「idT」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The longitudinal coupling resonator type surface acoustic wave filter 200 comprises first to third IDTs 201 to 203 with the number of electrode fingers of its central second IDT 202 being even, and polarities of the electrode fingers 201 and 203a adjacent to the IDT 202 are inverted to those of the left and first and right third IDTs 201 and 203 to have the balance-to-unbalance transforming function.例文帳に追加

第１〜第３のＩＤＴ２０１〜２０３を有し、中央の第２のＩＤＴ２０２の電極指の本数が偶数本とされており、左右の第１，第３のＩＤＴ２０１，２０３のＩＤＴ２０２と隣り合っている電極指２０１ａ，２０３ａの極性が反転されている、平衡−不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性表面波フィルタ２００。 - 特許庁

In the traversal SAW filter in which two IDT electrodes are located on a piezoelectric substrate at a prescribed interval, one of IDT electrodes is formed by using the basic block of an electrode cycle λR having a reflecting function and the basic block of an electrode cycle λS having no reflecting function and the electrode cycles λR and λS are made different from each other.例文帳に追加

圧電基板上に２つのＩＤＴ電極を所定の間隔をおいて配置したトランスバーサル弾性表面波フィルタであって、ＩＤＴ電極の一方を反射機能を有する電極周期λＲの基本区間と、反射機能を有しない電極周期λＳの基本区間とを用いて形成すると共に電極周期λＲ及びλＳを互いに異ならせる。 - 特許庁

In this surface acoustic wave device in which the electrode structure columns having at least an input IDT and an output IDT are cascaded on a piezoelectric board, a V groove having 0°<θ<90° angle with respect to the principal plane of the piezoelectric board is provided as a means for absorbing or scattering surface waves between the electrode structure columns.例文帳に追加

課題を解決するために本発明は、少なくとも入力ＩＤＴと出力ＩＤＴとを有する電極構造列を圧電基板上に縦続接続した弾性表面波装置において、前記電極構造列間に、表面波を吸収又は散乱する手段として、該圧電基板の主面に対し０°＜θ＜９０°の角度を有するＶ溝を設けたことにより課題を解決する。 - 特許庁

The IDT is composed of Au having a normalized film thickness H/λ=0.001 to 0.05 on a LiTaO_3 substrate having an Euler angle (0°, 125° to 144°, 0°±5°), and an SH wave having a small propagation loss is excited.例文帳に追加

オイラー角（０°，１２５°〜１４４°，０°±５°）であるＬｉＴａＯ_3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λ＝０．００１〜０．０５のＡｕによりＩＤＴを構成して伝搬損失の少ないＳＨ波を励振する。 - 特許庁

This optical deflector is constituted by laminating an optical waveguide layer 2 on a substrate 1 and providing the front surface of this optical waveguide layer 2 with incident gratings 5, exit gratings 6 and an IDT 7 for exciting surface acoustic waves.例文帳に追加

基板１上に光導波層２を積層し、光導波層２の表面に入射グレーティング５、出射グレーティング６及び表面弾性波を励振するＩＤＴ７を設けた光偏向器。 - 特許庁

A first insulator film 14 is formed on a main surface 12a of a piezoelectric substrate 12 so as to be adjacent to a first conductive film forming an IDT 20 and to surround the periphery of the first conductive film.例文帳に追加

圧電基板１２の主面１２ａに、ＩＤＴ２０を形成する第１の導電膜に隣接し、かつ第１の導電膜の周囲を取り囲むように、第１の絶縁膜１４が形成されている。 - 特許庁

Then, a resonance frequency caused by the IDT electrode is measured to calculate a deviation between the measured resonance frequency and a target resonance frequency (step 52), and the film thickness of an anodic oxide film that can realize the deviation zero is calculated (step 54).例文帳に追加

次に、ＩＤＴ電極による共振周波数を測定して目標共振周波数との偏差を求め（ステップ５２）、この偏差を零にできる陽極酸化膜の膜厚を求める（ステップ５４）。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device having a plurality of frequency characteristics different from one another and improved in a problem such as a short circuit between electrode fingers of an IDT electrode, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

異なる複数の周波数特性を有すると共に、ＩＤＴ電極の電極指間の短絡等の問題を改善した弾性表面波装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce spurious coming from a high-order mode in a surface acoustic wave device in which a dielectric layer having a thickness of 0.25λ or larger is formed on a LiNbO_3 substrate to cover an IDT electrode.例文帳に追加

