「impurities」に関連した英語例文の一覧と使い方(142ページ目) - Weblio英語例文検索

The sputtering target has a component composition comprising 0.5 to 15 mol% non-magnetic oxide, 4 to 20 mol% Cr, 5 to 25 mol% Pt, 0.5 to 8 mol% B, and the balance Co with unavoidable impurities; and has such a structure that Co-Cr-B ternary alloy phases are uniformly dispersed in a matrix.例文帳に追加

非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットは素地中にＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相が均一分散している組織を有する。 - 特許庁

This aluminum alloy sheet for battery case has a composition containing, by weight, 0.05 to 0.3% Cu, 0.3 to 1.0% Mg and 0.6 to 1.5% Mn, moreover containing one or more kinds of Si and Fe by 0.1 to 1.0%, and the balance aluminum with inevitable impurities.例文帳に追加

電池ケース用アルミニウム合金板は、Ｃｕ：０．０５乃至０．３重量％、Ｍｇ：０．３乃至１．０重量％及びＭｎ：０．６乃至１．５重量％を含有し、更にＳｉ及びＦｅのいずれか１種以上を０．１乃至１．０重量％含有し、残部がアルミニウム及び不可避的不純物からなる組成を有している。 - 特許庁

To provide a CNT membrane that can secure mechanical membrane strength without depending only on an organic binder, can easily obtain a flat shape without bubbles in the membrane, and can eliminate a complicated CNT refining step such as removing impurities other than nano-tubes more than necessary, and can reduce degradation in electron emission characteristic due to increase in the diameter of a bundle.例文帳に追加

有機バインダのみに依存せずに機械的膜強度が確保でき、平坦形状が簡便に得られ膜内に気泡を抱え込むことがなく、また、ナノチューブ以外の不純物を必要以上に除去するような複雑なＣＮＴ精製工程を無くすことを可能とし、バンドル径増大による電子放出特性の劣化を軽減できるＣＮＴ膜を提供する。 - 特許庁

In the solar cell element having a diffusion layer 3 of the other conductivity impurities, a surface electrode 4 and multiple micro protrusions 2 on one major surface side of one conductivity semiconductor substrate 1, depth of the diffusion layer 3 at a part other than the lower part of the surface electrode 4 is made shallower than the diffusion layer 3 at the lower part of the surface electrode 4.例文帳に追加

一導電型半導体基板１の一主面側に他の導電型不純物の拡散層３と表面電極４と多数の微細な突起２を有する太陽電池素子であって、上記表面電極４の下部以外の拡散層３の深さを表面電極４の下部の拡散層３の深さよりも浅くする。 - 特許庁

To solve such a problem that a silicon active layer of an SOI substrate (SOI layer) is made smaller in thickness than heretofore, following fine structure of transistors, so that, after impurities area introduced into a complete depleted SOI transistor, etc., crystallization of an impurity diffused layer cannot be sufficiently restored even by annealing under heat treatment for example.例文帳に追加

トランジスタの微細化に伴い、ＳＯＩ基板のシリコン活性層（ＳＯＩ層）の厚さが従来よりも薄くなり、完全空乏型ＳＯＩトランジスタ等では、不純物を導入した後、例えば、熱処理によってアニールを行っても、不純物拡散層の結晶状態を充分に回復させることができない。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an indium tin oxide (ITO) sintered compact by which a high purity high density ITO sintered compact is made again from a high density ITO sintered compact recovered from a spent sputtering target or a high density ITO sintered compact or the like discharged from a manufacturing process as a defective with the low cost method without incorporating impurities .例文帳に追加

使用済みのスパッタリングターゲットから回収された高密度ＩＴＯ焼結体や製造工程で不良品となった高密度ＩＴＯ焼結体等を原料として、不純物の混入が無く、安価な方法で、再び、高純度・高密度のＩＴＯ焼結体を作製することが可能なＩＴＯ焼結体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a letterpress printing plate for a letterpress reversing off-set method and its manufacturing method which can be manufactured easily, wherein washing and reuse of the letterpress printing plate is easy, contamination by impurities of a polymer electroluminescent element is prevented, and a removal rate from a blanket is improved, and provide a manufacturing method of the polymer electroluminescent element using the letterpress printing plate.例文帳に追加

