「impurities」に関連した英語例文の一覧と使い方(141ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a zirconium crucible for melting an analysis sample capable of suppressing contamination of impurities from a crucible by using a high-purity crucible, heightening durability of high-purity zirconium which is an expensive crucible material, and increasing the number of times of use of the zirconium crucible, in consideration of a recent analysis technology wherein quick and accurate measurement of a high-purity material is required.例文帳に追加

高純度の材料を、迅速にかつ正確に測定することが要求されている最近の分析技術に鑑み、純度の高い坩堝を使用して坩堝からの不純物の混入を抑制すると共に、高価な坩堝材料である高純度ジルコニウムの耐久性を高め、ジルコニウム坩堝の使用回数を増加させることができる分析試料の融解用ジルコニウム坩堝を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method of evaluating a silicon monocrystalline substrate, which can identify and quantify heavy metals such as Fe or Mo with high sensitivity, which is necessary for manufacturing an N/N/N epitaxial substrate, and to provide a method of manufacturing an epitaxial substrate, which can obtain a good epitaxial substrate with a low concentration of heavy metal impurities such as Fe or Mo.例文帳に追加

Ｎ／Ｎ／Ｎエピタキシャル基板を製造する際に必要となる、ＦｅやＭｏ等の重金属の同定と定量を高感度に行うことのできるシリコン単結晶基板の評価方法、及びＦｅやＭｏ等の重金属不純物濃度が低い良好なエピタキシャル基板を得ることが出来るエピタキシャル基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film deposition system provided with a substrate conveyance mechanism part and a film deposition mechanism part, which has an extremely simple, inexpensive and easily maintainable structure where the intrusion of impurities is suppressed to the utmost by providing the film deposition mechanism part with an optionally removable and exchangeable mechanism.例文帳に追加

本発明は、基板搬送機構部と成膜機構部とを具備した薄膜形成装置において、成膜機構部を任意に取り外し交換可能な機構を備えることで、不純物混入を極力抑えた、非常にシンプルで、安価な、且つメンテナンスが容易な構造である薄膜形成装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Impurities-including 1-mthyl N-[N-[3-(2-hydroxy-substituted phenyl)propyl]-L-α-aspartyl]-L-phenylalanine derivative, in one embodiment, 1-mthyl-N-[N-[3-(2-hydroxy-4-methoxyphenyl)propyl]-L-αaspartyl]-L- phenylalanine, is subjected to the crystallization process whereby the derivative is crystallized.例文帳に追加

不純物を含み、Ｎ−［Ｎ−［３−（２−ヒドロキシ−４−メトキシフェニル）プロピル］−Ｌ−α−アスパルチル］−Ｌ−フェニルアラニン １−メチルエステル等のＮ−［Ｎ−［３−（２−ヒドロキシ−４−置換フェニル）プロピル］−Ｌ−α−アスパルチル］−Ｌ−フェニルアラニン １−メチルエステル誘導体を晶析工程に付して、当該誘導体を結晶化せしめる。 - 特許庁

An N channel thin-film transistor of an inverter has a channel region, a semiconductor layer provided with a plurality of impurity regions of an N type, a gate insulating film provided on the semiconductor layer, and a gate electrode provided on the gate insulating film and superposed on at least one of the impurities of the N type.例文帳に追加

インバータのＮチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のＮ型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられ、かつ前記Ｎ型の不純物の少なくとも１つと重なっているゲイト電極とを有する。 - 特許庁

To provide the simple crystalline silicon substrate which is the substrate thinner than a conventional substrate and capable of supplying the photovoltaic element of the performance equal to the one using the conventional substrate, for which the mix-in of impurities is reduced and the utilization rate of silicon is high (loss is low), without the need of huge heat energy in the manufacturing process.例文帳に追加

従来の基板と比べて薄く、且つ従来の基板を用いたのと同等の性能の光起電力素子を与え得る基板であり、しかもその製造過程において多大な熱エネルギーを必要とせず、簡便で、不純物の混入が少なく、しかもシリコンの利用率の高い（ロスの少ない）結晶質シリコン基板を提供する。 - 特許庁

In the method for producing a high resistivity and high purity zinc oxide crystal, a metal electrode film 54 is formed or a metallic foil is adhered on a pair of faces opposed to the zinc oxide crystal or a zinc oxide single crystal substrate 41 and the impurities in the crystal are reduced by applying an electric field under a lower temperature than above while keeping high resistivity.例文帳に追加

