「impurities」に関連した英語例文の一覧と使い方(148ページ目) - Weblio英語例文検索

The alloy for strengthening glass has a chemical composition consisting of, by weight, 30-35% Ni, 17-25% Co, 1-7% Cr and the balance essentially Fe with inevitable impurities and a thermal expansion coefficient at 30-590°C of (100×1017 to 110×10-7)/°C.例文帳に追加

重量％でＮｉを３０〜３５％とＣｏを１７〜２５％とＣｒを１〜７％とを含有し残部実質的にＦｅおよび不可避的不純物から成る合金であって、３０〜５９０℃の温度範囲における熱膨張係数が１００×１０^−７〜１１０×１０^^−７／℃であることを特徴とするガラス強化用合金である。 - 特許庁

After p-type impurities have diffused from one main surface of a pair of main surfaces of an n-type substrate 1 and a p-n junction is formed, mesa-type grooves 5 are formed in the n-type substrate 1 so as to expose the p-n junction in prescribed regions, and glass films 7 are applied to the mesa-type groove 5.例文帳に追加

一対の主表面を有するｎ型基板１の一方の主表面からｐ型の不純物を拡散してｐｎ接合を形成した後に、一方の主表面から所定の領域にｐｎ接合が露出するようにｎ型基板１にメサ型の溝５を設け、このメサ型の溝５にガラス被膜７を形成する。 - 特許庁

The rolled copper foil includes: copper (Cu) as the main component with inevitable impurities; titanium (Ti); silver (Ag); and one or more kinds of additive elements selected from an elemental group excluding copper (Cu) and silver (Ag), which has a face-centered cubic crystal structure, and also has the value of stacking fault energy higher than that of copper (Cu).例文帳に追加

本発明に係る圧延銅箔は、主成分としての銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物と、チタン（Ｔｉ）と、銀（Ａｇ）と、銅（Ｃｕ）及び銀（Ａｇ）以外で結晶構造が面心立方で、かつ積層欠陥エネルギーの値が銅（Ｃｕ）より大きい値を有する元素群の中から選択される１種以上の添加元素と、を含むことを特徴とする圧延銅箔である。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a photoelectric conversion element exhibiting good interface characteristics to both an oxide based transparent conductive film and a photoelectric conversion layer in which a high conductivity is ensured while suppressing the quantity of light absorption by preventing the film quality of a p-layer from deteriorating due to the discomposition effect of hydrogen from a semiconductor layer of impurities while securing good interface characteristics.例文帳に追加

良好な界面特性を確保しながら不純物の半導体層からの水素の引き抜き効果によるｐ層の膜質低下を防止して高導電率を確保し、かつ光吸収量を抑制し、しかも酸化物系透明導電膜や光電変換層の双方に対して良好な界面特性をもつ光電変換素子を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The filter for high temperature water wherein a polymer membrane 4 detachably fixed to the filter surface of a core filter 1 by means of a fixing band 5 is provided and an adsorption material 7 is disposed outside the membrane 4 is used to adsorb and remove impurities in the water to be treated in a high temperature water system of drain in a power plant or the like.例文帳に追加

コアフィルタ１の濾過面に固定バンド５によって着脱可能に固定された高分子膜４を備え、高分子膜４の外側には吸着材７が配置される構成の高温水用フィルタを用いて、発電所等におけるドレン水などの高温水系における被処理水中の不純物の吸着除去を行う。 - 特許庁

A semiconductor device includes a substrate 1, an undoped channel layer 4 formed on the substrate 1, two supply layers 3 and 5 provided on and under the channel layer and doped with impurities, a metallic gate electrode 7 formed on the upper supply layer 5 constituting the two supply layers, and a semiconductor gate layer 2 formed under the lower supply layer 3 constituting the two supply layers.例文帳に追加

基板１と、基板１上に形成されたアンドープのチャネル層４と、チャネル層を挟んで上下に設けられ、不純物をドープされた２つの供給層３，５と、２つの供給層を構成する上部供給層５の上側に形成された金属ゲート電極７と、２つの供給層を構成する下部供給層３の下側に形成された半導体ゲート層２とを備える。 - 特許庁

