「impurities」に関連した英語例文の一覧と使い方(139ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having an easily controlled threshold voltage with a high yield, and to provide the semiconductor device in the method of manufacturing the semiconductor device equipped with a D-FET and an E-FET that have different threshold voltages and gate regions that are formed by doping barrier layers formed on a semiconductor substrate with impurities.例文帳に追加

半導体基板上に設けた障壁層に不純物をそれぞれドーピングしてゲート領域を形成したしきい値電圧の異なるD-FETとE-FETとを具備する半導体装置の製造方法及び半導体装置において、しきい値電圧の調整が容易であって、高歩留まりで製造可能なとした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

Further, even when introduction conditions of the n type or p type impurities and heating conditions of a semiconductor substrate 1 in well formation are predetermined, the reverse withstand voltage of the diode can optionally be set by adjusting the interval of the border area Ad, so the diode can be formed by using the well forming stage in an ordinary CMOS process.例文帳に追加

またｎ型およびｐ型の不純物の導入条件や、ウェル形成時における半導体基板１の加熱条件が予め決まっている場合でも、境界領域Ａｄの間隔を調節することでダイオードの逆方向耐電圧を任意に設定できるので、通常のＣＭＯＳプロセスでのウェル形成工程を用いてダイオードを形成できる。 - 特許庁

Silicon in a sludge state is collected by floating and removing impurities contained in silicon sludge produced in the silicon processing process after dispersing the silicon sludge in pure water or ultrapure water, and the collected body is molded and dried to attain reusing of the processing wastes discharged from the silicon processing process and cost reduction of the material for the silicon-based solar cell.例文帳に追加

シリコン加工プロセスで発生したシリコンスラッジを純水または超純水中に分散後、シリコンスラッジに含まれる不純物を浮上させて除去することでスラッジ状のシリコンを回収し、その回収物を成形し乾燥させることで、シリコン加工プロセスから排出された加工屑の再利用と、シリコン系太陽電池用原料の低コスト化とが図れる。 - 特許庁

Impurities are diffused simultaneously into the first gate diffusion layer and the second gate diffusion layer while differentiating the diffusion depth.例文帳に追加

第１の電界効果トランジスタの第１ゲート拡散層上及び第２の電界効果トランジスタの第２ゲート拡散層上に、互いに物性の異なる第１絶縁膜と第２絶縁膜とを拡散マスクとしてそれぞれ露出させ、前記第１ゲート拡散層と前記第２ゲート拡散層とに拡散深さを異ならせて同時に不純物を拡散させる。 - 特許庁

This high toughness and wear resistant aluminum alloy contains, by weight, 3 to 6% transition metals, and also contains one or more kinds of hard particles selected from the groups of alumina, silicon carbide, silicon nitride, silica, zirconia, magnesia and aluminum nitride by 1 to 8 volume%, and the balance aluminum with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明の高靭性耐摩耗アルミニウム合金は、遷移金属を３重量％以上６重量％以下含み、アルミナ、シリコンカーバイド、シリコンナイトライド、シリカ、ジルコニア、マグネシアおよび窒化アルミニウムからなる群より選ばれる１種以上の硬質粒子を１体積％以上８体積％以下含み、残部がアルミニウムと不可避不純物とからなっている。 - 特許庁

This method for producing ITO microparticles comprises treating ITO microparticles having ≤100 nm average particle size at 200 to 300°C for ≥10 minutes under inert atmosphere containing an alcohol or, after reducing residual impurities comprising chloride ion, nitrate ion and sulfate ion to 0.6% or less, under inert gas or inert gas containing an alcohol.例文帳に追加

ＩＴＯ微粒子は、平均粒径が１００ｎｍ以下のＩＴＯ微粒子を、アルコールを含む不活性ガス雰囲気下、あるいは塩素イオン、硝酸イオン、硫酸イオンからなる残留不純物量を０．６％以下とした後、不活性ガスまたはアルコールを含む不活性ガス雰囲気下で、２００〜３００℃の温度で１０分以上処理することを特徴とする。 - 特許庁

The total sum value of impurities of yttrium(Y), hafnium(Hf), zirconium(Zr) and thorium(Th) is suppressed to 30 ppb or less, that is contained in diffusion prevention layer material 2 composed of Ta or Ta based alloy layer which prevents for low melting metals contained in compound series superconductive wire to diffuse into a stabilizer material 3.例文帳に追加