そこで、高抵抗率高純度酸化亜鉛結晶を製造する方法として酸化亜鉛結晶又は酸化亜鉛単結晶基板４１の対向する一対の面に金属電極膜５４を形成又は金属箔を密着させ、上記よりも低い温度下で電界をかけることで、高抵抗率を維持しながら結晶中の不純物を低減する。 - 特許庁

To provide a refining method for an electronic product material which can be mass produced as an electric charge transport material for electrophotography having satisfactory electric characteristics of e.g. sensitivity, residual potential, etc., and does not contain such impurities that deteriorate electric characteristics and satisfies the electric characteristics for obtaining an electrophotographic photoreceptor having less change of characteristics when it is fatigued.例文帳に追加

電子写真用の電荷輸送材料として量産でき、しかも良好な感度、残留電位等の電気特性が得られ、また疲労時の特性変化が少ない電子写真用感光体を得るため、電気特性を劣化させるような不純物を含有せず、電気特性を満足させる電子製品材料のための精製方法を提供することを目的する。 - 特許庁

The light shielding film comprises a Ti-base alloy having a composition consisting of 0.3-3.0%, in total, of Ni and/or Pd and the balance Ti with inevitable impurities or further contains 2-10%, in total, of one or more selected from Mo, V and Al.例文帳に追加

ＮｉおよびＰｄの内の１種または２種を合計で０．３〜３．０％を含有し、さらに必要に応じてＭｏ、ＶおよびＡｌの内の１種または２種以上を合計で２〜１０％を含有し、残りがＴｉおよび不可避不純物からなる組成を有するＴｉ基合金で構成された遮光膜およびその遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a method for producing fluorapatite capable of producing fluorapatite which can separate a lot of protein by reducing or minimizing impurities derived from raw materials to improve its acid resistance and increasing its specific surface area, a fluorapatite having a high acid resistance and a large specific surface area and an adsorbing apparatus equipped with the fluorapatite.例文帳に追加

原料に起因する不純物を少なく、もしくは極めて少なくすることにより、耐酸性の改善が図られ、かつ、比表面積を大きくすることにより、より多くのタンパク質を分離し得るフッ素アパタイトを製造し得るフッ素アパタイトの製造方法、耐酸性が高く、かつ比表面積の大きいフッ素アパタイトおよびかかるフッ素アパタイトを備える吸着装置を提供する。 - 特許庁

In performing sputtering deposition under an oxidizing atmosphere of the barrier layer which constructs the thin-film transistor, a Cu alloy sputtering target is used, which is constructed of a Cu alloy which has a component composition consisting of Al of 1 to 10 atom%, Ca of 0.1 to 2 atom%, and the balance comprising Cu and inevitable impurities (1% or less).例文帳に追加

薄膜トランジスターを構成するバリア層の酸化雰囲気でのスパッタ成膜に、Ａｌ：１〜１０原子％、Ｃａ：０．１〜２原子％を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし、１％以下）からなる成分組成を有するＣｕ合金で構成してなるＣｕ合金スパッタリングターゲットを用いる。 - 特許庁

In the magnesium alloy composed of an Mg-Zn-RE based alloy essentially consisting of Zn and containing at least one or more selected from Gd, Tb and Tm as RE, and the balance Mg with inevitable impurities, its alloy structure includes at least either a β' phase or a β1 phase, and further, has a kinked long-period stacking order structure.例文帳に追加

必須成分としてＺｎ、及び、ＲＥとしてＧｄ、Ｔｂ、Ｔｍのうち少なくとも１つ以上を含有し、残部がＭｇと不可避的不純物からなるＭｇ−Ｚｎ−ＲＥ系合金から構成されるマグネシウム合金の合金組織中に、β'相若しくはβ１相の少なくとも一方を有すると共に、キンク変形した長周期積層構造を有する構成とする。 - 特許庁

To provide a process for producing a highly pure monoethylene glycol by which the simplification of production step and operation, the energy saving and the low cost are achieved, the contamination of impurities such as glycol aldehyde in the monoethylene glycol product is suppressed, and a product standard value required for the highly pure monoethylene glycol of a fiber grade can be satisfied in the process for producing the monoethylene glycol.例文帳に追加