ＬｉＮｂＯ_３基板の上に、ＩＤＴ電極を覆うように厚み０．２５λ以上の誘電体層が形成されている弾性表面波装置において、高次モードに起因するスプリアスを抑圧する。 - 特許庁

At least one IDT 14 is formed to mix a single electrode cell 30 which causes a reflection of the surface acoustic wave, and a double electrode cell 32 which does not cause the reflection of the surface acoustic wave.例文帳に追加

少なくとも１つのＩＤＴ１４は、弾性表面波の反射を生ずるシングル電極セル３０と、弾性表面波の反射を生じないダブル電極セル３２とを混在させて形成してある。 - 特許庁

The IDT can be coated with a flat insulating film 8, having a piezoelectricity and in that case, a non-piezoelectric material, which is high in the propagation velocity of a surface acoustic wave, can be used for a substrate.例文帳に追加

ＩＤＴは、圧電性を有する平坦な絶縁膜８で被覆することができ、かつその場合には、基板に弾性表面波の伝搬速度が速い非圧電性材料を用いることができる。 - 特許庁

The surface acoustic wave device 1 has a crystal rotation Y cut whose Euler angle is represented by (0, θ, ψ) as a substrate 2, and has an IDT 3 and reflectors 4, 5 provided on this substrate 2.例文帳に追加

弾性表面波素子１は、基板２としてオイラー角が（０、θ、ψ）で表される水晶回転Ｙ板を有し、この基板２上に設けられたＩＤＴ３および反射器４、５を有している。 - 特許庁

I/O pads 4a and 4b of the IDT 2 and the I/O terminals of a package 6 are conducted electrically by metal wires 5a and 5b and the opening of the package 6 is sealed hermetically by a lid.例文帳に追加

前記ＩＤＴ２の入出力パッド４ａ、４ｂとパッケージ６の入出力用端子とを金属ワイヤ５ａ、５ｂにより電気的に導通し、パッケージ６の開口部を蓋（リッド）で気密封止する。 - 特許庁

In another embodiment, after the exposed thin film is removed to its middle by a dry etching, the remaining thin film is completely oxidized by the anodic oxidation treatment to form the IDT.例文帳に追加

別の実施例では、露出するアルミニウム薄膜をドライエッチングにより途中まで除去した後、残存するアルミニウム薄膜を陽極酸化処理により完全に酸化させてＩＤＴを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an elastic wave device, which reduces damage to IDT electrodes on an elastic surface wave element when this element is cut and divided with laser beam radiation on a piezoelectric wafer.例文帳に追加

圧電基板ウエハの弾性表面波素子をレーザ照射することにより切断し分割する場合の、弾性表面波素子上のＩＤＴ電極の損傷を低減することを目的とする。 - 特許庁

To reduce a Δf (a difference between the anti-resonance frequency and the resonance frequency) and spurious radiation by interleaving electrodes at prescribed positions of interdigital electrodes configuring an IDT(Interdigital Transducer) concerning a surface acoustic wave resonator.例文帳に追加

この発明は、弾性表面波共振子に関し、ＩＤＴを構成するくし形電極の所定の位置の電極を間引くことによりΔｆの縮小、スプリアスの抑制を図ることを課題とする。 - 特許庁

The normal type IDT electrode 10 includes: first and second bus bars 10c, 10f; a plurality of first and second electrode fingers 10d, 10g; and first and second dummy electrodes 10e, 10h.例文帳に追加

正規型ＩＤＴ電極１０は、第１及び第２のバスバー１０ｃ、１０ｆと、複数本の第１及び第２の電極指１０ｄ、１０ｇと、第１及び第２のダミー電極１０ｅ、１０ｈとを有する。 - 特許庁

To provide a transversal type SAW filter in which three IDT electrodes are spaced at predetermined intervals on a piezoelectric substrate, and in which attenuation characteristics are improved without increasing device size.例文帳に追加

圧電基板上に３つのＩＤＴ電極を所定の間隔をあけて配置したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタにおいて、デバイスサイズを大きくすることなく減衰特性を改善することを目的とする。 - 特許庁

