「idT」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The additional member 20 is configured so that an incidence component, which propagates toward the other main surface 12b of the piezoelectric substrate 12 in the piezoelectric substrate 12 and is incident on the additional member 20 from the other main surface 12b, in the bulk wave excited by the IDT 14 is irregularly reflected within the additional member 20.例文帳に追加

付加部材２０は、ＩＤＴ１４により励振されたバルク波のうち、圧電基板１２内を圧電基板１２の他方の主面１２ｂに向かって伝搬し、他方の主面１２ｂから付加部材２０に入射する入射成分が、付加部材１２内において乱反射するように構成されている。 - 特許庁

In this balanced surface acoustic wave filter obtained by cascading two sets of primary-third vertically coupled double-mode SAW(surface acoustic wave) filters formed on a piezoelectric board, the numbers of electric fingers of each comb-shaped electrode constituting the central IDT electrode of at least one double-mode SAW filter are made equal.例文帳に追加

圧電基板上に形成した１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィルタを２組縦続接続した弾性表面波フィルタであって、少なくとも１方の二重モードＳＡＷフィルタの中央ＩＤＴ電極を構成するくし形電極の電極指数を同数にした平衡型弾性表面波フィルタ。 - 特許庁

To increase the mass-productivity and quality of a surface acoustic wave (SAW) device having an airtight space formed below an IDT by coating an external surface of a SAW chip mounted on a mounting substrate with a resin sheet heated to be softened and charging resin in the SAW chip.例文帳に追加

実装基板に実装したＳＡＷチップの外面を、加熱軟化させた樹脂シートにより被覆すると共に、ＳＡＷチップに樹脂を充填させることにより、ＩＤＴの下方に気密空間を形成したＳＡＷデバイスにおいて、量産性を高めると共に高品質なＳＡＷデバイスを提供することを目的とする。 - 特許庁

To improve the temperature stability of a frequency characteristic by surely eliminating the impact of stress occurring on an SAW element due to a difference in coefficient of thermal expansion between the SAW element and a package, etc. by preventing an adhesive from flowing to the IDT side when mounting the SAW element in such a manner that it may be supported in a cantilevered state on the package.例文帳に追加

ＳＡＷ素子をパッケージに片持ち支持されるように実装する際に、接着剤がＩＤＴ側に流れないようにし、パッケージ等との熱膨張率の差に起因してＳＡＷ素子に生じ得る応力の影響をより確実に解消し、周波数特性の温度安定性を向上させる。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device in which an SiO_2 film is formed on an IDT so that not only frequency/temperature characteristics are enhanced but also a crack is hardly generated on the surface of the SiO_2 film, desired characteristics can be surely obtained and a coefficient of electromechanical coupling and a coefficient of reflection are great.例文帳に追加

ＩＤＴ上にＳｉＯ_２膜を形成することにより周波数温度特性が改善されているだけでなく、ＳｉＯ_２膜表面におけるクラックが発生し難く、所望とする特性を確実に得ることができ、かつ電気機械結合係数及び反射係数が大きな弾性表面波装置を提供する。 - 特許庁

In the surface wave device, IDT 21 which has a first and second bus bars 22, 23 and a plurality of electrode fingers electrically connected to the first and/or second bus bar 22, 23 on the surface wave substrate is formed, and the first and second bus bars 22, 23 have a grid region that has a small reflection coefficient.例文帳に追加

表面波基板上に第１，第２のバスバー２２，２３と、第１及び／または第２のバスバー２２，２３に電気的に接続された複数本の電極指とを有するＩＤＴ２１が形成されており、第１，第２のバスバー２２，２３が、反射係数が小さい格子領域を有する、表面波装置。 - 特許庁

To obtain a wideband elastic wave filter in which an attenuation gradient at a side higher than a pass frequency band is sharp and the flatness of the pass frequency band is excellent, the elastic wave filter being configured by disposing IDT electrodes on a piezoelectric substrate as transmitting-side and receiving-side electrodes.例文帳に追加

ＩＤＴ電極を圧電基板上に送信側電極及び受信側電極として弾性波の伝搬方向に並べた弾性波フィルタにおいて、通過周波数帯域よりも高域側の減衰傾度が急峻で且つ通過周波数帯域の平坦性が良好な広帯域の弾性波フィルタを得ること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a surface acoustic wave device in which not only the frequency-temperature characteristic is improved by forming a SiO_2 film on an IDT but also cracks are hardly caused on the surface of the SiO_2 film, desired properties can be reliably obtained, and an electromechanical coupling coefficient and a reflection coefficient are increased.例文帳に追加

