「impurities」に関連した英語例文の一覧と使い方(151ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, this method is provided with an ionic impurities adsorbing means in the storage tank or the coating solution circulating means.例文帳に追加

塗工液ストーレッジタンク（ｓｔｏｒａｇｅ ｔａｎｋ）、浸漬塗布部及び塗工液循環手段を有し、該ストーレッジタンク、浸漬塗布部及び塗工液循環手段のうちの少なくとも一つの接液部がステンレス製である塗工装置を用いて感光層を塗工する電子写真感光体の製造方法において、前記ストーレッジタンク内または前記塗工液循環手段内にイオン性不純物吸着手段を設ける。 - 特許庁

The invention relates to a process for hydrogenation reaction of 2,6-naphthalenedicarboxylic acid comprising the steps of calculating an amount of hydrogen to remove impurities such as formylnaphthoic acid (FNA), naphthalenecarboxylate bromide (Br-NDA), and heavy components and inputting a fixed quantity of hydrogen calculated.例文帳に追加

２，６−ナフタレンジカルボン酸を水素化処理する方法であって、ホルミルナフトエ酸（ＦＮＡ）、ナフタレンジカルボン酸ブロマイド（Ｂｒ−ＮＤＡ）およびヘビー成分を除去するために、前記成分の含量により要求される水素量を計算する工程；及び計算された量の水素を定量的に添加する工程を包含する方法により、２，６−ナフタレンジカルボン酸の水素化処理する。 - 特許庁

The method comprises a step for providing a semiconductor substrate wherein a prescribed process is carried out for forming a semiconductor element and a step for forming an ion implantation layer 105 by injecting trivalent impurities having a larger atomic weight than that of boron and consisting of a single atom to a prescribed depth of the semiconductor substrate by an ion implantation process.例文帳に追加

半導体素子を形成するための所定の工程が行われた半導体基板を提供する段階と、前記半導体基板の所定深さに、ホウ素より大きい原子量を有し且つ単原子からなる３価不純物をイオン注入工程によって注入してイオン注入層１０５を形成する段階を含む。 - 特許庁

To provide a cleaning method and a cleaning device for a semiconductor wafer, capable of preventing particles or metal impurities contained in a cleaning liquid from sticking to the surface of a semiconductor wafer, and capable of preventing them from being mixed with a rinsing liquid held in a rinsing bath.例文帳に追加

洗浄液に含まれるパーティクルや金属不純物が半導体ウェーハの表面へ付着することを防ぎ、洗浄液に含まれるパーティクルや金属不純物が濯ぎ槽に貯留される濯ぎ液に混入することを防ぐことができる半導体ウェーハの洗浄装置及びその洗浄方法を提供する。 - 特許庁

Or, the used resist removing liquid in which the carbonic acid component is fixed as an alkali carbonate is subjected to continuous or batch distillation in a distillation and recovery process to separate the inorganic component such as alkali carbonates and the resist component as a still residue, and the vaporized fraction is supplied to a fractionating tower to separate the low boiling point impurities such as water and solvents to recover the resist removing liquid component.例文帳に追加

また、炭酸成分を炭酸アルカリとして固定した使用済レジスト剥離液を、蒸留回収工程において、連続式又は回分式に蒸留することにより、炭酸アルカリなどの無機成分及びレジスト成分を釜残として分離する一方、蒸発ベーパを精留塔に供給し、水や溶剤などの低沸点不純分を分離してレジスト剥離液成分を回収する。 - 特許庁

It is preferable that the components of the ferrite-austenite stainless steel sheet contains by mass%, ≤0.1% C, 17 to 25% Cr, ≤1% Si, ≤3.7% Mn, 0.6 to 3% Ni, 0.1 to 3% Cu, ≥0.06% to <0.15% N, the balance Fe and inevitable impurities.例文帳に追加

上記フェライト・オーステナイト系ステンレス鋼の成分は、質量％にて、Ｃ：０．１％以下、Ｃｒ：１７〜２５％、Ｓｉ：１％以下、Ｍｎ：３．７％以下、Ｎｉ：０．６〜３％、Ｃｕ：０．１〜３％、Ｎ：０．０６％以上、０．１５％未満を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物とすることが好ましい。 - 特許庁

