「impurities」に関連した英語例文の一覧と使い方(145ページ目) - Weblio英語例文検索

The first clad layer 5, the etching stop layer 6 and the second clad layer 8 are subjected to impurity doping of Mg which is hard to diffuse in the solid of a compound semiconductor as compared with Zn, and the impurities are prevented from diffusing into the light emitting region of the MQW active layer 4 during a thermal process for forming an end face window.例文帳に追加

第１クラッド層５、エッチングストップ層６、第２クラッド層８には、Ｚｎよりも化合物半導体の固体中で拡散しにくいＭｇが不純物としてドーピングされており、端面窓形成の熱プロセス中にＭＱＷ活性層４の発光領域への不純物拡散が防止される。 - 特許庁

To provide an evaporation source, vapor deposition system, and vapor deposition method capable of uniformly promoting melting of a material for vapor deposition even if the material is an organic material and of efficiently forming uniform and good-quality vapor deposited films containing fewer impurities by averting damaging the organic material and by enhancing the effect of heat transfer thereof.例文帳に追加

蒸着材料が有機材料であっても、有機材料に熱ダメージを与えることなく、しかも伝熱効果を高めて、蒸発材料の溶融を均一に促進させることができ、均一で不純物の少ない良質な蒸着膜を効率よく形成することができ、しかも、大型基板にも同様に対応できる蒸発源、蒸着装置および蒸着方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a trench forming process, a trench 15 is formed that makes round parting both the n-type semiconductor region 13 and p-type semiconductor region 14 appearing adjacent on the top surface of the semiconductor substrate 9 and extends sufficiently deep, to penetrate the injection ranges 12 and 14 of the impurities from the top surface of the semiconductor substrate 9 to the reverse surface of the semiconductor substrate 9.例文帳に追加

トレンチ形成工程では、半導体基板９の表面に隣接して出現しているｎ型半導体領域１３とｐ型半導体領域１４の双方を分断して一巡するととともに半導体基板９の表面から半導体基板９の裏面に向けて不純物の注入範囲１２、１４を貫通する深さにまで伸びているトレンチ１５を形成する。 - 特許庁

This colored flame-producing liquefied gas fuel is produced by dissolving a coloring main agent comprising at least one compound selected from organic metal salt compounds, metal-containing organic chelate compounds, and inorganic metal salt compounds in a solvent, filtering the obtained solution with a filter to remove impurities, and then sealing the solution in a gas cylinder together with a flammable gas vaporizable under the atmosphere.例文帳に追加

有機金属塩化合物、金属を含む有機キレート系化合物及び無機系金属塩化合物から選択される少なくとも一種の化合物からなる発色主剤を溶剤に溶解させて得た溶液をフィルタでろ過し不純物を除去した後、大気下で気化する可燃性ガスと共にボンベに封入する。 - 特許庁

This method for manufacturing a purified thermoplastic polyester resin comprises subjecting pellets containing a thermoplastic polyester resin to heat treatment in a fry heat atmosphere of 110°C in a temperature lower than the melting point of the resin, and then contacting the heat treated pellets with a mixed fluid of an alkali and an alcohol to remove 0.1-10 wt.% total weight of the pellets as impurities.例文帳に追加

熱可塑性ポリエステル樹脂を含有するペレットを、１１０℃以上、該樹脂の融点未満の乾熱雰囲気中で熱処理した後、アルカリとアルコールとの混合液と接触させて、該ペレット全量の０．１〜１０重量％を不純物として除去することを特徴とする精製熱可塑性ポリエステル樹脂の製造方法。 - 特許庁

In another embodiment, a degassing and defoaming unit which degasses and defoams a used developer, an ion exchange unit and/or an NF membrane separation unit which remove impurities such as a photoresist from the degassed and defoamed developer to obtain a TAAH solution and a filter membrane treatment unit which removes fine impurity particles from the TAAH solution are successively arranged in this order.例文帳に追加