モノエチレングリコールを製造するプロセスにおいて、製造工程・操作の簡素化、省エネ化、低コスト化を達成し、かつモノエチレングリコール製品中のグリコールアルデヒドなどの不純物の混入を抑制し、繊維グレードの高純度モノエチレングリコールに求められる製品規格値を満足することのできる高純度モノエチレングリコールの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a low cost and easy-to-reuse recycle component unit in which each component can be held easily and surely during use and can be removed easily when it is reused, adhesive is not left and mixture of impurities and occurrence of marks are prevented, and to provide an imaging apparatus comprising that recycle component unit.例文帳に追加

リサイクル部品ユニットの各部品の保持方法が容易で、使用中は確実に保持された後に、再利用時にはリサイクル部品ユニットの各部品の取り外し方法が容易で、接着剤が残ることが無く不純物の混在や痕跡の発生を防止して、再利用が容易で低コストのリサイクル部品ユニット、及び、そのリサイクル部品ユニットを具備する画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide an method for decomposing and analyzing a non-oxide sample for decomposing a non-oxide sample without any volatility, adsorption, and contamination of the non-oxide sample and at the same time accurately, rapidly, and usefully obtaining the element determination value and the element composition ratio of the main constituent and impurities of the non-oxide sample from the same decomposition liquid.例文帳に追加

非酸化物試料の揮発、吸着及び汚染なく非酸化物試料を分解することができるだけでなく、非酸化物試料の主成分と不純物の元素定量値や元素組成比を同一分解液から正確、迅速、且つ無駄なく得ることができる非酸化物試料の分解方法及び分析方法を提供する。 - 特許庁

The extrusion article is made of a dilute copper alloy extruded by a conform extruder, wherein the dilute copper alloy comprises more than 2 mass ppm oxygen and an additive element chosen from the group consisting of Ti, Mg, Zr, B, Nb, Ca, V, Ni, Mn and Cr and the balance being unavoidable impurities and copper.例文帳に追加

本発明は、コンフォーム押出機により押出成形された希薄銅合金からなる押出成形品において、２ｍａｓｓ ｐｐｍを越える酸素と、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｂ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｒからなる群から選択された添加元素とを含み、残部が不可避不純物及び銅である前記希薄銅合金からなることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a semiconductor substrate holding container having a structure that a liquid to be evaluated once brought into contact with the container does not again come into contact with a semiconductor substrate in the evaluation of the quality of the liquid to be evaluated using the semiconductor substrate and measuring impurities in the liquid to be evaluated with high precision by receiving no contamination from the container.例文帳に追加

半導体基板を用いた被評価液の品質評価において、一度容器に接触した被評価液が再び半導体基板に接触しない構造を持ち、基板保持容器からの汚染を受けずに被評価液中の不純物を高精度で測定する半導体基板保持容器を得ることを目的とする。 - 特許庁

To prevent the leakage of cooling water even in the case of developing some crack in a cooling water passage by applying negative pressure to the cooling water passage without using an evacuated tank large in size and burden of management or a vacuum pump, and to prevent the development of damage to a pump, etc., by removing impurities flowing through the cooling water circulating course.例文帳に追加

大型で管理の負担が大きい減圧タンクや真空ポンプを用いることなく冷却水路に負圧を与えて、冷却水路中に多少のクラックがあっても冷却水の漏出を防止するとともに、冷却水循環経路中を流れる不純物を除去してポンプ等にダメージを与えないようにする。 - 特許庁

To provide an analysis method capable of preventing pollution caused by an environmental atmosphere, a tool or the like in analyzing metal impurities in a chemical solution and pure water, of easily accomplishing and keeping high cleanliness, and of pretreating an evaluating solution to a required decomposition/condensation specification with a simple process to enable a high-sensitivity and high-accuracy analysis.例文帳に追加

薬液及び純水中の金属不純物を分析するに際し、環境雰囲気や治具などからの汚染を防止でき、かつ高清浄度化が容易に達成維持でき、評価溶液を要求される分解、濃縮仕様に簡単な工程で前処理でき、高感度、高精度の分析を可能にする分析方法の提供。 - 特許庁

The monomolecular film 4 of sugar is formed on the Si substrate 2 by removing impurities on the surface of the Si substrate, hydrogenating the terminal groups on the surface of the impurity-removed Si substrate 1 and arranging an alkene 3 having the sugar which has an unsaturated bond and is soluble in an anhydrous organic solvent on the surface of the hydrogen-terminated Si substrate 2.例文帳に追加

