＤＴ１４を構成している櫛型電極１８ａの各電極指２２は、弾性表面波の伝播方向に直交した直線部２２ａ、２２ｂと、直線部２２ａ、２２ｂ間に「く」の字状に屈曲して形成した接続部２２ｃとからなる。 - 特許庁

An elastic wave device 10 comprises: (a) a piezoelectric substrate 12 on whose one main surface 12a IDTs 14 and 16 are formed, and through which an elastic wave excited by the IDT 14 propagates; and (b) an additional member 20 joined with the other main surface 12b of the piezoelectric substrate 12.例文帳に追加

弾性波デバイス１０は、（ａ）一方の主面１２ａにＩＤＴ１４，１６が形成され、ＩＤＴ１４により励振された弾性波が伝搬する圧電基板１２と、（ｂ）圧電基板１２の他方の主面１２ｂに接合された付加部材２０とを備える。 - 特許庁

A pair of connection pads 53 is adopted for a ground wire conductor 50 located at both sides of a surface acoustic wave element 10, and the connection pads 53 are bonded by using shielding metallic thin wires 60 for bridging over IDT electrodes 12 of the surface acoustic wave element 10.例文帳に追加

弾性表面波素子１０の両側に位置するグランド用配線導体５０を一対の接続パッド５３とするとともに、接続パッド５３同士を弾性表面波素子１０のＩＤＴ電極１２上を跨ぐシールド用金属細線６０にてボンディングする。 - 特許庁

In the IDT electrodes 3, 4 that are positioned at the center of the SAW resonator S and do not engage each other, regions 5, 6 are formed with different average distance from the center of the arbitrary electrode finger to that of the adjacent one from other regions.例文帳に追加

ＳＡＷ共振子Ｓの中央部に位置し、且つ互いに噛み合わないＩＤＴ電極３，４において、任意の電極指の中心から隣の電極指の中心までの平均距離が他の領域と異なる領域５，６が形成されている。 - 特許庁

Cross-width weighting is applied to the IDT electrodes 30 of the serial arm resonators S2a, S2b, S3c with the capacitors C1, C2 connected in parallel thereto to form a plurality of maximum points maximizing the cross width in the elastic wave propagation direction.例文帳に追加

キャパシタＣ１、Ｃ２が並列に接続されている直列腕共振子Ｓ２ａ、Ｓ２ｂ、Ｓ３ｃのＩＤＴ電極３０には、弾性波伝搬方向において、交叉幅が極大となる極大点が複数形成されるように交叉幅重み付けが施されている。 - 特許庁

The IDT 103 located at the mid position among the three IDTs of the longitudinal coupled resonator type surface acoustic wave filter 101 is divided into two divisions approximately symmetrically to the propagating direction of the surface acoustic wave, and they are connected to balanced signal terminals 108, 109.例文帳に追加

縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１０１の３つのＩＤＴのうち中央に位置するＩＤＴ１０３を弾性表面波の伝搬方向に略対称に２分割してそれぞれを平衡信号端子１０８、１０９に接続する。 - 特許庁

The IDT 3 and the reflectors 4, 5 of the surface acoustic wave device 1 are laid out so that an angle ψ between a propagation direction of a surface acoustic wave and the X axis of the substrate 2 is 90±10° and a surface acoustic traversal wave is stimulated.例文帳に追加

この弾性表面波素子１は、ＩＤＴ３および反射器４、５を、弾性表面波の伝搬方向と基板２のＸ軸とのなす角度ψが９０±１０゜となるように配置し、横波型弾性表面波が励振されるよう構成されている。 - 特許庁

The surface acoustic wave element 1 has a finger 3 and bus bars 4 on a piezoelectric substrate 2 and has at least either an IDT (Inter Digital Transducer) electrode 6 or reflector electrodes 7, wherein the bus bars 4 have an area 5 where film thickness gradually increases at the finger 3 side.例文帳に追加