化合物系超電導線に含まれる低融点金属が熱処理などにより安定化材３に拡散することを防止するＴａまたはＴａ基合金からなる拡散防止層用材２中に含まれる不純物、イットリウム（Ｙ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）およびトリウム（Ｔｈ）の合計値を３０ｐｐｂ以下に抑える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing the mutual diffusion of impurities in a polysilicon layer and reducing the resistance of an n-type polymetallic gate electrode and a p-type polymetallic gate electrode in the semiconductor device having a gate electrode in a polymetallic gate structure and a dural gate structure.例文帳に追加

ポリメタルゲート構造及びデュアルゲート構造のゲート電極を有する半導体装置において、ポリシリコン層中の不純物の相互拡散を防止すると共に、Ｎ型ポリメタルゲート電極とＰ型ポリメタルゲート電極の抵抗を共に低くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A rough drawing wire of an aluminum alloy having a composition containing, by weight, 0.10 to 0.50% Zr and 0.05 to 0.50% Sc, and the balance Al with inevitable impurities is cold-worked at a reduction in area of ≥30%.例文帳に追加

Ｚｒを０．１０〜０．５０重量％、Ｓｃを０．０５〜０．５０重量％含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなるアルミニウム合金の荒引線を断面積減少率３０％以上で冷間加工し、次いで１００〜５００℃で１〜１００時間熱処理してから断面積減少率７０％以上の冷間加工を施して形成する。 - 特許庁

Using ion implantation N for forming the source/drain of an N channel field effect transistor, an over impurity introduction layer 10 is formed in a polysilicon gate 5 and N type impurities contained in the over impurity introduction layer 10 are diffused in the direction of an active region 7 in the polysilicon gate 5.例文帳に追加

Ｎチャネル電界効果型トランジスタのソース／ドレインを形成するためのイオン注入Ｎを用いて、多結晶シリコンゲート５にオーバー不純物導入層１０を形成し、オーバー不純物導入層１０に含まれるＮ型不純物を多結晶シリコンゲート５内でアクティブ領域７の方向に拡散させる。 - 特許庁

The gasoline decolorizing method and the method for removing at least a part of a minute amount of impurities selected from the group consisting of indan, naphthalene, phenanthrene, pyrene, alkylbenzene and a mixture thereof from a liquid hydrocarbon fuel, in particular, a gasoline comprise a step of bringing the liquid hydrocarbon fuel, in particular, the gasoline into contact with a decolorizing carbon.例文帳に追加

ガソリン脱色方法及び液体炭化水素燃料、特にガソリンから、インダン、ナフタリン、フェナントレン、ピレン、アルキルベンゼン及びそれらの混合物からなる群から選択される微量の不純物の少なくとも一部を除去する方法であって、該方法は、液体炭化水素燃料、特にガソリンを脱色炭素と接触させることからなる。 - 特許庁

The organic electronic material refining device 490 comprises a voltage impressing device for impressing a voltage on a fluid body 420 with an organic electronic material contained in a nonaqueous solvent or a dispersant through an opposed electrode, and a separating device for separating polarized impurities drawn from the fluid body 420 toward each electrode side by the voltage impressing device.例文帳に追加

本発明に係る有機電子材料精製装置４９０は、有機電子材料を非水系の溶媒又は分散媒に含有させた液状体４２０に、対向する電極を介して電圧を印加する電圧印加装置と、前記液状体４２０から、前記電圧印加装置によって各電極側に引っ張られた極性不純物を分離する分離装置と、を有する。 - 特許庁

To prevent a gate electrode from releasing, besides to enhance productivity of the device and furthermore to repair defects in a dielectric film of a capacitive element generated in implanting impurities in the semiconductor device which comprises TFTs(thin film transistors) and the capacitive element formed on the same substrate and a method for its manufacturing.例文帳に追加

ＴＦＴと容量素子が同一基板上に形成された半導体装置およびその製造方法において、ゲート電極の剥離を防止するとともに、その生産性を高め、さらに、不純物を導入した際に発生した容量素子の誘電体膜の欠陥を修復することのできる構成を提供すること。 - 特許庁