また、現像廃液から脱気脱泡する脱気脱泡処理装置、脱気脱泡された現像廃液からフォトレジスト等の不純物を除去してＴＡＡＨ溶液を得るイオン交換処理装置及び／又はＮＦ膜分離処理装置、および、ＴＡＡＨ溶液から不純物微粒子を除去する濾過膜処理装置をこの順序で配置し、現像廃液からの再生現像液の回収再利用装置を構成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device 100 including a vertical MOS transistor 50 of a trench gate structure, at least impurities are implanted into an implantation region corresponding to n wells 21 forming a channel at not less than a critical implantation quantity in which the implantation region can become a complete amorphous state, thereby forming an amorphous region 20 in a complete amorphous state.例文帳に追加

トレンチゲート構造の縦型ＭＯＳトランジスタ５０を含む半導体装置１００の製造方法であって、チャネルが構成されるＮウェル２１に対応する注入領域に、少なくとも不純物を、注入領域が完全に非晶質状態となる臨界注入量以上にイオン注入して、完全に非晶質化された非晶質領域２０を形成する。 - 特許庁

The aluminum alloy sheet for a cap has a composition comprising Mg, Fe, Mn and Cr, and the balance Al with inevitable impurities, has a texture in which cube orientation density is ≤9, and also, the maximum orientation density of each orientation belonging to β fiber is ≤15, and has a tensile strength in the range of 190 to 290 MPa.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＣｒを含有するとともに残部がＡｌ及び不可避的不純物からなり、集合組織のキューブ方位密度が９以下であり、かつβファイバに属する各方位の最大方位密度が１５以下であり、引張強度が１９０ＭＰａ以上２９０ＭＰａ以下の範囲であることを特徴とするキャップ用アルミニウム合金板を採用する。 - 特許庁

When a galvanizing treatment is applied on the surface of a steel sheet by continuously introducing the steel sheet into the galvanizing bath containing 0.05-0.20 mass % aluminum, a zinc ingot satisfying formula (1) shorn below and the balance zinc with impurities, is charged into the galvanizing bath to supply zinc and aluminum into the galvanizing bath, and the produced dross is removed.例文帳に追加

０．０５〜０．２０質量％のアルミニウムを含む溶融亜鉛めっき浴中に鋼板を連続的に導入してその表面に溶融亜鉛めっき処理を施すに際し、下記 式を満たし、残部が亜鉛および不純物である亜鉛インゴットを前記めっき浴に投入して亜鉛およびアルミニウムをめっき浴に供給するとともに、生成したドロスを除去する。 - 特許庁

In this operation method of the filtration system 1 with a raw water line 3 and a treated water line 4 connected to a filtration means 2 removing impurities contained in raw water by the filter medium, turbidity or chromaticity of treated water is detected, and feed of the treated water to the downstream side of the treated water line 4 is stopped, when the detected value exceeds a given turbidity or chromaticity.例文帳に追加

原水中に含まれる不純物を濾材によって除去する濾過手段２に原水ライン３と処理水ライン４とを接続した濾過システム１の運転方法であって、処理水の濁度または色度を検出し、この検出値が所定濁度または所定色度を超えたとき、前記処理水ライン３の下流側への処理水の供給を停止することを特徴とする。 - 特許庁

The transparent conductive film is made of zinc oxide with Ce:0.2 to 5 atom% doped, and further, with Al doped at Al:0.005 to 0.5 atom% so that an Al dope volume is smaller than a Ce dope volume, and carbon contained in the transparent conductive film as inevitable impurities is limited to 40 ppm or less.例文帳に追加

Ｃｅ：０．２〜５原子％をドープし、さらに必要に応じてＡｌをＡｌ：０．００５〜０．５原子％でかつＡｌドープ量＜Ｃｅドープ量となるようにドープした酸化亜鉛からなる透明導電膜であって、この透明導電膜に不可避不純物として含まれる炭素が４０ｐｐｍ以下に限定されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a powdered ionic water-soluble polymer containing less impurities, reducing transportation cost and environmental load, and having a particular ionic properties; and to provide a powdered, ionic water-soluble polymer exhibiting excellent performance in an application as a coagulant, particularly in dehydration of sludge, dehydration of paper sludge and in a method for papermaking by adding to papermaking material; and to provide its application.例文帳に追加