圧電基板２上に、フィンガー３およびバスバー４を有しており、バスバー４がフィンガー３側に膜厚漸増領域５を有している、ＩＤＴ（Inter Digital Transducer）電極６および反射器電極７の少なくとも一方を有する弾性表面波素子１である。 - 特許庁

To provide a SAW device in which an adhesive is prevented from being flowed out to the back surface of a piezoelectric substrate confronting an IDT when a SAW element is bonded to an internal mounting surface of a package, and a SAW module compacted by using the SAW device.例文帳に追加

ＳＡＷ素子をパッケージの内部実装面に接合するときに、接着剤が、ＩＤＴに対向する圧電基板の裏面に流出することを防止したＳＡＷデバイスと、そのＳＡＷデバイスを用いて小型化したＳＡＷモジュールを提供する。 - 特許庁

Further, a crosswise weighted electrode digit 22a subjected to such a weighting as a crosswise weighting is provided in an electrode digit 22 present near the region facing the transducer 1 which is one of the respective electrode digits 21, 22 of at least one of the respective IDTs 2, 1, 3, e.g. the IDT 2.例文帳に追加

各くし型電極部２、１、３の少なくとも一つ、例えばくし型電極部２の各電極指２１、２２の内、くし型電極部１との対面領域の近傍の電極指２１に交叉重み付け等の重み付けが施された交叉重み付け電極指２２ａを設ける。 - 特許庁

To resolve the trouble that metal powder scattered from the exposed part of a metallized pattern sticks to an IDT to cause short circuit between electrode fingers in a SAW device having a structure that a SAW chip is mounted on the metallized pattern on a wiring board for surface mounting by flip-chip mounting.例文帳に追加

表面実装用の配線基板上のメタライズパターン上にＳＡＷチップをフリップチップ実装した構造のＳＡＷデバイスにおいて、メタライズパターンの露出部分から飛散した金属粉がＩＤＴに付着して電極指間をショートさせる不具合を解消することができる。 - 特許庁

The surface acoustic wave device 1 includes: a crystal substrate 2 wherein the Euler's angle is expressed as (0, θ, ψ); an IDT 3, reflectors 4, 5 provided on the substrate 2; and an insulation protection film selectively provided to upper faces of the reflectors 4, 5.例文帳に追加

弾性表面波素子１は、基板２としてオイラー角が（０、θ、ψ）で表される水晶基板を有し、この基板２上に設けられたＩＤＴ３および反射器４、５と、ＩＤＴ３および反射器４、５の上面に選択的に設けられた絶縁保護膜とを有している。 - 特許庁

The ladder type filter includes: a plurality of serial arm resonators each having an IDT electrode 30; a parallel arm resonator arranged on a parallel arm 13; and capacitors C1, C2 connected in parallel to partial serial arm resonators S2a, S2b, S3c within the plurality of serial arm resonators.例文帳に追加

ＩＤＴ電極３０を有する複数の直列腕共振子と、並列腕１３に設けられている並列腕共振子と、複数の直列腕共振子のうちの一部の直列腕共振子Ｓ２ａ、Ｓ２ｂ、Ｓ３ｃに並列に接続されているキャパシタＣ１、Ｃ２とを備えている。 - 特許庁

Performance is improved by preventing the generation of bulk waves by suppressing the mass different of positive and negative electrode fingers in an IDT as a component of one-port type and two-port type resonators, the resonator type filter of such a kind and a transversal filter less than or equal to 7%.例文帳に追加

１ポート型および２ポート型ＳＡＷ共振子、さらには前記種類の共振子型フィルタ、またトランスバーサル型フィルタの構成要素であるＩＤＴの正負電極指の質量差を７％以下としてバルク波の発生を防止して性能を改善したものである。 - 特許庁

Also, the SAW device 1 comprises: multiple terminals 7 electrically connected to the IDT electrode 15 and vertically penetrating the cover 5; and a metal film 39 provided within the cover 5 and formed to surround the terminals 7 when the cover 5 is seen in a plane perspective.例文帳に追加