Ｓｉ基板の表面の不純物を除去し、この不純物が除去されたＳｉ基板１の水素終端化処理を行い、この水素終端化処理が行われたＳｉ基板２の表面に、不飽和結合を有し、かつ、無水有機溶媒に可溶である糖をもつアルケン３を配設し、糖単分子膜４を形成する。 - 特許庁

This device is equipped with a cooler 10 for cooling supply steam S1 from the boiler 2 into condensed water G, a spectrophotometer 20 for measuring the absorbance of the condensed water G with respect to light of a prescribed wavelength, and an operation means 21 for calculating the amount of organic impurities in the supply steam S1, by using the absorbance measured by the spectrophotometer 20.例文帳に追加

ボイラ２の供給用蒸気Ｓ１を冷却して凝縮水Ｇにする冷却器１０と、凝縮水Ｇの所定波長の光に対する吸光度を計測する分光光度計２０と、分光光度計２０によって計測された吸光度を用いて供給用蒸気Ｓ１中の有機系不純物量を算出する演算手段２１とを備えている。 - 特許庁

In the method for manufacturing the sputtering target material for Ni-W based interlayer, Ni-W based alloy powder made by a gas-atomizing method, is used as raw material powder, and this is solidified and formed at 900-1150°C, for obtaining the sputtering target material containing 5-20 at% W and the balance Ni with inevitable impurities.例文帳に追加

ａｔ％で、Ｗ：５〜２０％を含み、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなるスパッタリングターゲット材において、ガスアトマイズ法により作製したＮｉ−Ｗ系合金粉末を原料粉末とし、これを９００〜１１５０℃の温度で固化成形したことを特徴とするＮｉ−Ｗ系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁

Semiconductor manufacturing equipment has a furnace heated for the heat treatment of a semiconductor substrate, a boat for supporting the semiconductor substrate to house it in the furnace, and a nozzle provided in parallel to the semiconductor substrate supported by the boat and near the side face thereof for blowing the gas for pushing out impurities staying surrounding the semiconductor substrate in a direction parallel to the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明に係る半導体製造装置は、半導体基板を熱処理するために加熱された炉と、前記半導体基板を支持し前記炉の中に収容するボートと、前記ボートに支持された前記半導体基板に平行かつ側面近傍に設けられたノズルであって、前記半導体基板の周囲に滞留する不純物を、前記半導体基板に平行な方向へ押し出すためにガスを吹く前記ノズルとを有する。 - 特許庁

The rolled copper foil includes: copper (Cu) as the main component with inevitable impurities; boron (B); silver (Ag); and one or more kinds of additive elements selected from an elemental group excluding copper (Cu) and silver (Ag), which has a face-centered cubic crystal structure and also has the value of stacking fault energy higher than that of copper (Cu).例文帳に追加

本発明に係る圧延銅箔は、主成分としての銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物と、ホウ素（Ｂ）と、銀（Ａｇ）と、銅（Ｃｕ）及び銀（Ａｇ）以外で結晶構造が面心立方で、かつ積層欠陥エネルギーの値が銅（Ｃｕ）より大きい値を有する元素群の中から選択される１種以上の添加元素と、を含むことを特徴とする圧延銅箔である。 - 特許庁

The coating film (24) has an average aluminum content of 14 to 30 atom% and an average platinum-group metal content of at least 1 to less than 10 atom%, the balance of the coating (24) being nickel, one or more of chromium, silicon, tantalum, and cobalt, optionally one or more of hafnium, yttrium, zirconium, lanthanum, and cerium, and incidental impurities.例文帳に追加

本皮膜（２４）は、１４〜３０原子％の平均アルミニウム含有量と、少なくとも１〜１０未満の原子％の平均白金族金属含有量とを有し、本皮膜（２４）の残部は、ニッケルと、クロム、シリコン、タンタル及びコバルトの１つ又はそれ以上と、随意的にハフニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン及びセリウムの１つ又はそれ以上と、随伴不純物とである。 - 特許庁

The hydroxybenzoate salt of the E-metanicotine compound crystallizes to leave impurities such as Z-metanicotine compounds and compounds in which a double bond has migrated, in solution, therefore, the formation of hydroxybenzoate salt of the E-metanicotine compound is useful in purifying the E-metanicotine compound.例文帳に追加

