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impuritiesを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 7611



例文

The rare earth metal alloy powder is added to a coating agent in manufacturing coated electrodes for arc welding, and is characterized in that it contains 10-45 mass% of one or more kinds of rare earth metal, 25-65 mass% Si, as well as Fe and other inevitable impurities and that the average grain size is 50-200 μm.例文帳に追加

被覆アーク溶接棒を製造する際に被覆剤に添加される希土類金属合金粉であって、希土類金属の1種または2種以上を10〜45質量%、Siを25〜65質量%含有し、その他Feおよび不可避不純物からなり、かつ平均粒径が50〜200μmであることを特徴とする。 - 特許庁

The group 13 elements such as an aluminum element which have been generally recognized as impurities in spherical silica particles, and have been thought desirable to be removed as much as possible not only exhibit an action of reducing viscosity in a resin composition, but also do not show an adverse effect even in the case the same is applied to a sealing material in a semiconductor package.例文帳に追加

一般的に球状シリカ粒子中において、不純物と認識され、できる限り除去することが好ましいと考えられていた、アルミニウム元素などの13族元素が樹脂組成物中において粘度を低下させる作用を発揮するばかりか、半導体パッケージにおける封止材に適用した場合でもこれといった悪影響の発現もない。 - 特許庁

In the process for fabricating a photoelectric conversion element, a p-layer constituting the photoelectric conversion element having a pin junction is formed by depositing a first p-layer 7 having a film thickness of 5 nm or less and added with impurities uniformly, and then depositing a second p-layer 8 on the first p-layer 7 by gas decomposition containing no p-type impurity.例文帳に追加

pin接合を有する光電変換素子を構成するp層を、5nm以下の膜厚を有する均一に不純物が添加された第1p層7を成膜し、該第1p層7上にp型不純物を含まないガス分解によって第2p層8を成膜することにより形成する光電変換素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

A method of manufacturing the solar battery cell includes a process of forming a polycrystalline silicon layer by doping impurities of a second conductivity type into the light receiving side-surface of a semiconductor substrate of a first conductivity type, a process of forming a silicon oxide film by oxidizing the polycrystalline silicon layer, and a process of removing the silicon oxide film on the polycrystalline silicon layer.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明は、第1導電型の半導体基板の受光面側に、第2導電型の不純物をドーピングして多結晶シリコン層を生成する工程と、前記多結晶シリコン層を酸化してシリコン酸化膜を生成する工程と、前記多結晶シリコン層上の前記シリコン酸化膜を除去する工程と、を有することを特徴とする太陽電池セルの製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

The metal ball for the wiring substrate is constituted of 20 to 80 mass% of a sum of Ag and/or Cu and the balance Bi with inevitable impurities, and is solidified in a spherical shape of 0.03 to 0.5 mm in particle size, roundness of the metal ball being5% of the particle size.例文帳に追加

本発明は、Agおよび/またはCuを合計で20質量%以上80質量%以下含み、残部Biおよび不可避的不純物からなり、粒径が0.03mm以上0.5mm以下の球状に凝固されてなる配線基板用金属球であって、該金属球の真円度が粒径の5%以下である、配線基板用金属球である。 - 特許庁


例文

The method for forming electric wiring or the electrode for the liquid crystal display, which does not have the thermal defect and is superior in adhesiveness, includes: using a copper target having a composition comprising 0.04 to 1 mass% oxygen and the balance Cu with unavoidable impurities; and sputtering the target in an inert gas atmosphere or in an inert gas atmosphere containing 3 vol% or less oxygen.例文帳に追加

酸素:0.04〜1質量%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅ターゲットを用い、不活性ガス雰囲気中または酸素:3体積%以下含んだ不活性ガス雰囲気中でスパッタリングする熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用配線または電極の形成方法。 - 特許庁

A refining method for tantalum in which a solution containing tantalum is brought into contact with anion exchange resin, thereafter, the anion exchange resin is brought into contact with a solution containing hydrofluoric acid and hydrobromic acid to elute high melting point metallic impurities other than tantalum in the solution, containing tantalum, and, after that, tantalum is eluted from the anion exchange resin.例文帳に追加

