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impuritiesを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 7611



例文

This semiconductor laser element comprises an active layer 4 having a window structure in a laser light emitting end face; and a p-type clad layer 5 formed on the surface of the active layer 4 and containing Mg and Zn as impurities, wherein an impurity concentration of Zn contained in the p-type clad layer 5 is larger than the impurity concentration of Mg contained in the p-type clad layer 5.例文帳に追加

この半導体レーザ素子は、レーザ光の出射端面部に窓構造を有する活性層4と、活性層4の表面上に形成され、不純物としてMgおよびZnを含有するp型クラッド層5とを備え、p型クラッド層5に含有されるZnの不純物濃度は、p型クラッド層5に含有されるMgの不純物濃度よりも大きい。 - 特許庁

This refining method is characterized by controlling the passing current from just before raising the cathode to be replaced until electrodeposited copper will cover the surface of the replaced new cathode, so that current density imposed on cathodes left in the electrolytic bath, when replacing a part of cathodes while passing an electric current to the electrolytic bath, can be equal to or less than the current density corresponding to an impurities deposition potential.例文帳に追加

電解槽に通電したまま一部のカソードを入れ替える際に、電解槽内に残すカソードに加わる電流密度が、不純物析出電位に対応する電流密度以下になるように、入れ替えるカソードを引き揚げる直前から、入れ替えたカソードの表面を電着が覆うまでの間、通電電流を制御する。 - 特許庁

A Co alloy target comprising 1 to 10 atomic% of Zr and 1 to 10 atomic% of Nb and/or Ta, the balance being unavoidable impurities and Co, is produced by rapidly solidifying a melt of the Co alloy to produce an alloy powder, classifying the alloy powder to maximum particle size of 500 μm or less, and pressure-sintering the classified alloy powder.例文帳に追加

本発明は、Zrを1〜10原子%、Nbおよび/またはTaを1〜10原子%含有し、残部実質的にCoからなるCo合金ターゲット材の製造方法において、該Co合金溶湯を急冷凝固処理して合金粉末を作製した後、粉末粒径500μm以下の該合金粉末を加圧焼結するCo合金ターゲット材の製造方法である。 - 特許庁

When manufacturing a polycrystalline silicon TFT1, an interlayer insulating film 8 is formed of a high thermal conductivity material having a thermal conductivity of 2W/m×K or higher, such as silicon nitride, aluminum nitride, an aluminum oxide film, and a beryllium oxide; and then high-intensity light is applied from the surface of the interlayer insulating film 8 for activating impurities in a polycrystalline silicon film 4.例文帳に追加

多結晶シリコンTFT1を製造するにあたって、熱伝導率が2W/m・K以上の高熱伝導率材料、例えば、窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム膜、酸化ベリリウム等で層間絶縁膜8を形成した後、層間絶縁膜8の表面から高強度の光を照射して多結晶シリコン膜4中の不純物を活性化させる。 - 特許庁

例文

This aluminum brazing alloy comprises 5.0% to 13.0% Si (by mass%, hereinafter the same), 0.05% to 1.0% Ti, 0.1% to 2.0% Mn, 0.01% to 0.5% Zr respectively, further 0.05% to 1.0% Cr as needed, and the balance Al with unavoidable impurities.例文帳に追加

Si:5.0%以上13.0%以下(質量%、以下同様)、Ti:0.05%以上1.0%以下、Mn:0.1%以上2.0%以下、Zr:0.01%以上0.5%以下をそれぞれ含有し、更に、必要に応じてCr:0.05%以上1.0%以下を含有し、残部がAlと不可避不純物とからなる。 - 特許庁


例文

The surface concentration top region 14A of the p-type diffusion region 14 can be made comparatively high in impurity concentration because an opening is provided to a field oxide film 4 avoiding the gate electrode 6 and impurities are diffused by implanting impurity ions through the opening, and a surface leakage current occurring between itself and the source region and drain region of the adjacent MOS transistor can be restrained.例文帳に追加

P型拡散領域14の表面濃度頂上領域14Aは、ゲート電極6と重ならずフィールド酸化膜4を開孔しイオン打ち込みによって拡散するため、比較的高濃度にすることができ、隣接したMOSトランジスタのソース領域、ドレイン領域との表面リーク電流を抑制できる。 - 特許庁