Ｅ−メタニコチン化合物のヒドロキシ安息香酸塩は結晶化して、Ｚ−メタニコチン化合物及び二重結合が移動した化合物などの不純物を溶液中に残存させるので、Ｅ−メタニコチン化合物のヒドロキシ安息香酸塩の形成は、Ｅ−メタニコチン化合物を精製する上で有用である。 - 特許庁

To provide a substantially non-photosensitive thermographic recording material including a photographically inactive surfactant as a substitution, which strengthens the bonding of a hydrophilic layer with a hydrophobic support, includes no photographically active impurities and, at the same time, is compatible with the exact image-like heating with a thermal head under the condition being introduced in the outermost layer.例文帳に追加

疎水性支持体への親水性層の接着を増強し、写真的に活性な不純物を有しておらず且つ最外層中に導入されるとサーマルヘッドを用いる画像通りの加熱と適合性である、代替としての写真的に不活性な界面活性剤を含有する、実質的に非−感光性のサーモグラフィー記録材料を提供する。 - 特許庁

The titanium alloy comprises, by mass, >0.1 to <0.6% Fe and >0.005 to <0.2% O, and also comprises the Fe and O in such a manner that the Fe content and the O content satisfy the relation of Fe>O, and the balance Ti with impurities.例文帳に追加

質量で０．１％を超え０．６％未満のＦｅを含有し、質量で０．００５％を超え０．２％未満のＯを含有し、しかも、前記Ｆｅの含有量と前記Ｏの含有量とがＦｅ＞Ｏの関係を満足するようにＦｅとＯとを含有し、残部がＴｉおよび不純物であることを特徴とするチタン合金を提供する。 - 特許庁

To provide a dust removal filter for fuel which is used in extracting liquid fuel such as gasoline from a storage tank installed in a gas station or the like, and used for separating solid impurities included in liquid fuel extracted from the storage tank, a dust removal filter unit for fuel, and a dust removal unit for an oil feeder.例文帳に追加

本発明は、ガソリンスタンド等に設けられた貯蔵タンクからガソリンなど液体燃料を取り出す際に用いられ、貯蔵タンクから取り出した液体燃料に含まれる固体不純物を分離するための燃料用除塵フィルター、燃料用除塵フィルターユニット及び給油機用除塵ユニットを提供する。 - 特許庁

Source and drain regions 13 are formed as two regions of an epitaxial silicon film formed on a substrate and of a region obtained by ion implanting impurities into the substrate and thermally diffusing, and the position of a junction between the source and drain regions 13 is set to be the same as or lower than the junction position of an extension region 9.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域１３を、基板表面上に形成されたエピタキシャルシリコン膜と基板中に不純物をイオン注入、熱拡散した領域の２つの領域により形成し、ソース・ドレイン領域１３の接合位置をエクステンション領域９の接合位置と同一かそれより浅く形成する。 - 特許庁

In the washing machine having a water supply intake 3a connected with water supply equipment outside the machine and a water supply port 5 communicating with the water supply intake 3a and opened to a washing tub 6, an impurity removal device 4 for removing impurities in the water is provided between the water supply intake 3a and the water supply port 5.例文帳に追加

機外の給水設備に連結される給水取り入れ口３ａと、給水取り入れ口３ａに連通し洗濯槽６に向かって開口する給水口５とを有する洗濯機において、給水取り入れ口３ａと給水口５との間に水中の不純物を除去する不純物除去装置４を設けた。 - 特許庁

A steel sheet having a carbon (C) content of, by mass, 0.001 to 0.20%, a manganese (Mn) content of 1.20 to 2.00% and a silicon (Si) content of ≤0.50%, and the balance iron with inevitable impurities, and having a Vickers hardness (Hv) of 140 to 250 is used.例文帳に追加

炭素（Ｃ）含有率が０．００１質量％以上０．２０質量％以下、マンガン（Ｍｎ）含有率が１．２０質量％以上２．００質量％以下、珪素（Ｓｉ）含有率が０．５０質量％以下で、残部鉄および不可避不純物からなり、ビッカース硬さ（Ｈｖ）が１４０以上２５０以下である鋼板を用いる。 - 特許庁

