impuritiesを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 7611件
This cleaning method in the production process of carbon nanotubes or carbon nanohorns comprises a step S1 of cleaning the synthesized carbon nanotubes or carbon nanohorns with an aprotic organic solvent such as dimethylacetamide for at least one minute at 20°C or higher temperature to remove impurities, and a step S2 of washing to remove the aprotic organic solvent attaching to the cleaned carbon nanotubes or carbon nanohorns.例文帳に追加
カーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの製造工程において、合成されたカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンを、少なくとも１分間、２０℃以上としたジメチルアセトアミド等の非プロトン性有機溶媒で洗浄して不純物を除去した後（ステップＳ１）、該洗浄されたカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンに付着している上記非プロトン性有機溶媒を洗浄して除去する（ステップＳ２）。 - 特許庁
The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes a deteriorated layer removal step, wherein the deteriorated layer formed by annealing for activating impurities ion-implanted to the silicon carbide substrate is removed by executing, in order, a first etching step of anisotropic plasma etching using an inert gas and a second etching step of isotropic plasma etching using an inert gas.例文帳に追加
炭化珪素基板にイオン注入された不純物を活性化するためのアニールを行う際に形成された変質層を、不活性ガスを用いた異方性プラズマエッチングによる第１エッチング工程と、不活性ガスを用いた等方性プラズマエッチングによる第２エッチング工程とをこの順序で実施することにより除去する変質層除去工程を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 特許庁
This method for catalytically hydrogenating methylenedianiline to form a ring hydrogenated counterparts comprises contacting the methylenedianiline with hydrogen in the presence of a catalyst system containing rhodium and ruthenium supported on a carrier, wherein the catalytic hydrogenation method comprises using the methylenedianiline feedstocks having at least 40 mass% of the polycyclic oligomer impurities and conducting hydrogenation in the presence of the catalyst system containing the rhodium and the ruthenium carried on the lithium aluminate support.例文帳に追加
担体に担持されたロジウムおよびルテニウムを含む触媒系の存在下で、メチレンジアニリンと水素を接触させることにより、メチレンジアニリンをその環水素化対象物へ接触水素化させる方法において、少なくとも４０質量％の多環オリゴマー不純物を有するメチレンジアニリン原料を使用すること、そして、アルミン酸リチウム担体に担持されたロジウムおよびルテニウムを含む触媒系の存在下で水素化を実施することを特徴とする接触水素化方法により、課題が解決できる。 - 特許庁
This method for reacting an olefinically unsaturated compound with carbon monoxide and hydrogen in the presence of a hydroformylation catalyst containing a group VIII transition metal in the periodic table and an organic phosphorus compound comprises controlling the amount of nitrogen oxide mixed with the reaction system as the impurities so that the molar ratio thereof to the group VIII transition metal included in a catalyst-containing liquid may be ≤5.例文帳に追加
周期律表第VIII族遷移金属及び有機リン化合物を含むヒドロホルミル化触媒の存在下、オレフィン性不飽和化合物を一酸化炭素及び水素と反応させてアルデヒドを製造する方法において、反応系内に不純物として混入する窒素酸化物の量を、触媒含有液中に含まれる第VIII族遷移金属に対するモル比が５以下となる様に制御することを特徴とするアルデヒドの製造方法。 - 特許庁
To provide a valve attaching method capable of suppressing the generation of impurities by reducing the area of a flow passage in a side opened to atmosphere inside a valve and increasing purging efficiency so as to limit transformation or corrosion caused by the reactive material of the valve, and shortening a device starting time by supplying an originally pure reactive material to a specified location within a short time.例文帳に追加
ソースボトル１を交換する際に、そのバルブ６は配管３から切り離されて形態が複雑で接触面積の大きくコンダクタンスの悪い流路が大気に開放されるため、この部分に付着した反応性物質が酸化作用等を受けて流路が変質、腐食してパーティクル等の不純物が残留するため、ガスパージ等によってパーティクル等の不純物を除去することが難しく、ソースボトル１を配管３に接続して純粋な反応性物質をチャンバーへ供給するまでに多くの時間を要し、装置の立ち上げまでに多くの時間を要する。 - 特許庁
In the method of manufacturing a transistor including an oxide semiconductor, the percentage of oxygen flow rate to the total flow rate of sputtering gas is set to 90%-100%, an oxide semiconductor layer is formed in oxygen-excess state by sputtering a metal oxide, and the oxide semiconductor layer is sealed in a dense metal oxide thus obtaining a device configuration where impurities such as hydrogen or water is not mixed as much as possible.例文帳に追加