ＩＤＴ上にＳｉＯ_2膜を形成することにより周波数温度特性が改善されているだけでなく、ＳｉＯ_2膜表面におけるクラックが発生し難く、所望とする特性を確実に得ることができ、かつ電気機械結合係数及び反射係数が大きな弾性表面波装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave apparatus which is not only improved in frequency-temperature characteristics by forming a SiO_2 film on an IDT (Interdigital Transducer) but can also surely obtain a desired characteristic resistance to cracks on a surface of the SiO film and having a large electrical-mechanical coupling factor and a small attenuation factor α.例文帳に追加

ＩＤＴ上にＳｉＯ_2膜を形成することにより周波数温度特性が改善されているだけでなく、ＳｉＯ_2膜表面におけるクラックが生じ難く、所望とする特性を確実に得ることができ、電気機械結合係数が大きく、減衰定数α小さい弾性表面波装置を提供する。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device which not only has a frequency temperature characteristic improved by forming an SiO_2 film on an IDT, but also has hardly a crack in the surface of the SiO_2 film, can securely obtain a desired characteristic, and has a large coefficient of electromechanical coupling and a small attenuation constant α.例文帳に追加

ＩＤＴ上にＳｉＯ_2膜を形成することにより周波数温度特性が改善されているだけでなく、ＳｉＯ_2膜表面におけるクラックが生じ難く、所望とする特性を確実に得ることができ、電気機械結合係数が大きく、減衰定数α小さい弾性表面波装置を提供する。 - 特許庁

An IDT electrode 3 is formed on one region 2 on the surface of a non-pyroelectric piezoelectric substrate 1 composed of single crystal of lithium tantalate or lithium niobate and containing more oxygen than its surrounding area, with oxygen content being less than stoichionetry composition.例文帳に追加

タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムの単結晶からなり、かつ酸素含有量が化学量論比組成より少ない非焦電性の圧電基板１の、酸素含有量が周囲より多い表面の一領域２上に、ＩＤＴ電極３を形成してなることを特徴とする弾性表面波装置とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the surface acoustic wave device includes forming a frequency adjustment film 30 at a position opposed to the interdigital electrode (IDT) 14 on the other principal surface 12b on the opposite side of the one principal surface 12a, and distorting the piezoelectric substrate with stress formed by this formation to adjust the frequency.例文帳に追加

そして弾性表面波デバイスの製造方法は、一方の主面１２ａとは反対側の他方の主面１２ｂにおけるすだれ状電極（ＩＤＴ）１４に対向する位置に周波数調整膜３０を形成し、この形成により生じる応力によって前記圧電基板を歪ませて、周波数を調整している。 - 特許庁

On wiring electrodes 120 and 121, insulating layers 122 and 123 are formed, and other electrode fingers of IDT electrodes 103 and 109 are connected by a wiring electrode 124 and further connected to electrode pads 126 and 127 connected to a ground terminal GND by a wiring electrode 125 which is formed above the wiring electrode 124 and electrically connected thereto.例文帳に追加

配線電極１２０、１２１の上には、絶縁層１２２、１２３が設けられており、ＩＤＴ電極１０３、１０９の他方の電極指は、配線電極１２４により接続され、さらに上部に形成され、電気的に接続された配線電極１２５により、接地端子ＧＮＤに接続される電極パッド１２６、１２７に接続される。 - 特許庁

Likewise, the IDT electrodes 21 for second SAW resonator elements 20 are connected to a second connecting wiring 25, and the second connecting wiring 25 is connected to a second conductive terminal 29 as the common terminal provided in a region different from the first conductive terminal 19 on the outer periphery of the SAW wafer 1A.例文帳に追加

同様に、第２のＳＡＷ共振子要素２０のＩＤＴ電極２１は第２の接続配線２５に接続され、この第２の接続配線２５は、ＳＡＷウェハ１Ａの外周部分の上記第１の通電端子１９とは異なる領域に設けられた共通端子としての第２の通電端子２９に接続されている。 - 特許庁