不純物が少なく、輸送コストや環境負荷が小さい特定のイオン性を有する粉末状イオン性水溶性高分子を提供することであって、凝集剤用途詳しくは汚泥の脱水処理用途、製紙スラッジの脱水処理用途と製紙原料に添加して抄紙する方法に対して優れた機能を発揮する粉末状イオン性水溶性高分子およびその用途を提供する。 - 特許庁

This aluminum alloy composite material for a heat exchanger is obtained by cladding one side of an aluminum alloy core material with an aluminum alloy having a composition containing, by weight, >5 to 15% Si and 0.2 to 2% Ni, and the balance Al with inevitable impurities as a brazing filler metal and cladding the other side of the core material with an Al-Zn based alloy sacrificial material.例文帳に追加

アルミニウム合金芯材の片側にＳｉが５ｗｔ％を越え、１５ｗｔ％以下、Ｎｉ０．２〜２ｗｔ％を含有し、残部がＡｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金をろう材としてクラッドし、該芯材の他の片面にＡｌ−Ｚｎ系合金犠牲材をクラッドした熱交換器用アルミニウム合金複合材。 - 特許庁

The aluminum alloy sheet for the case of the secondary battery includes 0.6-1.5 wt.% Mn, 0.1-0.8 wt.% Si, 0.1-0.8 wt.% Cu, 0.1-0.8 wt.% Fe, more than 0.2 to 0.7 wt.% Zn, and the balance Al with unavoidable impurities.例文帳に追加

Ｍｎを０．６〜１．５重量％、Ｓｉを０．１〜０．８重量％、Ｃｕを０．１〜０．８重量％、Ｆｅを０．１〜０．８重量％、Ｚｎを０．２超〜０．７重量％それぞれ含有し、残部が不可避的不純物及びＡｌからなることを特徴とする二次電池ケース用アルミニウム合金板により、上記課題を解決する。 - 特許庁

The alloy sheet has a composition containing, by mass, 0.05 to 0.3% Cu, 0.05 to 0.8% Mg, 0.6 to 1.5% Mn and either or both of Si and Fe by 0.1 to 1.0%, and the balance Al with inevitable impurities, and has proof stress of 240 to 320 MPa.例文帳に追加

Ｃｕを０．０５から０．３質量％、Ｍｇを０．０５から０．８質量％、およびＭｎを０．６から１．５質量％含み、さらにＳｉおよびＦｅの両方またはいずれか一方の各元素を、０．１から１．０質量％含み、残部がＡｌと不可避的不純物とからなる組成を有し、かつ耐力が２４０から３２０ＭＰａとしたアルミニウム合金板として構成する。 - 特許庁

To provide a treating system in which a significant effect such as drastically shortening a hydration time and reducing residual moisture is obtained by hydrating under an environment which has not been realized until now such as a moisture content of 1 ppb and in which a semiconductor is manufactured under an environment such as extremely less moisture so that water remaining as impurities in the semiconductor may be extremely reduced.例文帳に追加

水分量が１ＰＰＢ以下というこれまで実現しえなかった環境下での脱水を行うことができ、これにより、脱水時間を顕著に短縮し、残留水分を低減化する顕著な効果が得られ、また、極めて水の少ない環境下で半導体装置の製造を行い、半導体装置に不純物として残留する水を極限まで低減させることが可能となる処理システムを提供する。 - 特許庁

A short channel effect can be effectively restrained by the use of the impurity concentration of a steep gradient which can be accurately improved in shape and arranged at a proper position, and on the other hand, impurities are injected into a polysilicon seed adjacent to the conduction channel of a transistor and diffused into the conduction channel from the polysilicon seed to relax the allowance of a process.例文帳に追加

短チャネル効果を、場所および形状の精度を改善して配置できる急峻な勾配の不純物濃度を用いて効果的に抑制でき、一方で、トランジスタの導通チャネルに隣接したポリシリコン・シードに不純物を注入し、ポリシリコン・シードから導通チャネルへ不純物を拡散することによりプロセスの許容度を緩和する。 - 特許庁