The iron-based sintered steel material comprises a sintered body obtained by sintering a molded body formed by press-molding raw material particles that contain Fe as a main component, and is characterized by containing 0.05-06 mass% of V, 0.1-1.0 mass% of C, and the balance Fe with inevitable impurities based on 100 mass% of the whole.例文帳に追加

本発明の鉄基焼結鋼材は、Ｆｅを主成分とする原料粉末を加圧成形した成形体を焼結させた焼結体からなる鉄基焼結鋼材であって、全体を１００質量％としたときに、０．０５〜０．６質量％のＶと、０．１〜１．０質量％のＣと、残部であるＦｅおよび不可避不純物とからなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a carrier core material which contains an element having a question with respect to environmental load by only the order of inevitable impurities from raw material and primarily comprises a magnetite phase adjusted according to the use purpose, and also to provide a carrier electrophotographic developer for electrophotographic developer, which easily makes charge control of toner, provides a stable high image quality, and permits high-speed development.例文帳に追加

環境負荷が問題となる元素を原料からの不可避不純物程度しか含まず、その使用目的に応じて調整されたマグネタイト相を主成分としたキャリア芯材を提供し、トナーの荷電制御が容易で安定した高画質が得ることができ、かつ高速現像を可能にする電子写真現像剤用キャリア電子写真現像剤を提供する。 - 特許庁

The Cu-Ni-Sn series copper based sintered alloy having excellent corrosion resistance, friction/wear resistance and seizure resistance has a componential composition comprising 10 to 16% Ni, 11 to 25% Sn, 3 to 12% C and 0.3 to 6% calcium fluoride, and, if required, further comprising 0.1 to 0.9% P, and the balance Cu with inevitable impurities.例文帳に追加

Ｎｉ：１０〜１６％、Ｓｎ：１１〜２５％、Ｃ：３〜１２％、フッ化カルシウム：０．３〜６％を含有し、さらに必要に応じてＰ：０．１〜０．９％を含有し、残部：Ｃｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する耐食性、耐摩擦摩耗性および耐焼付き性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ系銅基焼結合金。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a laminated type liquid crystal display cell formed by laminating a plurality of liquid crystal display cells each having a liquid crystal material encapsulated therein, wherein mixing of impurities into a prescribed liquid crystal material in the individual liquid crystal display cells is satisfactorily suppressed and a cell gap of each liquid crystal display cell can be made to be a target value, thereby attaining satisfactory display properties.例文帳に追加

液晶材料を封入した液晶表示セルが複数積層された積層型液晶表示セルであって、個々の液晶表示セルにおける所定の液晶材料への不純物の混入が十分抑制され、また、各液晶表示セルにおけるセルギャップを目的の値とすることができ、従ってそれだけ表示特性が良好である積層型液晶表示セルの製造方法を提供する。 - 特許庁

The aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode has a composition comprising, by mass, ≥99.9% Al, 2 to 100 ppm Si, 2 to 100 ppm Fe, 15 to 150 ppm Cu, 0.1 to 5 ppm B, 0.1 to 3 ppm Pb and at least one kind selected from Nb and Ta by 10 to 100 ppm, and the balance inevitable impurities.例文帳に追加

電解コンデンサ電極用アルミニウム箔であって、Ａｌ：９９．９質量％以上、Ｓｉ：２〜１００ｐｐｍ、Ｆｅ：２〜１００ｐｐｍ、Ｃｕ：１５〜１５０ｐｐｍ、Ｂ：０．１〜５ｐｐｍ、Ｐｂ：０．１〜３ｐｐｍ、Ｎｂ及びＴａの少なくとも１種：１０〜１００ｐｐｍ、残部：不可避不純物からなることを特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウム箔に係る。 - 特許庁

This method for purifying chlorosilanes includes; introducing oxygen (O_2) into the chlorosilanes containing a boron impurity and a phosphorus impurity in the presence of an aromatic aldehyde; treating the chlorosilanes to convert the impurities into high boiling compounds at the same time; and subjecting the chlorosilanes after having been treated to a distillation process or the like to separate the high boiling compounds of boron and phosphorus from the chlorosilanes.例文帳に追加