A first low-dose ion implantation is made to a source forming region and a drain forming region located on both sides of the gate electrode, by implanting arsenic As+ or phosphorus P+ with a low concentration to a silicon substrate from a tilted direction in such a way that the impurities are doped in regions just underneath the edges of the polysilicon layer 16 (Fig. 1 (B)).例文帳に追加

ゲート電極の両側のソース形成予定領域とドレイン形成予定領域とに、ポリシリコン層１６の端部直下の領域に不純物が入り込むようにシリコン基板１０に対して斜めの方向からヒ素Ａｓ^+或いはリンＰ^+を低濃度でイオン注入して（図１（Ｂ））、１回目の低濃度イオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a method of transferring an adhesive film which can maintain an adhesion area of an adherend and adhesion layer by losing a deficiency of an adhesion layer end portion rolled and attached to the adherend while preventing impurities from mixing in the adhesion layer and being able to improve a quality stability, and consequently can improve an adhesion strength of the adhesion layer to the adherend.例文帳に追加

接着層に不純物が混入するのを防止して品質安定性を向上することができると共に、被着体に転着された接着層端部の欠損を無くして、被着体と接着層との接着面積を維持することができ、もって被着体に対する接着層の接着力を向上することができる接着フィルムの転着方法の提供。 - 特許庁

To provide a material for vapor deposition and a method for producing it with the removal of impurities on the surface of a Co-Ni metal or a Co-Cr metal to be charged to a crucible and the suppression of a partial boiling phenomenon and the formation of slag at the time of melting the material for vapor deposition composed of those metals as purposes.例文帳に追加

ルツボに投入されるＣｏ−Ｎｉ系金属またはＣｏ−Ｃｒ系金属の表面の不純物の除去を行い、これらの金属でなる蒸着用材料の溶解時の部分沸騰現象やスラグの生成を抑えることを目的とした蒸着用材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic shape-memory alloy which includes Ni, Mn, at least one element selected from the group consisting of In, Sn and Sb, Co and/or Fe, and unavoidable impurities, and has high mechanical hardness, and to provide a method for easily manufacturing the ferromagnetic shape-memory alloy which has the high mechanical hardness.例文帳に追加

Ｎｉと、Ｍｎと、Ｉｎ、ＳｎおよびＳｂからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Ｃｏおよび／またはＦｅと、不可避不純物と、からなる強磁性形状記憶合金に関し、高い機械的硬度を有する強磁性形状記憶合金、および、高い機械的硬度を有する強磁性形状記憶合金を容易に製造できる製造方法を提供する。 - 特許庁

The light emitting element is constituted having a nitride gallium compound semiconductor layer 13 with a p-n junction, a conductive substrate 11 located in a p-side or an n-side of the semiconductor layer, and a reflection layer 12 which is located between the semiconductor layer and the substrate and has high resistance when compared to a substrate and a semiconductor layer being basically undoped with impurities.例文帳に追加

ｐ−ｎ接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体層１３と、前記半導体層のｐ側もしくはｎ側に位置する導電性の基板１１と、半導体層と基板との間に位置し、基本的に不純物をドープしないことにより基板と半導体層とに比べて高抵抗とした反射層１２とを備えるように構成したものである。 - 特許庁

On the occasion of the process, a buffer layer 15 is provided around the target rod 11 before the process of making the soot preform and the buffer layer 15 is removed before a collapse process after dehydration and calcination so that the target rod 11 can be easily drawn from the soot preform 13 and the impurities can be prevented from contaminating a core layer of the glass body 14.例文帳に追加

その際、スート母材を作成する工程前にターゲットロッド１１の周囲にバッファ層１５を設け、脱水・焼結後のコラプス工程前にバッファ層１５を除去するようにしたので、ターゲットロッド１１をスート母材１３から容易に引き抜くことができ、且つ、ガラス体１４のコア層に不純物が侵入するのを防止することができる。 - 特許庁

The aluminum alloy for casting comprises, by mass, 9.0 to 11.0% Si, 0.05 to 0.35% Mg, ≤0.1% Cu, 0.05 to 0.40% Fe, 0.3 to 0.5% Mn, 0.0020 to 0.0600% Li, and the balance aluminum with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明の鋳造用アルミニウム合金はＳｉ：９．０〜１１．０質量％、Ｍｇ：０．０５〜０．３５質量％、Ｃｕ：０．１質量％以下、Ｆｅ：０．０５〜０．４０質量％、Ｍｎ：０．３〜０．５質量％、Ｌｉ：０．００２０〜０．０６００質量％を含み、残部がアルミニウム及び不可避不純物からなることを特徴とする。 - 特許庁

