「impurity analysis」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR ANALYSIS OF IMPURITY IN CERAMICS MEMBER例文帳に追加

セラミックス部材の不純物分析方法 - 特許庁

ANALYSIS METHOD FOR METAL IMPURITY IN SOLUTION例文帳に追加

液中の金属不純物分析方法 - 特許庁

TRACE IMPURITY ANALYZER AND TRACE IMPURITY ANALYSIS METHOD例文帳に追加

微量不純物分析装置および微量不純物分析方法 - 特許庁

IMPURITY ANALYSIS METHOD, IMPURITY ANALYSIS GAS SAMPLING DEVICE, IMPURITY GAS ANALYZER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

不純物分析方法、不純物分析ガス採取装置、不純物ガス分析装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

IMPURITY CONCENTRATION ANALYSIS METHOD OF SILICEOUS POWDER例文帳に追加

シリカ質粉末の不純物濃度分析方法 - 特許庁

To provide an impurity analysis method and an impurity analysis jig of a semiconductor substrate having a sufficient accuracy.例文帳に追加

十分な精度を有する半導体基板の不純物分析方法および分析用冶具を提供する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR ANALYSIS OF TRACE IMPURITY IN GAS例文帳に追加

ガス中の微量不純物の分析方法及び装置 - 特許庁

IMPURITY RECOVERY METHOD AND IMPURITY RECOVERY DEVICE FOR LOCAL TRACE CHEMICAL ANALYSIS例文帳に追加

局所微量化学分析の不純物回収方法及びその不純物回収装置 - 特許庁

REMOVAL METHOD AND ANALYSIS METHOD OF IMPURITY IN SILICON WAFER例文帳に追加

シリコンウェハの不純物の除去方法及び分析方法 - 特許庁

To provide a method for analysis, especially, automatic analysis of ultratrace impurity metal on a silicon wafer surface.例文帳に追加

シリコンウェハ表面の超微量不純物金属の分析、特に自動分析の方法を提供する。 - 特許庁

TOOL FOR ANALYZING IMPURITY IN SEMICONDUCTOR WAFER, AND IMPURITY ANALYSIS METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER USING THE TOOL例文帳に追加

半導体ウエーハの不純物分析用治具及びそれを用いた半導体ウエーハの不純物分析方法 - 特許庁

To provide an analysis method and an analysis apparatus of a very small quantity of impurity that can be analyzed at a higher precision.例文帳に追加

より高精度の分析が可能なガス中の微量不純物の分析方法及び装置を提供する。 - 特許庁

IMPURITY ANALYSIS METHOD IN DEPTH DIRECTION OF SEMICONDUCTOR WAFER BY ELECTROCHEMICAL METHOD例文帳に追加

半導体ウェーハの電気化学法による深さ方向の不純物分析方法 - 特許庁

PREPARATION METHOD OF SAMPLE LIQUID FOR IMPURITY ANALYSIS IN SILICON COMPOUND-CONTAINING SAMPLE例文帳に追加

ケイ素化合物含有試料中の不純物分析用試料液の調製方法 - 特許庁

ANALYSIS METHOD OF METAL IMPURITY IN TiCl4, AND METHOD FOR PRODUCING HIGH PURITY TITANIUM例文帳に追加

ＴｉＣｌ４中の金属不純物の分析方法及び高純度チタンの製造方法 - 特許庁

FORMATION METHOD OF OXIDE FILM OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND IMPURITY ANALYSIS METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板の酸化膜の形成方法、及び半導体基板の不純物分析方法 - 特許庁

TIME-OF-FLIGHT TYPE MASS SPECTROMETER AND SOLID SAMPLE IMPURITY ANALYSIS DEVICE EQUIPPED WITH IT例文帳に追加

飛行時間型質量分析装置および該装置を備えた固形試料不純物分析装置 - 特許庁

TREATING LIQUID FOR ANALYSIS OF HIGH PURITY ORGANOMETALLIC COMPOUND AND ANALYSIS METHOD OF TRACE IMPURITY USING THE TREATING LIQUID, AND HIGH PURITY ORGANOMETALLIC COMPOUND THROUGH THE ANALYSIS例文帳に追加

