「insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To form an insulating film good in insulating pressure-resistance on a substrate by high frequency bias sputtering.例文帳に追加

高周波バイアススパッタリングにより絶縁耐圧の良い絶縁膜を基板に成膜すること - 特許庁

First, a gate line is formed on an insulating substrate and a gate insulating layer that covers the gate line is formed.例文帳に追加

まず、絶縁基板上にゲート線を形成し、ゲート線を覆うゲート絶縁層を形成する。 - 特許庁

SURFACE MOUNTED ELECTRONIC DEVICE, INSULATING SUBSTRATE BASE MATERIAL, INSULATING SUBSTRATES, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

表面実装型電子デバイス、絶縁基板母材、絶縁基板、及びこれらの製造方法 - 特許庁

In the tunnel magnetoresistive effect element, the insulating layer 12 formed on a substrate 11 is formed integrally with the insulating barrier layer 20.例文帳に追加

基板１１上に形成された絶縁層１２が絶縁障壁層２０と同一体となっている。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck capable of electrostatically attracting an insulating substrate such as a glass substrate, and an insulating substrate heating and cooling device using the electrostatic chuck and a temperature control method of the insulating substrate.例文帳に追加

ガラス基板などの絶縁性基板を静電吸着することができる静電チャック、その静電チャックを用いた絶縁性基板加熱加熱冷却装置および絶縁性基板の温度制御方法を提供する。 - 特許庁

The SOI substrate 10 comprises the support substrate 12, the insulating film 14 (substrate insulating film) provided on the support substrate 12, and the silicon active layer 16 (silicon layer) provided on the insulating film 14.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１０は、支持基板１２、支持基板１２上に設けられた絶縁膜１４（基板絶縁膜）、および絶縁膜１４上に設けられたシリコン活性層１６（シリコン層）を有している。 - 特許庁

The insulating substrate with the adhesive used for the substrate for mounting the semiconductor comprises the insulating substrate with flexibility and the adhesive, and either of the insulating substrate or the adhesive has high moisture permeability.例文帳に追加

可とう性の絶縁基材と、接着剤からなる接着剤付絶縁基材であって、絶縁基材もしくは接着剤のいずれかが高透湿性である半導体搭載用基板に用いる接着剤付絶縁基材。 - 特許庁

An insulating substrate is provided, a recess bath of a conductive circuit is etched inside the insulating substrate and the first kind of jelly object which generates bridge function with the insulating substrate is put in the recess bath of the conductive substrate.例文帳に追加

主に絶縁基板を提供し、該絶縁基板内に導電回路の凹槽をエッチングし、該絶縁基板とブリッジ作用を生じる第一ゼリー体を該導電回路の凹槽中に充填する。 - 特許庁

The insulating substrate with the adhesive used for the substrate for mounting the semiconductor comprises the insulating substrate with flexibility and the adhesive, and either of the insulating substrate or the adhesive has low moisture permeability.例文帳に追加

可とう性の絶縁基材と、接着剤からなる接着剤付絶縁基材であって、絶縁基材もしくは接着剤のいずれかが低透湿性である半導体搭載用基板に用いる接着剤付絶縁基材。 - 特許庁

The insulating layer substrate 2 has a volume resistivity of 108-1013 Ωcm at room temperature, and the supporting substrate 5 consists of substantially the same material as the insulating layer substrate 2, and an insulating spacer 6 is interposed between the insulating layer substrate 2 and the supporting substrate 5.例文帳に追加

絶縁層基板２は、室温での体積抵抗率が１０^８〜１０^１３Ωｃｍであり、支持基板５は絶縁層基板２と実質的に同一材料からなり、絶縁層基板２と支持基板５との間に絶縁スペーサー６が介装されている。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING ELECTRODEPOSITION INSULATING COATING FILM, MEMBER PROVIDED WITH ELECTRODEPOSITION INSULATING COATING FILM, MEMBER COATED WITH ELECTRODEPOSITION INSULATING FILM AND SUBSTRATE例文帳に追加