In a manufacturing process of the gas sensor 1, an operation of forming the gas sensing layer 8 includes not only preparing the SnO_2 by using a high-purity raw material, but also preventing impurities especially Fe, Pb and Bi from mixing in the SnO_2 by carefully choosing instruments and devices to be used and paying attention adequately to their using methods and procedures.例文帳に追加

ガスセンサ１の製造過程において、ガス検知層８を形成する際に、単に、純度の高い原材料を用いてＳｎＯ_２を調製するだけでなく、使用する器具や装置を厳選し、それらの使用方法や手順についても十分に注意を払い、不純物、特にＦｅ、Ｐｂ、およびＢｉのＳｎＯ_２への混入を抑制する。 - 特許庁

To provide a daily life water producing apparatus which is structured to be housed and arranged compact and so as to minimize troubles and by which purified water containing no impurities is used for beauty and barber field such as face washing and shampoo, a medical and health field, a food and drink field or other daily life water using equipment in general.例文帳に追加

不純物を含まないピュアな純水を洗顔・洗髪等の理美容分野、医療健康分野、飲食関係、その他、生活用水利用設備全般に利用できるようにした生活用水製造装置を、コンパクトで且つ故障を可及的に抑制できる状態に収納配置させた構成を提供すること。 - 特許庁

The process for fabricating a silicon carbide semiconductor device comprises (a) a step for making the surface of SiC 1 amorphous by introducing impurities, (b) a step for forming a CNT 5 on the surface of amorphous SiC 3 by heat treatment, and (c) a step for forming a CNT 5 further thereon by using the CNT 5 as a ground.例文帳に追加

本発明による炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素半導体装置の製造方法であって、（ａ）ＳｉＣ１の表面に不純物を導入してアモルファス化する工程と、（ｂ）アモルファスＳｉＣ３表面を熱処理することによってＳｉＣ１の表面にＣＮＴ５を形成する工程と、（ｃ）ＣＮＴ５を下地として用いて、その上方にさらにＣＮＴ５を形成する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

This flux for treating the molten aluminum alloy is composed of 30-90 mass% metallic halide, ≤49 wt.% inorganic salt, 1.0-10 mass% metallic phosphate (0.2-2.0 mass% as P content) while limiting the total of the inorganic salt and the metallic phosphate to ≤50 mass%, and the balance inevitable impurities.例文帳に追加

金属のハロゲン化物を３０〜９０質量％と、無機塩４９重量％以下と、金属リン酸塩を１．０〜１０質量％（Ｐとしての含有量で０．２〜２．０質量％）を含有し、無機塩と金属リン酸塩とを合計で５０質量％以下に制限し、残部が不可避不純物からなることを特徴とするアルミニウム合金溶湯処理用フラックス。 - 特許庁

To provide a cleaning agent used in a cleaning process after a flattening polishing process in a manufacturing process of a semiconductor device having a copper interconnection, wherein corrosion and oxidation of the copper interconnection and surface roughening of the flattened interconnection on a substrate due thereto, are suppressed and impurities on a semiconductor device surface can effectively be removed, and to provide a cleaning method using the same.例文帳に追加

銅配線を備えた半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、銅配線の腐蝕や酸化、それに起因する平坦化された基板上配線の表面荒れの発生が抑制され、且つ、半導体デバイス表面の不純物を有効に除去し得る洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which can prevent the intrusion of water, impurities, etc. from the side face thereof to the active face side and can prevent faults including one, wherein a resin for bonding is solidified with voids left over between a slant face and the resin for bonding, to provide its manufacturing method, and to provide a semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体素子の側面から能動面側への水分や不純物等の入り込みを防止することができ、しかも、斜面と接合用樹脂との間に気泡を残したまま接合用樹脂が固まってしまうといった不具合を防止できるようにした半導体素子及びその製造方法並びに、半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a cylindrical reaction vessel having an inlet for introducing raw gas and an outlet for discharging the processed gas, a method of manufacturing a spherical semiconductor device for forming a diffusion layer wherein the impurities in the raw gas are diffused in the surface of a spherical semiconductor is carried out such that a spherical semiconductor may be flowed/rotated by rocking or rotating the reaction vessel.例文帳に追加