タンタルを含む溶液を陰イオン交換樹脂に接触させた後、該陰イオン交換樹脂をフッ化水素酸及び臭化水素酸を含む溶液と接触させて前記タンタルを含む溶液中のタンタル以外の高融点金属不純物を溶離させ、その後該陰イオン交換樹脂からタンタルを溶離させるタンタルの精製方法を用いる。 - 特許庁

Since the vanadium pentoxide deposit Vh is directly heated and melted without heating the entire furnace to a temperature higher than necessary for melting, penetration of the vanadium pentoxide melt into the furnace wall can be prevented, thereby maintaining the high purity of the vanadium pentoxide product free from contamination of impurities resulting from wall furnace damage.例文帳に追加

五酸化バナジウム堆積物Vhを直接加熱して溶融させるものであり、炉内全体を必要以上に高温に加熱するものでないため、五酸化バナジウムの溶湯が炉壁に浸透することを抑制でき、この結果、炉壁の損傷による不純物混入がなくなり五酸化バナジウム製品を高純度に維持できる。 - 特許庁

The continuous plating apparatus using an insoluble anode has a diaphragm electrolytic cell as a metal ion supplying means, has an electrodialysis cell as a recovering/recycling means for the plating solution and is installed with cleaning tubs before and behind the plating tank, thereby stabely controlling the concentration of metal ions without any intrusion/accumulation of impurities etc.例文帳に追加

不溶性陽極を使用した連続めっき装置であって,金属イオン供給手段として隔膜電解槽を有し,めっき液の回収・リサイクル手段として電気透析槽を有し,まためっき槽の前後に洗浄槽を設置することにより,不純物等の混入・蓄積もなく,安定しためっき金属イオン濃度の管理を可能とした。 - 特許庁

例文

(1) The fuel cell stack 23 contains a pair of separators 18 equipped with cell modules 19 and impurity trapping modules 50, the latter 50 in conductivity with each other at least at a part of opposed faces, and impurity removal bodies 51 fitted in a gap between the pair of separators for removing impurities from the fluid.例文帳に追加

(1)セルモジュール19と不純物トラップモジュール50とを有し、不純物トラップモジュール50が対向面の少なくとも一部で互いに導通している一対のセパレータ18と、一対のセパレータの間の隙間に設けられ流体から不純物を除去する不純物除去体51とを含む燃料電池スタック23。 - 特許庁

例文

To provide a niobium compound exhibiting excellent water solubility (greater than 30 g Nb/l), which yields niobium pentoxide with a purity of at least 99%, consequently comprising up to 1% impurities from completing agents or counterions when calcined under appropriate conditions, and has a high content of niobium (greater than 22 mass%) in mass%.例文帳に追加

本発明の課題は、適切な条件下でか焼した場合に、少なくとも99%の純度を有し、ひいては錯化剤または対イオンからの不純物を1%まで含有し、質量%で表される高いニオブ含有率(22質量%より大)を有する五酸化ニオブが得られる、優れた水溶性(30gNb/lより大)を有するニオブ化合物を提供することである。 - 特許庁

At least one or more kinds of additives of bismuth, copper, nickel, cobalt, iron, manganese, tin, chrome and zinc are included by 3-15 mass% in total, and a composition including tungsten powder and/or tungsten alloy powder, and unavoidable impurities is included as the rest of the thermoplastic resin and thermosetting resin, including the additives.例文帳に追加

または、ビスマス、銅、ニッケル、コバルト、鉄、マンガン、スズ、クロムまたは亜鉛の添加剤のうち少なくとも1種以上を、合計して3〜15質量%含有し、この添加剤を含めた上記熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂の残部を、上記タングステン粉末および/またはタングステン合金粉末および不可避不純物からなる組成を有する高比重樹脂複合材料製弾丸とした。 - 特許庁

To minimize deterioration of characteristics of an element by preventing an increase of resistance of a bit line and a storing electrode by lowering a deposition temperature of a buffer oxide film formed before deposition process of a nitride film for a gate spacer and by preventing out-diffusion of impurities implanted to a source/drain region.例文帳に追加