Fabrication process of the silicon carbide semiconductor device 1 comprises a step for forming a trench 11 in the major surface 2b of the epitaxial growth layer 2, a step for forming the silicon carbide semiconductor region 3 selectively in the trench 11 by epitaxial growth, and a step performing heat treatment for activating impurities in the silicon carbide semiconductor region 3.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置１の製造方法は、エピタキシャル成長層２の主表面２ｂに溝１１を形成する工程と、溝１１内に選択的に炭化珪素半導体領域３をエピタキシャル成長により形成する工程と、炭化珪素半導体領域３中の不純物を活性化させるための熱処理を施す工程とを備えている。 - 特許庁

The screw conveyer type purifying device includes a screw conveyer 200 having a hollow cross section, formed so as to extend in a longitudinal direction, for moving the mixture inside, and a reaction adjusting part for separating the mixture into the pure material and impurities and moving them by controlling an internal temperature of the screw conveyer so as to repeat dissolution and solidification operation of the mixture.例文帳に追加

スクリューコンベア型精製装置は、中空状の断面を有して長手方向に延びるように形成され、内部の混合物を移動させるスクリューコンベア２００と、混合物の溶解及び凝固作業が繰り返されるようにスクリューコンベアの内部温度を制御して、混合物を純粋物と不純物とに分離して移動させる反応調節部とを含む。 - 特許庁

In a photovoltaic device, on a light-receiving surface side surface of a first conductivity type semiconductor substrate 11, an amorphous thin film 12 containing silicon and carbon and whose composition ratio of the silicon and the carbon is 7:3 to 5:5, and a microcrystal thin film 13 containing silicon, carbon and second conductivity type impurities and having a cubic structure, are laminated in this order.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１１の受光面側の表面に、シリコンと炭素とを含みシリコンと炭素との組成比が７：３〜５：５である非晶質薄膜１２と、シリコンと炭素と第２導電型の不純物とを含み立方晶構造を有する微結晶薄膜１３と、がこの順で積層される。 - 特許庁

The system comprises a pretreatment device 10 which removes impurities from a bio-sample by using a column 26 and supplies the standard material, an electro-chemical detector which quantitatively analyzes a biochemical quantity of the bio-sample by using a column 50, and an analyzing device 12 having a cell for measuring UV absorption which quantitatively analyzes the standard material by using a column 52.例文帳に追加

カラム２６を用いて生体試料から夾雑物を除去すると共に、標準物質を供給する前処理装置１０、カラム５０を用いて生体試料の生化学量を定量分析する電気化学検出器、及びカラム５２を用いて標準物質を定量分析するＵＶ吸収測定用セルを備えた分析装置１２とから構成されている。 - 特許庁

This freezing processed food is composed by carrying out sand removal and washing of the raw material shellfishes, separating the shucked shellfishes from the raw material shellfishes, washing the shucked shellfishes, removing foreign materials, impurities, etc., preparing the concentrate from the juice separated from the shucked shellfishes from the raw material shellfishes, weighing prescribed amounts of the shucked shellfishes and concentrate and further quick-freezing the resultant shucked shellfishes and concentrate.例文帳に追加

原料貝類の砂出しと洗浄を行い、原料貝類から剥き身を分離し、当該剥き身を洗浄して異物や夾雑物等を除去し、原料貝類から剥き身を分離した液汁から濃縮液を用意しておき、所定量の剥き身と濃縮液とを計量した上、急速凍結するように構成した。 - 特許庁

To provide a method and a device for treating in which mixed waste materials containing waste plastics mixed with various foreign matters and impurities such as construction-waste-material based plastic waste materials and waste automobile shredder-dust can be smoothly allowed to be fuel by crushing, and in which the mixed waste materials can be recycled as the fuel blown to the burner of a cement baking facility.例文帳に追加

建設廃材系プラスチック廃棄物や、廃自動車シュレッダーダストの様な、多様な異物や不純物が混入している廃プラスチックを含有する混合廃棄物についても、その破砕による燃料化が円滑に行なえ、該混合廃棄物をセメント焼成設備のバーナー吹込み用燃料としてリサイクルできる処理方法及び処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for precisely analyzing a very small amount of PCB by removing the obstruction caused by impurites with respect to soil with mixed various impurities of PCB, a bottom material, waste insulating oil and the like in consideration of necessity for subjecting PCB remaining in electric equipment or the like using PCB to detoxification treatment to clean the electric equipment itself.例文帳に追加