本発明は、処理ガスを導入する導入口およびガスを排出する排出口を有する円筒状の反応容器内において、球状の半導体の表面に処理ガス中の不純物を拡散させた拡散層を形成する球状半導体素子の製造方法において、反応容器を揺動または回転させることにより、球状の半導体を流動・回転させる。 - 特許庁

An underlayer with etching selectivity with respect to the interlayer insulating layer is formed, and a portion of the interlayer insulating layer containing impurities in contact with the wiring layer has been removed at the edge of the semiconductor substrate.例文帳に追加

素子領域の形成された半導体基板表面に、層間絶縁膜と外部取り出し用の配線層とを備えた半導体装置であって、前記半導体基板端縁部で、前記配線層下に、前記層間絶縁膜に対してエッチング選択性のある下地層が形成され、不純物を含む層間絶縁膜が選択的に除去されている。 - 特許庁

The method for cleaning water containing at least ammonia and/or amines as the impurity by means of the pervaporation method, is characterized in that water is allowed to permeate with a priority while the impurities such as ammonia and/or amines are controlled to permeate by using a dense film having a cationic group as a permeable membrane.例文帳に追加

パーベーパレーション法による、少なくとも不純物としてアンモニア及び／又はアミン類を含む水の浄化方法であって、透過膜としてカチオン基を有する緻密質膜を用いて、アンモニア及び／又はアミン類等の不純物の透過を抑制するとともに水を優先的に透過させることを特徴とする水の浄化方法とする。 - 特許庁

The method comprises adding SiO_2 and an alkali oxide or an alkali carbonate as slag materials to molten Si to form slag and removing impurities from the molten Si by adding a substance identical with that of the reaction vessel used or one or more kinds of components contained as the materials of the reaction vessel to the slag.例文帳に追加

ＳｉＯ_２とアルカリ酸化物又はアルカリ炭酸塩をスラグ原料として、溶融したＳｉ中に添加することで、スラグを形成させる際に、使用する反応容器材質と同一の物質又は反応容器材質に含まれる成分のうち、一種又は複数種の物質をスラグ中に添加して溶融Ｓｉ中の不純物を除去する方法である。 - 特許庁

This refining method comprises heating the crude gallium into molten gallium, adding magnesium to the molten gallium and melting it to make it form an intermetallic compound with the impurities in the molten gallium, then cooling the molten gallium to precipitate the above intermetallic compound and suspend it up, and separating and removing the precipitated and suspended intermetallic compound from the molten gallium to obtain refined gallium.例文帳に追加

粗ガリウムを加熱してガリウム融解液とし、このガリウム融解液へマグネシウムを添加し融解させて、ガリウム融解液中の不純物との金属間化合物を生成させた後、このガリウム融解液を冷却して前記金属間化合物を析出浮遊させ、この析出浮遊した前記金属間化合物をガリウム融解液より分離除去することで精製ガリウムを得る。 - 特許庁

The method for removing impurities comprises using at least one silicon compound selected from the group consisting of a monohalosilane compound such as trimethylchlorosilane, etc., a monoalkoxysilane compound such as methoxytrimethylsilane, etc., a monoaryloxysilane compound such as phenoxytrimethylsilane, etc., and a monoaminosilane compound such as bis(trimethylsilyl)amine, etc.例文帳に追加

トリメチルクロロシラン等のモノハロシラン化合物、メトキシトリメチルシラン等のモノアルコキシシラン化合物、フェノキシトリメチルシラン等のモノアリールオキシシラン化合物又はビス（トリメチルシリル）アミン等のモノアミノシラン化合物からなる群から選ばれる少なくともいずれか１つのケイ素化合物を用いる。 - 特許庁

In order to forming the catalyst layer membrane in which the concentration of impurities contained in the catalyst layer membrane is reduced to the specified concentration or less, an appropriate catalyst is added to a catalyst coating material producing the catalyst layer membrane, a substance easy to removing by evaporation is selectively produced, and dried by controlling ambient temperature to remove organic compounds.例文帳に追加

触媒層膜をそれに含まれる不純物濃度を所定濃度以下にして形成するために、触媒層膜を製造する触媒塗料に適正な触媒を添加して制御し、蒸発除去が容易な物質を選択的に生成し、雰囲気温度を制御して乾燥させることにより有機系化合物を除去する。 - 特許庁