簡単に製造することができ、凸刷版の洗浄と再使用が容易で、高分子電界発光素子への不純物の混入を防止し、ブランケットからの除去率の向上した凸版反転オフセット法用凸刷版とその製造方法及びその凸刷版を用いた高分子電界発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the fuel cell system 1 having a fuel cell 10 for generating power by reaction between a fuel gas and an oxidized gas, the fuel cell system 1 includes a circulation passage 32 for flowing the gas discharged from the fuel cell 10, and the ion-exchange resin 38 arranged in the circulation passage 32 and removing impurities in the gas flowing in the circulation passage 32.例文帳に追加

燃料ガスと酸化ガスとの反応により発電を行う燃料電池１０を有する燃料電池システム１において、燃料電池１０から排出されたガスが流れる循環流路３２と、循環流路３２内に配置され、当該循環流路３２を流れるガス中の不純物を除去するイオン交換樹脂３８を有している。 - 特許庁

Thereby, the high-purity β-diketonate metal complex of the alkaline earth metal with the suppressed formation of the hydrate exhibits 100% TG weight loss (amount of an evaporated chelate) of bis(dipivaloylmethanato)strontium without a TG weight loss (amount of evaporated impurities) in the low-temperature range (≤200°C) by thermogravimetric measurement/differential thermal analysis (TG/DTA).例文帳に追加

熱重量測定/示差熱分析（ＴＧ／ＤＴＡ）より、低温側（２００℃以下）でのＴＧ減量（不純物蒸発量）が全くなく、ビス（ジピバロイルメタナト）ストロンチウムのＴＧ減量（キレート蒸発量）が１００％を示す、水和物の生成が抑制された高純度のアルカリ土類金属のβ−ジケトネート金属錯体を得る。 - 特許庁

Consequently, the on-resistance can be reduced such that the contact resistance can be reduced by contacting with all the side walls of each contact trench Tc and besides the rise of the channel impurity concentration of a p-type well region 4 caused by the lateral direction diffusion of impurities effectively in forming an additional p^+-type region 8 of the bottom may be suppressed.例文帳に追加

これにより、各コンタクトトレンチＴｃの側壁すべてでコンタクトがとれるようになるためコンタクト抵抗を低減することができ、さらにその底面の追加ｐ^+型領域８形成時の不純物の横方向拡散によるｐ型ウェル領域４のチャネル不純物濃度の上昇を効果的に抑え、オン抵抗の低減を図ることができる。 - 特許庁

The sputtering target has a component composition comprising 0.5 to 15 mol% non-magnetic oxide, 4 to 20 mol% Cr, 5 to 25 mol% Pt, further 0.5 to 8 mol% B as needed, and the balance Co with unavoidable impurities; and has such a structure that Co-Cr binary alloy phases are uniformly dispersed in a matrix.例文帳に追加

非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、さらに必要に応じてＢ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットは素地中にＣｏ−Ｃｒ二元系合金相が均一分散している組織を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes: a step to dope an area of first conductivity type of a silicon substrate with impurities of second conductivity type opposite to first conductivity type and heat it so as to form a diffusion layer of the second conductivity type; and a step to implant nitride or fluorine ions to the diffusion layer and give a carbon dioxide gas laser to the diffusion layer.例文帳に追加

シリコン基板の第１導電型の領域に、第１導電型と反対の第２導電型の不純物をドーピングし、熱処理を行って、第２の導電型の拡散層を形成する工程と、この拡散層に窒素又はフッ素をイオン注入し、その後、この拡散層に炭酸ガスレーザーを照射する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In addition, a second interlayer insulation film 10 is formed, a contact hole is formed so that the surface of a capacitor node plug is exposed, heat treatment conditions are used for heat-treating in the contact hole while a storage electrode is being formed, and impurities are subjected to ion implantation for forming the storage electrode in the active region including the contact hole.例文帳に追加

さらに第２層間絶縁膜１０を形成し、キャパシタノードプラグの表面が露出するようにコンタクトホールを形成し、ストレージ電極の形成状態でコンタクトホール内に熱処理条件を用いて熱処理をした後、不純物をイオン注入してコンタクトホールを含むアクティブ領域にストレージ電極を形成する。 - 特許庁