酸化物半導体を含むトランジスタの作製方法において、スパッタガスの全流量に対する酸素流量の割合を９０％以上１００％以下として、金属酸化物をスパッタすることで酸素過剰な状態の酸化物半導体層を形成し、該酸化物半導体層を緻密な金属酸化物で封じた構成とすることで、水素や水などの不純物を極力混入させないデバイス構成とする。 - 特許庁
A projection wall having a second side surface opposed to a first side surface is formed on a semiconductor substrate, a single side contact mask having an opening part selectively opening a part of the first side surface of the wall, is formed, then a first impurity layer and a second impurity layer covering the first impurity layer by diffusing impurities having different diffusion degrees into a first side surface exposed to the opening.例文帳に追加
半導体基板に第１の側面に反対される第２の側面を有して突出した壁体）を形成し、壁体の第１の側面の一部を選択的に開口する開口部を有する片側コンタクトマスクを形成した後、開口部に露出した第１の側面部分に互いに拡散度が異なる不純物を拡散させて第１の不純物層及び該第１の不純物層を覆う第２の不純物層を形成することを特徴とする。 - 特許庁
The semiconductor device comprises two first epitaxial growth layers 6 to be extended, which are formed on a semiconductor substrate 1 and contain conductive impurities; two second epitaxial growth layers 8 to be a source or a drain, which are formed on the first epitaxial growth layers 6; and a gate electrode 5 formed on the channel region of the semiconductor substrate 1 between the two first epitaxial growth layers 6 through a gate insulation film 4.例文帳に追加
半導体装置は、半導体基板１上に形成され、導電性不純物を含み、エクステンションとなる２つの第１エピタキシャル成長層６と、第１エピタキシャル成長層６上に形成され、ソースあるいはドレインとなる２つの第２エピタキシャル成長層８と、２つの第１エピタキシャル成長層６の間における半導体基板１のチャネル領域上に、ゲート絶縁膜４を介して形成されたゲート電極５とを有する。 - 特許庁
This fuel cell power generating system is equipped with the hypochlorite producing device 102 generating byproduct gas containing hydrogen gas as the main component inside an electrolytic bath 106 by an electrolytic process, a gas purifier 86 removing impurities from the byproduct gas sent from the hypochlorite producing device 102 and passing the hydrogen gas, and a fuel cell 104 generating electric power by electrochemical reaction of oxidizing agent gas 25 and the hydrogen gas sent from the gas purifier 86.例文帳に追加
電気分解工程により電解槽１０６内に水素ガスを主成分とする副生成ガスを発生する次亜塩素酸塩生成装置１０２と、次亜塩素酸塩生成装置１０２から送出される副生成ガスから不純物を除去し水素ガスを通過させるガス洗浄器８６と、酸化剤ガス２５と、ガス洗浄器８６から送出される水素ガスとの電気化学的反応により発電する燃料電池１０４と、を備える。 - 特許庁
A manufacturing method includes the steps for forming a connection hole 32 on an interlayer insulating film 31 with an etching mask of a resist film 41 after the resist film 41 with an opening pattern 42 for forming a connection hole is formed in the interlayer insulating film 31 on a silicon substrate 11, and a step for ion-implanting impurities to the silicon substrate 11 with the ion implanting mask of the resist film 41.例文帳に追加
シリコン基板１１上に形成した層間絶縁膜３１上に接続孔を形成するための開口パターン４２を形成したレジスト膜４１を形成した後、レジスト膜４１をエッチングマスクに用いて層間絶縁膜３１に接続孔３２を形成する工程と、レジスト膜４１をイオン注入マスクに用いてシリコン基板１１に不純物をイオン注入する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁
Chairman Hiroshi Yokoyama explains. “I started our business in China, and if I could manage our company forever it would be OK, but I didn’t feel right about leaving this to a successor who is not familiar with Chinese business customs and practices. There have also been numerous incidents of impurities in Chinese foods, so I was worried that producing food products in China could have a negative impact on our company image. After worrying about this for half a year I reached the conclusion it was better to leave. 例文帳に追加
「中国での事業を始めた自分が、いつまでも経営を続けられるのならば良いが、中国における事業上の慣習や雰囲気を知らない後継者に、中国事業を引き継ぐことに迷いがあった。また、中国製の食品による事故が多発したことで、中国で食品を生産していることが、企業イメージに悪影響を及ぼすおそれもあったことから、半年間考え悩んだ末に結論を出した。」と、同社の横山弘会長は語る。 - 経済産業省
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