The closure member is a twist-crown, crown-cork or screw cap and includes a sealing member including (a) a thermoplastic polymer and (b) a cyclodextrin material of 0.01 to 5 wt.% by making the above thermoplastic polymer as a standard and has excellent barrier property to permeating substances such as impurities in an aromatic compound, particularly tri-chloro-anisole, aldehyde or ketone and a polymer.例文帳に追加

クロージャ部材はツイストクラウン、クラウンコルクまたはスクリューキャップであり、（ａ）熱可塑性ポリマーと（ｂ）前記熱可塑性ポリマーを基準として０．０１〜５重量パーセントのシクロデキストリン材料とを含む封止部材を含み、芳香族化合物、特にトリクロロアニソール、アルデヒドまたはケトン、ポリマー中の不純物などの浸透性物質に対して優れた遮断性を有する。 - 特許庁

After a resist mask for the injection of impurities into the lower electrode 38 is peeled by plasma ashing, dilute hydrofluoric acid processing for removing a damage layer formed in the surface of a 1st insulating film 41 is carried out and then a gate insulating film part 43 in the 1st insulating film 41 has no damage, so the thin film transistor 23 has no characteristic deterioration.例文帳に追加

下部電極38への不純物の注入の際のレジストマスクをプラズマアッシングして剥離した後に、第１の絶縁膜41の表面に入ったダメージ層を除去する希フッ酸処理をすることにより、第１の絶縁膜41中のゲート絶縁膜部43にダメージがないため薄膜トランジスタ23の特性劣化は発生しない。 - 特許庁

The thin-film-transistor manufacturing method is the one wherein a semiconductor layer, a gate insulating film, a gate electrode, and a cap insulation film are disposed in this order, and further, the cap insulation film is so formed on the gate insulating film and the gate electrode as to inject impurities into the semiconductor layer via the gate insulating film and the cap insulation film.例文帳に追加

半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極及びキャップ絶縁膜をこの順に備える薄膜トランジスタの製造方法であって、上記製造方法は、ゲート絶縁膜及びゲート電極上にキャップ絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜及びキャップ絶縁膜を介して半導体層に不純物を注入する薄膜トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

To obtain not only a water circulating and reutilizing apparatus capable of certainly removing impurities allowed to flow out of various samples such as a dye, a plastic building material, coating film pieces, a pigment or rust preventing oil, but also a water reutilizing apparatus satisfying the prescriptions of JISK 6266 preventing the propagation of microorganisms or bacteria even in a closed piping circuit.例文帳に追加

染料、プラスチック建築材料、塗膜片、顔料、さび止め油など、多岐に亘る試料から流出される不純物を確実に除去可能な水循環再利用装置を提供するもので、さらに、ＪＩＳＫ６２６６の規定を満たし、かつ閉鎖系の配管回路であっても微生物やバクテリヤの繁殖しない用水再利用装置を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method for producing a biodegradable aliphatic polyester and/or a copolymer thereof, having usefulness as a medical material or a substitute of a general purpose resin, further having sufficiently drawn out characteristics originally possessed by the biodegradable aliphatic polyester and/or the copolymer thereof by using a main raw material having a specific amount or less of the total content of organic impurities included in the raw material.例文帳に追加

本発明は、医療用材料や汎用樹脂代替として有用性を有する上に、生分解性脂肪族ポリエステルおよび／またはその共重合体の本来有する特性を充分に引き出すことを目的とし、原料に含有する有機不純物合計含有量が、特定量以下である主原料を使用した生分解性脂肪族ポリエステルおよび／またはその共重合体の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

Further, the method may also have a step of forming a collector region 32 positioned at the offset region 31 of a bipolar transistor by introducing the first-conductivity-type impurities to the semiconductor layer 20 with an element isolation film 25, a gate electrode 44, and a mask film as masks, and for forming a source and a drain 42a, 45 of a MOS transistor.例文帳に追加