The method for producing polyorganosiloxane particles and organic inorganic composite particles comprises a synthesizing step of performing a hydrolysis condensation reaction of an alkoxysilane compound in a mixed solvent essentially containing alcohol to synthesize polyorganosiloxane particles, wherein the alcohol in which the number of particles with particle diameters of 2 μm or less, which are unavoidable impurities, is 5 to 200/ml is used in the synthesizing step.例文帳に追加

ポリオルガノシロキサン粒子および有機無機複合粒子の製造方法であって、アルコールを必須とする混合溶媒中で、アルコキシシラン化合物の加水分解縮合反応を行ってポリオルガノシロキサン粒子を合成する合成工程を含み、上記合成工程において、不可避不純物である粒子径２μｍ以下のパーティクル量が５個／ｍｌ〜２００個／ｍｌのアルコールを用いる。 - 特許庁

To secure improved reliability by securing low resistance in a p-type semiconductor layer that becomes a channel, suppressing a collapse phenomenon, and stabilizing operation at high temperature, by controlling the amount of dopant impurities in the p-type semiconductor layer for composing a field effect transistor, and the interface level density between a p-type layer and a gate insulating film.例文帳に追加

電界効果トランジスタを構成するｐ型半導体層内のドーパント不純物量やｐ型層とゲート絶縁膜間の界面準位密度を制御することにより、チャネルとなるｐ型半導体層の低抵抗を確保しつつ、コラプス現象を抑制し、更に高温での動作を安定化し、良好な信頼性を確保する。 - 特許庁

To work on material recycling by limiting wastes to electric wire chips polyethylene and make a compound since there are many methods of material recycling and the field for treating the wastes such as industrial wastes or general wastes is wide, it is difficult to segregate foreign matters and impurities from the raw material treated for wastes from whole field.例文帳に追加

マテリアルリサイクルの手法は数多く存在するが産業廃棄物や一般廃棄物と廃棄物処理される分野が広いため全分野から廃棄物処理された原料の中から異物、不純物を分別、再生原料とするのは至難であるので本発明は電線屑ポリエチレンに限定してマテリアルリサイクルに取組み、コンパウンドにすることである。 - 特許庁

In the p-type layer of a nitride semiconductor light emitting element, activation rate of p-type impurities is increased by decreasing hydrogen concentration during growth of a p-type clad layer 6 and crystallinity is recovered by increasing hydrogen concentration during growth of a p-type contact layer 7 thus balancing the electrical characteristics and crystallinity of the p-type layer totally.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子のｐ型層において、ｐ型クラッド層６の成長時の水素濃度を小さくして、ｐ型不純物の活性化率を高め、ｐ型コンタクト層７の成長時の水素濃度を大きくして、結晶性を回復することで、ｐ型層における電気的特性と結晶性の調和を総合的に図る。 - 特許庁

To provide an improved method, which has not been attained by conventional methods, for obtaining an olefin compound having a fluorine- containing organic group, applicable to an optical field and the like and having high purity and no discoloration by simply and efficiently removing bonded iodine compounds and/or iodine compound species included in the olefin compound having the fluorine-containing organic group as impurities.例文帳に追加

従来の方法では達成し得なかった、含フッ素有機基を有するオレフィン化合物に不純物として含まれる結合型ヨウ素化合物および／またはヨウ素化合物種を、簡便にかつ効率よく除去し、光学分野等で利用可能な、高純度かつ着色のない含フッ素有機基を有するオレフィン化合物を得るための改良された方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning composition for semiconductor component which has superior cleaning properties with respect to impurities remaining on a to-be-polished surface of a semiconductor component after chemical mechanical polishing, and further reduces burden on environment, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device comprising a step for cleaning, by using the cleaning composition for semiconductor component.例文帳に追加

化学機械研磨後に半導体部品の被研磨面に残留した不純物に対する洗浄効果が高く、かつ環境への負荷が少ない半導体部品洗浄用組成物を提供すること、および上記半導体部品洗浄用組成物を用いて洗浄する工程を含む半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an oil strainer for an oil filling port which is provided on the oil filling port of an oil tank such as a working fluid tank of an industrial vehicle to prevent ingress of impurities in oil in the oil tank, in particular, the one equipped with an oil level gauge to detect the oil level position and miniaturized.例文帳に追加