In producing a coating liquid by mixing an organic solvent with an organic modified clay composite and a binder resin, the organic solvent is mixed with the organic modified clay composite and the binder resin, then treated with an adsorbent for removing impurities contained in the mixture to produce the coating liquid for a coated retardation plate.例文帳に追加

有機溶媒と有機修飾粘土複合体とバインダー樹脂とを混合して塗工液を製造するにあたり、有機溶媒と有機修飾粘土複合体とバインダー樹脂とを混合し、さらにその中に含まれる不純物を除去しうる吸着剤を添加して処理することにより、コーティング位相差板用塗工液を製造する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device comprises steps for exposing a crystalline silicon film to an atmosphere containing N_2O, forming an oxide film 15 by conducting plasma treatment, forming a silicon film 16 on the oxide film, and heating the silicon film 16 to cause the transfer of impurities in the crystalline silicon film to the silicon film 16.例文帳に追加

結晶性シリコン膜をＮ_２Ｏを含む雰囲気中に曝し、プラズマ処理することによって酸化膜１５を形成し、前記酸化膜上にシリコン膜１６を形成して加熱処理を行うことにより、結晶性シリコン膜中の不純物をシリコン膜１６に移動させる工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor epitaxial wafer for realizing improved characteristics by preventing a highly conductive part (conductive layer) from being formed in a buffer layer due to the mixture of conductive impurities in the epitaxial layer, when manufacturing an electronic device, such as a field effect transistor and a hetero junction bipolar transistor including a high electron mobility transistor, on the semiconductor epitaxial wafer.例文帳に追加

半導体エピタキシャルウェハの上に高電子移動度トランジスタを含む電界効果トランジスタやヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電子デバイスを作製した際に、エピタキシャル層の中に導電性不純物が混入することによって、バッファ層の中に高い導電性を有する部分（導電層）が形成されるのを防止し、その結果、高い特性を実現する半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

The solder alloy has a composition containing one or more kinds selected from Sn and In by 50 wt.% at the maximum, and 0.0005 to <0.001 wt.% P, and the balance Zn with inevitable impurities, and further, soldering is performed in an inert atmosphere or in a reducing atmosphere using the solder alloy.例文帳に追加

ＳｎあるいはＩｎの１種以上を最大５０重量％含み、かつ０．０００５重量％以上、０．００１重量％未満のＰを含み、残部がＺｎおよび不可避不純物ではんだ合金を構成すると共に、このはんだ合金を用いて不活性雰囲気または還元性雰囲気中ではんだ付を行う。 - 特許庁

When the zinc alloy is cast by using the hot-chamber type die casting machine, the alloy composed of ≤3 wt.% of the total of one or more kinds among copper, nickel and manganese, ≤1 wt.% titanium and/or zirconium, ≤0.5 wt.% aluminum and/or magnesium and the balance zinc with inevitable impurities, is cast.例文帳に追加

ホットチャンバー型ダイカスト機を用いて亜鉛合金を鋳造するに際し、銅、ニッケル、マンガンのうち一種類以上の合計が３重量％以下含まれ、チタン、ジルコニウムのうち一種以上の合計が１重量％以下であり、アルミニウム、マグネシウムのうち一種類以上の合計が0.５重量％以下であり、残部が亜鉛と不可避不純物からなる合金で鋳造する。 - 特許庁

The anode of a nonaqueous electrolyte secondary battery is composed of a mixture layer containing an active substance nucleus which can charge/discharge lithium ions and a composite anode active substance made of a carbon nano fiber (CNF) deposited on a surface of the above active substance nucleus and a CNF, whose impurities of the surface are removed, is used.例文帳に追加

本発明の非水電解質二次電池用負極は、リチウムイオンの充放電が可能な活物質核と、この活物質核の表面に付着されたカーボンナノファイバ（ＣＮＦ）とからなる複合負極活物質を含む合剤層を有し、ＣＮＦとして表面の不純物を除去したものを用いたことを特徴とする。 - 特許庁

Impurities are prevented from entering an anode oxidation treatment film, and device deterioration caused by metals generated from an anode oxidation treatment film is restrained by using sulfuric acid and oxalic acid, which do not contain chromium for acid used during anode oxidation treatment of an aluminum ground electrode surface and using vapor and ion exchange desalted water, which do not contain nickel for treatment solution used during sealing treatment.例文帳に追加