When the electrode material of the IDT 2 and the reflectors 3a and 3b is Al, the piezoelectric substrate 1 is an ST cut 90° X propagation crystal substrate of Euler angle indication (0°, 122°±5°, 90°±2°).例文帳に追加

そして、ＩＤＴ２及び反射器３ａ、３ｂの電極材料をＡｌとした時に、圧電基板１をオイラー角表示で（０°，１２２°±５°，９０±２°）のＳＴカット９０°Ｘ伝搬水晶基板とする。 - 特許庁

The center lines 68 and 70 of reflector waveguide portions of the reflectors 56 shift from the center lines of the adjacent IDT waveguide portions in a direction orthogonal to the propagation direction of the surface acoustic wave.例文帳に追加

反射器５６の反射器導波路部の中心線６８、７０は、隣接するＩＤＴ導波路部の中心線に対して弾性表面波の伝播方向と直交した方向にずれている。 - 特許庁

To obtain a good flatness of an attenuation characteristic in a pass frequency band in a surface acoustic wave filter of a type wherein input side and output side IDT electrodes are formed to be tapered.例文帳に追加

入力側ＩＤＴ電極及び出力側ＩＤＴ電極をテーパー型に構成した弾性波フィルタにおいて、通過周波数帯域において減衰特性の良好な平坦性を得ること。 - 特許庁

In addition, the IDT 3a excites the piezoelectric element 2 by high frequency voltage to be inputted to generate an elastic surface wave.例文帳に追加

櫛歯３には取り出し電極４と配線５とが接続されることでＩＤＴ３ａが構成され、ここに入力される高周波電圧によりＩＤＴ３が圧電体２を励振し、弾性表面波を発生する。 - 特許庁

To enhance pass characteristics without enlarging a device size in a SAW device wherein at least two IDT electrodes are disposed at a prescribed interval on a piezoelectric substrate.例文帳に追加

圧電基板上に少なくとも２つのＩＤＴ電極を所定の間隔をあけて配置したＳＡＷデバイスにおいて、デバイスサイズを大型にすることなく通過特性を改善することを目的とする。 - 特許庁

Then, electromagnetic coupling between the input/output terminals is suppressed by arranging a ground line 13 in a gap between the input/output terminal 10 connected to the IDT electrode 1 and the lead electrode 11.例文帳に追加

そして、ＩＤＴ電極１に接続した入出力端子１０とリード電極１１との間隙にアースライン１３を配置することにより、入出力端子間の電磁結合を抑圧する。 - 特許庁

When a signal voltage is applied between a pair of the interdigital electrodes 18a and 18b of the IDT 14, the crystal substrate 2 is excited in the upper limit mode of the stop band of the surface acoustic wave comprising a Rayleigh wave.例文帳に追加

ＩＤＴ１４は、一対の櫛型電極１８ａ、１８ｂ間に信号圧が印加されると、水晶基板１２をレイリー波からなる弾性表面波のストップバンドの上限モードで励振する。 - 特許庁

To provide an inexpensive and highly reliable surface acoustic wave device capable of preventing the corrosion of IDT electrodes and a comb-shape electrode by the use of an ink jet method, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

インクジェット法を利用して、ＩＤＴ電極及び櫛形電極の腐食を防止し、廉価で信頼性の高い弾性表面波デバイスとその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The electrode finger pitch of an intermediate electrode 45 is wider than the electrode finger pitch of IDT electrodes 32, 33 positioned in end portions of electrode groups 21, 22 adjacent to both sides of the relevant isolate electrode 61.例文帳に追加

中間電極４５の電極指ピッチは、当該分離電極６１の両側に隣接する電極群２１，２２の端部に位置するＩＤＴ電極３２，３３の電極指ピッチより広い。 - 特許庁

This SAW transversal filter 1 is provided with a piezoelectric substrate made of lithium tantalate single crystal and an IDT (interdigital transducer) 2 formed on the surface of the piezoelectric substrate and made mainly of aluminum of film thickness Hm.例文帳に追加

ＳＡＷトランスバーサルフィルタ１は、タンタル酸リチウム単結晶からなる圧電基板と、圧電基板の表面に形成され、アルミニウムを主成分とする膜厚ＨｍのＩＤＴ２とを備えている。 - 特許庁