硼素不純物及び燐不純物を含有するクロロシラン類を、芳香族アルデヒドの存在下で酸素（Ｏ_２）を導入して処理して上記不純物を同時に高沸点化合物に転化させ、当該処理後のクロロシラン類を蒸留等して硼素及び燐の高沸点化合物とクロロシラン類とを分離することとした。 - 特許庁

To provide a sublimation purification method of a host material capable of providing in high yield a host material of little halogen impurities capable of providing an organic electroluminescent element excellent in durability, a host material purified by the sublimation purification method of the host material, an organic electroluminescent element using the host material, a light-emitting device using the organic electroluminescent element, a display device, and an illumination device.例文帳に追加

耐久性により優れた有機電界発光素子を提供しえる、ハロゲン不純物の少ないホスト材料を高い収率で提供する、ホスト材料の昇華精製方法、該ホスト材料の昇華精製方法により精製されたホスト材料、該ホスト材料を用いた有機電界発光素子、並びに、該有機電界発光素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置を提供する。 - 特許庁

When a gas supplied from a gas supply device 16 at a prescribed flow speed flows into a casing 15, the flow speed of the gas is decreased to lower than a prescribed speed, so that when reaching the surface of an optical member L2, the flow speed of the gas is lower and easy to disperse, with contained impurities becoming difficult to adhere to the optical member.例文帳に追加

ガス供給装置１６から所定の流速で供給されるガスをケーシング１５内に流入させる際、ガスの流速を所定の流速より低下させるので、光学部材Ｌ２表面に到達する時点ではガスの流速が低下しているとともに、分散しやすくなり、含有する不純物が光学部材に付着し難くなる。 - 特許庁

In a layered electrode film, a transparent oxide layer 1 and an Ag alloy thin film layer 2 are layered, the Ag alloy thin film layer 2 has a component composition containing 0.1-1.5 mass% of In, with the remainder of Ag and inevitable impurities, and an In oxide 3 is formed at a junction interface between the transparent oxide layer 1 and the Ag alloy thin film layer 2.例文帳に追加

透明酸化物層１とＡｇ合金薄膜層２とが積層された積層電極膜であって、Ａｇ合金薄膜層２は、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、透明酸化物層１とＡｇ合金薄膜層２との接合界面に、Ｉｎ酸化物３が形成されている。 - 特許庁

The forged piston is made from an aluminum alloy which comprises, by wt.%, 8-18% Si, 0.5-3% Cu, 1-5% Ni, while controlling a content of Ni so as to be higher than that of Cu, and the balance Al with unavoidable impurities, and which includes intermetallic compounds that are formed from Al and Ni and have a maximum length of 3 to 100 μm.例文帳に追加

重量％で、Ｓｉ：８〜１８％、Ｃｕ：０．５〜３％、Ｎｉ：１〜５％を含有し、残部がＡｌ及び不可避不純物からなり、ＮｉがＣｕよりも多く含有されると共に、ＡｌとＮｉにより形成される金属間化合物の最大長さが３〜１００μｍであるアルミニウム合金製の鍛造ピストン。 - 特許庁

A plasma blocking means 12 formed of conductive and shape-memory member is provided to the processing chamber 1 side (inside) of the O ring 4 so as to restrain active seeds produced from plasma and processing gas from reaching the O ring 4, impurities are prevented from being discharged out or the O ring 4 is protected against deterioration, and a substrate 9 to be processed is protected against contamination.例文帳に追加

本発明は、復元性を有する形状の導電性部材からなるプラズマ遮断手段１２をＯリング４の処理チャンバー１側（内側）に設けて、プラズマ及び処理ガスにより生成された活性種がＯリング４へ到達することを遮断して、不純物の放出やＯリング４の劣化を防止すると共に、処理される被処理基板９への汚染を防止する。 - 特許庁