また、ＳＡＷ装置１は、ＩＤＴ電極１５と電気的に接続された、カバー５を上下方向に貫通する複数個の端子７と、カバー５内に設けられ、カバー５を平面透視したときに、端子７を囲むようにして形成された金属膜３９とを備える。 - 特許庁

In a SAW resonator 1, a SAW resonance element 7 with an electrode pattern comprising reflectors 4a, 4b, an IDT 5 and a pad electrode 6 formed on the surface of the piezoelectric substrate 3 is bonded to the internal mounting surface of the package 2 in a cantilever manner by using an adhesive 8.例文帳に追加

ＳＡＷ共振子１は、パッケージ２の内部実装面に、圧電基板３の表面上に反射器４ａ、４ｂとＩＤＴ５とパッド電極６とからなる電極パターンを形成したＳＡＷ共振素子７を、接着剤８を用いて片持ち状態で接合している。 - 特許庁

The surface acoustic wave element 10 includes: the crystal substrate 1 as the piezoelectric substrate; an IDT electrode 2 and reflector electrodes 3a, 3b formed on a front face 1a of the crystal substrate 1; and a diamond layer 5 as a reflection section formed on a rear face 1b of the crystal substrate 1.例文帳に追加

弾性表面波素子１０は、圧電基板としての水晶基板１と、この水晶基板１の表面１ａ上に形成されたＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂと、水晶基板１の裏面１ｂ上に形成された反射部としてのダイヤモンド層５とを備えている。 - 特許庁

According to this constitution, in a dry etching process, etching gas is sufficiently supplied to the gap from a space between the dummy electrodes 16A, 16B, 16C, and 16D and the reflector electrode 12, the reflector electrode 13, or the IDT electrode 11, and etching can be stably performed.例文帳に追加

この構成によって、ドライエッチングを行う際、エッチングガスをダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄと反射器電極１２または反射器電極１３またはＩＤＴ電極１１との間の隙間からギャップに充分にエッチングガスを供給でき、エッチングを安定的に行うことができる。 - 特許庁

To provide an acoustic surface wave element and an acoustic surface wave device with the element mounted, the element having improved durability provided with an IDT electrode which, while having an electrode finger with a plurality of conductor layers stacked, can suppress occurrence of fracture or peeling in these conductor layers.例文帳に追加

複数の導体層を積層している電極指でありながら、これらの導体層の破断や剥離等の発生を抑制できるＩＤＴ電極を備えることで、耐久性を高めることができる弾性表面波素子及びそれを搭載した弾性表面波装置を提供する。 - 特許庁

The free end portion 9a of the actuator 9 abuts on a rear surface 4c of the other end 4b on the side closer to the other end 4b than the IDT in the SAW propagation direction of the piezoelectric substrate 4 at an angle smaller than 45° with respect to the length direction of the actuator 9, and presses up the other end portion of the piezoelectric substrate to warp the substrate.例文帳に追加

アクチュエータの自由端部は、圧電基板のＳＡＷ伝搬方向にＩＤＴよりも他方の端部４ｂ側においてその裏面４ｃに、該アクチュエータの長さ方向に関して４５°より小さい角度で当接し、圧電基板をその他方の端部を押し上げて撓ませる。 - 特許庁

To provide an elastic wave filter excelling in symmetry of an attenuation characteristics when viewing a low-frequency side and a high-frequency side from the central frequency of a passing frequency band, in an elastic wave filter wherein input-side and output-side IDT electrodes parts are each formed into a tapered shape.例文帳に追加

入力側及び出力側のＩＤＴ電極部をテーパー型に構成した弾性波フィルタにおいて、通過周波数帯域の中心周波数から低域側及び高域側を見た時の減衰特性の対称性が良好な弾性波フィルタを得ること。 - 特許庁

In the horizontal coupling dual mode SAW filter, by making a line occupancy rate of a reflector smaller or larger than a line occupancy rate of an Interdigital Transducer (IDT), the spuriousness outside a pass band caused by the higher modes in the vertical and the horizontal directions are simultaneously suppressed.例文帳に追加