Thus, breakage of the IDT electrode 3 caused by static electricity generated by pyroelectric effect of the piezoelectric substrate 1 is prevented, and a process which is conventionally required is omitted.例文帳に追加

これにより、圧電基板１の焦電効果によって発生する静電気によるＩＤＴ電極３の破壊を防止することができ、しかも従来必要であった工程を省略することができる。 - 特許庁

Then, an electrode forming process of forming the IDT 14 composed of the interdigital electrode and the reflectors 16a and 16b by etching the conductive metal film 32 through the resist film 36 is performed.例文帳に追加

次に、レジスト膜３６を介して導電性金属膜３２をエッチングしてすだれ状電極からなるＩＤＴ１４と反射器１６ａ、１６ｂとを形成する電極形成工程を行なう。 - 特許庁

The shielding electrode 4 is formed in a grating shape and is set so that the electrode cycle λs of the shielding electrode 4 becomes 0.964 times larger than the electrode cycle λi of the IDT electrode.例文帳に追加

該シールド電極４はグレーティング型に形成されており、前記シールド電極４の電極周期λｓを前記ＩＤＴ電極の電極周期λｉの０．９６４倍となるように設定する。 - 特許庁

In a plurality of dual SAW resonators 1 formed to an SAW wafer 1A, IDT electrodes 11 for first SAW resonator elements 10 are connected to a first connecting wiring 15.例文帳に追加

ＳＡＷウェハ１Ａに形成された複数のデュアルＳＡＷ共振子１において、第１のＳＡＷ共振子要素１０のＩＤＴ電極１１は第１の接続配線１５に接続されている。 - 特許庁

At least one of the substrate 2 and the dielectric film 4 is a piezoelectric body, the IDT electrodes 3a, 3b include electrode fingers 3a-2, 3b-2 which extend in a perpendicular direction to the direction of propagation of the acoustic waves, and the thickness of the dielectric film 4 changes in gaps from the leading edge of the electrode fingers to the opposing IDT electrodes in the direction in which the electrode fingers extend.例文帳に追加

基板２および誘電体膜４の少なくとも一方が圧電体であり、ＩＤＴ電極３ａ、３ｂは、弾性波の伝播方向に垂直な方向に延びて形成される電極指３ａ−２、３ｂ−２を含み、電極指の先端から、前記電極指の延びる方向において対向するＩＤＴ電極までの間のギャップ部において、誘電体膜４の膜厚が変化している。 - 特許庁

Disclosed is the surface acoustic wave device which has at least one IDT electrode on a top surface of the lithium tetraborate piezoelectric substrate and also has a plurality of grooves with a tilt angle θ to the propagation direction of a surface acoustic wave excited by the IDT electrode on the reverse surface of the piezoelectric substrate, the grooves being deep to ≥29% of the thickness H of the piezoelectric substrate.例文帳に追加

四硼酸リチウム圧電基板の表面上に少なくとも１つのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板の裏面に前記ＩＤＴ電極によって励起される弾性表面波の伝搬方向に対し、傾斜角θを有する複数の溝を備え、前記溝は前記圧電基板の厚さＨの２９％より深くした弾性表面波デバイスを構成する。 - 特許庁

The location register 13, which receives this repeater position registration request, stores the repeater identification information IDt of the relevant repeater 21 as located area information of the portable communication terminal 7 moving with the repeater 21 and correspondently stores the relevant repeater identification information IDt and the sector identification information IDs of the sector 41, where the relevant repeater 21 is located.例文帳に追加

一方、この中継装置位置登録要求を受信したロケーションレジスタ１３は、中継装置２１に伴って移動する携帯通信端末７の在圏エリア情報として当該中継装置２１の中継装置識別情報ＩＤｔを記憶するとともに、当該中継装置識別情報ＩＤｔと当該中継装置２１が所在するセクタ４１のセクタ識別情報ＩＤｓとを対応付けて記憶する。 - 特許庁

Electrode fingers 22 (22a, 22b) of the interdigital electrodes 18 configuring the IDT 14 have a width Lt and a forming pitch of the electrode fingers 22 is Pt, and the electrode fingers 22 are formed in a relation of 0.5≤(Lt/Pt)≤0.7.例文帳に追加

ＩＤＴ１４を構成している櫛型電極１８の電極指２２（２２ａ、２２ｂ）は、幅がＬｔ、電極指２２の形成ピッチがＰｔとなっていて、０．５≦（Ｌｔ／Ｐｔ）≦０．７となるように形成してある。 - 特許庁