The curable resin composition is formed by compounding an alicyclic olefin polymer (A) of which the weight average molecular weight is 10,000-250,000 and which has a carboxyl group or an acid anhydride group with a curing agent (B), and a phosphazene compound (C) including phenols with a content of ≤20 μg/g included as impurities and having a predetermined structure including an aryloxy group.例文帳に追加

重量平均分子量が１０，０００〜２５０，０００であるカルボキシル基または酸無水物基を有する脂環式オレフィン重合体（Ａ）に、硬化剤（Ｂ）と、不純物として含有されるフェノール類の含有量が２０μｇ／ｇ以下である、アリールオキシ基を含有してなる特定構造のホスファゼン化合物（Ｃ）とを配合してなる硬化性樹脂組成物。 - 特許庁

The overlaying abrasion-resistant copper-based alloy has a composition comprising, by wt.%, 5.0-20.0% nickel, 0.5-5.0% silicon, 3.0-30.0% manganese, 3.0 to 30.0% of such an element as to form both a Laves phase and a silicide by combining with manganese, and the balance copper with unavoidable impurities.例文帳に追加

肉盛耐摩耗銅基合金は、重量％で、ニッケル：５．０〜２０．０％、シリコン：０．５〜５．０％、マンガン：３．０〜３０．０％、及び、マンガンと結合してラーベス相を形成すると共にシリサイドを形成する元素：３．０〜３０．０％、不可避不純物を含むと共に、残部が銅の組成を有することを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method contains a step in which the impurities are selectively introduced at a first concentration, into a region for nonvolatile memory cells 20R and a region for the electrostatic discharge damage countermeasure transistors 10R in the semiconductor substrate 1, and thereby the tunnel diffusion layer 24 is formed; and at the same time, a source region 11 and a drain region 12 of the electrostatic discharge damage action transistor are formed.例文帳に追加

この製造方法は、半導体基板１において不揮発性メモリセル用領域２０Ｒおよび静電破壊対策トランジスタ用領域１０Ｒに第１濃度で不純物を選択的に導入することによって、トンネル拡散層２４を形成し、同時に静電破壊対策トランジスタのソース領域１１およびドレイン領域１２を形成する工程を含む。 - 特許庁

A gate oxide film 3, a polysilicon film 4 becoming a gate electrode, and a sidewall 5 are formed on a silicon substrate 1, a source-drain region is formed by introducing impurities by ion implantation, and then a cobalt film 6 is deposited, and a first phase cobalt silicide film 7 is formed by first heat treatment on the silicon substrate 1 and the polysilicon film 4 before the unreactive cobalt film 6 is removed.例文帳に追加

シリコン基板１上にゲート酸化膜３、ゲート電極となるポリシリコン膜４、サイドウォール５を形成し、イオン注入による不純物導入によってソース、ドレイン領域を形成した後、コバルト膜６を堆積し、第１の熱処理で第１相のコバルトシリサイド膜７をシリコン基板１およびポリシリコン膜４上に形成し、未反応のコバルト膜６を除去する。 - 特許庁

To provide a magnet filter capable of removing iron component together with impurities in feed water to protect a hot water supply system and simply performing the cleaning for the removed iron component or dust by arranging a water feed passage at a proper position of the hot water supply system and a circulation passage between the hot water supply system and an indoor heating unit, or the like, at proper position.例文帳に追加

給湯装置への給水路や、給湯装置と室内暖房ユニットとの循環路などの適宜の位置に設置することで、給水中の不純物とともに鉄分を取り除いて給湯装置を保護するとともに、除去した鉄分やゴミの清掃を簡単に行うことができるマグネットフィルターを提供する。 - 特許庁

To provide a method of metallizing at least one photovoltaic cell 100, including a semiconductor based substrate (102), having a first conductive type, a layer (104) fabricated in the substrate by doping impurities having a second conductive type to form a front face of the substrate, and an antireflection layer (106) manufactured on the front face of the substrate and forming the front face (108) of the photovoltaic cell.例文帳に追加