ゲートスペーサ用窒化膜の蒸着工程の前に形成する緩衝酸化膜の蒸着温度を低め、ソース/ドレイン領域に注入された不純物のアウト・ディヒュージョンを防ぐことにより、ビットラインと貯蔵電極のコンタクト抵抗の増加を防いで素子の特性の劣化を最小化させ、素子の特性及び信頼性を向上させること。 - 特許庁

This quantitative analyzing method of a very small amount of a metal element being a harmful substance such as lead or cadmium in the resin material has a process for decomposing a target substance in vitreous carbon by an oxidizing acid, a process for removing organic matter by low temperature ashing and a quantifying process for subsequently quantifying residual metal impurities.例文帳に追加

本発明の金属属元素の定量分析方法は、樹脂材料中に存在する鉛やカドミウムなどの有害物質微量金属元素を測定する方法であって、対象物質をガラス状カーボン内にて酸化性酸により分解する工程と、低温灰化により有機物を除去する工程と、次いで残存する金属不純物を定量する定量工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of measuring a carrier life time of a silicon wafer by the microwave photoconductivity decay method, which accurately measures the carrier life time by easily and stably keeping a chemical passivation effect over the entire surface of the silicon wafer while avoiding the influences of impurities and so on.例文帳に追加

マイクロ波光導電減衰法によりシリコンウェーハのキャリアライフタイムを測定する際に、不純物等による影響を受けることなく、シリコンウェーハ表面全面にわたって、ケミカルパッシベーション効果を、簡便かつ安定的に保持し、正確なキャリアライフタイム測定が可能となるシリコンウェーハのキャリアライフタイム測定方法を提供する。 - 特許庁

To mechanically remove impurities remaining on the surfaces of toner particles formed as particles in an aqueous medium and to provide toner particles free of a variation in electrostatic chargeability even in an environment at high temperature and high humidity or during continuous image formation on more than hundreds of thousand of sheets and giving stable image quality free of fog and image unevenness.例文帳に追加

水系媒体中で粒子形成されるトナー粒子表面に残存する不純物を機械的に除去して、高温高湿環境下や数10万枚以上にわたる連続画像形成下でも帯電性変動が起こらず、カブリや画像ムラの発生しない安定した画質を有するトナー粒子を提供する。 - 特許庁

In an element substrate of a liquid crystal device 100, a peripheral electrode 8a is formed in a peripheral region 10b arranged between an image forming region 10a and a sealant 107, to which a potential Vtrap for trapping ionic impurities is applied, the potential Vtrap being different from a common potential Vcom applied to dummy pixel electrodes 9b.例文帳に追加

液晶装置100の素子基板において、画像表示領域10aとシール材107とにより挟まれた周辺領域10bには、ダミー画素電極9b等に印加される共通電位Vcomとは異なるイオン性不純物トラップ用の電位Vtrapが印加された周辺電極8aが形成されている。 - 特許庁

The sputtering target for forming the thin film of a Mo alloy on the substrate has a composition comprising 2-50 atom.% of one or two selected from V and Nb, and the balance Mo with unavoidable impurities, has relative density of 95% or higher, and preferably has deflection strength of 300 MPa or higher.例文帳に追加

基板上にMo合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、その組成が、VとNbから選ばれる1種以上を合計で2〜50原子%含有し、残部Moおよび不可避的不純物からなり、相対密度が95%以上、好ましくは、抗折力が300MPa以上である薄膜形成用スパッタリングターゲットである。 - 特許庁

The apparatuses 6 and 9 are connected to a cooler 14 having a cooling means 14a to condense the oil gas produced in the apparatuses 6 and 9, and the cooler 14 is connected to a tank 15 which temporary holds the oil condensate component formed in the cooler 14 to remove impurities therefrom by settlement.例文帳に追加

熱分解装置6、9には、冷却手段14aを有し熱分解装置6、9において発生した油ガスを凝縮させる冷却器14が接続され、冷却器14には、冷却器14において凝縮した油凝縮成分を一時的に貯留し不純物を堆積させて除去するタンク15が接続される。 - 特許庁