On wiring electrodes 120, 121, insulating layers 122, 123 are formed and other electrode fingers of IDT electrodes 103, 109 are connected by a wiring electrode 124 and further connected to electrode pads 126, 127 connected to a ground terminal GND by a wiring electrode 125 formed in an upper portion and electrically connected.例文帳に追加

配線電極１２０、１２１の上には、絶縁層１２２、１２３が設けられており、ＩＤＴ電極１０３、１０９の他方の電極指は、配線電極１２４により接続され、さらに上部に形成され、電気的に接続された配線電極１２５により、接地端子ＧＮＤに接続される電極パッド１２６、１２７に接続される。 - 特許庁

In a SAW filter comprising a piezoelectric substrate and at least two IDTs formed in the direction along which a SAW propagates on the piezoelectric substrate, at least one of the IDTs has electrode fingers wherein the metallization ratio of the electrode fingers is different from that of the electrode fingers of the other IDT.例文帳に追加

圧電基板と、圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿って並べて形成された少なくとも２つのＩＤＴとを有する弾性表面波フィルタにおいて、これらのＩＤＴのうち少なくとも１つのＩＤＴにおいて、メタライゼーションレシオが、そのＩＤＴの他の電極指のメタライゼーションレシオと異なる電極指を設ける。 - 特許庁

The integrated filter includes: a substrate; a first electrode positioned in a predetermined first area on an upper surface of the substrate; a first piezoelectric layer positioned on the first electrode; a second electrode positioned on the first piezoelectric layer; a second piezoelectric layer positioned in a predetermined second area on the upper surface of the substrate; and an inter-digital transducer (IDT) electrode positioned on the second piezoelectric layer.例文帳に追加

本集積フィルタは、基板と、基板の上部表面上の所定第１領域に位置する第１電極と、第１電極上に位置する第１圧電層と、第１圧電層上に位置する第２電極と、基板の上部表面上の所定第２領域に位置する第２圧電層と、第２圧電層上に位置するＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極とを含む。 - 特許庁

The elastic surface wave sensor 10 is constituted so that a response film 7 having to be brought into contact with the chemical substance to be detected/measured is provided on the under main surface of a quartz substrate 1 isolated from the exciting and detecting IDT electrodes 4 and 5 provided on the upper main surface of the quartz substrate 1 through the quartz substrate 1.例文帳に追加

弾性表面波センサ１０では、検出または測定の対象となる化学物質に接触させる必要がある感応膜７が、水晶基板１の上側主面に設けられた励振および受信用ＩＤＴ電極４，５と水晶基板１を介して隔離された水晶基板１の下側主面に設けられている。 - 特許庁

An interdigital transducer IDT electrode section 3 and a tap section 4 are formed on a piezoelectric substrate 2, the tap section 4 has taps 5-10 and one end of electrode fingers 5a, 5b-10a, 10b configuring each tap is connected to a bus bar 11 or 12 and a metallic film 13 is formed on the piezoelectric substrate among the taps 5-10.例文帳に追加

圧電基板２上にＩＤＴ電極部３及びタップ部４が形成されており、タップ部４がタップ５〜１０を有し、各タップを構成している電極指５ａ，５ｂ〜１０ａ，１０ｂの一端がバスバー１１またはバスバー１２に接続されており、タップ５〜１０間において圧電基板上に金属膜１３が形成されている、タップ付遅延線１。 - 特許庁

In the SAW resonance element 7, a recessed part 11 is formed in predetermined depth on a face confronting the entire area where the IDT 5 is formed on the back surface of the piezoelectric substrate 3 by etching or machining, and a thick part 12a of a base end part of the piezoelectric substrate 3 is adhesively bonded to the mounting surface of the package 2 in a cantilever manner by using the adhesive 8.例文帳に追加

ＳＡＷ共振素子７は、圧電基板３の裏面のＩＤＴ５が形成されている全領域に対向する面に、エッチング、或いは機械加工により所定の深さで凹部１１を形成し、圧電基板３の基端部の厚肉部１２ａを片持ち状態にてパッケージ２の実装面に接着剤８を用いて接着接合した構造である。 - 特許庁

Such a SAW resonator 100 has the product of a standardized film thickness H/λ and a line occupation rate mr determined within a range of 0.001≤Hλ*mr<0.027, where λ represents the wavelength of the SAW to be excited, H represents the film thickness of the exciting electrode, and mr represents the line occupation rate of electrode fingers constituting the IDT.例文帳に追加