ＰＣＢを使用していた電気設備等に残存しているＰＣＢを無害化処理するとともに電気設備自体も清浄化する必要性が出てきており、ＰＣＢのさまざまな不純物が混じっている土壌、底質、廃絶縁油等について、不純物による妨害を除去し、微量のＰＣＢを精度良く分析する方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, they are also characterized in that they have a plurality of the capacitance of a structure holding the insulating layer between the semiconductor layer and the metallic layer at prescribed intervals; the capacitance is formed by applying a negative voltage to the metallic layer; and impurities presenting an n-type are injected into the inter- capacitance semiconductor layer as a pattern residual existing between the adjacent capacitance.例文帳に追加

また、絶縁膜層を半導体層と金属層により挟んだ構造の複数の容量を所定の間隔で備え、前記金属層に負の電圧を印加して容量を形成し、隣接する前記容量間に存在するパターン残りとしての容量間半導体層中に、ｎ型を呈する不純物が注入されていることを特徴とする。 - 特許庁

The GaSb-based phase changing type recording film with a low melting point comprising an Sb-based alloy comprising 5-20% Ga in terms of atomic%, in addition, less than 5 to <20% In, and remaining part being Sb and inevitable impurities, and the target for forming the GaSb-based phase changing type recording film by sputtering, are provided.例文帳に追加

原子％でＧａ：５〜２０％を含有し、さらにＩｎ：５〜２０％未満を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなるするＳｂ基合金からなる融点の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜、並びにこのＧａＳｂ系相変化型記録膜をスパッタリングにより形成するためのターゲット。 - 特許庁

A channel forming process in the method of manufacturing the full depletion type SOI transistor, especially, the NMOS transistor has a process of forming an insulation film on a thin film, a process of forming an additional insulation film for the insulation film, and a process of implanting first conductive type impurities into a part near an interface between a semiconductor thin film and the insulation film.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法におけるチャネル形成工程において、薄膜上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に対し追加絶縁膜を形成する工程と半導体薄膜と絶縁膜との界面近傍に第１導電型の不純物の注入を行う工程を有するようにした。 - 特許庁

N-type impurities are implanted with high consentration into n-type high-concentration impurity regions 37c, 38c of NMOS thin-film transistors having LDD structures, via contact holes 45, 46 respectively for connections of their source-drain electrodes which are formed in an interlayer and gate insulation films 44, 40 provided on the regions 37c, 38c.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のＮＭＯＳ薄膜トランジスタのｎ型不純物高濃度領域３７ｃ、３８ｃには、その上に設けられた層間絶縁膜４４およびゲート絶縁膜４０に形成されたソース・ドレイン電極接続用のコンタクトホール４５、４６を介してｎ型不純物が高濃度に注入される。 - 特許庁

A negative electrode active material is an alloy containing more than 25 mass% and less than 54 mass% Si, more than 1 mass% and less than 47 mass% (preferably less than 34 mass%) C, and more than 13 mass% (preferably more than 17 mass%) and less than 69 mass% Zn, where the remainder are incidental impurities.例文帳に追加

２５質量％を超え５４質量％未満のＳｉと、１質量％を超え４７質量％未満のＣ（好ましくは３４質量％未満）と、１３質量％を超え６９質量％未満のＺｎ（好ましくは１７質量％超過）を含有し、残部が不可避不純物である合金を負極活物質として用いる。 - 特許庁

The objective method for the production of a phenolic resin for photoresist comprises the reaction of a phenol with an aldehyde in the presence of an acidic catalyst to obtain a phenolic resin, the addition of a good solvent for the phenolic resin and pure water to the obtained phenolic resin to form a uniformly dissolved solution and the continuous removal of the water-insoluble impurities from the solution by a pseudo-moving bed chromatographic separator.例文帳に追加

フェノール類とアルデヒド類を酸性触媒下で反応させて得られたフェノール樹脂に、該フェノール樹脂に対する良溶媒と純水を加えて均一に溶解した後、擬似移動層型クロマト分離装置により、水溶性不純物を連続的に除去することを特徴とするフォトレジスト用フェノール樹脂の製造方法である。 - 特許庁