さらに、素子分離膜２５、ゲート電極４４、及びマスク膜をマスクとして半導体層２０に第１導電型の不純物を導入することにより、バイポーラトランジスタのオフセット領域３１に位置するコレクタ領域３２を形成するとともに、ＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン４２ａ，４５を形成する工程とを具備してもよい。 - 特許庁

The formation of impurities caused by the reaction of hydrogen gas with iodine gas is suppressed to reduce the clogging of a ^11CH_3I synthesis column 11 by making ^11CH_4 temporarily adsorbed with a ^11CH_4 adsorption column at the former stage of a ^11CH_3I synthesis system 4 and removing the unreacted hydrogen gas accompanying to ^11CH_4.例文帳に追加

<sup/>^１１ＣＨ_３Ｉ合成系４の前段の^１１ＣＨ_４吸着カラム８で^１１ＣＨ_４を一時的に吸着させ^１１ＣＨ_４に同伴する未反応の水素ガスを除去することにより、水素ガスとヨウ素ガスとの反応に起因する不純物の生成を抑制し^１１ＣＨ_３Ｉ合成カラム１１での目詰まりを減らす。 - 特許庁

When electrolysis is performed by using the metal-containing solution as an electrolytic solution, an anode and a cathode are divided with an anion exchange membrane, and anolyte is intermittently or continuously discharged from an electrolytic cell and introduced into a solvent extraction tank, and a high purity metal electrolytic solution from which impurities such as iron are removed at the solvent extraction tank is intermittently or continuously introduced into a cathode side.例文帳に追加

電解液として金属含有溶液を用いて電解する際に、アノードとカソードを陰イオン交換膜で仕切り、アノライトを間歇的又は連続的に抜き出して溶媒抽出槽に導入し、該溶媒抽出槽にて鉄等の不純物を除去した高純度金属電解液をカソード側に、間歇的又は連続的に導入することを特徴とする高純度金属の製造方法。 - 特許庁

The method for producing L-carnosine comprises a purification step, in which step, seed crystals of L-carnosine are added in a mixture solution obtained by mixing an aqueous solution of L-carnosine crude body containing impurities with an alcohol such as methanol, aging at 30-80°C for 1-10 h, and adding more alcohol to the mixture solution to yield highly purified L-carnosine crystals.例文帳に追加

不純物を含むＬ−カルノシンの粗体の水溶液と、メタノールなどのアルコールとを混合して得られた混合溶液にＬ−カルノシンの種結晶を添加し、３０℃〜８０℃で１〜１０時間熟成させた後に該混合溶液にアルコールを更に加えることによって高純度化されたＬ−カルノシン結晶を析出させる精製工程を含むＬ−カルノシンの製造方法。 - 特許庁

The distribution of concentration of first conductivity-type impurities in the depth direction contained in the high-concentration n-type source region 8 located by the side of the trench T is that a first peak concentration point is located by the surface of a substrate, and a second peak concentration point higher in concentration than the first concentration point is located deeper than the first peak concentration point.例文帳に追加

トレンチＴの側方に位置する高濃度Ｎ型ソース領域８の深さ方向における第１導電型（Ｎ型）不純物の濃度分布は、基板表面側に第１のピーク濃度を有すると共に前記第１のピーク濃度よりも深い位置に第１のピーク濃度よりも高濃度の第２のピーク濃度を有する。 - 特許庁

The copper alloy for electronic components contains 2.0-4.0 mass% Ti, 0.01-0.15 wt.% in total of at least one chosen from Fe, Co, Ni, Cr, V, Nb, Mo, Mn, Zr, Si, Mg, B and P and the balance being copper and inevitable impurities.例文帳に追加

Ｔｉを２．０〜４．０質量％含有し、更にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂ、及びＰから選択される１種以上を総計で０．０１〜０．１５重量％含有し、残部銅及び不可避的不純物からなる電子部品用銅合金であって、圧延面におけるＸ線回折積分強度が、以下の（１）及び（２）の関係を満たす銅合金。 - 特許庁

To provide a technique for preventing inclusion of impurities adversely affecting stimulable phosphor characteristics and for obtaining at the same time with a high yield pulverized stimulable phosphor particles or stimulable phosphor precursor particles in pulverizing aggregated particles which are generated when stimulable phosphor particles or stimulable phosphor precursor particles present in a dispersion medium are subjected to solid-liquid separation and dried in a stimulable phosphor manufacturing process.例文帳に追加