また、このような特徴を有するＳＡＷ共振子１００では、励振するＳＡＷの波長をλ、励振電極の膜厚をＨ、ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率をｍｒとした時に、基準化膜厚Ｈ／λとライン占有率ｍｒとの積を、０．００１≦Ｈ／λ・ｍｒ＜０．０２７の範囲内となるように定める。 - 特許庁

In the surface acoustic wave device wherein a surface acoustic wave element wherein a plurality of conductor patterns constituting the IDT electrode and pad electrodes and an annular electrode are formed on a piezoelectric substrate is mounted on a circuit board, conductor patterns which are not electrically connected to a grounding annular electrode are electrically connected to the grounding annular electrode through resistors.例文帳に追加

圧電基板にＩＤＴ電極とパッド電極とを構成する複数の導体パターンと環状電極とを形成した弾性表面波素子を、回路基板に実装した弾性表面波装置において、接地用環状電極と電気的に接続されていない導体パターンを、抵抗体を介して接地用環状電極に電気的に接続する。 - 特許庁

In the SAW device that is formed by joining and fixing a rear side of a SAW device element with an IDT electrode on a major side of a piezoelectric substrate along the propagation direction of a surface acoustic wave and a ground electrode provided to an inner bottom side of a package with a conductive adhesive, the hardness of the conductive adhesive is selected to be 3B or below in the pencil hardness.例文帳に追加

圧電基板の主表面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極を備えたＳＡＷデバイス素子の裏面とパッケージの内底面に設けたグランド電極とを導電性接着剤で接着固定したＳＡＷデバイスであって、前記導電性接着剤の硬度を鉛筆硬度で３Ｂ以下とする。 - 特許庁

The Lamb wave type high-frequency sensor device is provided with a piezoelectric substrate 11 having principle surfaces 14 and 15 in the front and back and an IDT electrode 12 formed in one principle surface 14 of the piezoelectric substrate 11 for exciting Lamb waves and constituted in such a way that the other principle surface 15 opposed to the one principle surface 14 of the piezoelectric substrate 11 may be a detection surface for detecting physical quantities.例文帳に追加

表裏に主面１４，１５を有する圧電基板１１と、圧電基板１１の一方の主面１４に形成されたラム波を励振するＩＤＴ電極１２と、を備え、圧電基板１１の一方の主面１４に対向する他方の主面１５が物理量を検出する検出面であるように構成した。 - 特許庁

The SAW device 1 includes an SAW element 3 having an IDT 5 for exciting SAW on the main surface of a piezoelectric substrate 4, a base 2 for cantilever-supporting and fixing the SAW element 3 on one end 4a in an SAW propagation direction of the piezoelectric substrate 4, and an actuator 9 for displacing a free end portion 9a in a length direction in accordance with an applied voltage.例文帳に追加

ＳＡＷデバイス１は、圧電基板４の主面にＳＡＷを励振するためのＩＤＴ５を有するＳＡＷ素子３と、ＳＡＷ素子を圧電基板のＳＡＷ伝搬方向の一方の端部４ａで片持ちに支持固定するベース２と、印加電圧に応じて自由端部９ａを長さ方向に変位させるアクチュエータ９とを備える。 - 特許庁

The Lamb wave type high frequency resonator 10 has: a piezoelectric substrate 20 comprised of crystal; a comb-line IDT electrode 30 formed on the surface 21 of the piezoelectric substrate 20; and an adjustment film 60 comprised of materials with density different from those of the piezoelectric substrate 20, and formed at least in an area where the Lamb wave is propagated on the rear surface 22 of the piezoelectric substrate 20.例文帳に追加

ラム波型高周波共振子１０は、水晶からなる圧電基板２０と、圧電基板２０の表面２１に形成される櫛歯状のＩＤＴ電極３０と、圧電基板２０の裏面２２の少なくともラム波が伝搬する領域に、圧電基板２０の材質とは密度が異なる材質からなる調整膜６０が形成されている。 - 特許庁

In the surface acoustic wave device, a package contains filter elements each consisting of a ladder type circuit where IDT electrodes are interconnected on a piezoelectric substrate and each ground electrode of respective filter elements is connected to ground electrodes formed in the package, and the ground electrodes are interconnected via each inductive element.例文帳に追加