The surface of the substrate 2 is formed in irregularity by etching, the epitaxial layer 3 is formed with its surface formed by allowing epitaxial growth to be performed on the principal plane of the substrate 2, the pn-composition plane 6 of the layer 4a and the layer 5 formed by ion implanting n-type and p-type impurities from the surface of the layer 3 is formed into irregularity.例文帳に追加

エッチングにより半導体基板２の表面を凹凸状に形成し、半導体基板２の主面上でエピタキシャル成長することにより表面が凹凸状のエピタキシャル層３を形成し、Ｎ型およびＰ型の不純物をエピタキシャル層３の表面からイオン注入することにより形成された半導体層４ａおよび半導体層５のＰＮ接合面６を凹凸状に形成する。 - 特許庁

To provide an impact-modified thermoplastic composition containing an impact resistance improver uninfluenced by impurities or byproducts during production of the impact resistance improver having no discoloration at high temperature, without lowering viscosity of a polymer composition, by balancing all characteristics of a thermoplastic polymer having excellent impact resistance, and to provide a method for producing the impact resistance improver.例文帳に追加

優れた耐衝撃性を有する熱可塑性ポリマーの全ての特性をバランスさせ、ポリマー組成物の粘性を低下させずに、高温度での変色が無く、耐衝撃性改良剤の製造中の不純物または副精製物の影響を受けない耐衝撃性改良剤を含む衝撃変成した熱可塑性組成物及び、耐衝撃性改良剤の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a high performance material by which a crystals constituting a material such as a semiconductor can be refined and further grown in such a manner that the crystal orientation is made uniform without deforming the shape of the material and adding impurities thereto and a compositional gradient structure on an atomic scale can be formed.例文帳に追加

半導体などの材料を構成している結晶を、材料の形状を変形させたり、不純物を添加したりすることなく、微細化し、更には結晶方位を揃えて結晶を成長させること、および原子スケールの組成傾斜構造を形成させることができる高性能材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for separating and refining hydrogen from a source gas containing hydrogen which is by-produced from a chemical conversion facility of ironworks or the like, and in an adsorption and desorption treatment process of impurities contained in the source gas, a hydrogen gas is separated and refined from the source gas by alternately using a plurality of heat exchangers, when cooling a treated source gas.例文帳に追加

製鉄所等の化成設備から副生する水素含有原料ガスから水素を精製分離する方法において、前記原料ガス中に含有する不純物の吸・脱着処理の過程で、被処理原料ガスの冷却に際し、複数台の熱交換器を交互に用いて該原料ガスからの水素ガスの分離精製を行なうこと。 - 特許庁

The method for producing carbides of groups 4A, 5A or 6A transition metals of the Periodic Table and/or double carbides of such transition metals and iron comprises conducting solid-phase reaction of a ferroalloy containing such a transition metal and unavoidable impurities with a carbonaceous material comprising carbon as the main component by co-milling under vacuum or an inert gas atmosphere.例文帳に追加

周期率表の第４Ａ族、第５Ａ族または第６Ａ族の遷移金属、鉄および不可避的不純物を含有するフェロアロイと、炭素を主体とする炭素材料とを、真空または不活性ガス雰囲気下で共粉砕により固相反応させる、該遷移金属を含む炭化物または該遷移金属および鉄を含む複合炭化物の製造方法。 - 特許庁

In a trench gate type MISFET, first injection for forming a first highly concentrated p-type source region 6 is carried out to deeply implant impurities, and then, second injection for forming a second highly concentrated p-type source region 8 is carried out to increase impurity concentration in the neighborhood of the top surface of a semiconductor region 14.例文帳に追加

トレンチゲート型ＭＩＳＦＥＴにおいて、第１の高濃度Ｐ型ソース領域６を形成するための第１の注入により不純物を深くまで注入し、第２の高濃度Ｐ型ソース領域８を形成するための第２の注入により半導体領域１４の上面付近の不純物濃度を高くする。 - 特許庁

To relatively control a ripple of discharged fuel gas and a ripple of a fuel gas to be supplied and effectively perform various controls of a fuel cell system such as discharge of impurities present in a fuel cell, in the fuel cell system which supplies the fuel gas discharged from the fuel cell due to non-electrochemical reaction to the fuel cell once again.例文帳に追加