The paste composition are the paste composition for forming the impurities layer or the electrode layer on the p-type silicon semiconductor board 1 and comprise aluminum powder, an organic vehicle and inorganic compound powder having a lower thermal expansion coefficient than aluminum and one of whose melting temperature, whose softening temperature or whose decomposition temperature is higher than the aluminum melting point.例文帳に追加

ペースト組成物は、p型シリコン半導体基板1の上に不純物層または電極層を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、熱膨張率がアルミニウムよりも小さく、かつ、溶融温度、軟化温度および分解温度のいずれかがアルミニウムの融点よりも高い無機化合物粉末とを含む。 - 特許庁

Then the waste cooking oil containing the adsorbent is passed through a coarse filtration filter 13F in a coarse filtration tank 13 and a microfiltration filter 15F in a microfiltration tank 15 constituting a filtration and purification apparatus 2 and the adsorbent and the impurities are filtered off from the waste cooking oil to purify a substitute fuel oil for diesel engine.例文帳に追加

そして、この吸着剤を含む廃食用油が濾過精製装置2を構成する粗濾し用タンク13内の粗濾し用フィルタ13Fおよび精密濾し用タンク15内の精密濾し用フィルタ15Fを通過することにより、廃食用油中から吸着剤と共に不純物が濾過されてディーゼルエンジン用の代替燃料油が精製される。 - 特許庁

To provide an anticorrosive member which is a member covered with a yttria-based film, can be used mainly as a plasma treatment apparatus member for manufacture of semiconductors and liquid crystals, has a smooth and dense surface, never contaminate treating objects due to generation of particles and metal impurities in plasma treatment, and is excellent in durability.例文帳に追加

イットリア系の皮膜で被覆された部材であって、主に、半導体や液晶製造用等のプラズマ処理装置部材として用いることができ、表面が緻密で滑らかであり、プラズマ処理時にパーティクルや金属不純物の発生によって被処理品を汚染することがなく、かつ、耐久性に優れた耐食性部材を提供する。 - 特許庁

To provide a pipette which is usable at an exact amount when reacting or mixing an extremely slight amount of materials in multiple stages, is not laborious in operation, does not take time and is capable of executing reaction or mixing without intrusion of impurities and a reaction method or mixing method utilizing the pipette.例文帳に追加

極微少量の材料を多段階で反応又は混合する場合、正確な量で使用するすることが可能で、しかも、操作が面倒でなく、時間もかからず、また、不純物の混入も無しに実行することの可能なピペットを提供すること、及びそのピペットを利用した反応方法又は混合方法を提供すること。 - 特許庁

Mn, ≤0.10% Al, ≤0.15% P, ≤0.15% S, ≤0.10% N and the balance Fe with inevitable impurities and satisfying (Cu+Si)>2.0%.例文帳に追加

質量%で、Cr:18.0〜27.0%、Cu:0.8〜3.5%、Si:0.5〜2.0%、Mo:0.5〜1.5%、Nb:2.5%以下、Ni:0.6%以下、C:0.12%以下、Mn:1.0%以下、Al:0.10%以下、P:0.15%以下、S:0.15%以下、N:0.10%以下で、かつ(Cu+Si):2.0%を超え、残部がFeおよび不可避的不純物を含有する耐酸性に優れたフェライト系ステンレス鋳鋼である。 - 特許庁

Finally, impurities are implanted in the semiconductor layer 2 using an insulating sidewall 11 formed on the opposite side parts of the gate electrode 9 and the gate electrode 9 as an impurity implantation mask to form an offset region 10 beneath the sidewall 11 thus forming a source region 12 and a drain region 13 on the outside of the offset region 10.例文帳に追加

その後、ゲート電極9の両側部に壁状に形成した絶縁性のサイドウォール11と、ゲート電極9とを不純物注入マスクとし、半導体層2に対して不純物を注入することにより、該サイドウォール11の下方にオフセット領域10を形成し、オフセット領域10の外側に、ソース領域12及びドレイン領域13を形成する。 - 特許庁