圧電基板上に複数のＩＤＴ電極を接続した梯子型回路を形成してなるフィルタ素子の複数個をパッケージ内に収容するとともに、各フィルタ素子の接地電極のそれぞれをパッケージの複数箇所に形成した接地電極に接続した弾性表面波装置であって、パッケージの複数箇所に形成した接地電極どうしをインダクタンス素子を介して接続した。 - 特許庁

The surface acoustic wave device 1 wherein a plurality of grooves 2b are formed on an upper surface 2a of an LiNbO_3 substrate 2, an IDT 3 having a plurality of electrode fingers composed of a metal material filling the plurality of grooves 2b is provided, wherein the metal material is composed of Ta, Mo or an alloy principally comprising at least one of these metals.例文帳に追加

ＬｉＮｂＯ_３基板２の上面２ａに複数本の溝２ｂが形成されており、複数本の溝２ｂに充填された金属材料からなる複数本の電極指を有するＩＤＴ３が設けられており、該金属材料がＴａもしくはＭｏまたはこれらの金属の少なくとも１種を主体とする合金からなる、弾性表面波装置１。 - 特許庁

The radio remote sensing system using a passive SAW sensor comprises the passive SAW sensor 1 in which an antenna 4 is connected to an IDT 3 of the SAW device 2 with a sensor function over a measured object, and a sensing device 13 having an antenna 4 and a transmission/reception part for the passive SAW sensor.例文帳に追加

そこで本発明では、このような課題を解決するために測定対象のセンサ機能を有するＳＡＷデバイス２のＩＤＴ３にアンテナ４を接続して構成した無給電ＳＡＷセンサ１と、この無給電ＳＡＷセンサに対するアンテナ４と送受信部を設けたセンシング装置１３とから構成した無給電ＳＡＷセンサを用いた無線遠隔センシングシステムを提案している。 - 特許庁

Also, an interdigital electrode comprising a plurality of secondary side electrode fingers 12 among the IDT electrodes 10 is connected through connection wiring 15b to the other reflector 13A, and the connection wiring 15 drawn from the reflector 13A is connected to the reflector 13B of the SAW resonator 1 adjacent to the other side of the two sides on the short side of the SAW resonator 1.例文帳に追加

また、ＩＤＴ電極１０のうち、複数の二次側電極指１２からなる交差指電極は、接続配線１５ｂを介して他方の反射器１３Ａに接続され、その反射器１３Ａから引き出された接続配線１５が、ＳＡＷ共振子１の短辺側の二辺のうちの他方の辺側に隣接するＳＡＷ共振子１の反射器１３Ｂに接続されている。 - 特許庁

In this object management device 100, feed date IDT of a production management object MMS is recorded for each object identification data SID every time the production management object MMS to which an RFID tag 200 is added moves in a plurality of production processes MP, and the production management object MMS in stock is detected for each production process MP.例文帳に追加

対象管理装置１００は、ＲＦＩＤタグ２００が添付されている生産管理対象ＭＭＳが複数の生産工程ＭＰを移動するごとに、その対象識別データＳＩＤごとに生産管理対象ＭＭＳへの工程搬入日時ＩＤＴなどが記録され、生産工程ＭＰごとに在庫されている生産管理対象ＭＭＳが検出される。 - 特許庁

A metal dam 7 which prevents sealing resin 31A from entering an airtight space S of a SAW chip 15 is not provided in a SAW propagation direction, and the sealing resin 31A is made to function as a sound absorbing material which absorbs undesired SAW radiated from IDT electrodes 17 of the SAW chip 15 in the SAW propagation direction.例文帳に追加

ＳＡＷ伝搬方向についてはＳＡＷチップ１５の気密空間Ｓ内に浸入する封止樹脂３１Ａを阻止するメタルダム７を設けないようにし、浸入してくる封止樹脂３１ＡをＳＡＷチップ１５のＩＤＴ電極１７からＳＡＷ伝搬方向に放射される不要なＳＡＷを吸音する吸音材として機能させるようにした。 - 特許庁

Interdigital transducer (IDT) electrodes and reflector electrodes or the like are configured on a piezoelectric substrate 100, an unbalanced input output terminal 109 is connected to a first input output terminal 113, and a first inductor 112 is interconnected between a first terminal 110 of the balanced input output terminals and a second terminal 111 of the balanced input output terminals.例文帳に追加