The optical deflector described above uniformly corrects the light intensity at the scanning surface of exit light by modulating the power of a power source 11 of a light source unit 10 for radiating a laser beam and the power of a high-frequency power source 8 of the IDT 7.例文帳に追加

レーザビームを放射する光源ユニット１０の電源１１のパワー、もしくはＩＤＴ７の高周波電源８のパワーを変調させ、出射光の走査面での光強度を均一に補正する。 - 特許庁

A second medium 12 is formed on a first medium 11 where an IDT electrode 14 is formed, and a sacrificial layer 15 comprising the same material as a third medium 13 is formed on the second medium 12 further.例文帳に追加

ＩＤＴ電極１４が形成されている第１の媒質１１の上に、第２の媒質１２を形成し、さらに、第２の媒質１２の上に、第３の媒質１３と同じ材料からなる犠牲層１５を形成する。 - 特許庁

A manufacturing method of an acoustic wave device includes a step of installing a piezoelectric substrate 110 in a film-forming device and a step of forming an IDT electrode on the piezoelectric substrate 110 installed in the film-forming device.例文帳に追加

弾性波装置の製造方法は、成膜装置内に圧電基板１１０を設置する工程と、成膜装置内に設置された圧電基板１１０上にＩＤＴ電極を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The IDT is composed of Au having a normalized film thickness H/λ=0.001 to 0.05 on a LiTaO_3 substrate having an Euler angle (0°, 125° to 137°, 0°±5°), and an SH wave having a small propagation loss is excited.例文帳に追加

オイラー角（０ー，１２５ー〜１４６ー，０ーア５ー）であるＬｉＴａＯ_3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λ＝O．００１〜０．０５のＡｕによりＩＤＴを構成して伝搬損失の少ないＳＨ波を励振する。 - 特許庁

The thickness h of an IDT electrode 2 formed on a quartz substrate 1 is set so that it is a little thicker than a target thickness and the central frequency becomes a little lower than a target value (S1).例文帳に追加

水晶基板１上に形成されるＩＤＴ電極２の厚みｈを、目標の厚みよりもわずかに厚めであって、中心周波数が目標値よりわずかに低めとなるように設定しておく（Ｓ１）。 - 特許庁

The elastic boundary wave element 10 includes a piezoelectric substrate 11; a dielectric layer 12 formed on the piezoelectric substrate 11; and IDT electrodes 13a, formed between the piezoelectric substrate 11 and the dielectric layer 12.例文帳に追加

弾性境界波素子１０は、圧電基板１１と、圧電基板１１の上に形成されている誘電体層１２と、圧電基板１１と誘電体層１２との間に形成されているＩＤＴ電極１３ａとを有する。 - 特許庁

When a line pulse duty factor mr is defined by an electrode finger width of an electrode finger constituting the IDT electrode/(the electrode finger width + a space between electrode fingers), the line pulse duty factor mr satisfies 0.41<mr<0.53.例文帳に追加

また、前記ＩＤＴ電極１２を構成する電極指の電極指幅／（電極指幅＋電極指間のスペース）をライン占有率ｍｒとした時に、ライン占有率ｍｒが、０．４１＜ｍｒ＜０．５３を満足する。 - 特許庁

Input and output IDT electrodes 16 and 17, composed of comb- line electrode couples 12a, 12b, 13a and 13b having two comb-line electrodes of difference line widths over the 1/2 width of a wavelength λ of a SAW, are formed on a piezoelectric substrate 11.例文帳に追加

圧電基板１１上に弾性表面波の波長λの１／２の幅に線幅の異なる二本の櫛電極を有する櫛電極対１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂで構成された入、出力ＩＤＴ電極１６，１７を形成する。 - 特許庁

A plurality of IDT electrodes 5, 6, 7, 8, 9 for exciting or receiving surface acoustic wave, and a plurality of grating reflectors 12, 13 for reflecting the surface acoustic wave, are formed on the piezoelectric substrate 3.例文帳に追加

圧電基板３上には弾性表面波を励振又は受信する複数のＩＤＴ電極５、６、７、８、９と、弾性表面波を反射する複数のグレーティング反射器１２、１３が形成されている。 - 特許庁