A mesa stripe 131a is composed of, at least a first conductivity- type first clad layer 103, an active region, and a second conductivity-type second clad layer 107, both the sides of the mesa stripe 131a are subjected to surface treatment by the use of a buffered hydrofluoric acid to remove an oxide film or impurities.例文帳に追加

少なくとも第1導電型の第1クラッド層103、活性領域および第2導電型の第2クラッド層107からなるメサストライプ部131aに電流ブロック層111、112を再成長する前に、メサストライプ部131aの両側面をバッファードフッ酸で表面処理して酸化膜や不純物を除去する。 - 特許庁

An N channel type thin-film transistor of the inverter has a channel region, a semiconductor layer provided with a plurality of impurity regions of an N type, a gate insulating film disposed on the semiconductor layer, and a gate electrode overlapping on at least one of the impurities of the N type.例文帳に追加

インバータのNチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のN型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられ、かつ前記N型の不純物の少なくとも1つと重なっているゲイト電極とを有する。 - 特許庁

The sandblasting machine 100 being the recycling apparatus for waste glass of the automobile has a tumbler 101 with an inner diameter of 500 mm receiving the cullet 102 of the waste glass of the automobile to stir the same and the sandblasting gun 103 inserted in the tumbler 101 to remove impurities such as silver print or the like on the surface of the cullet 102.例文帳に追加

自動車用廃ガラスのリサイクル処理装置であるサンドブラスト装置100は、内部に自動車用廃ガラスのカレット102を投入し、攪拌する内径が500mmのタンブラ101と、タンブラ101内に入れて、上記カレット102の表面の銀プリント等の不純物を除去するサンドブラストガン103とを有する。 - 特許庁

A thick-film region where mask thickness is thicker than other regions, is formed just under a region as at least an emitter region in regions forming a buried region to the semiconductor substrate, and the buried region with a partially low impurity concentration is formed in the lower region of the thick-film region by diffusing impurities.例文帳に追加

半導体基板に埋め込み領域を形成する領域のうち、少なくともエミッタ領域となる領域の直下に他領域よりもマスク厚を厚くした厚膜領域を形成し、その後、不純物を拡散することにより、前記厚膜領域の下方域に不純物濃度が局所的に低濃度化された埋め込み領域を形成する。 - 特許庁

In order to remove metal impurities having adhered during cutting in forming this silicon part of a semiconductor processing apparatus, a treatment and a heat treatment are executed to at least a cut surface of a silicon plate with a solution, and the silicon part reduces metal contamination of a wafer when the silicon part is processed in a plasma atmosphere.例文帳に追加

半導体処理装置のシリコン部品を形成する際の切断中に付着した金属不純物を除去するため、溶液で前記シリコン板の少なくとも前記切断面を処理と熱処理を行い、シリコン部品がプラズマ雰囲気中で処理された際ウェハの金属汚染を減少させることを特徴とする。 - 特許庁

The whole mother liquid after the crystallization separation of the bisphenol A/phenol adduct from the reaction mixture is isomerized to be recirculated to a condensation process and a concentration or crystallization/solid-liquid separation process, and at the same time, bisphenol A and phenol are recovered from an isomerization liquid blown in a system for preventing the accumulation of impurities.例文帳に追加

反応混合物からビスフェノールAとフェノールとの付加物を晶析分離した後の母液の全量を異性化処理した後、縮合反応工程、濃縮工程ないし晶析・固液分離工程に再循環すると共に、系内に不純物の蓄積を防ぐためにブローする異性化処理液からビスフェノールAとフェノールを回収する。 - 特許庁

This method for manufacturing purified hydrogen peroxide water comprises a step to remove the organic compound-based impurities contained in the hydrogen peroxide water by being brought into contact with a silica gel filled having at least one group selected from 4-20C alkyl groups on the surface of a silica gel carrier or a graft-modified ion exchange fiber or its fabric-like material.例文帳に追加