第一種の導電性を有する半導体をベースとする基板（１０２）、第二種の導電性で不純物をドープされて基板中に製造され、基板の正面を形成している層（１０４）、基板の正面上に製造されて、光電池の正面（１０８）を形成する反射防止層（１０６）、を備える少なくとも一つの光電池（１００）を金属化する方法を提供する。 - 特許庁

The oxidation-resistant solder contains, by weight, 0.02-12% first sub component consisting of at least one kind of metal selected from Cu, Ag, Au, Co and Ni, and 0.02-1.2% second sub component consisting of at least one kind of metal selected from Mn, Pd and Pt, and the balance Sn with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明の耐酸化性はんだは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＣｏおよびＮｉから選ばれた少なくとも一種の金属からなる第１従成分を０．０２〜１２重量％含有し、かつＭｎ、ＰｄおよびＰｔから選ばれた少なくとも一種の金属からなる第２従成分を０．０２〜１．２重量％含有し、残部がＳｎと不可避不純物からなることを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes: a step of forming a mask film 71 on a semiconductor layer 20; a step of forming an offset region 31 of a bipolar transistor by introducing first-conductivity-type impurities to the semiconductor layer 20 with the mask film 71 as a mask and forming an offset region 42 of a MOS transistor; and a step of removing the mask film 71.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体層２０にマスク膜７１を形成する工程と、マスク膜７１をマスクとして半導体層２０に第１導電型の不純物を導入することにより、バイポーラトランジスタのオフセット領域３１を形成するとともに、ＭＯＳトランジスタのオフセット領域４２を形成する工程と、マスク膜７１を除去する工程とを具備する。 - 特許庁

In order to secure the coldest point, projecting parts 4a and 4b projecting to the outside are formed on a top part 22 of the bulb 1 and a bulb neck part 12, respectively, and vent tubes 8a and 8b used for entering the discharge gas in filling the discharge gas and for discharging impurities are welded to the top parts of the respective projection parts.例文帳に追加

また最冷点を確保するために、バルブ１の頂部２２及びバルブネック部１２にそれぞれ外側に突出した突起部４ａ及び４ｂが設けられており、さらにそれぞれの突起部の頂部には、放電ガスの封入時に放電ガスの流入用、不純物の排気用として用いる通気管８ａ及び８ｂが溶着されている。 - 特許庁

This copper alloy is the one contg. one or ≥ two kinds among Cr, W, Nb and Fe by 5 to 30 wt.% in total, and the balance copper with inevitable impurities, in which the crystallized products of the above elements to be added in the metallic structure are fibrously dispersed into the matrix by rolling, and the thickness of the rolled fibrous crystallized products is ≤1 μm.例文帳に追加

Ｃｒ、Ｗ、Ｎｂ、Ｆｅのうち１種または２種以上を合計で５〜３０重量％含有し、残部が銅および不可避不純物からなる銅合金箔であって、その金属組織における上記添加元素の晶出物が圧延によりマトリックス中にファイバー状に分散し、その圧延されたファイバー状の晶出物の厚さが１μｍ以下である。 - 特許庁

The nozzle for continuous casting for steel is composed of refractories having a composition comprising either or both of metal Ce and metal La by 0.3 to 10 mass% in total, 1 to 30 mass% C, ≤10 mass% SiO_2, 5 to 50 mass% TiO_2, and ≤40 mass% Al_2O_3 with industrially inevitable impurities.例文帳に追加

鋼の連続鋳造用ノズルにおいて、金属Ｃｅと金属Ｌａの何れか一方、又は双方の合計を０．３〜１０質量％、Ｃを１〜３０質量％、ＳｉＯ_２を１０質量％以下、ＴｉＯ_２を５〜５０質量％、Ａｌ_２Ｏ_３を４０質量％以下、さらに工業的に不可避の不純物を含有した組成の耐火物からなる連続鋳造用ノズル。 - 特許庁

As a result, the gate insulation film 7b in the vicinity of the end of the gate electrode 8 of a source side can be protected with the insulating film 15 when the impurities for forming the source and the drain are introduced, and the gate insulation film 7b can be protected from damaging or the like, so that imperfect gate insulation of the power n channel LDMOS FETQn can be prevented.例文帳に追加