輝尽性蛍光体製造過程に於いて、分散媒中に存在する輝尽性蛍光体粒子或いは輝尽性蛍光体前駆体粒子の固液分離及び乾燥時に生じる凝集粒子を解砕するにあたり、輝尽性蛍光体特性に対し悪影響を及ぼす不純物の混入を回避すると共に、高歩留にて解砕済輝尽性蛍光体粒子或いは輝尽性蛍光体前駆体粒子を得る技術を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel cell system using oxygen contained in atmospheric air for electrochemical reaction related to power generating operation, capable of preventing impurities obstructing power generating operation from flowing into a fuel cell body while restraining increase of power consumption, complication of the system, and deterioration of a maintenance property, and to provide a container for power generating fuel for the fuel cell system.例文帳に追加

大気に含まれる酸素を発電動作に係る電気化学反応に用いる燃料電池システムにおいて、消費電力の増加や装置構成の複雑化、メンテナンス性の低下等を抑制しつつ、発電動作を阻害する不純物の燃料電池本体への流入を防止することができる燃料電池システム及びその発電用燃料容器を提供する。 - 特許庁

To solve the problems that the surface of a crystal is damaged, and the morphology of the outermost surface of the crystal is deteriorated since a high temperature of 700 to 900°C is required for heat treatment in the manufacturing method of a p-type group III nitride semiconductor that heat-treats the group III nitride semiconductor where p-type impurities are doped in atmosphere without hydrogen substantially.例文帳に追加

ｐ型不純物をドープしたＩＩＩ族窒化物半導体を実質的に水素を含まない雰囲気中で熱処理するｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法では、熱処理に７００℃〜９００℃の高温を必要とするため、結晶表面にダメージを与え、結晶の最表面のモルフォロジーの劣化を引き起こす。 - 特許庁

The formed body made of a molybdenum alloy and having excellent machinability of drilling is characterized in that: the molybdenum alloy comprises by atom, 1 to 50% Nb and the balance Mo with inevitable impurities wherein pure Nb is dispersed into a matrix composed of pure Mo; the mean particle diameter of the pure Nb is 3 to 100 μm, and the area ratio thereof is 3 to 40%.例文帳に追加

原子％で、Ｎｂ：１〜５０％、残部Ｍｏおよび不可避的不純物よりなり、かつ純Ｍｏからなるマトリックス中に、純Ｎｂが分散しており、該純Ｎｂの平均粒径：３〜１００μｍ、面積率：３〜４０％であることを特徴とするドリル加工性に優れたモリブデン合金からなる成形体。 - 特許庁

This alloy material for an R-T-B-based rare-earth permanent magnet contains: an R-T-B-based alloy comprising R which represents two or more kinds selected from rare earth elements, T which represents a transition metal essentially containing Fe, B, and unavoidable impurities, wherein a Dy content is >10 and <31 mass%; and metal powder.例文帳に追加

希土類元素から選ばれる２種以上であるＲと、Ｆｅを必須とする遷移金属であるＴと、Ｂおよび不可避不純物からなるＲ−Ｔ−Ｂ系合金であって、Ｄｙ含有量が１０質量％を超え３１質量％未満であるＲ−Ｔ−Ｂ系合金と、金属粉末とを含むＲ−Ｔ−Ｂ系希土類永久磁石用合金材料とする。 - 特許庁

To provide a method for removing organic impurities, without requiring the expense fop a medium, an inlet-outlet treatment apparatus or the like, capable of stably producing highly pure CO gas without reducing the concentration of the CO as in a purified gas by using a methanol-decomposed gas in the system without using the gas introduced from the outside of the system of a TSA process apparatus.例文帳に追加

ＴＳＡプロセス装置系外から導入するガスを用いずに系内のメタノール分解ガスを用いることにより、媒体及び導入・排出処理設備等の費用が不要で、且つ、精製ガス中のＣＯガス濃度を低下させずに高純度ＣＯガスの製造を安定して行う有機不純物の除去方法を提供すること。 - 特許庁