産業車両の作動油タンク等のオイルタンクの給油口に設けられ、給油中に不純物がオイルタンク内に入り込まないようにするための給油口用ストレーナに関するものであり、特に油面位置の検出を行うオイルレベルゲージを付設したストレーナにおいて、小型化が可能なオイルストレーナを提供する。 - 特許庁

The electronic parts are provided with a base 11 consisting of the compound sintered compact containing, by weight, 40 to 80% stabilized zirconia, 20 to 60% ferrite and ≤2% impurities, an electrically conductive film 12 provided on the base 11, and helical grooves 13 provided on the electrically conductive film 12.例文帳に追加

安定化ジルコニアを４０〜８０重量％と、フェライトを２０〜６０重量％と、不純物が２重量％以下とを含み、合計で１００重量％とした複合焼結体で構成された基台１１と、基台１１上に設けられた導電膜１２と、導電膜１２に設けられたヘリカル状の溝１３とを備えた。 - 特許庁

In the semiconductor device including complementary field effect transistors, a p-type impurity diffusion region 5a to become an emitter electrode of a parasitically formed bipolar transistor and an n-type impurity diffusion region 3 electrically connected to a power supply line 14 are connected by connection wiring 40 formed of a high-melting point metal silicide having n-type impurities.例文帳に追加

相補型電界効果型トランジスタを含む半導体装置において、寄生的に形成されるバイポーラトランジスタのエミッタ電極となるｐ型不純物拡散領域５ａと、電源供給線１４と電気的に接続されているｎ型不純物拡散領域３とを、ｎ型不純物を有する高融点金属シリサイドからなる接続配線４０により接続する。 - 特許庁

While the impurities of the wastewater is left unfrozen, only the frozen water is transferred to an ice storage tank 30 and melted.例文帳に追加

凍結分離装置１８の中に配置される所定純度以上の水で形成した種氷の周囲に第１水洗工程１２ｃから排出される洗浄後の排水を供給し、徐々に冷却し、種氷を核として排水の水成分のみを凍結状態にすると共に、排水の不純成分を非凍結状態にした後、凍結した水成分のみを畜氷タンク３０に移送し、融解する。 - 特許庁

To provide a gas enriching apparatus having a gas permselective film and a vacuum means connected thereto, preventing not only the freezing of high humidity air passed through an oxygen enriching membrane at the time of low open air temperature but also the penetration of impurities when the open air is sucked so as to bypass the oxygen enriching membrane and enhanced in reliability.例文帳に追加

選択性ガス透過膜と減圧手段が接続されるガス富化装置において、低外気温時に酸素富化膜を通過した湿度の高い空気の凍結防止を行うとともに、酸素富化膜をバイパスして外気を吸込んだ時に不純物の侵入を防止し、以って信頼性の高いガス富化装置を提供する。 - 特許庁

A vacuum dust removing device 17 constituting a third purification region comprises a transport pipe 18 with flow disturbing elements, a rotational sieve 19 having a grid of a mesh size suitable for suction of volatile impurities, a flow guide means 23 adjacent the sieve 19 for constituting a flow disturbing element, and a rotary chamber valve 20 positioned below the rotational sieve 19.例文帳に追加

第３の浄化領域を構成する真空塵埃除去装置１７は、流れ攪乱要素付き輸送パイプ１８と、揮発性不純物を吸引可能な網目の格子状構造体を有する回転式篩１９と、回転式篩に隣接して流れ攪乱要素を構成する流れ案内手段２３と、回転式篩下方の回転式チャンババルブ２０とを備える。 - 特許庁

A spindle 16 is moved in a thrust direction by magnetic actuators 18, 20 so as adjust the gap between the workpiece 10 and the machining tool 12 while the spindle 19 is ultrasonically vibrated by in response to signals from an ultrasonic wave carrier generating circuit 26 so as to effect ultrasonic cavitations in the electric discharge liquid in order to expel molten impurities.例文帳に追加