燃料電池の電気化学反応において未反応で燃料電池から排出される燃料ガスを再び燃料電池に供給する燃料電池システムにおいて、排出された燃料ガスの脈動と供給される燃料ガスの脈動を相対的に制御して、燃料電池内の不純物の排出等、燃料電池システムの各種制御を効果的に行うことを課題とする。 - 特許庁

Before the formation of the gate electrode 7, impurities are added to at least a part of the source region 9 and the drain region 10 by using ion implantation from an inner wall of the trench portion 3, and thereafter heat treatment is performed for diffusion and activation to form a diffusion region from the surface of the trench portion 3 down to a bottom portion thereof.例文帳に追加

ソース領域９とドレイン領域１０の少なくとも一部では、ゲート電極７の形成前にトレンチ部３の内壁からイオン注入を用いて不純物添加をおこなった後、拡散および活性化の熱処理を施すことによって、トレンチ部３の表面から底部にかけて深く形成させることを可能とする。 - 特許庁

In the method of forming the metal silicide layer by which the metal silicide layer is formed by allowing a silicon-containing layer and a metal layer formed on its top to react with each other, impurities of an amount which suppresses spreading of metal are implanted to the silicon-containing layer to form the metal silicide layer at the top of the silicon-containing layer.例文帳に追加

本発明では、シリコン含有層とその上部に形成した金属層を反応させることによって金属シリサイド層を形成する金属シリサイド層の形成方法において、前記シリコン含有層に金属の拡散を抑制する量の不純物を注入することによって前記シリコン含有層の上部に金属シリサイド層を形成することにした。 - 特許庁

The method for producing cassis extract comprises the following process: extracting cassis anthocyanin from a plant containing cassis anthocyanin using water or 15-95 vol.% of hydrated alcohol water solution; making the obtained extract liquid pass through synthetic adsorbent resin to adsorb anthocyanin; extracting impurities through water washing; desorbing the anthocyanin with alcohol; and concentrating and drying the obtained desorbed liquor to refine the anthocyanin.例文帳に追加

カシスアントシアニンを含む植物体より水もしくは１５〜９５体積％の含水アルコール水溶液を使用してカシスアントシアニンを抽出し、得られた抽出液を合成吸着樹脂に通液させアントシアニン類を吸着し、水洗によって不純物を除去し、アルコールによりアントシアニンを脱離させ、得られた脱離液を濃縮乾燥することによりアントシアニン類を精製する。 - 特許庁

To provide a method capable of producing a polymer of high quality stably and in good productivity that prevents colorization and contains less impurities, even when reducing widely amounts of an oxygen-containing gas used to initiate a polymerization reaction, in a method for producing a carboxylic acid based polymer by using a redox initiator composed of a hydrogensulfite salt and oxygen.例文帳に追加

亜硫酸水素塩と酸素をレドックス開始剤としたカルボン酸系重合体の製造法において、重合反応を開始させる際に使用される酸素を含有するガス量を大幅に低減させても、着色を抑制し、不純物量が少なく品質の高い重合体を安定に、生産性よく製造しうる方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a liquid detergent composition for automatic washers, exhibiting homogeneous washing performance to dishes, etc., having a rigid surface, suitably used for removal of pigment stain, etc., attached, particularly preventing discoloration by impurities unavoidably mixed, exhibiting stable bleaching action and further, excellent in finishing property after rinsing and storage stability.例文帳に追加

硬質表面を有する食器類等に対して均質な洗浄性能を示し、付着した色素汚れなどの除去に好適に用いられる、特に不可避的に混入する不純物による着色を防ぎ、安定的な漂白作用を示し、さらにすすぎ後の仕上がり性や貯蔵安定性も優れた自動洗浄機用液体洗浄剤組成物を提供する。 - 特許庁

Then, n-type impurities are further diffused laterally (around the first trench 13) from the first trench 13 to form an n-type emitter region 13, whereby a lateral bipolar transistor, where the emitter region 3, the vase region 2, the collector region 1 are jointed with one another, is formed.例文帳に追加