高純度有機金属化合物の分析用処理液及び当該処理液を用いた微量不純物の分析方法、並びに当該分析方法を経た高純度有機金属化合物 - 特許庁

Contamination from the non-etched area of the surface layer of the semiconductor substrate is prevented to perform impurity analysis.例文帳に追加

半導体基板の表層の未エッチング領域からの汚染を防止して、不純物分析を行なう。 - 特許庁

To reduce a leaving time of a substrate for impurity analysis at analyzing of impurities in the air inside a clean room.例文帳に追加

クリーンルーム気中の不純物の分析をする際に不純物分析用基板の放置時間を短縮する。 - 特許庁

To provide an analysis method which enables highly-accurate quantitative determination of the impurity in silicon such as metallurgical-grade silicon.例文帳に追加

冶金級シリコン等のシリコン中の上記不純物を高精度で定量することが可能な分析方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sampling vessel for a metal impurity capable of safely and surely sampling a metal impurity without any reduction in hydrolysis efficiency and improving analysis precision.例文帳に追加

加水分解効率を低下させることなく、安全かつ確実に金属不純物のサンプリングを行うことができ、分析精度の向上も図れる金属不純物のサンプリング容器を提供する。 - 特許庁

To provide an impurity concentration analysis method of an interface for accurately analyzing the impurity concentration at the interface, by suppressing the increase in a secondary ionization probability due to the segregation of a primary ion in the impurity concentration analysis method of the interface of different kinds of materials due to the secondary ion mass spectrometry method.例文帳に追加

二次イオン質量分析法による異種材料の界面の不純物濃度分析方法において、一次イオンの偏析による二次イオン化確率の増大を抑制し、界面における不純物濃度を精度良く分析する界面の不純物濃度分析方法を提供する事を目的とする。 - 特許庁

To provide a solid sample impurity analysis device capable of simply examining contents of impurities in a solid sample.例文帳に追加

簡易的に固形試料中の不純物の含有量を調べることができる固形試料不純物分析装置を提供する。 - 特許庁

Then, a shift direction of peak values in two distributions of the impurity element is checked, and a specific analysis condition is determined in accordance with a checked result on the basis of a predetermined analysis condition.例文帳に追加

その後、２つの不純物元素の分布のピーク値のシフト方向を調べ、その結果に応じて予め設定された分析条件から特定の分析条件を決定する。 - 特許庁

To provide a method for quantifying an impurity by utilizing a spectrophotometer or a photodiode array(PDA) when detecting an impurity being applied to the peak analysis of liquid chromatography(LC).例文帳に追加

液体クロマトグラフィー（ＬＣ）のピーク解析に適用される不純物の検出にあたり、スペクトロフォトメータ（分光光度計）あるいはフォトダイオードアレイ（ＰＤＡ）検出器を利用し、定量化する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an analysis method for analyzing an impurity in a raw material containing an organometallic compound, such as, organoindium compound.例文帳に追加

有機インジウム化合物などの有機金属化合物を含む原料中の不純物について分析する分析方法を提供する。 - 特許庁

In the analysis method of the very small quantity of impurity in a gas using a mass spectroscope for separating the very small quantity of impurity in a sample gas by a separation column 2 of a gas chromatograph, ionizing the very small quantity of impurity at an ion source section 19, and separating mass, pressure in the ion source section 19 from the separation column 2 is kept higher than an atmospheric pressure for analysis.例文帳に追加

ガスクロマトグラフの分離カラム２で試料ガス中の微量不純物を分離し、当該微量不純物をイオン源部１９でイオン化し、質量分離する質量分析装置を用いるガス中の微量不純物の分析方法において、 前記分離カラム２から前記イオン源部１９の圧力を、大気圧よりも高く維持しながら、分析を行う。 - 特許庁