A trench is formed in the major surface of a semiconductor substrate, impurities are implanted into the bottom of the trench, an insulating film is formed at least on the inner surface of the trench, a conductive film is formed on the entire surface of the semiconductor substrate including the interior of the trench, and then the conductive film is patterned corresponding to the trench thus forming a semiconductor device having a trench structure.例文帳に追加

半導体基板の主面にトレンチを形成し、トレンチの底部に不純物を注入し、少なくとも前記トレンチの内表面に絶縁膜を形成し、前記トレンチの内部を含む半導体基板の全面に導電膜を形成し、導電膜を前記トレンチに対応してパターニングして、トレンチ構造を有する半導体装置を形成する。 - 特許庁

In this hot dip aluminum plated steel sheet excellent in corrosion resistance and appearance, the surface of a steel sheet is provided with a zinc- aluminum plating layer containing 26 to 65% Zn, 1.6 to 65% Al, 1 to 15% Mg, 0.3 to 10% Si and 0.005 to 5% alkaline-earth elements other than Mg, and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加

鋼板表面に質量%で、Zn:26〜65%、Al:16〜65%、Mg:1〜15%、Si:0.3〜10%、Mg以外のアルカリ土類元素を0.005〜5%含有し、残部Al及び不可避的不純物からなる亜鉛−アルミめっき層を有することを特徴とする耐食性、外観に優れた溶融アルミめっき鋼板。 - 特許庁

To reduce the number of PEPs, improve throughput, and reduce the cost by simultaneously implanting impurities into a capacity region and each region of the source and drain of each N-type and P-type TFT, by utilizing features that an original impurity conductivity-type stays even if an opposing impurity is implanted into an already implanted impurity region in the manufacturing process of a TFT array.例文帳に追加

TFTアレイの製造過程にあって、既に注入済の不純物領域に、後から相対する不純物を注入しても、元の不純物導電型のままであるという特徴を生かして、容量領域とN型、P型の各TFTのソース、ドレインの各領域の不純物注入を同時に行うようにしてPEP数を低減し、スループットを向上し併せてコストを低減する。 - 特許庁

例文

The refining method for a high-purity and highly active IgM-type antibody comprises the following process: An IgM-type antibody-containing liquid is subjected to pretreatment to remove impurities having high affinity for sodium urate crystal and then contacted with sodium urate crystal to effect selectively binding the IgM-type antibody to the sodium urate crystal, thereby accomplishing refinement for the objective high-purity and highly active IgM-type antibody.例文帳に追加

IgM型抗体含有液に前処理を施し尿酸ナトリウム結晶に高親和性を有する夾雑成分を除去した後、尿酸ナトリウム結晶と接触させると、IgM型抗体が尿酸ナトリウム結晶に選択的に結合するため、簡便に高純度かつ高活性なIgM型抗体を精製することができる。 - 特許庁

例文

The separator for the molten carbonate fuel cell has a gas passage comprising 16.5-17.5 wt.% Co, 28.5-29.5 wt.% Ni, and the remaining of Fe and unavoidable impurities, and center line average roughness (Ra) (JISB0601) on the surface other than the gas passage is made to be 0.3-0.8 μm.例文帳に追加

Coが16.5〜17.5wt%、Niが28.5〜29.5wt%含有され、残部がFeおよび不可避の不純物からなる、ガス流路を備えた溶融炭酸塩型燃料電池用セパレータであって、前記ガス流路以外の表面の中心線平均粗さ(Ra)(JISB0601)を0.3μm〜0.8μmとすること。 - 特許庁

The polishing cloth is characterized by that at least wefts comprise splittable conjugate fibers each having a cross-section shape with three or more apex corners and composed of a polyester and a polyamide, the cover factor of the wefts after split is 18,000 or greater, the amount of impurities produced after dry heat treatment at 180°C for 30 min, and there contains no delustering agent at all.例文帳に追加

3箇所以上の頂角を有する横断面形状のポリエステルとポリアミドから形成される割繊性複合繊維が少なくとも緯糸を構成し、割繊後の緯糸のカバーファクター値が18000以上であり、且つ180℃、30分の乾熱処理後の不純物の発生量が0.1重量%以下であり艶消し剤を全く含まないことを特徴とする研磨用織物。 - 特許庁