To enable to realize improvement of fuel consumption by means that impurities accumulated on a circulation channel are selectively exhausted as much as possible and hydrogen amount wastefully exhausted is minimized, and reduction of electric power efficiency caused by elevation of impurity concentration is suppressed, and enable to realize reduction of number of parts without a special drive device for making the anode exhaust gas circulate.例文帳に追加

循環経路に蓄積される不純物を可能な限り選択的に排出して無駄に排出される水素量を最小限にし、不純物濃度上昇による発電効率の低下を抑制しながら燃費の向上を実現できるようにすると共に、アノード排ガスを循環させるための特別な駆動デバイスを不要として、部品点数の削減を実現できるようにする。 - 特許庁

In this case, when forming the ohmic contact layer, the low-resistance ohmic contact layers 13, 14 can be formed without variations due to zinc oxide that does not contain n-type impurities, since there is only one target and the target is made only of zinc, when reactive sputtering using an oxygen gas is performed with zinc as the target.例文帳に追加

この場合、オーミックコンタクト層形成用膜の成膜は、亜鉛をターゲットとして、酸素ガスを用いた反応性スパッタリングにより行うと、ターゲットが１つで亜鉛のみからなるので、低抵抗のオーミックコンタクト層１３、１４をｎ型不純物を含まない酸化亜鉛によってバラツキが生じないように形成することができる。 - 特許庁

To provide a hydrotreating method which comprises subjecting a heavy hydrocarbon oil containing a large quantity of impurities comprising e.g. sulfur, residual carbon, a metal, nitrogen and an asphaltene, particularly a heavy oil containing a large quantity of heavy vacuum residual oil to hydrotreating to a high degree while removing it appropriately and which is excellent in reducing or controlling the amount of a sediment formed.例文帳に追加

硫黄、残留炭素、金属、窒素、アスファルテン等の夾雑物を多量に含有する重質の炭化水素油、特に重質な減圧残渣油を多量に含む重質油を高度に水素化処理して適度に除去しながら、セディメントの生成量の低減または抑制に優れる水素化処理方法の提供である。 - 特許庁

The discharged water from a washing tank 32 is guided to a front stage washing tank 31 by a liquid feed line 39 and an impurity removing device 42 is provided to the liquid feed line 39 and an air dissolving device 43 for dissolving air in the discharged water from which impurities are removed by the impurity removing device 42 is provided.例文帳に追加

洗浄槽３２からの排出水を前段の洗浄槽３１に導く送液ライン３９を設け、該送液ライン３９に不純物除去装置４２を設けると共に、該不純物除去装置４２により不純物除去処理がなされた排出水に気体を溶解するための気体溶解装置４３を設ける。 - 特許庁

Disclosed is a metallic member whose surface is provided with a sprayed coating 2 as a top coat composed of an alloy comprising one or more kinds of carbides selected from a Cr carbide, a W carbide and a Ti carbide by 30 to 95 mass%, and the balance one or more kinds selected from Ni, Co and Fe with inevitable impurities.例文帳に追加

Cr炭化物，Ｗ炭化物およびTi炭化物の中から選ばれる１種または２種以上の炭化物を30〜95質量％含有し、残部がNi，CoおよびFeの中から選ばれる１種または２種以上を含有する合金と不可避的不純物からなる溶射皮膜２をトップコートとして表面に有する金属部材。 - 特許庁

To obtain a semiconductor thin film depositing system and method for forming the gate insulating film of an FET, or the like, on a semiconductor wafer, or the like, in which the film is formed while eliminating defects and impurities by controlling the quantity of a material gas being supplied to a film deposition chamber such that the material gas is not supplied excessively nor deficiently.例文帳に追加

半導体ウェハ等にＦＥＴのゲート絶縁膜などを形成するための半導体薄膜成膜装置および成膜方法について、成膜室に供給される原料ガスの量を、過剰に供給することなく、また、供給量を不足させることなく制御し、膜中の欠陥や不純物を生じさせないようにすること。 - 特許庁

(2) The aluminized steel sheet superior in spot weldability has the aluminized layer which includes, by mass%, one or more of 3-15% Si, 0.1-15% Mg, and 0.1-50% Zn, and the balance aluminum with involuntary and/or unavoidable impurities.例文帳に追加