これにより、そのソースおよびドレイン形成のための不純物導入時に、ソース側のゲート電極８の端部近傍のゲート絶縁膜７ｂを絶縁膜１５により保護でき、そのゲート絶縁膜７ｂに損傷等が生じるのを防止できるので、パワーｎチャネルＬＤＭＯＳ・ＦＥＴＱｎのゲート絶縁不良を防止できる。 - 特許庁

On the outside of the curvature of the second diffusion region (102) of this optical waveguide 100, there are provided a groove 105 that is formed on the substrate 101 along the second diffusion region (102) and a first diffusion region (107) that is formed by diffusing first impurities from the bottom 105a of the groove 105 to make a refractive index smaller for the substrate 101.例文帳に追加

この光導波路１００の第２の拡散領域（１０２）の曲がり部の外側に、第２の拡散領域（１０２）に沿って基板１０１に形成した溝１０５と、溝１０５の底部１０５ａから第１の不純物を用いて拡散され、基板１０１の屈折率を小さくした第１の拡散領域（１０７）と、を備える。 - 特許庁

A polycrystal silicon layer doped with impurities of a 2nd conductivity type is projected and formed on the 1st inner side of an opening bored in an external base layer by using photolithography, an epitaxial base layer in a U shape is formed inside it, a side wall is formed inside the U shape, and an opening which is narrower in width than the 1st opening is formed for an emitter.例文帳に追加

外部ベース層にフォトリソグラフィーを使用して設けた開口第１の内側に、第２導電型不純物をドープした多結晶シリコン層を張り出させて形成し、その内側にＵ字型のエピタキシャルベース層を形成して、Ｕ字型の内側にサイドウオールを形成し、前記第１の開口よりも幅の狭い開口を設けてエミッタを形成する。 - 特許庁

Calcium phosphate cement for the bone reinforcing treatment is constituted of a mixed composition having a formulation composition consisting of 0.03-0.5% of magnesium phosphate, 2-10% of a hydration reaction product of calcium diphosphate and α-type calcium triphosphate, 3-10% of calcium diphosphate, 10-25% of calcium tetraphosphate and the remainder of α-type calcium triphosphate and inevitable impurities on the basis of mass %.例文帳に追加

生体骨補強治療用リン酸カルシウムセメントを、質量％で、リン酸マグネシウム：０．０３〜０．５％、第２リン酸カルシウムとα型第３リン酸カルシウムの水和反応生成物：２〜１０％、第２リン酸カルシウム：３〜１０％、第４リン酸カルシウム：１０〜２５％、α型第３リン酸カルシウムおよび不可避不純物：残り、からなる配合組成を有する混合組成物で構成する。 - 特許庁

Since the other end of the inner pipe 10 is closed by the cured material 49, the liquid entering the inner pipe 10 from the upstream side passes through passing holes 11 to pass through the filter cloth 22 wound around the inner pipe 10 and the filter medium 23 charged in the gap between the inner pipe 10 and the middle stage pipe 20, and impurities or scum are filtered.例文帳に追加

上流側から内管１０に入った液体は、内管１０の他端側が硬化材４９で閉塞されているので、通過孔１１を通過して内管１０を巻いている濾布２２および内管１０と中段管２０の間に充填されている濾材２３を通過することにより不純物やスカムが濾過される。 - 特許庁

A substrate-cleaning step of the method includes a first cleaning step of heating a compound semiconductor substrate 1, containing impurities of a first conductivity-type to a temperature range of 250°C and lower and etching a surface of the substrate with a gas of hydrochloric acid, and a second cleaning step after the first cleaning step, of subjecting the compound semiconductor substrate etched with the hydrochloric acid gas to a radical hydrogen treatment.例文帳に追加

第１導電型不純物を含む化合物半導体基板１の温度を２５０℃以下の温度域に加熱にしてその表面を塩酸ガスでエッチングする第１クリーニング工程と、第１クリーニング工程の後、塩酸ガスでエッチングされた化合物半導体基板に対してラジカル水素処理を行う第２クリーニング工程と、を含む基板クリーニング工程を備える。 - 特許庁