The material of a reforming reactor 10 contains 34-50 wt.% Ni, 20-30 wt.% Cr and the balance at least Fe with inevitable impurities, and the reaction of the methane slip and the carbon deposition is reversely accelerated in the presence of Ni, and an oxide film is formed to improve the corrosion resistance and electric resistance heat generating property in the presence of Cr.例文帳に追加

改質反応管10が Ni 34〜50wt%、Cr 20〜30wt%を含有し、残りがFeと不可避不純物を含むものであり、Niの含有によって、メタンスリップ、カーボン析出の反応を逆方向に促進するとともに、Crの含有によって、酸化膜を形成して、耐食性を向上させ、かつ電気抵抗発熱性を向上させる。 - 特許庁

To provide an optical element of high quality, which suppresses a rise in refractive index of a substrate surface when impurities are thermally diffused in a crystal substrate made of lithium niobate crystal of constant-ratio composition or made by doping the crystal with Mg, or when the crystal substrate is heat-treated in order to recover machining strain, and has superior productivity and optical characteristics, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

定比組成ニオブ酸リチウム結晶又は該結晶にMgをドープした結晶基板において、不純物を熱拡散する場合や、加工歪を回復するために熱処理する際の基板表面の屈折率上昇を抑制し、また、生産性並びに光学特性の優れた高品位な光学素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The aluminum conductive wire is characterized by comprising a stranded wire formed by stranding aluminum alloy single wires composed of 0.1-1.0 mass% Fe, 0.05-0.5 mass% Cu, 0.05-0.4 mass% Mg, and aluminum and inevitable impurities as the remainder, wherein the total of Cu and Mg is 0.3 to 0.8 mass%.例文帳に追加

Fe 0.1〜1.0mass%、Cu 0.05〜0.5mass%、Mg 0.05〜0.4mass%を含有し、CuとMgの合計が0.3〜0.8mass%、残部がアルミニウムおよび不可避不純物から成るアルミニウム合金素線を撚り合わせて形成した撚線からなることを特徴とするアルミニウム導電線。 - 特許庁

This method for producing the liver oil of a deep-sea shark comprises pulverizing the liver of the deep-sea shark at the low temperature, providing a pasty state, further separating the resultant paste into the solid component and the liquid component with a cooling centrifuge 4, removing impurities in the resultant oily liquid component with a filtration part 7 and removing oxygen in an antioxidizing treatment tank 8.例文帳に追加

本発明は、低温下において深海鮫の肝臓を粉砕してペースト状とし、更に冷却遠心分離機4によって液体成分と固定成分に分離し、得られた油状液体成分中における不純物を濾過部7によって除去し、かつ酸化防止処理タンク8内にて酸素を除去する深海鮫の肝油の製造方法である。 - 特許庁

To provide a vacuum deposition system capable of removing air and impurities in a vapor deposition material packed into a crucible in order to obtain a good-quality vapor deposition film in vacuum deposition and supplying the degassed vapor deposition material into the crucible disposed in an evaporation chamber in the state of maintaining the vacuum of the evaporation chamber of a vacuum deposition system and a method for supplying the vapor deposition material.例文帳に追加

真空蒸着において良質な蒸着膜を得るために、坩堝に充填する蒸着材料中の空気や不純物を除去するとともに、真空蒸発装置の蒸発室の真空を維持した状態で、脱気された蒸着材料を蒸発室内に備えられた坩堝に供給可能な真空蒸着装置、並びに蒸着材料供給方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for prolonging the lifetime of hastelloy XR, a heat-resistant material used for a reactor coolant boundary component, by preventing the material from corroding through the optimization of the concentration of chemical impurities in coolant helium, in an ultra-high temperature gas-cooled reactor (VHTR), a high-temperature gas-cooled reactor (HTR) and a gas-cooled fast reactor (GFR).例文帳に追加

超高温ガス炉(VHTR)、高温ガス炉(HTR)、ガス冷却高速炉(GFR)において、冷却材ヘリウム中の化学的不純物濃度を最適化することにより、原子炉冷却材バウンダリ構成機器に使用する耐熱材料ハステロイXRの腐食を防止して長寿命化させる方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A process for manufacturing in a high yield high purity methacrylic acid (HPMAA) which is substantially pure, particularly that which has a purity of at least 99% and a water content of at most 0.05% and contains a minor amount of other impurities including HIBA (2-hydroxyisobutyric acid), acrylic acid, MOMPA (3-methacryloyloxy-2-methylpropionic acid), methacrolein and the like is provided.例文帳に追加