電着絶縁塗膜形成方法、電着絶縁塗膜を備える部材並びに電着絶縁皮膜付き部材及び基板 - 特許庁

The insulating space is provided on the electrode wall and no insulating spacer exists on a portion of the electrode wall between the substrate and the insulating spacer.例文帳に追加

絶縁スペーサが電極壁体上に提供され、基板と絶縁スペーサ間の電極壁体の部分上には絶縁スペーサが存在しない。 - 特許庁

The thickness of the insulating films 12A, 12B differ each other and the thickness of the insulating film 12B is the thinnest gate insulating film on the substrate 10.例文帳に追加

絶縁膜１２Ａ，１２Ｂは、厚さが異なり、絶縁膜１２Ｂは基板１０上で最も薄いゲート絶縁膜である。 - 特許庁

A first insulating film performing as a tunnel insulating film, an electric charge storage layer, and a second insulating film are formed between a semiconductor substrate and an electrical conductive film.例文帳に追加

半導体基板と導電膜の間には、トンネル絶縁膜として機能する第１絶縁膜、電荷蓄積層、第２絶縁膜が形成されている。 - 特許庁

A first insulating film 11a, a second insulating film 11b, and a third insulating film 12 whose etching rates are different are formed on the surface of a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基体１０の表面上にエッチングレートの異なる第１、第２及び第３の絶縁膜１１ａ、１１ｂ、１２を形成する。 - 特許庁

Further, the first insulating film IL1 has less stress exerted on the silicon substrate 1 than the second insulating film IL2 and the third insulating film IL3.例文帳に追加

更に、第１絶縁膜ＩＬ１は、第２絶縁膜ＩＬ２および第３絶縁膜ＩＬ３よりも、シリコン基板１に対して及ぼす応力が小さい。 - 特許庁

Also, the insulating separative layer 6 comprises an insulating film 6a and a conductive layer 6b, and separates in an insulating way its Si layer 12 from its Si substrate 1.例文帳に追加

また、絶縁分離層６は、絶縁膜６ａおよび導電層６ｂからなり、Ｓｉ層１２とＳｉ基板１との間を絶縁分離する。 - 特許庁

A first base insulating film, a second base insulating film, a semiconductor layer, and a gate insulating film are formed in this order from below over a substrate.例文帳に追加

基板上に下から第１の下地絶縁膜、第２の下地絶縁膜、半導体層及びゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate, a first insulating layer 1, a second insulating layer 2, and a third insulating layer 3 are stacked in order.例文帳に追加

半導体基板上に第１の絶縁層１、第２の絶縁層２、第３の絶縁層３の順番に積層する。 - 特許庁

A first interlayer insulating film is positioned on the substrate and a second interlayer insulating film is positioned on the first interlayer insulating film.例文帳に追加

基板の上に第１層間絶縁膜が位置し、第１層間絶縁膜の上に第２層間絶縁膜が位置する。 - 特許庁

The element isolation film 2 comprises a first insulating film 21 formed on the substrate, and a second insulating film 22 formed on the first insulating film 21.例文帳に追加

素子分離膜２は、基板上に形成された第１絶縁膜２１と、第１絶縁膜２１上に形成された第２絶縁膜２２と、を含む。 - 特許庁

The insulating layer is arranged on the insulating substrate, and the insulating layer includes a through-hole, a first end part, and a second end part.例文帳に追加

前記絶縁層は、前記絶縁基板に配置され、前記絶縁層は、スルーホールと、第一端部と、第二端部と、を含む。 - 特許庁

A first insulating material is deposited on a substrate 202 and a second insulating material 232 having a sacrificial portion is deposited over the first insulating material.例文帳に追加

基板２０２上に第１の絶縁材が堆積され、この上に、犠牲部分を有する第２の絶縁材２３２が堆積される。 - 特許庁

A third insulating film is then formed on the surface of the three-layer insulating film in the first area and on the surface of the substrate where the three-layer insulating film is removed.例文帳に追加