アルミニウム製接地電極表面の陽極酸化処理時に使用する酸にクロムを含まない硫酸や蓚酸を、封孔処理時に使用する処理液にニッケルを含まない水蒸気やイオン交換脱塩水を使用することにより陽極酸化処理膜への不純物の混入を防止し、陽極酸化処理膜から発生する金属による引き起こされるデバイス劣化を抑制する。 - 特許庁

The Zn based solder alloy comprises at least one selected from the group consisting of, by mass, 0.1 to 1% Al, 0.05 to 1% Ge, 0.01 to 1.0% V and 0.01 to 0.5% P, and the balance Zn with inevitable impurities.例文帳に追加

０．１質量％〜１質量％のＡｌ、０．０５質量％〜１質量％のＧｅ、０．０１質量％〜１．０質量％のＶ、および、０．０１質量％〜０．５質量％のＰからなる群から選ばれる少なくとも一種を含み、残部がＺｎおよび不可避不純物からなるＺｎ系はんだ合金からなる高温ろう材とする。 - 特許庁

A surface temperature of a semiconductor wafer into which impurities are implanted, is raised from a pre-heating temperature to a target temperature over a period of time from 1 to 20 milliseconds by performing a first irradiation in which light-emission output of a flashlamp is increased up from zero to a maximal value I_max over a period of time from 1 to 20 milliseconds.例文帳に追加

フラッシュランプの発光出力を１ミリ秒以上２０ミリ秒以下の時間をかけてゼロから最大値Ｉ_maxにまで増加させる第１照射を行うことにより、不純物が注入された半導体ウェハーの表面温度が予備加熱温度から目標温度にまで１ミリ秒以上２０ミリ秒以下にて昇温する。 - 特許庁

The liquid recycle unit 40 comprises a liquid supply section 41 for supplying the liquid 23 to the resist film on the wafer 20; a liquid discharge unit 42 for discharging and recovering the liquid 23 disposed on the wafer 20; and an impurity removal unit 43 for receiving the liquid 23 and removing impurities included in the liquid 23.例文帳に追加

液体リサイクル部４０は、ウェハ２０上のレジスト膜の上に液体２３を供給する液体供給部４１と、ウェハ２０上に配された液体２３を排出して回収する液体排出部４２と、液体２３を収納し且つ回収された液体２３に含まれる不純物を除去する不純物除去部４３とから構成されている。 - 特許庁

The method of manufacturing an epitaxial wafer is characterized by having a step of forming impurities regions 18, 22 on a part of a silicon wafer 10, a step of cleaning the silicon wafer 10 with a DHF/HNO_3 solution, and a step of forming a silicon layer 24 on the silicon wafer 10 by an epitaxial growth.例文帳に追加

シリコンウェーハ１０上の一部に不純物領域１８、２２を形成するステップと、シリコンウェーハ１０をＤＨＦ／ＨＮＯ_３溶液で洗浄するステップと、シリコンウェーハ１０上にシリコン層２４をエピタキシャル成長により形成するステップを有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 特許庁

Alternatively, a silicon oxide of having a thickness becoming a gap is formed by thermal oxidation on a silicon wafer where impurities are implanted heavily to the diaphragm substrate 1 on the side being bonded to the electrode substrate 2 and then it is patterned into a desired shape before being bonded to the electrode substrate 2.例文帳に追加

第２実施例）振動板基板１に半導体基板の電極基板２の接合面側に高濃度の不純物が注入されたシリコンウエハを用いて、このシリコンウエハに熱酸化によってギャップとなる厚さのシリコン酸化膜を形勢した後、接合面側のシリコン酸化膜を所望の形状にパターニングして電極基板２と接合した。 - 特許庁

The solid sample is decomposed by heating in an aqueous solution of a quaternary ammonium hydroxide, such as the tetramethylammonium hydroxide, etc., by adding a chlorine gas and/or a hypochlorous acid solution to the solution and the sample solution containing the impurities is obtained by volatizing ruthenium by adding the chlorine gas and/or hypochlorous acid solution to the obtained solution and heating the solution.例文帳に追加