本発明において、実質的に純粋な、特に99%以上の純度で、0.05%以下の水分含量および少量の、HIBA、アクリル酸、MOMPA、メタクロレイン、その他を包含する他の不純物を有する高純度の精メタクリル酸(HPMAA)の高収率製造のためのプロセスが提供される。 - 特許庁

The Fe-Ni-Co based alloy for a press forming type flat mask having excellent low thermal expansibility after blackening treatment has a composition containing 4.0 to 6.0% Co, 36.0 to 38.0% Ni+Co and 0.01 to 0.40% Mn, and further containing 0.20 to 0.40% Nb, and the balance Fe with inevitable impurities.例文帳に追加

Co:4.0%〜6.0%、Ni+Co:36.0%〜38.0%およびMn:0.01%〜0.40%を含有し、さらにNbを0.20%〜0.40%含有し、残部Feおよび不可避的不純物からなる黒化処理後の低熱膨張性に優れたプレス成形型フラットマスク用Fe−Ni−Co系合金。 - 特許庁

In the washing machine having a feed water intake 3a connected with a water supply source outside the machine, and a feed water opening 5 which is open for a washing tub 6 and communicating with the feed water intake 3a in the other end, an impurity removal device 4 for removing impurities in the water is provided between the feed water intake 3a and the feed water opening 5.例文帳に追加

機外の給水設備に連結される給水取り入れ口3aと、給水取り入れ口3aに連通し洗濯槽6に向かって開口する給水口5と、を有する洗濯機において、給水取り入れ口3aと給水口5との間に水中の不純物を除去する不純物除去装置4を設けた。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a base layer 9 formed on a silicon substrate 1, an emitter layer 12 formed in the base layer 9, and an emitter wiring layer 22 contacting to the emitter 12, where an emitter electrode layer 14 of a silicon layer is between the emitter layer 12 and the emitter wiring layer 22, and the emitter layer 12 is formed out of impurities by thermal- diffusion from the emitter electrode layer 14.例文帳に追加

シリコン基板1上に形成されたベース層9と、このベース層9内に形成されたエミッタ層12と、このエミッタ層12にコンタクトするエミッタ配線層22とを有する半導体装置において、前記エミッタ層12上とエミッタ配線層22との間にシリコン層から成るエミッタ電極層14を介在させ、エミッタ層12はエミッタ電極層14から熱拡散された不純物から成る。 - 特許庁

A plurality of trenches 11, an N type pillar region 2 formed by diffusing N type impurities contained in a dielectric layer 12 filling the trench 11 into a P type epitaxial layer, and a P type pillar region 3 by the P type epitaxial layer remaining between the diffusion regions are provided on the P type epitaxial layer laminated on a high concentration N type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

高濃度N型の半導体基板1上に積層されたP型のエピタキシャル層上に、複数のトレンチ溝11と、トレンチ溝11内に充填された誘電体層12に含まれるN型不純物が、P型のエピタキシャル層中に拡散して形成されたN型ピラー領域2と、拡散領域間に残ったP型のエピタキシャル層によるP型ピラー領域3とを備える。 - 特許庁

To provide a film-forming apparatus for forming a neutron conversion layer with high quality (film quality) on a cathode of a neutron detector for measuring neutrons in a reactor core by being inserted into the core of a reactor, by reducing the concentration of impurities in an atmospheric gas that generates plasma, and to provide a film-forming method therefor.例文帳に追加

原子炉炉心に挿入して炉心内の中性子を測定する中性子検出器のカソードに形成される中性子変換層について、プラズマを発生させる雰囲気ガス中の不純物の濃度を低減させて、品質(膜質)の高い中性子変換層を得ることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁

In a method for producing a purified hydrogen peroxide solution, 70 wt.% or more of the stabilizer is removed by bringing the industrial hydrogen peroxide solution including the stabilizer into contact with a reverse osmosis membrane with a hydrophilic group introduced on a membrane surface thereof, and subsequently impurities included in the hydrogen peroxide solution are removed by using a cation exchange resin and/or an anion exchange resin.例文帳に追加

安定剤を含む工業用過酸化水素水を、膜表面に親水基が導入された逆浸透膜と、接触させて、安定剤の70重量%以上を除去したのち、ついで、カチオンイオン交換樹脂および/またはアニオンイオン交換樹脂により、過酸化水素水に含まれる不純物を除去することを特徴とする精製過酸化水素水の製造方法。 - 特許庁