横結合二重モードＳＡＷフィルタにおいて、ＩＤＴのライン占有率に対し反射器のライン占有率を小さくあるいは大きくすることで、縦方向および横方向の高次モードが原因で発生する通過帯域外のスプリアスを同時に抑圧することができる。 - 特許庁

The film thickness h of the piezoelectric thin film 106 and the pitch p of a finger 110 of the IDT electrode 108 are selected, such that a Lamb wave is excited at a target frequency which makes dispersibility of a sonic velocity v, with respect to the film thickness h of the piezoelectric thin film 106 small.例文帳に追加

圧電体薄膜１０６の膜厚ｈ及びＩＤＴ電極１０８のフィンガー１１０のピッチｐは、圧電体薄膜１０６の膜厚ｈに対する音速ｖの分散性が小さくなるラム波が目的の周波数において励振されるように選択される。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device whose device performance can easily be enhanced by separately optimizing a surface acoustic wave exciting means or a surface acoustic wave detection means such as an IDT and a surface acoustic wave reflecting means such as a reflector.例文帳に追加

ＩＤＴなどの弾性表面波励振手段若しくは弾性表面波検出手段と、反射器などの弾性表面波反射手段とを別々に最適化することにより、デバイス性能を容易に向上させることが可能な弾性表面波デバイスを提供する。 - 特許庁

The surface acoustic wave element 12 comprises a piezoelectric substrate 28, and an IDT electrode 32 formed on the piezoelectric substrate 28 wherein the piezoelectric substrate 28 has a volume resistivity in the range of 3.6×10^10 Ωcm and 1.5×10^14 Ωcm.例文帳に追加

本発明に係る弾性表面波素子１２は、圧電性基板２８と、圧電性基板２８上に形成されたＩＤＴ電極３２とを備え、圧電性基板２８の体積抵抗率が、３．６×１０^１０Ω・ｃｍ以上、１．５×１０^１４Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

For the SAW device composed of a SAW device element formed by locating plural IDT electrodes on a piezoelectric substrate and a package, when adhering the base of the SAW device element onto the inner base of the package, adhering is performed at both terminal parts on the base of the element.例文帳に追加

圧電基板上に複数のＩＤＴ電極を配置して形成した弾性表面波デバイス素子と、パッケージとからなる弾性表面波デバイスであって、弾性表面波デバイス素子の底面をパッケージの内底面に接着する際に素子の底面の両端部にて接着する。 - 特許庁

The IDT electrode 103 has first bus bar electrode 106a, a plurality of first electrode fingers 107a connected to the first bus bar electrode 106a, second bus bar electrode 106b, a plurality of second electrode fingers 107b connected to the second bus bar electrode 106b, and a strip line electrode 108.例文帳に追加

ＩＤＴ電極１０３は、第１のバスバー電極１０６ａとそれに接続される複数の第１の電極指１０７ａと、第２のバスバー電極１０６ｂとそれに接続される複数の第２の電極指１０７ｂと、ストリップライン電極１０８とにより構成される。 - 特許庁

In the SAW device configured by arranging an IDT electrode provided with a dummy electrode on a piezoelectric substrate, the width M of a metalized part is selected to satisfy a relation of 50μm<M≤1.3×L, where M is the width of the metalized part (bus bar electrode) and L is a major diameter of a flattened bonding wire head.例文帳に追加

圧電基板上にダミー電極を備えたＩＤＴ電極を配置して構成したＳＡＷデバイスであって、メタライズ部（バスバー電極）の幅Ｍ、ボンディングワイヤヘッドのつぶれの長径をＬとしたとき５０μｍ＜Ｍ≦１．３×Ｌを満たすようにメタライズ部の幅Ｍを設定する。 - 特許庁

The SAW element 1 of this invention is formed by layering a diamond film 3, a metallic film 4, a piezoelectric film 5, and a silicon oxide film 8 on a silicon substrate 2 from the lower layer, and an IDT electrode 6 and a reflector 7 are provided between the piezoelectric film 5 and the silicon oxide film 8.例文帳に追加