有機化合物系不純物を含む過酸化水素水を、(i)シリカゲル担体表面に炭素数4〜20のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基を有するシリカゲル充填剤、または(ii)グラフト変性イオン交換繊維あるいはその布状物と接触させることにより過酸化水素水に含まれる有機化合物系不純物を除去することを特徴とする精製過酸化水素水の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for producing quarts glass having excellent viscosity at a high temperature, less impurities to be chemically inert, excellent impact resistance and strength even under high density plasma, and generating no corrosion during repetitive use, and to provide parts for apparatuses consisting of the quarts glass and utilizing halogenized product gas and the plasma.例文帳に追加

不純物が少なく化学反応しないと共に、高密度プラズマ下でも耐衝撃性、強度に優れ、繰り返し使用される中においても腐食を生じることがなく、かつ高温での粘性に優れた石英ガラスの製造方法及び、石英ガラスからなるハロゲン化物ガス及びそのプラズマを利用する装置用部品を提供する。 - 特許庁

To obtain an additive for a drilling slurry capable of keeping excellent dispersion stability of the drilling slurry even by the intrusion of harmful impurities such as cement and sea water by compounding a specific polycarboxylic acid polymer, a condensed polyphosphoric acid and an aminocarboxylic acid (salt).例文帳に追加

土木建築の基礎工事、石油井戸や地熱井戸のボーリング等の地盤の掘削に使用される安定液(泥水)に添加することにより、セメント、海水、シルトなどの有害不純物が混入しても安定液の良好な状態が失われない、または既に劣化した泥水を再生させ、良好な状態を持続させる添加剤を提供する。 - 特許庁

The toner contains an α mass % of a 2:1 type iron complex salt compound represented by general formula [1] as a charge control agent and is set to α×β≤3.3 so that the toner contains ≤330 ppm pyrazolone compound contained in the compound by β mass % and represented by general formula [2] as impurities.例文帳に追加

下記一般式[1]で表される2:1型鉄錯塩化合物を電荷制御剤としてα質量%含有するトナーであって、化合物中に不純物としてβ質量%含有されている下記一般式[2]で表されるピラゾロン化合物を、トナーに対する含量として330ppm以下とするために、α×β≦3.3に設定管理して製造された。 - 特許庁

This method inhibits corrosion of the production apparatus and generation of the resinous or gelatinous materials caused to the formic acid emitted in the production of the maleic anhydride by inhibiting generation of a black colored material through changing impurities into formic acid by oxidation and distilling formic acid from an overhead and setting the bottom liquid having ≤0.01 mass.% of the formic acid.例文帳に追加

不純物を酸化して蟻酸に変換することで黒色物質の発生を防止し、かつ共沸脱水塔の塔頂部から蟻酸を留出させて該塔底液の蟻酸濃度を0.01質量%以下とすることで、無水マレイン酸製造工程において発生する蟻酸による装置の腐食、樹脂状又はゲル状物質の発生を防止する。 - 特許庁

To provide a method of treating neutralized sludge capable of efficiently using neutralized sludge of waste material as iron-making raw material for stainless raw material or the like by treating the neutralized sludge with a process including microwave heating, inexpensively and efficiently drying the neutralized sludge, removing crystal water, performing reduction and performing removal of impurities such as dehalogenation and dezincfication.例文帳に追加

マイクロ波加熱を含むプロセスで中和スラッジを処理し、低コストかつ高効率に、中和スラッジを乾燥、結晶水除去、還元、不純物(脱ハロゲン、脱亜鉛)除去することによって、廃棄物たる中和スラッジをステンレス原料等の製鋼の原料として有効利用することが可能な処理方法を提供する。 - 特許庁

The lead-free solder alloy for an electronic member to be mounted on an automobile has a composition comprising, by mass, 1.0 to 2.0% Ag, 0.3 to 1.0% Cu and 0.005 to 0.10% Ni, and the balance Sn with inevitable impurities.例文帳に追加

Ag:1.0〜2.0質量%、Cu:0.3〜1.0質量%、Ni:0.005〜0.10質量%を含有し、残部Sn及び不可避不純物からなることを特徴とする自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金及びそれを用いたハンダボール並びにハンダバンプを有する自動車搭載用電子部材である。 - 特許庁