The metallization measuring instrument of the dust pellet consisting essentially of iron oxide and metallic iron with inevitable impurities, is provided with a cylinder for being filled with the dust pellet, a coil for excitation of the dust pellet at the outer periphery of the cylinder, an electric source for exciting the above coil and a measuring part of voltage and current in the excited coil.例文帳に追加

酸化鉄、金属鉄を主成分とし他不可避的不純物からなるダストペレットの金属化率測定装置において、上記ダストペレットを充填する円筒を備え、上記円筒の外周に上記ダストペレットの励磁可能なコイルを備え、上記コイルを励磁する電源を備え、励磁されたコイルの電圧と電流の測定部を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

This zirconium oxide based barrier film for an inorganic EL element contains yttrium oxide of 1-12 mol%, and in addition, it contains silicon dioxide of 1-50 mol% and/or alminum oxide of 1-50 mol% so as to satisfy silicon oxide+aluminaum oxide66 mol% as needed, and the remaining part has a composition composed of zirconium oxide and inevitable impurities.例文帳に追加

酸化イットリウム:1〜12モル%を含有し、さらに必要に応じて二酸化珪素:1〜50モル%および/または酸化アルミニウム:1〜50モル%を二酸化珪素+酸化アルミニウム≦66モル%含有し、残部が酸化ジルコニウムおよび不可避不純物からなる組成を有する無機EL素子用酸化ジルコニウム系バリア膜。 - 特許庁

In the method of highly purifying a glass body, impurities contained in the glass rod G is moved to one part to be localized by arranging a glass rod G inside of an apparatus for highly purifying the glass body, heating the glass rod G by a heater 11 and applying magnetic field to the glass rod G from a magnet 10.例文帳に追加

本発明のできるガラス体の高純度化方法は、ガラス体の高純度化装置1の内側にガラスロッドGを配置し、ヒータ11によってガラスロッドGを加熱して、マグネット10からガラスロッドGに磁界を印加することで、ガラスロッドGに含まれる不純物を一部分に移動させて偏在させる。 - 特許庁

During continuous pulse oscillation operation for making a discharge applied voltage between discharge electrodes fixed, if impurities are mixed inside a laser chamber, an output energy (a) of laser beam lowers to a prescribed level (a2) to a reference level (a1) as of pulse oscillation of a prescribed pulse number (n2) after continuous pulse oscillation operation is started.例文帳に追加

放電電極間への放電印加電圧が一定となるように連続パルス発振運転をした場合には、レーザチャンバ内に不純物が混入すると、連続パルス発振運転が開始されてから所定パルス数n2のパルス発振がなされた時点でレーザ光の出力エネルギーaが基準レベルa1に対して所定レベルa2に低下する。 - 特許庁

To provide a fuel cell system equipped with an impurity removing device capable of surely removing impurities contained in a gas-liquid mixture fluid even when gas-liquid mixture fluid in which the mixture flow rate of gas and liquid is large and the quantity of liquid is small to the flow rate of gas flows in, besides usual gas-liquid mixture fluid.例文帳に追加

通常の気液混合流体の時は勿論のこと、気体と液体との混合流量が多く、気体の流量に対して液体の量が少ない気液混合流体が流入した場合であっても、当該気液混合流体に含有された不純物を確実に除去することが可能な不純物除去器が配設されてなる燃料電池システムを提供する。 - 特許庁

At the time of manufacturing the dummy wafer, dummy wafers are disposed at prescribed intervals and heated at a so high heating temperature that the mechanical stresses applied to the dummy wafers and, at the same time, impurities in the surfaces of the wafers are removed sufficiently in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere, in a heat-treating step performed for removing the mechanical stresses.例文帳に追加

ダミーウェハを製造するに際し、ダミーウェハに加えられた機械的応力を取り除く熱処理工程において、ダミーウェハを所定間隔空けて配置し、その配置されたダミーウェハを真空及び不活性ガス雰囲気のいずれか一方の条件下、ダミーウェハに加えられた機械的応力が取り除かれると共に不純物が除去されるに十分な加熱温度で加熱するダミーウェハの製造方法。 - 特許庁