（１）片面当たりのめっき付着量が５０ｇ／ｍ^2 以下のアルミ系めっき鋼板上に、クロム化合物と水分散性シリカを主成分とする化成処理皮膜を施され該処理鋼板同士を二枚重ねて通電抵抗値を測定した時、その抵抗値が１０ｍΩ以上，１００ｍΩ以下に制御されたスポット溶接性に優れるアルミ系めっき鋼板。 - 特許庁

A process of introducing impurities of a 1st conductivity into only a 2nd region where the varactor diode is formed to the processes of forming other elements and diffusion is carried out in an existing heat-treating process to form a 1st conductivity diffusion layer 106 which contacts the reverse surface of a 2nd conductivity diffusion layer 107.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板に他の素子を形成するプロセスに対して、可変容量ダイオードを形成する第２領域のみに第１導電型の不純物を導入する工程を追加し、既存の熱処理工程で拡散を行うことによって、第２導電型拡散層１０７の下面に接する第１導電型拡散層１０６を形成する。 - 特許庁

In the MIS transistor of the protection circuit region, the low-concentration drain region 6b suppresses deterioration in hot carrier resistance, and the source-side extension region 8a which contains high-concentration impurities as compared with the low-concentration drain 6b reduces an operation starting voltage in a parasitic bipolar transistor, thus improving a protection function.例文帳に追加

保護回路領域のＭＩＳトランジスタにおいて、低濃度ドレイン領域６ｂによりホットキャリア耐性の劣化が抑制され、低濃度ドレイン６ｂよりも高濃度の不純物を含むソース側エクステンション領域８ａにより寄生バイポーラトランジスタの動作開始電圧が低下して、保護機能が向上する。 - 特許庁

The SRAM has source/drain electrodes of the transmission transistor 20 and the drive transistor 10 to which impurities are implanted in the semiconductor substrate between the gate electrodes 106; and a silicide blocking film 110 formed on a top of the structure in the transmission transistor area, and a silicide film 112 formed on a top of the gate electrode and a surface of the source/drain electrodes of the drive transistor.例文帳に追加

前記ゲート電極１０６の間の半導体基板内に、不純物が注入された前記伝送トランジスター２０と前記駆動トランジスター１０のソース／ドレーン電極を有し、前記伝送トランジスター領域の構造物の上部にシリサイドブロッキング膜１１０と、前記駆動トランジスターのゲート電極の上部及びソース／ドレーン電極の表面にシリサイド膜１１２を形成する。 - 特許庁

To provide a simple and low-cost preparation method for a polyalkylene oxide-based polymer having an aryloxy group or a substituted aryloxy group, very low in content of a catalyst, by-product and impurities required for purifying and removing, therefore capable of simplifying or abbrevi ating an after-treating process, and also excellent in thermostability and hydroly sis resistance.例文帳に追加

精製除去が必要な触媒、副生物、不純物の含有量が極めて少なく、したがって後処理工程を簡略化あるいは省略でき、しかも耐熱性や耐加水分解性に優れる、アリルオキシ基、または置換アリルオキシ基を有するポリアルキレンオキサイド系重合体の簡便、かつ安価な製造方法を提供すること。 - 特許庁

First and second gate electrodes 106 and 107 are formed on a semiconductor substrate 100, having first and second regions 102 and 103 defined thereon, impurities of a second conduction type are implanted into a surface layer part of the second region with the use of the second gate electrode as a mask for activation treatment and for forming a first impurity diffusion region 108.例文帳に追加

第１及び第２領域１０２，１０３が画定される半導体基板１００に第１のゲート電極１０６と第２のゲート電極１０７とを形成し、第２のゲート電極をマスクとして第２領域表層部に第２導電型不純物を注入し活性化処理を行い、第１の不純物拡散領域１０８を形成する。 - 特許庁

The J-FET is equipped with an undoped InGaAs channel layer 5 that stores carriers of first-conductivity type, a p^+-type GaAs layer 17 (semiconductor layer) which is formed on the undoped InGaAs channel layer 5 and contains impurities of second-conductivity type, and a gate electrode 18 formed on the p^+-type GaAs layer 17.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係るＪ−ＦＥＴは、第１導電型のキャリアを蓄積するアンドープＩｎＧａＡｓチャネル層５と、アンドープＩｎＧａＡｓチャネル層５上に設けられ、第２導電型の不純物を含有するｐ^＋型ＧａＡｓ層１７（半導体層）と、ｐ^＋型ＧａＡｓ層１７上に設けられたゲート電極１８と、を備えている。 - 特許庁