This method enables the zinc impurity concentration to be evaluated in a non-destructive manner in a shorter period of time with a simpler operation, as compared with a precision chemical analysis such as ICP-MS (Inductively Coupled Plasma-Mass Spectroscopy) requiring an advanced analysis technology.例文帳に追加

この方法により高度な分析技術の必要なＩＣＰ質量分析等の精密化学分析に比べて、非破壊で、短時間かつ簡便に亜鉛不純物濃度を評価することができる。 - 特許庁

SILICON ELIMINATION METHOD FOR SILICON WAFER SURFACE, LIQUID SAMPLE EXTRACTION METHOD FOR REGION UNDER SURFACE LAYER OF SILICON WAFER, AND ANALYSIS METHOD FOR METAL IMPURITY IN THE REGION例文帳に追加

シリコンウェーハ表面の珪素脱離方法、シリコンウェーハ表層下領域の液体サンプル採取方法及びその金属不純物分析方法 - 特許庁

To provide a preparation method of sample liquid for impurity analysis in a silicon compound-containing sample capable of easily preparing stable sample liquid.例文帳に追加

簡易に安定な試料液を調製することができるケイ素化合物含有試料中の不純物分析用試料液の調製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of carrying out a qualitative and quantitative analysis of a heavy metal impurity included in a silicon epitaxial wafer in a highly sensitive manner.例文帳に追加

シリコンエピタキシャルウェーハに含まれる重金属不純物の定性・定量分析を高感度に行うことができる不純物評価方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the time during which the substrate 1 is left standing in the clean room air can be reduced, and an impurity analysis efficiency can be improved.例文帳に追加

その結果、不純物分析用基板１をクリーンルーム気中に放置する時間が短縮され、不純物の分析効率の向上を図ることができる。 - 特許庁

To analyze impurity identification using a focused ion beam, element analysis, composition, crystallinity, and surface boundary state in a minute region of nano-meter order.例文帳に追加

集束イオンビームを利用した不純物同定、元素分析、組成、結晶性、表面界面状態をナノメートルオーダーの微小領域で分析可能とする。 - 特許庁

To solve the difficulty where since the conventional analysis method does not have a special resolution required for a two-dimensional or three- dimensional element analysis, it is difficult to measure impurity amount in a semiconductor in a fine part.例文帳に追加

従来の解析方法は、二次元あるいは三次元的な元素分析に必要な空間分解能を有していないため、微少な部分の半導体中の不純物量を測定することは困難である。 - 特許庁

In a substrate 1 for impurity analysis, on which impurities of an inorganic or organic type in the air of a clean room are adsorbed, a main surface 2 to be used as an impurity adsorbing surface is formed by etching or the like into a rough surface 3.例文帳に追加

クリーンルーム気中の無機系、有機系の不純物を分析するために不純物を吸着させる不純物分析用基板１において、不純物の吸着面となる主面２をエッチング等により凹凸面３とする。 - 特許庁

In this filtration membrane 10 of the present invention for impurity analysis, a mesh filter 11 comprising a material having no infrared absorption or a material for total-reflecting an infrared ray, and comprising a ferromagnetic alloy having a Curie point of a volatilization temperature or a pyrolisis temperature, or more, of the impurity is formed to filtrate the impurity.例文帳に追加

本発明の不純物分析用濾過膜（１０）は赤外吸収がない材料或いは赤外線を全反射する材料であって、かつ、不純物の揮発温度又は熱分解温度以上のキュリー点をもつ強磁性合金から成り、不純物を濾過するためのメッシュ（１１）が形成されている。 - 特許庁

In the nanocarbon materials, combustion impurity concentration on the lower temperature side than the combustion peak in the thermogravimetric analysis of the nanocarbon materials in a nanounit is 1 to 30%, and the combustion peak in the thermogravimetric analysis is sharp.例文帳に追加