This semiconductor manufacturing apparatus, having a susceptor holding a substrate in a reaction furnace and a substrate heating heater for heating the substrate and constituted to grow a semiconductor crystal on the substrate while feeding a raw material gas and a diluting gas, comprises an impurity removing heater in the reaction furnace, so that impurities are removed by the impurity removal heater and the substrate-heating heater.例文帳に追加

反応炉内に基板を保持するサセプタと前記基板を加熱する基板加熱用ヒータとを具備し、前記基板上に原料ガス及び希釈用ガスを供給しながら半導体結晶を成長するように構成して成る半導体製造装置において、前記反応炉内に不純物除去用ヒータを具備し、該不純物除去用ヒータと前記基板加熱用ヒータとにより不純物を除去するように構成したことにある。 - 特許庁

The regeneration method of the organic solvent comprises steps of plurally repeating a step(regeneration step) of contacting the organic solvent purified in such a manner as to contain either one of tantalum or niobium and to contain only few amount of impurities and of obtaining either one of purified liquids of tantalum or niobium in the at least initial regeneration step (the first regeneration step).例文帳に追加

タンタルまたはニオブの一方を含有し不純物を少量しか含有しないように精製された有機溶媒を水または水溶液と接触させる工程(再生工程)を複数回実施して、タンタルまたはニオブの一方および不純物が低減された再生有機溶媒を得るとともに、少なくとも初回の再生工程(第一の再生工程)においてタンタルまたはニオブの一方の精製液を得ることを含んでなる。 - 特許庁

Further, a Pd alloy powder comprising 1-60 at%, in total, of at least one selected from among V, Nb, and Ta with the balance comprising Pd and unavoidable impurities is made by an atomization method, and the obtained Pd alloy powder is heated and molded under pressure to produce the Pd alloy sputtering target.例文帳に追加

また、V、Nb、Taのうちの少なくとも1種以上を合計で1〜60at%含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなるPd合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Pd合金粉末を加圧下で加熱して成形してPd合金系スパッタリングターゲットを製造する。 - 特許庁

To provide an ultrasonic flowmeter capable of controlling properly the gain of an amplifier regardless of the quantity of impurities such as air bubbles included in a fluid, executing flow measurement with a high S/N ratio even to the change in kind or temperature of the fluid, and executing stably always accurate flow measurement.例文帳に追加

増幅器のゲインを流体中に含まれる気泡等の夾雑物の量に拘わらずに適切に制御することができ、流体の種類や液温の変動に対しても高いS/N比で流量計測を行うことが可能であり、常に正確な流量測定を安定的に行うことができる超音波流量計を提供する。 - 特許庁

The direct-reforming fuel cell system restrains the adhesion of foam of carbon dioxide or impurities on the surface of a concentration sensor 31 and detects a methanol concentration with accuracy by installing a methanol concentration measurement device 30 at a place where an existing volume of carbon dioxide gas is comparatively small on a circulation channel of methanol/aqueous solution.例文帳に追加

本発明の直接改質型燃料電池システムでは、メタノール濃度測定装置30をメタノール/水溶液の循環経路上で二酸化炭素ガスの存在量が比較的少ない場所に設置することにより、濃度センサ31の表面に二酸化炭素の泡や不純物が付着するのを抑制し、精度良くメタノール濃度を検出する。 - 特許庁

Firstly, multiple PN joints are formed on a semiconductor substrate below a winding belt-like conductive film that makes up an inductance element, and an extension of a depletion layer can be expanded by applying reverse bias voltage to the PN joints even if the concentration of impurities on the substrate surface is high, thus depleting the layer completely.例文帳に追加

第1は、インダクタンス素子を構成する巻き線状の帯状導電膜の下の半導体基板表面に、複数のPN接合を形成し、そのPN接合に逆バイアス電圧を印加することで、基板表面の不純物濃度が高くても、その空乏層の延びを大きくすることができ、完全に空乏化させることが可能になる。 - 特許庁

To provide a method for treating aluminum dross residual ash and for utilizing aluminum dross residual ash as useful resources, by which toxic impurities are efficiently removed and a granular, particulate or clumpy alumina composition which is extremely excellent in handleability when transported and used, high in compressive strength and industrially useful, can be obtained from the residual ash.例文帳に追加

アルミドロス残灰から効率良く有害不純物を除去して有用資源化できると共に、輸送上や使用上において極めて取扱い性がよく、圧壊強度が高くて産業上有用な顆粒状、粒状、若しくは塊状のアルミナ組成物を得ることができるアルミドロス残灰の処理方法を提供する。 - 特許庁