圧電基板１００上にインターディジタルトランスデューサ電極（ＩＤＴ電極）や反射器電極等が構成され、第１の入出力端子１１３には不平衡型入出力端子１０９を接続し、平衡型入出力端子の一方の第１の端子１１０と平衡型入出力端子の他方の第２の端子１１１の間には第１のインダクタ１１２を接続する。 - 特許庁

The IDT electrode is formed by laminated films containing a substrate layer composed of titanium nitride or titanium laminated on the single crystal piezoelectric substrate one by one and an Al layer, and the single crystal piezoelectric substrate is a lithium tantalate substrate with 46° or more rotation Y-X propagation.例文帳に追加

単結晶圧電基板の表面にＩＤＴ電極を備えかつ金属バンプを介してベース基板上にＦＣＢ実装されたＳＡＷ素子を１以上含むＳＡＷ装置で、ＩＤＴ電極は、単結晶圧電基板上に順次積層した窒化チタン又はチタンからなる下地層とＡｌ層とを含む積層膜により形成されかつ、単結晶圧電基板は４６°以上の回転Ｙ‐Ｘ伝搬タンタル酸リチウム基板である。 - 特許庁

The surface acoustic wave filter includes a substrate, a composite thin film that is formed on the substrate, consists of a carbon nanotube(CNT) and a piezoelectric body and has piezoelectric characteristics for delivering surface acoustic waves and includes an interdigital transducer(IDT), that receives the surface acoustic wave transmitted from the composite thin film and provides an output of an electrical signal.例文帳に追加

本発明は基板及び基板上に形成され、炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）と圧電体で形成され表面弾性波を伝達するように圧電特性が具備された複合体薄膜と；入力される電気信号を複合体薄膜に伝達して表面弾性波を発生させ、複合体薄膜から表面弾性波の伝達を受けて電気信号を出力するインターデジタル変換器（ＩＤＴ）とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an SAW device for which void generation and resin intrusion to an airtight space are prevented at the time of laminating resin in the SAW device in which the airtight space is formed below an IDT by coating the outer surface of an SAW chip mounted on a mounting substrate base material with a heated and softened resin sheet and filling the resin in a skirt part of the SAW chip, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

実装基板母材に実装したＳＡＷチップの外面を、加熱軟化させた樹脂シートにより被覆すると共に、ＳＡＷチップの裾部に樹脂を充填させることにより、ＩＤＴの下方に気密空間を形成したＳＡＷデバイスにおいて、樹脂をラミネートする際にボイド発生や気密空間への樹脂浸入を防いだＳＡＷデバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The SAW device is provided in which a SAW element 11 having an IDT 13 and reflectors 14 and 15 on a piezoelectric substrate 12 is cantilever-supported by one end 2a in a SAW propagation direction with an adhesive 9, the SAW device is disposed so as to entirely overlap a region at an end which is coated with the adhesive or between one adjacent reflector and the region coated with the adhesive.例文帳に追加

圧電基板２上にＩＤＴ３及び反射器４，５を有するＳＡＷ素子１をＳＡＷ伝搬方向の一方の端部２ａで接着剤９により片持ちに支持したＳＡＷデバイスは、ヒータ電極６がＳＡＷ素子の平面において、その全部を端部の接着剤を塗布した領域に重なるように、又は隣接する一方の反射器と接着剤を塗布した領域との間に配置される。 - 特許庁

The elastic boundary wave apparatus 1 includes: a first medium 11 formed of a piezoelectric material; a second medium 12 formed on the first medium 11; a third medium 13 formed between the first medium 11 and the second medium 12; an IDT electrode 16 provided between the first medium 11 and the third medium 13; and an optical catalyst layer 17 provided between the third medium 13 and the second medium 12.例文帳に追加

弾性境界波装置１は、圧電体からなる第１の媒質１１と、第１の媒質１１の上に形成されている第２の媒質１２と、第１の媒質１１と第２の媒質１２との間に形成されている第３の媒質１３と、第１の媒質１１と第３の媒質１３との間に設けられているＩＤＴ電極１６と、第３の媒質１３と第２の媒質１２との間に設けられている光触媒層１７とを備えている。 - 特許庁