スピンドル１６を磁気アクチュエータ１８、２０でスラスト方向に移動させてワーク１０と加工ツール１２との間隔を調整すると共に、超音波キャリア発生回路２６からの信号によりスピンドル１６を超音波振動させ、放電液体内に超音波キャビテーションを起こさせて溶解屑を排出する。 - 特許庁

The shower head with a structure provided with at least one among a device with a minus ion generating source and acting the minus ions on the shower water, a device with a far IR rays generating source and acting far IR rays on the shower water and a device for removing impurities and residual chlorine is provided and the method for effectively utilizing the activated water is provided.例文帳に追加

マイナスイオンの発生源を有しシャワー水にマイナスイオンを作用させる装置と、遠赤外線の発生源を有しシャワー水に遠赤外線を作用させる装置および不純物や残留塩素を除去吸着する装置のうちの少なくとも１つを備える構造のシャワーヘッドを提供すると共に、活性化された水の有効活用法を提供するもの。 - 特許庁

The flat panel display wiring and electrode using the TFT transistor that scarcely generates thermal defects and is excellent in the surface state including the copper alloy thin film having a composition containing calcium of 0.001 to 0.5 atom% and silver of 0.002 to 1.0 atom% and the remaining portion including copper and unavoidable impurities and the sputtering target for forming them are provided.例文帳に追加

Ｃａ：０．００１〜０．５原子％を含有し、さらにＡｇ：０．００２〜１．０原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生が少なくかつ表面状態の良好なＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

N-typed impurities are doped on one surface side of an insulating base 11 comprising a ceramic base to form a lower electrode 12 comprising polycrystalline silicon having conductivity, a strong field drift layer 6 comprising oxidized porous polycrystalline silicon layer is formed on the lower electrode 12, and a surface electrode 7 is formed on the strong field drift layer 6.例文帳に追加

セラミック基板からなる絶縁性基板１１の一表面側にｎ形不純物がドーピングされて導電性を有する多結晶シリコンよりなる下部電極１２が形成され、下部電極１２上に酸化した多孔質多結晶シリコン層よりなる強電界ドリフト層６が形成され、強電界ドリフト層６上に表面電極７が形成されている。 - 特許庁

To provide a nickel crucible for melting an analysis sample capable of suppressing interminglement of impurities from the crucible by using a high-purity crucible, in consideration of a recent analysis technology wherein quick and accurate measurement of a high purity material is required, heightening durability of high-purity nickel which is an expensive crucible material, and increasing the number of times of use the nickel crucible.例文帳に追加

高純度の材料を、迅速にかつ正確に測定することが要求されている最近の分析技術に鑑み、純度の高いるつぼを使用してるつぼからの不純物の混入を抑制すると共に、高価なるつぼ材料である高純度ニッケルの耐久性を高め、ニッケルるつぼの使用回数を増加させることができる分析試料の融解用ニッケルるつぼを提供することを課題とする。 - 特許庁

After each gate electrode 14 and each gate insulating film 13 of a pMOSFET, an nMOSFET and the ferroelectrics FET are formed, respectively, the formation of each source region 15 and each drain region 16 of the nMOSFET and the ferroelectrics FET and the formation of each source region 17 and each drain region 18 of the pMOSFET are carried out separately by ion implantation of impurities.例文帳に追加

ｐＭＯＳＦＥＴ，ｎＭＯＳＦＥＴ及び強誘電体ＦＥＴの各ゲート電極１４及び各ゲート絶縁膜１３をそれぞれ形成した後、不純物のイオン注入により、ｎＭＯＳＦＥＴ及び強誘電体ＦＥＴの各ソース領域１５及び各ドレイン領域１６の形成と、ｐＭＯＳＦＥＴのソース領域１７及びドレイン領域１８の形成とに分けて行なう。 - 特許庁

The special brass has a composition comprising, by weight, 18 to 32% zinc, 0.01 to 0.1% phosphorous, 0.6 to 2.5% tin and 0.02 to 0.5% of one or more kinds of metals selected from among iron, nickel and cobalt, and the balance copper with inevitable impurities.例文帳に追加