When the high breakdown voltage MOS transistor and a fine low breakdown voltage MOS transistor are mixedly mounted on a same semiconductor substrate, two STIs (shallow trench isolations) are used, an active region, where high concentration impurities are doped in the channel region of a parasitic MOS transistor, is provided between the STIs and current flowing between the source and drain of the parasitic MOS transistor is interrupted.例文帳に追加

同一半導体基板上への高耐圧ＭＯＳトランジスタと微細な低耐圧ＭＯＳトランジスタの混載において、２つのＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ ｔｒｅｎｃｈ ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を用い、その間に寄生ＭＯＳトランジスタのチャネル領域に高濃度不純物ドープされた活性領域を設け、寄生ＭＯＳトランジスタのソース、ドレイン間の電流を遮断した。 - 特許庁

To provide a method for efficiently recovering titanium having high purity at a low cost with which in a vacuum-melting process with an electron- beam, while removing impurities from platy or bulky titanium-containing scrap partly sticking low melting point metal and hard titanium nitride or titanium oxide, these scraps are easily melted and refined, and the raise of gas components such as oxygen in the electron-beam melting, is restrained.例文帳に追加

一部に低融点金属及び硬質の窒化チタンや酸化チタン等の化合物が付着している板又は塊状のチタン含有スクラップから、これらの不純物を効率良く除去し、電子ビーム溶解等に真空溶解工程において、容易に溶解・精製できるようにするとともに、さらに電子ビーム溶解における酸素等のガス成分の上昇を抑え、低コストで高純度チタンを効率良く回収する。 - 特許庁

When the genes and the nucleic acids in biological samples are isolated from impurities, the sample is introduced into the hollow parts of capillary tubes to trap the genes and nucleic acids on the wall 2 of the capillary in the first step, unneeded concomitant components 3 are washed and removed off in the second step and the trapped genes and nucleic acids are eluted from the capillary in the third step.例文帳に追加

生体試料中の遺伝子や核酸を、共存物から分離する遺伝子分離方法であって、試料を中空の毛細管に導入し、該遺伝子や該核酸を毛細管壁上に捕捉する工程と、不要な共存成分を洗浄・除去する工程、捕捉された該遺伝子又は該核酸を毛細管から溶離させる工程からなることを特徴とする遺伝子分離法。 - 特許庁

The variable capacitance semiconductor element 100 comprises a first semiconductor layer 12 of p-type well formed in an n-type silicon substrate 10, a second semiconductor layer 14 containing p-type impurities formed selectively on the surface part of the first semiconductor layer 12, a gate insulation layer 16 formed on the surface of the second semiconductor layer 14, and an electrode layer 18 formed on the surface of the gate insulation layer 16.例文帳に追加

半導体可変容量素子１００は、ｎ型のシリコン基板１０内に形成されたｐ型ウェルからなる第１半導体層１２、第１半導体層１２の表面部に選択的に形成された、ｐ型の不純物を含む第２半導体層１４、第２半導体層１４の表面に形成されたゲート絶縁層１６、およびゲート絶縁層１６の表面に形成された電極層１８を有する。 - 特許庁

To restrain erosion/alloying caused by low melting point metal elements having ≤ 700°C melting point represented by zinc, aluminum, tin, lead, cadmium, etc., as the original impurities in molten steel and also, restrain the development of a heat crack near a meniscus, without damaging high temperature strength of a copper material for mold in the mold for continuously casting the steel, composed of a copper alloy.例文帳に追加

銅合金からなる鉄鋼連続鋳造鋳型において、鋳型銅材の高温強度を損なうことなく、溶鋼由来の不純物の亜鉛、アルミニウム、スズ、鉛、カドミウム等に代表される融点７００℃以下の低融点金属元素による侵食・合金化を抑制し、メニスカス近傍におけるヒートクラックの発生を抑制することを目的とする。 - 特許庁

The used desulfurizing agent is dissolved as an iron source in a sulfuric acid waste liquid containing f-H2SO4, an iron sulfate solution, or sulfuric acid, the pH of the solution is adjusted at 2-5, generated hydroxides are removed as impurities, and the iron components in the dissolved used desulfurizing agent are deposited as iron sulfate crystals by a cooling crystallization method to obtain iron sulfate.例文帳に追加