A polycrystalline group IV semiconductor layer 2 is deposited on an insulating substrate 1, ions of any one of group IV element or rate gas element 3 are implanted at least into a source/drain formation region and a channel formation region in the layer to amorphize the region, and then ions of conduction type determining impurities 5 are implanted into the amorphized source/drain formation region of the group IV semiconductor layer 4.例文帳に追加

絶縁性基板１上に多結晶ＩＶ族半導体層２を堆積したのち、少なくともソース・ドレイン形成領域及びチャネル形成領域にＩＶ族元素或いは希ガス元素３のいずれかをイオン注入してアモルファス化したのち、アモルファス化したＩＶ族半導体層４のソース・ドレイン形成領域に導電型決定不純物５をイオン注入する。 - 特許庁

The method preferably carried out by adding 1-6 mg/l of the anionic polymer flocculant, 2-40 mg/l of the cationic polymer flocculant to the green liquor and to set the concentration of the iron to be ≤10 ppm in the green liquor after separating the insoluble impurities by coagulation/agglomeration, and the cationic polymer flocculant is added after adding the anionic polymer flocculant to the green liquor.例文帳に追加

緑液に対し、アニオン系高分子凝集剤の添加量が１〜６ｍｇ／ｌ、カチオン系高分子凝集剤の添加量が２〜４０ｍｇ／ｌであることや、不溶性不純物を凝固・凝集化させて分離した後の清澄緑液中の鉄濃度が１０ｐｐｍ以下とすることや、緑液中にアニオン系高分子凝集剤を添加した後、カチオン系高分子凝集剤を添加することが好ましい。 - 特許庁

The shape memory alloy material comprises 49.5 to 50.25 mol% Ni, 8 to 20 mol% Zr, and below 0.1 mol% Hf, with the balance being Ti and unavoidable impurities and is characterized in that the perfect shape recovery elongation in shape memory effect or superelasticity is 2% or greater and the reverse martensitic transformation finish temperature is 100°C or higher.例文帳に追加

Ｎｉを４９．５〜５０．２５ｍｏｌ％、Ｚｒを８〜２０ｍｏｌ％含み、Ｈｆを０．１ｍｏｌ％未満含み、残部Ｔｉと不可避不純物とからなる形状記憶合金であって、形状記憶効果または超弾性における完全に回復する形状回復伸び量が２％以上、且つマルテンサイト逆変態終了温度が１００℃以上の高形状回復性および高変態温度を有する形状記憶合金材とその製造法。 - 特許庁

In order to optimize the impurity profile of a photodetection pixel of a solid-state image pickup element by colors that respective pixels take charge of, a sensor structure has a profile of multi-stage constitution increased in photoelectric conversion efficiency along the depth of a silicon substrate, by performing ion implantation of n+ impurities of a sensor divisionally a plurality of times while the energy and mask pattern are changed.例文帳に追加

固体撮像素子における受光画素部の不純物プロファイルを各画素が受け持つ色毎に最適化させるために、センサ部のｎ＋不純物を複数回に分けてエネルギやマスクパターンを変えてイオン注入を行い、シリコン基板の深さ方向への光電変換効率を上げた多段構成のプロファイルを持つセンサ構造とする。 - 特許庁

Concerning the heat treatment method, an object W to be treated selectively formed with a silicon film having the finely rugged surface is loaded into the treatment vessel of a heat treatment device, and phosphorus atoms are led into the silicon film as impurities, a PH3 gas is used as a doping gas for the said phosphorus atoms, and a heat treatment temperature is set within the range of from 550 to 750°C.例文帳に追加

表面が微細な凹凸形状になされたシリコン膜が選択的に形成されている被処理体Ｗを熱処理装置の処理容器内へロードして、前記シリコン膜中に不純物としてリン原子を導入する熱処理方法において、前記リン原子のドーピングガスとしてＰＨ_3 ガスを用い、熱処理温度を５５０〜７５０℃の範囲内に設定する。 - 特許庁