Metal Al or an alloy containing metal Al is arranged in a purifying chamber in a purifying device 5, and the nitrogen raw material (the nitrogen raw material composed of nitrogen compounds) fed to the purifying chamber is purified (impurities are removed) through contacting itself with metal Al or the alloy containing metal Al, and then is fed to a reaction room 1.例文帳に追加

精製装置5の精製室中に、金属Al又は金属Alを含む合金が配置されており、精製装置5では、精製室に供給された窒素原料(窒素化合物からなる窒素原料)を、金属Al又は金属Alを含む合金に接触させて精製し(不純物を除去し)、反応室1に供給する。 - 特許庁

This method for reacting an olefinically unsaturated compound with carbon monoxide and hydrogen in the presence of a hydroformylation catalyst containing a group VIII metal in the periodic table and an organic phosphorus compound comprises controlling the amount of a sulfur hydride and/or selenium hydride mixed with the reaction system as impurities so as to be ≤3 in the molar ratio thereof to the group VIII metal in the catalyst- containing liquid.例文帳に追加

周期律表第VIII族金属及び有機リン化合物を含むヒドロホルミル化触媒の存在下、オレフィン性不飽和化合物を一酸化炭素及び水素と反応させてアルデヒドを製造する方法において、反応系内に不純物として混入するイオウ水素化物及び、又はセレン水素化物の量を、触媒含有液中の第VIII族金属に対するモル比で3以下となるように制御する。 - 特許庁

The cobalt oxide is used as a raw material for producing the positive electrode active material for the lithium secondary battery, which comprises500 ppm (excluding 0 ppm) of silicon (Si) and ≤100 ppm (excluding 0 ppm) of iron (Fe) as impurities, and has 0.1-10 μm average particle diameter.例文帳に追加

リチウム二次電池用正極活物質の製造原料として使用する酸化コバルトであって、該酸化コバルト中に含まれる不純物の珪素(Si)が500ppm以下(但し、0ppmを除く。)で、Feの含有量がl00ppm以下(但し、0ppmを除く。)であり、旦つ平均粒子径が0.1〜10μmであることを特徴とするリチウム二次電池正極活物質用酸化コバルト。 - 特許庁

There are obtained an imaging device 10 and a solid-state imaging element cover 40 which generates less α rays and prevents the damage to the solid-state imaging element 1, wherein a Z-cut crystal plate 3 made of single crystal having less impurities such as heavy metal is provided to seal a package 2.例文帳に追加

パッケージ2を封止する固体撮像素子カバー40として、重金属等の不純物の少ない単結晶からなるZカット水晶板3を備えているので、α線の発生が少なく固体撮像素子1へのダメージを防止した固体撮像素子カバー40および撮像装置10を得ることができる。 - 特許庁

To provide a processing method and a processor wherein production of fuel can smoothly be conducted by crashing even in a mixed waste materials containing various kinds of foreign materials and impurities such as constructive plastic waste and discarded automobile shredder dusts and the mixed wasted materials can be recycled as a fuel for burner-blowing of a cement baking apparatus.例文帳に追加

建設廃材系プラスチック廃棄物や、廃自動車シュレッダーダストの様な、多様な異物や不純物が混入している廃プラスチックを含有する混合廃棄物についても、その破砕による燃料化が円滑に行なえ、該混合廃棄物をセメント焼成設備のバーナー吹込み用燃料としてリサイクルできる処理方法及び処理装置を提供する。 - 特許庁

In the magnetic transfer device for recording servo signals by magnetically transferring the servo signals on a magnetic recording medium, or in the optical inspecting device for optically inspecting damages or impurities on a magnetic recording medium, the device is characterized by the use of the grease in which generation of sulfur based is 0.5 ppb or below.例文帳に追加

本発明では、磁気記録媒体にサーボ信号を磁気的に転写することによりサーボ信号を記録する磁気転写装置、又は磁気記録媒体上の傷又は不純物を光学的に検査するための光学式検査装置において、該磁気転写装置又は光学式検査装置に使用されるグリースのイオウ系ガスの発生量が0.5ppb以下であるグリースを使用することを特徴とする。 - 特許庁