そして、そのベース領域２に第１の溝１３からさらにｎ形不純物が横方向に（第１の溝１３の周囲に）拡散されてｎ形のエミッタ領域３が形成されることにより、横方向にエミッタ領域３、ベース領域２、コレクタ領域１が接合されるラテラルバイポーラトランジスタが形成されている。 - 特許庁

To enhance the removal effect of gas impurities in air by efficiently using absorbing liquid, in a gas impurity removal apparatus wherein the absorbing liquid for gas impurity removing is dripped and supplied to gas/liquid contact units, and the absorbing liquid is circulated and used, and new absorbing liquid is replenished while discarding a part of the absorbing liquid.例文帳に追加

気液接触ユニットにガス不純物除去用の吸収液を滴下供給し、その吸収液を循環して再使用すると同時に一部を廃棄しながら新たな吸収液を補給するガス不純物除去装置において、吸収液を効率よく使用して空気中のガス不純物の除去効果を高めることにある。 - 特許庁

To improve water quality of pure water, keep the water permeation capability of a reverse osmosis membrane, make washing with a chemical unnecessary or lessen the frequency of the washing, and suppress propagation of bacteria on membrane surface by preventing accumulation and precipitation of impurities of raw water on the reverse osmosis membrane surface in pure water production by reverse osmosis.例文帳に追加

この発明は、純水を製造する逆浸透において、原水中の不純物の逆浸透膜面の蓄積や沈殿形成を予防することにより、（１）純水の水質を向上し、（２）逆浸透膜の透水性能を保持し、（３）薬液洗浄不要とするかもしくは頻度を減じ、（４）膜面でのバクテリアの繁殖を低減することを目的としている。 - 特許庁

A strainer body 1 formed using a gas and liquid impermeable material, is provided with an openable/closble odor stop cover 2 for intercepting odor from the drainage channel or the catch basin A, and a mesh member 3 for catching the impurities and an oil content adsorption filter 5 are provided in the strainer body 1.例文帳に追加

ストレーナ本体１が気体及び液体を通さない材料を用いて形成され、該ストレーナ本体１に、排水路ないし排水桝Ａからの臭気を遮断するための開閉自在な臭気止め蓋２が設けら、ストレーナ本体１内に夾雑物を捕捉するための網部材３及び油分吸着フィルタ５が設けられている。 - 特許庁

Respective absorbed infrared ray quantities absorbed by the first substance and the plurality of impurities contained in the film are calculated in every wave number, based on a difference between a transmitted infrared ray quantity and an infrared ray quantity before the transmission, and based on a difference between infrared quantities absorbed by the semiconductor substrate formed with the film and the semiconductor substrate not formed therewith.例文帳に追加

該透過された赤外線と透過される前の赤外線光量の差及び前記膜が形成された半導体基板と形成されない半導体基板が吸収する赤外線光量の差に基づいて該膜が含む第１物質及び複数の不純物それぞれが吸収する赤外線光量を波数ごとに計算する。 - 特許庁

To provide a device and a method for concentrating seawater where heating efficiency at the time of heating seawater is not reduced, further, bumping caused by the heating can be suppressed, and the production of impurities, calcium sulfate or the like can be suppressed without damaging mineral components and flavorful components, and to provide concentrated water obtained thereby.例文帳に追加

海水の加熱時における加熱効率を低下させることなく、しかも加熱による突沸を抑えることができ、さらに、海水（特に海洋深層水）に豊富なミネラル成分や旨み成分を損なうことなく、不純物や硫酸カルシウムなどの生成を抑えることができる海水の濃縮装置及び濃縮方法とこれにより得られる濃縮水を提供すること。 - 特許庁

To prevent a highly conductive region (conductive layer) from forming in a buffer layer with conductive impurities mixing into an epitaxial layer, when preparing an electronic device such as a field-effect transistor containing a high electric mobility transistor or a hetero junction bipolar transistor on a semiconductor epitaxial wafer; and as a result to provide the semiconductor epitaxial wafer realizing high characteristics.例文帳に追加

半導体エピタキシャルウェハの上に高電子移動度トランジスタを含む電界効果トランジスタやヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電子デバイスを作製した際に、エピタキシャル層の中に導電性不純物が混入することによって、バッファ層の中に高い導電性を有する部分（導電層）が形成されるのを防止し、その結果、高い特性を実現する半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