本件発明に係る特殊黄銅は、亜鉛１８ｗｔ％〜３２ｗｔ％、リン０．０１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、スズ０．６ｗｔ％〜２．５ｗｔ％、及び鉄、ニッケル、コバルトから選ばれる１種又は２種以上を０．０２ｗｔ％〜０．５ｗｔ％を含み、残部銅及び不可避不純物であることを特徴とする組成を備えるものである。 - 特許庁

This purified water is obtained by separating only water from water-soluble natural gas gathered from the underground and purifying the water by removing suspended materials, softening the water, adsorbing and filtering impurities by using activated carbon, adjusting the salt content and adjusting the iodine content.例文帳に追加

地中より採取された水溶性天然ガスより、付随水のみを分離し、この付随水を精製処理して、高度利用可能な水溶性天然ガス付随水の精製水を提供しようとするものであり、精製処理としては、懸濁物質除去処理、軟水化処理、活性炭による吸着濾過処理、塩分調整処理、ヨード分調整処理を行うものである。 - 特許庁

The element substrate 10 of the electro-optical device 100 uses a semiconductor substrate 11 formed of a single crystal silicon substrate as the main substrate and forms a first gate electrode 11a of a pixel transistor 30 in a back gate structure and the first electrode 11b of a holding capacitor 60 simultaneously, by introducing impurities into the surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

電気光学装置１００の素子基板１０では、基板本体として、単結晶シリコン基板からなる半導体基板１１を用い、半導体基板１１の表面に不純物を導入することによって、バックゲート構造を備えた画素トランジスター３０の第１ゲート電極１１ａ、および保持容量６０の第１保持容量電極１１ｂを同時形成する。 - 特許庁

To provide a substrate which can reduce a thickness distribution of a gallium nitride-based compound semiconductor layer, a ratio distribution of mixed crystals, and a concentration distribution of impurities in a semiconductor or the like by reducing the distribution of the growing temperature within the growing surface of the substrate, and a method for growing a gallium nitride-based compound semiconductor using the substrate.例文帳に追加

基板の成長面の面内における成長温度の分布を小さくすることによって窒化ガリウム系化合物半導体層の厚み分布、混晶組成比の分布、半導体不純物濃度の分布などを低減することのできる基板、及びその基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁

This method for removing the impurities comprises at least one process selected from a group consisting of a process of extracting an aqueous solution containing the aromatic dicarboxylic acid product with an organic solvent and a process of extracting an organic solution containing the aromatic anhydride product with a hydrogen carbonic acid salt for a period of time not attaining to cause the hydrolysis of the anhydride.例文帳に追加

芳香族ジカルボン酸生成物を含有する水溶液を有機溶媒で抽出する工程、及び芳香族無水物生成物を含有する有機溶液を炭酸水素塩水溶液で無水物の酸への加水分解を起こすには至らない時間抽出する工程からなる群から選択される少なくとも１つの工程を含む。 - 特許庁

Here, the regions facing the openings 310 in the source region 302b' and the drain region 302c', i.e. connecting regions 311a and 311b which are the regions wherein the source electrode and the drain electrode are finally in contact with the surface of the semiconductor layer 302 are selectively doped with impurities via the openings 310, respectively.例文帳に追加

ここで、ソース領域３０２ｂ´及びドレイン領域３０２ｃ´のうち開口部３１０に臨む領域、即ち最終的にソース電極及びドレイン電極が半導体層３０２の表面と接触する領域である接続領域３１１ａ及び３１１ｂに開口部３１０を介して選択的に不純物がドープされる。 - 特許庁

This activation promotion method for a waste edible oil comprises a process of filtering the waste edible oil and removing impurities, a process of trying to remove water soluble materials in the waste edible oil by incorporating water and stirring it, and a process of introducing ozone, oxygen, or air in the waste edible oil.例文帳に追加

本発明は少なくとも廃食用油を濾過して不純物を除去する工程と前記廃食用油中の水溶性物質を除去し得るよう前記廃食用油中に水を含ませて撹拌する工程と、前記廃食用油にオゾン、酸素又は空気を混入させる工程とを含む廃食用油の活性化促進方法を構成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a high quality epoxy compound in high yield while increasing effective utilization ratio of an oxidizing agent with easy recovery of a catalyst, free from mixing of impurities originating from the catalyst into the epoxy compound, which is used for supplying an intermediate or a raw material used in production of various industrial products.例文帳に追加