本発明にかかるナノカーボン材料は、ナノ単位のナノカーボン材料の熱重量分析の燃焼ピークよりも低温側の燃焼不純物濃度が１〜３０％であり、熱重量分析の燃焼ピークがシャープである。 - 特許庁

To provide an enrichment analyzer and a method for enrichment analysis capable of highly sensitively and stably analyzing a component difficult to separate an impurity component from a main component by a column as in analyzing arsine as an impurity in a monosilane.例文帳に追加

モノシラン中の不純物であるアルシンを分析する場合のように、主成分と不純物成分とをカラムで分離することが困難な成分の分析を高感度にかつ安定して行うことができる濃縮分析装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of analyzing impurity element in metallic sodium wherein operation is safe, the amount of sample is unlimited, and analysis accuracy is enhanced.例文帳に追加

安全な操作でしかも供試量に制限がなく、分析精度が向上する金属ナトリウム中の不純物元素の分析方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a calculation method of the diffusion coefficient of a metal impurity by measuring metal impurity concentration distribution along a few cm in the depth direction in quartz glass, regarding the diffusion of the metal impurity having an extremely fast diffusion rate in quartz glass in such a way that the diffusion distance reaches a few cm in a short diffusion time, for which heretofore the analysis has been difficult.例文帳に追加

従来分析が困難であった、短時間の拡散で拡散距離が数ｃｍにも及ぶ石英ガラス中の非常に速い拡散速度を持つ金属不純物の拡散について、石英ガラス中の、深さ方向に数ｃｍに渡る金属不純物濃度分布を測定し、金属不純物の拡散係数を算出する方法を提供する。 - 特許庁

In this method for measuring a quantity of an impurity in a gas sample filled in an analytical cell 12 for laser absorption spectroscopic analysis, a characteristic representative value in absorption of the gas sample is calculated under prescribed pressure, and the quantity of the impurity is determined quantitatively based on a preliminarily defined formula with respect to change of a characteristic as a function of the impurity.例文帳に追加

レーザー吸収分光分析の分析セルを充満させたガス試料中の不純物量を測定するこの方法は、所与圧力で、ガス試料の吸収の特性代表値を計算し、不純物量の関数としての特性の変化に対してあらかじめ定められた法則に基づいて不純物を定量化することにある。 - 特許庁

To provide a simple and universal analysis method for completely separating a halide ion contained in a metal oxide as an impurity from the metal oxide and for determining the amount of halide ion that exists in the metal oxide as a small amount of impurity.例文帳に追加

金属酸化物中に不純物として含まれるハロゲン化物イオンを、金属酸化物から完全に分離し、金属酸化物に微量の不純物として存在するハロゲン化物イオン量を定量するための簡便で汎用的な分析方法を提供する。 - 特許庁

To provide Pu (plutonium) quantitative analysis method capable of quantitatively analyzing Pu by using radiation measurement such as α-ray spectrometry even in an analysis target sample solution containing much impurity elements such as Ca interrupting α-ray measurement.例文帳に追加

Ｃａ等のα線計測を妨害する夾雑元素を多く含む分析対象試料溶液であっても、α線スペクトロメトリー等の放射線計測を用いてＰｕを定量分析することが可能なＰｕ定量分析方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an analytic method and system for impurity concentration capable of easily and precisely analyzing the concentration of impurities in ultrapure water or process water having an extremely low impurity concentration without requiring any eluting operation and to provide an analytic method and system of impurity concentration desirably capable of precisely monitoring the concentration change in a fluid by the continuous concentration analysis of impurities.例文帳に追加

不純物濃度が極めて低い超純水や工程水等中の不純物の濃度を、溶離操作を伴わずに容易に精度良く分析できる方法およびシステムを提供するとともに、望ましくは、その不純物の濃度分析を連続的に行って流体中の濃度変化等を精度良く監視できるようにした不純物濃度分析方法およびシステムを提供する。 - 特許庁