The sputtering target is composed of a sintered compact having a composition comprising 5 to 15 mol% Si and one or two kinds selected from Cr and Pt by 5 to 40 mol% in total as well, and the balance Co with inevitable impurities, and having a structure where the Si is dispersed into the matrix as the silicide of at least one kind selected from Co, Pt and Cr.例文帳に追加

Ｓｉ：５〜１５モル％を含有し、さらにＣｒおよびＰｔの内の１種または２種を合計で５〜４０モル％含有し、残りがＣｏおよび不可避不純物からなる組成を有し、かつ前記ＳｉはＣｏ、Ｐｔ、Ｃｒの内の少なくとも１種のシリサイドとして素地中に分散している組織を有する焼結体からなることを特徴とする。 - 特許庁

Moreover it is the one provided with a plating layer composed of 2 to 4% Mg, 4 to 7% Al, and the balance Zn with inevitable impurities in the plating, the distributions of Mg and Al are furthermore uniform, and, in corrosion-resistance, it is particularly excellent in the corrosion resistance in the cut edge faces.例文帳に追加

およびめっき層中Ｍｇを２〜４重量％、Ａｌ４〜７重量％、残部がＺｎおよび不可避的不純物よりなるめっき層を有し、めっき層中Ｍｇ、Ａｌ分布がさらに均一で耐食性のうち特に切断端面の耐食性に優れることを特徴とする高耐食性溶融Ｚｎ—Ｍｇ—Ａｌめっき鋼板。 - 特許庁

A filtering system 1 connecting a raw water line 3 and a water to be line 4 to a filtering means 2 removing impurities contained in the raw water by a filtering material is provided with a water-quality detecting means 18 in the filtering system 1 and a control means 29 controlling the regenerating action of the filtering means 2 from the detected value of the water-quality detecting means 18.例文帳に追加

原水中に含まれる不純物を濾材によって除去する濾過手段２に原水ライン３と処理水ライン４とを接続した濾過システム１であって、前記濾過システム１内の水質検出手段１８と、この水質検出手段１８の検出値に基づいて、前記濾過手段２の再生動作を制御する制御手段２９とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a copper or copper alloy heat exchanger tube, in which the evaporation performance of CFC-based refrigerant is enhanced, inner surface coating will not dissolve in CFC-based refrigerant nor causes any chemical reaction, stripping is prevented in the production process of copper tube or air conditioner or during use, and impurities will not infiltrate, even if the inner surface coating re-dissolves during recycle.例文帳に追加

フロン系冷媒の蒸発性能を向上させ、また、内面皮膜がフロン系冷媒に溶解したり、化学反応を起こさず、安定であると共に、銅管の製造工程、エアコンの製造工程、使用時に剥離せず、更にリサイクル時に再溶解しても不純物成分が侵入しない銅又は銅合金製伝熱管を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a transparent film, capable of removing a fish-eye or spitting being impurities or foreign matter in a heat- resistant thermoplastic resin film with a glass transition temperature of 160°C or higher up to a performance level required in the transparent film for an optical use or in a display field and operable for a long time without clogging a filter.例文帳に追加

ガラス転移温度が１６０℃以上の耐熱性熱可塑性樹脂フィルム中の不純物や異物であるフィッシュ・アイやブツを、光学用途やディスプレイ分野の透明フィルムに要求される性能レベルまで除去でき、かつフィルターの目づまりが無く長時間の運転が可能である透明フィルムを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an air classifier which covers an aperture of a casing internally held at pressure lower than the atmosphere pressure by a net-like belt formed to an annular shape therein, adsorbs and removes impurities by projecting food toward this belt and is provided with means for suppressing the leakage of the negative pressure acting on the inside of the casing as far as possible.例文帳に追加

内部を大気圧より低い圧力に保持した筐体の開口部に環状に形成した網状のベルトによって覆い、このベルトへ向けて食品を投射することにより夾雑物を吸着して除去する装置において、前記筐体の内部に作用する負圧の漏洩を可及的に抑制する手段を設けた風力選別機を得ることにある。 - 特許庁