本発明のＳＡＷ素子１は、シリコン基板２上に下層側からダイヤモンド膜３、金属膜４、圧電体膜５、シリコン酸化膜８が積層されるとともに、圧電体膜５とシリコン酸化膜８との間にＩＤＴ電極６および反射器７が設けられたものである。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device in which device performance can be easily improved by individually optimizing a surface acoustic wave exciting means or a surface acoustic wave detecting means such as an IDT or a surface acoustic wave reflecting means such as a reflector.例文帳に追加

ＩＤＴなどの弾性表面波励振手段若しくは弾性表面波検出手段、或いは、反射器などの弾性表面波反射手段を個別に最適化することにより、デバイス性能を容易に向上させることが可能な弾性表面波デバイスを提供する。 - 特許庁

A turned Y-cut X propagation LiTaO_3 board is used as a piezoelectric board, and a gap length G in an IDT electrode 3 constituting a surface acoustic wave resonator is made as ≤0.3 times as long as the wavelength λof a surface acoustic wave (0.3λ≥G).例文帳に追加

本発明では、上記圧電基板として回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ__3 基板を用いるとともに、弾性表面波共振子を構成するＩＤＴ電極３におけるギャップ長Ｇを、弾性表面波の波長λの０．３倍以下に規定する（０．３λ≧Ｇ）。 - 特許庁

The SAW device is characterized in that a SAW element 11 having an IDT 13 and reflectors 14 and 15 on a main surface of a piezoelectric substrate 12 and a heater electrode 16 on the reverse surface is cantilever-supported by one end 12a in a SAW propagation direction with an adhesive 17.例文帳に追加

ＳＡＷデバイスは、圧電基板１２の主面にＩＤＴ１３及び反射器１４，１５を有しかつその裏面にヒータ電極１６を有するＳＡＷ素子１１を、ＳＡＷ伝搬方向の一方の端部１２ａで接着剤１７により片持ちに支持する。 - 特許庁

The IDT 2 is constituted of a positive electrode 2-1, made mainly of aluminum and having positive polarity and a negative electrode 2-2 made mainly of aluminum and having negative polarity, and the positive electrode 2-1 and the negative electrode 2-2 are arranged within one wavelength of the surface acoustic wave.例文帳に追加

ＩＤＴ２は、アルミニウムを主成分とする極性が正である正極２−１と、アルミニウムを主成分とする極性が負である負極２−２と、から構成されており、正極２−１と、負極２−２とが弾性表面波の１波長内に配置されている。 - 特許庁

Consequently, electric charges generated by pyroelectric effect due to abrupt temperature variation etc., move through the resistance body 40 to prevent a large potential such as one to cause a discharge breakdown between a pair of interdigital electrodes from being generated so that discharge breakdown between the IDT electrodes (31, 32) can be prevented.例文帳に追加

これにより、急激な温度変化等により焦電効果で発生した電荷が抵抗体40を介して移動し、一対の櫛歯状電極の間に放電破壊を引き起こすような大きな電位差が生じるのを防ぐため、ＩＤＴ電極（31，32）の放電破壊を防止することができる。 - 特許庁

Cross-width weighting is applied to IDT electrodes 40 of serial arm resonators S1a, S1b, S2c, S3a, d3b to which no capacitor is connected in parallel thereto to form only one maximum point maximizing the cross width in the elastic wave propagation direction.例文帳に追加

キャパシタが並列に接続されていない直列腕共振子Ｓ１ａ、Ｓ１ｂ、Ｓ２ｃ、Ｓ３ａ、ｄ３ｂのＩＤＴ電極４０には、弾性波伝搬方向において、交叉幅が極大となる極大点がひとつのみ形成されるように交叉幅重み付けが施されている。 - 特許庁

The surface acoustic wave device comprises a piezoelectric substrate 1, an IDT 2 formed on the piezoelectric substrate 1, an electrode pad 4 which is electrically connected to the IDT2 and is extensively formed, and a stud bump 5 which is allocated on the electrode pad 4 so that the LC element of the surface acoustic wave device has a predetermined value.例文帳に追加