エポキシ化合物を高収率で、しかも酸化剤の有効利用率を向上させて製造することができ、触媒の回収が容易で、エポキシ化合物に触媒由来の不純物が混入しない高品質のエポキシ化合物を、各種の工業製品の製造において用いる中間体や原料として供給するための製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a polyarylene ether and a film-forming composition containing the same, which can form an organic film containing a small amount of metallic impurities, which is excellent in relative dielectric constant characteristics and low leakage current characteristics in an interlayer insulation film material in semiconductors, etc.例文帳に追加

ポリアリーレンエーテルの製造方法およびそれにより得られるポリアリーレンエーテルを含有する膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れた有機膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

The (meth)acrylate for synthesizing a polymer for photoresist is one that does not have an acid-eliminable group whose part is eliminated by acid to exhibit a function of being soluble in alkali, and the content of oligomers as impurities of the (meth)acrylate is ≤2,000 wt. ppm.例文帳に追加

本発明のフォトレジスト用重合体合成用（メタ）アクリル酸エステルは、酸によりその一部が脱離してアルカリ可溶性機能を発現する酸脱離性基を有しないフォトレジスト用重合体合成用（メタ）アクリル酸エステルであって、不純物としての該（メタ）アクリル酸エステルのオリゴマーの含有量が２０００重量ｐｐｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The magnesium alloy superior in corrosion resistance comprises 1-8 mass% aluminum (Al), 0.1-1.5 mass% manganese (Mn), 0.1-0.9 mass% in total of cerium (Ce) and/or lanthanum (La), with respect to 100 mass% of the whole, and the balance magnesium (Mg) with unavoidable impurities.例文帳に追加

全体を１００質量％としたときに、１〜８質量％のアルミニウム（Ａｌ）と、０．１〜１．５質量％のマンガン（Ｍｎ）と、合計で０．１〜０．９質量％のセリウム（Ｃｅ）および／またはランタン（Ｌａ）と、残部がマグネシウム（Ｍｇ）と不可避不純物とからなることを特徴とする耐蝕性に優れた高耐蝕性マグネシウム合金。 - 特許庁

It is also provided with a trench 17 extending from the top surface of the semiconductor substrate 2 to the drift region 6, a trench gate electrode 16 formed inside the trench 17, and a p-type impurities containing region 20 located inside the drift region 6 and formed in the area covering the bottom surface 17a of the trench 17.例文帳に追加

半導体基板２の表面からドリフト領域６に達するまで伸びているトレンチ１７と、トレンチ１７内に形成されているトレンチゲート電極１６と、ドリフト領域６内に位置するとともにトレンチ１７の底面１７ａを囲む範囲に形成されているｐ型不純物の含有領域２０を備えている。 - 特許庁

A silicone modified with a polyalkylene oxide is heat-treated with an aqueous solution having a pH of ≤7 or an acid substance, an aromatic hydrocarbon solvent and water are added to extract water-soluble impurities with water, and the solvent and low volatile matters are distilled off from the aromatic hydrocarbon phase to decrease the odorous substances derived from by-products.例文帳に追加

ポリアルキレンオキシド変性シリコーンを、ｐＨ７以下の水溶液または酸物質で加熱処理後、芳香族炭化水素溶剤と水とを加えて水溶性の不純物を水抽出し、更に芳香族炭化水素相から溶剤および低揮発分を溜去することにより、副生成物に由来する臭気物質を低減する生成方法。 - 特許庁

With the optical-fiber composite overhead ground wire with a plurality of metal element wires twisted around a protective pipe 2 containing optical fiber 1, the protective pipe 2 consists of an aluminum-manganese alloy containing 0.3 to 4.3 weight % of manganese, aluminum, and inevitable impurities with an intermetallic compound made of manganese and aluminum dispersed and precipitated.例文帳に追加

光ファイバ１を収容した保護パイプ２に複数本の金属素線５を撚り合わせた光ファイバ複合架空地線において、保護パイプ２が、マンガン０．３〜４．３重量％と、アルミニウムと、不可避不純物とを含有して、マンガンとアルミニウムとからなる金属間化合物が分散析出したアルミニウム−マンガン合金からなるものである。 - 特許庁