A surface temperature of a semiconductor wafer into which impurities are implanted, is raised from a pre-heating temperature T1 to a target temperature T2 over a period of time from 1 to 20 milliseconds by performing a first irradiation in which light-emission output of a flashlamp is increased up to a maximal value over a period of time from 1 to 20 milliseconds.例文帳に追加

フラッシュランプの発光出力を1ミリ秒以上20ミリ秒以下の時間をかけて最大値にまで到達させる第1照射を行うことにより、不純物が注入された半導体ウェハーの表面温度を予備加熱温度T1から目標温度T2にまで1ミリ秒以上20ミリ秒以下にて昇温している。 - 特許庁

The heat resistant magnesium alloy comprises, by mass, 0.5 to 3.8% gadolinium, 1 to 15% of at least one element selected from the group consisting of lanthanoids from lanthanum to europium in the periodic table, 0.1 to 0.8% silver and/or 0.1 to 1.8% zinc, and the balance magnesium with inevitable impurities.例文帳に追加

ガドリニウム0.5〜3.8質量%と、元素周期表でランタンからユウロピウムまでのランタノイドからなる群から選択された少なくとも一種の元素を1〜15質量%と、0.1〜0.8質量%の銀および/または0.1〜1.8質量%の亜鉛とを含有し、残部がマグネシウムと不可避不純物で構成した。 - 特許庁

To provide a portable small-scaled purified water supply system which is a purified water supply system capable of achieving the removal of turbidity components or pollutants being impurities obstructing a slow sand filtering function by a natural flow down system maintained simply without using chemicals and convenient to transport and install the constituent elements of the purified water supply system.例文帳に追加

本発明は、緩速砂濾過の機能を阻害する不純物である濁分や汚染物質を薬品を使用せず、メンテナンスの簡単な自然流下方式で達成することができる浄水供給システムであって、浄水供給システムの構成要素の運搬と設置に便利な可搬型小規模浄水供給システムを提供するものである。 - 特許庁

In the droplet discharge apparatus provided with a droplet discharge unit 12 having a discharge head main body 30 for discharging a coating liquid 11 from a nozzle 37, an adsorption member 41c for adsorbing the ionic impurities in the coating liquid 11 is provided at least in a part of a flow passage of the coating liquid 11 in the discharge head unit 12.例文帳に追加

塗布液11をノズル37から吐出する吐出ヘッド本体30を有する液滴吐出ユニット12を備えた液滴吐出装置において、吐出ヘッドユニット12内の塗布液11の流路の少なくとも一部に、塗布液11中のイオン性不純物を吸着するための吸着部材41cを設けた。 - 特許庁

The air separator includes a separation unit for separating, from air, oxygen supplied to an air-blown gasification furnace 3 and nitrogen that carries coal to the air-blown gasification furnace 3, and an adsorption unit for adsorbing and removing impurities in air supplied to the separation unit, wherein at least a part of oxygen led out from the separation unit is supplied to the adsorption unit.例文帳に追加

空気吹きのガス化炉3に供給される酸素と、石炭を空気吹きのガス化炉3に搬送する窒素とを空気から分離する分離部と、分離部に供給される空気中の不純物を吸着除去する吸着部と、を備え、分離部から導出された酸素の少なくとも一部を吸着部へと供給することを特徴とする。 - 特許庁

例文

In the silicon carbide sintered compact consisting essentially of silicon carbide and containing alumina and yttrium, the relative density is99% sum total of the content of alumina and yttrium is 1.2-5.2 wt.%, the total quantity of magnetic metals contained as impurities is700 wt.ppm and silica is substantially not contained.例文帳に追加

炭化珪素を主成分とし、アルミナとイットリアとを含む炭化珪素質焼結体において、相対密度が99%以上で、かつアルミナとイットリアの合計含有量が1.2〜5.2重量%、不純物として含まれる磁性金属の総量が700重量ppm以下であり、シリカを実質的に含まない炭化珪素質焼結体とする。 - 特許庁

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