The equipment for refining coating liquid containing at least a charge transferable compound has adsorption equipment for subjecting the coating liquid to adsorption treatment of ionic impurities to induce the deterioration in the characteristics of the photoreceptors therein by stirring the coating liquid and an adsorbent and filter equipment for filtering and separating the coating liquid and the adsorbent subjected to the adsorption treatment by the adsorption equipment.例文帳に追加

少なくとも電荷輸送性化合物を含有する塗工液を精製する装置であって、該塗工液と吸着剤を攪拌させ塗工液中の感光体の特性劣化を引き起こすイオン性の不純物の吸着処理を行う吸着装置と該吸着装置で吸着処理された塗工液と吸着剤をろ過分離する濾過装置を有する。 - 特許庁

To provide a component for a glassy carbon CVD device that can suppress the occurrence of impurities such as particles or the like due to peeling of CVD deposits by improving adhesiveness between the surface of the component and the CVD deposits and increasing a film thickness wherein cracking starts on the surface of a film formed by the CVD deposits and can prevent the generation of dust from itself, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

部品表面とCVD付着物との密着性を従来以上に高め、該CVD付着物から形成される膜の表面に亀裂が生じ始める膜厚を増大させて、該CVD付着物の剥離に基づくパーティクルなどの不純物の発生を抑制すると共に、部品自身からの発塵も防止し得るガラス状炭素製のCVD装置用部品と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for purifying a sugar liquid capable of highly removing coloring components and other impurities on a stage preceding a desalting means, thereby capable of reducing the load on the successive desalting means, and enabling downsizing and diversification of the desalting means, and further long service life by subjecting an impurity-containing sugar liquid to a desalting means after it has been treated by a membrane filtration and subsequently by a decoloring process.例文帳に追加

不純物を含有する糖液を膜濾過した後、脱色し、その後脱塩処理することにより精製する装置であって、脱塩手段の前段で色度成分やその他の不純物を高度に除去することができ、従って、その後段の脱塩手段の負荷を軽減して、脱塩手段の小型化ないし多様化、更には長寿命化を図る。 - 特許庁

To provide a method for producing (meth)acrylic acid by sufficiently removing impurities such as aldehydes, ketones, dicarboxylic acids such as maleic acid, etc., from a crude (meth)acrylic acid obtained by a catalytic gas phase oxidation method to produce a high purity (meth)acrylic acid, suppressing the generation of sludge in a distillation column, capable of performing a continuous operation for a long period and excellent in economical property.例文帳に追加

接触気相酸化法で得られた粗(メタ)アクリル酸から、アルデヒド類、ケトン類、マレイン酸類等のジカルボン酸等の不純物を十分に除去して高純度(メタ)アクリル酸を製造する方法であって、蒸留塔内スラッジの生成を抑制して、長期連続運転が可能な経済性に優れた(メタ)アクリル酸の製造方法を提供する。 - 特許庁

A back edge leading end 16, a first doctor edge leading end 17 and a second doctor edge leading end 18 are formed from a hard alloy comprising 4-20 wt.% of cobalt, 0.3-3.0 wt.% of chromium and/or 0.1-3.0 wt.% vanadium and the remainder of tungsten carbide with an average particle size of 1 μm or less and inevitable impurities.例文帳に追加

コバルトを4〜20重量%と、クロムを0.3〜3.0重量%および/またはバナジウムを0.1〜3.0重量%と、残部が平均粒径が1μm以下とされた炭化タングステンと不可避不純物とからなる超硬合金からバックエッジ先端16、第1ドクターエッジ先端17、第2ドクターエッジ先端18を形成した。 - 特許庁

This β type titanium alloy material for the top clamp of a magnetic recording device has a componential composition of a β type titanium alloy such as a β type titanium alloy containing two or more kinds among V, Al, Cr, Sn, Zr, Fe and Mo, and the balance Ti with inevitable impurities and has a thermal expansion coefficient of 7.8 to 8.9×10-6/K.例文帳に追加

β型チタン合金、V,Al,Cr,Sn,Zr,Fe及びMoのうちの2種以上を含有し、残部がTi及び不可避的不純物からなるβ型チタン合金などのβ型チタン合金の成分組成を有し、熱膨張率が7.8〜8.9×10^-6/Kであることを特徴とする磁気記録装置のトップクランプ用β型チタン合金材。 - 特許庁