固体試料を水酸化テトラメチルアンモニウムなどの水酸化第四アンモニウム水溶液中で塩素ガス及び／又は次亜塩素酸溶液を加えて加熱分解し、得られた溶液に塩素ガス及び／又は次亜塩素酸溶液を加えて加熱して、ルテニウムを揮発させて不純物を含む試料溶液を得る。 - 特許庁

To establish a method for manufacturing a positive electrode active material of lithium secondary battery in which the cyclic characteristics and storage characteristics at room and high temperature are enhanced by removing or reducing impurities from lithium manganate prepared from electrolytic manganese dioxide, etc., manufactured without suppressing the sulfuric acid concentration of an electrolytic bath of manganese sulfate and provide a battery embodied by the described manufacturing method.例文帳に追加

硫酸マンガン電解浴の硫酸濃度を低く抑えることなく製造された電解二酸化マンガン等を原料とした、マンガン酸リチウム中の不純物を除去・低減し、これにより常温及び高温におけるサイクル特性、保存特性が向上したリチウム二次電池用正極活物質の製造法及びこれを用いた電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a refining process capable of inexpensively obtaining, in a high yield, an acrylamidoalkanesulfonic acid which does not contain the impurities being polymerization inhibitors and thus enables production of a high molecular weight copolymer usable as a polymeric flocculant or the like when coplymerizing the obtained refined subject acid or its salt with acrylamide or the like.例文帳に追加

得られる精製アクリルアミドアルカンスルホン酸またはその塩とアクリルアミド等とを共重合した場合に、高分子凝集剤等として使用可能な程度に高分子量な共重合体を製造し得るアクリルアミドアルカンスルホン酸、すなわち重合を阻害する不純物を含まないアクリルアミドアルカンスルホン酸を高収率に、しかも低コストで得ることができる精製方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for producing glycerol from crude glycerol containing at least one of diols and water which enables improvement in both of a hue and odors till aftertreatment such as active carbon treatment and/or ion exchange process is not required after a distillation operation and enables the remarkable abatement of respective impurities contained in glycerol produced.例文帳に追加

ジオール及び水を含有してなる粗グリセリンからグリセリンを製造する方法において、蒸留操作の後に活性炭処理やイオン交換処理等の後処理が不要なまでに色相及び臭気を改善することができ、製造されたグリセリン中に含まれる個々の不純物を大幅に低減することのできるグリセリンの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a fuel lubrication diesel engine using a gas oil capable of avoiding clogging in an injection hole of an injection valve and increase of sliding wear of an engine lubrication system by lubricating the engine lubrication system, and consuming the fuel worried about contamination with impurities (dirt components and deposit) earlier.例文帳に追加

エンジン潤滑系等を潤滑し、不純物（汚れ成分、デポジット）が混入することが懸念される燃料を早期に消費し、噴射弁の噴射孔を詰まりや、エンジン潤滑系における摺動摩耗の増加を回避することができる軽油等燃料潤滑ディーゼルエンジンを提供することを課題とする。 - 特許庁

In a copper-zinc alloy linear sheet composing the copper-zinc alloy in which the balance is zinc except copper and inevitable impurities, the copper-zinc alloy includes the red brass composition with zinc content of 6-15 mass% and the average crystal grain diameter of the crystal grains constituting its crystal structure is ≤4 μm.例文帳に追加

この目的を達成するため、銅と不可避不純物を除き残部が亜鉛である銅−亜鉛合金からなる銅−亜鉛合金板条において、当該銅−亜鉛合金は、亜鉛含有量が６質量％〜１５質量％の丹銅組成を備え、その結晶組織を構成する結晶粒の平均結晶粒径が４μｍ以下であることを特徴とする銅−亜鉛合金板条を採用する。 - 特許庁

This is a wiring board obtained by distributing cellulose fiber with a number-average fiber diameter of 4 to 1000 nm which is obtained by refining cellulose from vegetable-origin materials, removing impurities and loosening it, in a thermoplastic resin, thermosetting resin and photocurable (active energy ray curable) resin.例文帳に追加

熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光（活性エネルギー線）硬化性樹脂などの樹脂中に、例えば、植物由来原料から得られるセルロースを含有する物質から精製を経て不純物を除去した後、解繊することにより得られる、数平均繊維径４〜１０００ｎｍのセルロース繊維が分散してなる、配線基板。 - 特許庁