ｆ−Ｈ_２ＳＯ_４が存在する硫酸廃液もしくは硫酸鉄溶液又は硫酸に、鉄系使用済脱硫剤を鉄源として溶解し、この溶解液をｐＨを２〜５に調整し水酸化物を形成させ不純物として除去した後、溶解した使用済脱硫剤中の鉄分を冷却晶析法で硫酸鉄結晶を析出させ硫酸鉄とする。 - 特許庁

The austenitic high-Mn stainless steel has a composition consisting of, by mass, 0.01 to 0.10% C, 0.01 to 0.40% N, 0.1 to 1% Si, 10 to 20% Cr, 6 to 20% Mn, 2 to 5% Cu, 1 to 6% Ni and the balance Fe with inevitable impurities.例文帳に追加

質量％で、Ｃ：０．０１〜０．１０％，Ｎ：０．０１〜０．４０％，Ｓｉ：０．１〜１, Ｃｒ：１０〜２０％，Ｍｎ：６〜２０％，Ｃｕ：２〜５％，Ｎｉ：１〜６％，残部Ｆｅおよび不可避的不純物からなり、オ−ステナイト安定度の指標Ｍｄ３０値が−１２０＜Ｍｄ３０＜２０を満足するように成分設計されている。 - 特許庁

To provide a method and facilities for manufacturing reduced iron of high purity and high density in a relatively simple manner by using a crushing machine such as a roll press, a grain size separating machine, a continuous magnetic separating machine and a compression molding machine as a diluent for diluting impurities in an electric furnace scrap in reduced iron manufacturing facilities which use coal abundant in resources and inexpensive as a reducing agent.例文帳に追加

資源が豊富で安価な石炭を還元剤とした還元鉄製造設備であって、電気炉スクラップ中の不純物を希釈する希釈材として高純度、高密度の還元鉄を、ロールプレス機などの粉砕機、粒度選別機、連続磁力選別機、圧縮成形機を使って、比較的簡単に製造することができる方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The silicon nitride(SiN) regions 40 filling the role of the barriers for obstructing the thermal diffusion of substrate impurities of a MOSFET in STI region formed by ion implantation of nitrogen(N) are held by Si substrate 31 near the interface between STI structured buried-in oxide films 34 and the Si substrate 31.例文帳に追加

ＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４とＳｉ基板３１との界面近傍のＳｉ基板３１中に、窒素（Ｎ）のイオン注入によって形成され、ＭＯＳＦＥＴの基板不純物がＳＴＩ領域中へ熱拡散するのを阻止するためのバリアとして働く窒化シリコン（ＳｉＮ）領域４０を介在させたことを特徴としている。 - 特許庁

To provide paste composition to fully achieve requested BSF effect without decreasing the amount of application, even when thinning a p-type silicon semiconductor board, and to control deformation of the p-type silicon semiconductor board after baking and a solar cell equipped with an impurities layer or an electrode layer formed with the composition.例文帳に追加

ｐ型シリコン半導体基板を薄くした場合でも、塗布量を減らさないで、所望のＢＳＦ効果を十分達成することができ、かつ焼成後のｐ型シリコン半導体基板の変形を抑制することが可能なペースト組成物と、その組成物を用いて形成された不純物層または電極層を備えた太陽電池を提供することである。 - 特許庁

In the method for regenerating the cleaning liquid consisting principally of alkylene carbonate which was used to peel a resin component of the base body where the resin component sticks and clean the surface of the base body, ozone is made to react with the cleaning liquid and then an anion exchanger is brought into contact to remove impurities.例文帳に追加

樹脂分の付着した基体における樹脂分の剥離と基体表面の洗浄に使用された炭酸アルキレンを主成分とする洗浄液を再生するに当り、該洗浄液にオゾンを作用させ、その後陰イオン交換体と接触させて不純物を除去することを特徴とする剥離洗浄剤の再生方法。 - 特許庁