To provide a method for readily carrying out the filtration in a method for producing an ester by reacting an organic acid with an alcohol in the presence of an organic metal catalyst while removing water as a by- product to provide the ester, adding an alkaline material to the liquid formed by the reaction, stirring the resultant mixture to neutralize the remaining organic acid with the alkaline material, and filtering the neutralized liquid to remove impurities.例文帳に追加

有機酸とアルコールとを、有機金属触媒の存在下、副生する水を除去しながら反応させてエステルを生成させ、次いで反応生成液にアルカリ性物質を添加して撹拌し、残存有機酸をアルカリ性物質で中和したのち濾過して不溶物を除去するエステルの製造方法において、濾過を容易に行う方法を提供する。 - 特許庁

The nonaqueous liquid layer, which incorporates the ionizable impurities which cannot be removed by deminaralized water washing, the nonaqueous liquid layer, which is a fluorine compound and cannot be removed by deminaralized water washing, or the nonaqueous liquid, which is a mixture of a fluorolubricant and a fluorosolvent and cannot be removed by deminaralized water washing, is washed with water to which an ionizable substance is added.例文帳に追加

純水洗浄で除去しきれないイオン性不純物を含有する非水系液層、又は、純水洗浄で除去しきれない非水素液層がフッ素化合物である非水素液層、又は、純水洗浄で除去しきれない非水素液層がフッ素系潤滑剤とフッ素系溶媒の混合物である非水系液層、をイオン性物資を添加した水で洗浄する。 - 特許庁

To provide an apparatus which prevents a treatment liquid scattered from the front surface of a rotating substrate rebounds by the internal wall surface of a cup and which can prevent that the treatment liquid adheres to the inner wall surface of the cup while the treatment liquid stays on the inner wall surface of the cup for a long time, and is dried, to cause the deposition of impurities and a treatment liquid component.例文帳に追加

回転する基板の表面から飛散した処理液がカップの内壁面で跳ね返ることを防止し、処理液がカップの内壁面上に長く留まってカップ内壁面に処理液が付着し乾燥して不純物や処理液成分が堆積することを防止することができる装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a cleaning composition which has a high ability to remove impurities such as residual abrasive grains, residual polishing wastes, and metal ions without corroding metal wirings when contaminants on the surface of a semiconductor substrate having the metal wirings are removed after the substrate is subjected to chemical and mechanical polishing, to provide a washing method for the semiconductor substrate using the same, and a manufacturing method for a semiconductor device including the washing method.例文帳に追加

金属配線を有する半導体基板を化学機械研磨した後にその基板表面の汚染を除去する際、金属配線を腐食させず、かつ残存砥粒、残存研磨くず、金属イオン等の不純物の除去能力が高い洗浄用組成物、これを用いた半導体基板の洗浄方法、およびこの洗浄方法を含む半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The aluminum alloy material is prepared by mixing pure Si powder, Al-Si-based alloy powder containing 0.05 to 35% Si, and the balance Al and inevitable impurities, fluoride flux, and a binder, wherein the pure Si powder and the Al-Si-based powder are mixed in a weight mixing ratio within a range from 90:10 to 99.5:0.50.例文帳に追加

本発明は、純Si粉末と、0.05〜35%のSiを含有し残部Alと不可避不純物からなるAl−Si系合金粉末と、フッ化物フラックスと、バインダとを混合し、前記純Si粉末と前記Al−Si系合金粉末との重量混合比を90:10〜99.5:0.5の範囲内で混合してなることを特徴とする - 特許庁

例文

Disclosed is a sputtering target for vertical magnetic recording medium film formation having high leakage magnetic flux density which has a chemical composition comprising a nonmagnetic oxide of 2 to 15 mol%, Cr of 3 to 20 mol%, Pt of 5 to 30 mol%, and the balance consisting of Co with unavoidable impurities and has an in-plane specific magnetic permeability of50 which is lower than the thickness-wise specific permeability.例文帳に追加

非磁性酸化物:2〜15モル%、Cr:3〜20モル%、Pt:5〜30モル%を含有し、残部:Coおよび不可避不純物からなる成分組成を有する板状焼結スパッタリングターゲットであって、面内方向比透磁率が50以下、かつ面内方向比透磁率が厚み方向比透磁率より小さい漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。 - 特許庁

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