表面弾性波デバイスにおいて、圧電基板１と、圧電基板１上に形成されたＩＤＴ２と、ＩＤＴ２に電気的に接続され、引き伸ばして形成されている電極パッド４と、表面弾性波デバイスのＬＣ成分が所定の値になるように電極パッド４上に配置されたスタッドバンプ５とを備える。 - 特許庁

Since the SAW propagating from the IDT to both right and left sides thereof is reflected by both reflectors and confined between them, the influence of the reflected wave by the piezoelectric substrate end face is removed to improve sensor sensitivity, and when being set in a multichannel, propagation of the SAW to an adjacent channel can be prevented.例文帳に追加

ＩＤＴからその左右両側に伝搬するＳＡＷは、両反射器に反射されてその間に閉じ込められるので、圧電基板端面による反射波の影響が排除されてセンサの感度が向上し、マルチチャネル化した場合には、ＳＡＷが隣接するチャネルに伝搬することを防止できる。 - 特許庁

A pulse laser beam stimulated from a pulse laser oscillator 21 is emitted to an electrode region including IDT electrodes 3 and reflectors 4, at least part of the emission region is eliminated by means of multiphoton absorption caused by the emission of the pulse laser beam to adjust the frequency of the surface acoustic wave element.例文帳に追加

パルスレーザ発振器２１から発振されたパルスレーザビームをＩＤＴ電極３と反射器４とを含む電極領域に照射し、パルスレーザビームの照射により生じる多光子吸収を介して照射領域の少なくとも一部を除去して弾性表面波素子の周波数調整を行う。 - 特許庁

This surface wave filter provides an input-output electrodes 3 and 4 composed of IDT electrodes on the surface of a glass substrate 1, attaches a piezoelectric film 2 onto the substrate 1 on which the electrodes 3 and 4 are provided and also solders lead terminals to the terminal electrode parts of the electrodes 3 and 4 exposed to the outer part of the film 2.例文帳に追加

ガラス基板１の表面にＩＤＴ電極よりなる入出力電極３，４を設け、入出力電極３，４が設けられたガラス基板１上に圧電膜２を付着させるとともに、圧電膜２の外部へ露出した入出力電極３，４の端子電極部にリード端子６ａ〜６ｄを半田付けする。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device whose device performance can easily be enhanced by separately optimizing a forming region of a surface acoustic wave exciting means or a surface acoustic wave detection means such as an IDT and a forming region of a surface acoustic wave reflecting means such as a reflector.例文帳に追加

ＩＤＴなどの弾性表面波励振手段若しくは弾性表面波検出手段の形成領域と、反射器などの弾性表面波反射手段の形成領域とを別々に最適化することにより、デバイス性能を容易に向上させることが可能な弾性表面波デバイスを提供する。 - 特許庁

The SAW element is constituted so that ways of changes of electrode finger pitches from one end of the IDT electrode to the other end thereof are made different from each other in a region where the first floating electrodes and the first electrodes are arranged across the center line of the central bus bar electrode and in a region where the second floating electrodes and the second electrodes are arranged.例文帳に追加

中心バスバー電極の中心線を境に第１浮き電極及び第１電極が配置された領域と、第２浮き電極及び第２電極が配置された領域において、ＩＤＴ電極の一方端から他方端にかけての電極指ピッチの変化の仕方を異ならせた構成とする。 - 特許庁

A surface acoustic wave device 1 using an SH wave comprises: a crystal substrate 2 which has an upper surface and a lower surface and has grooves formed on the upper surface; and an IDT electrode 4 comprising a metal layer 3a filling the grooves, wherein the metal layer 3a is made of a metal having a heavier density than aluminum.例文帳に追加

上面と下面とを有し、上面に溝が形成されている水晶基板２と、前記溝内に充填されている金属層３ａを有し、該金属層３ａがアルミニウムよりも密度の重い金属からなるＩＤＴ電極４とを備え、ＳＨ波を利用している弾性表面波装置１。 - 特許庁