そして、第１の領域の３層絶縁膜表面、及び、３層絶縁膜の除去された基板の表面に、第３の絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Atmospheric pressure presses the insulating sheet 5, and the insulating sheet 5 is sucked and stuck to the side of the insulating substrate 1.例文帳に追加

大気圧が絶縁性シート５を押圧し、絶縁性シート５が絶縁性基板１側に吸引され、密着する。 - 特許庁

Then, a second insulating film having a film thickness different from that of the first insulating film 2 is formed on the substrate 1 on which the first insulating film 2 is etched.例文帳に追加

そして、第１の絶縁膜２がエッチングされた基板１上に、第１の絶縁膜２と異なる膜厚の第２の絶縁膜を形成する。 - 特許庁

One of the main surface of a semiconductor substrate 10 is formed by successively laminating an insulating film 12, an insulating film 14, and an insulating film 16.例文帳に追加

半導体基板１０の一方の主面には、絶縁膜１２、絶縁膜１４及び絶縁膜１６を順次に重ねて形成する。 - 特許庁

A first insulating material that becomes a sacrificial film is deposited on a substrate, and a second insulating material having a sacrificial portion is deposited on the first insulating material.例文帳に追加

基板上に犠牲膜となる第１の絶縁材が堆積され、該第１の絶縁材上に、犠牲部分を有する第２の絶縁材が堆積される。 - 特許庁

First, a gate line is formed on an insulating substrate and a gate insulating film made of an organic insulating material that covers the gate line is formed.例文帳に追加

まず、絶縁基板上にゲート線を形成し、ゲート線を覆う有機絶縁物質のゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The mounting substrate 12 includes: a first insulating layer 31, a second insulating layer 32 and a third insulating layer 33.例文帳に追加

実装基板１２は、第１絶縁層３１、第２絶縁層３２および第３絶縁層３３を備えている。 - 特許庁

To improve adhesibility by forming an adhesion layer, between an inter-metal interlayer insulating film and a protection insulating film, and to prevent a protective insulating film from peeling off near the outer periphery of a semiconductor substrate.例文帳に追加

メタル層間絶縁膜と保護絶縁膜との間に接着層を形成することにより、密着性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer substrate which is especially usable for a composite substrate in which a substrate is directly mounted on a substrate, and to provide a method of manufacturing a multilayer substrate in which the substrate can be mounted without laying an insulating sheet or an insulating material.例文帳に追加

基板の上に直接基板を搭載する複合基板に特に有効な多層基板の製造方法を供給するもので、絶縁シートや絶縁材料をしかなくとも、搭載可能な多層基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an insulating substrate excellent in heat dissipation characteristics and capable of preventing thermal stress from working to a semiconductor element while a temperature cycle is loaded, an insulating circuit board and a semiconductor device using the insulating substrate, as well as a method for manufacturing the insulating substrate and a method for manufacturing the insulating circuit board.例文帳に追加

放熱特性に優れ、かつ、冷熱サイクル負荷時において半導体素子に熱応力が作用することを抑制することが可能な絶縁基板、この絶縁基板を用いた絶縁回路基板および半導体装置、並びに、絶縁基板の製造方法及び絶縁回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device having a semiconductor layer formed on an insulating substrate of resin, a heat insulation layer is provided on the opposite sides of the insulating substrate, an insulating layer having a high thermal conductivity is provided on the heat insulation layer on one side of the insulating substrate and the semiconductor layer is provided on the insulating layer.例文帳に追加

樹脂性の絶縁性基板上に半導体層を形成してなる半導体装置において、絶縁性基板の両面に断熱層を設け、絶縁性基板の片面の断熱層上に熱伝導率が大きい絶縁性層を設け、絶縁性層上に半導体層を設けた。 - 特許庁

The semiconductor device comprises the substrate, a first insulating film formed on the substrate, the gate insulating film, constituted of a second insulation film formed on the first insulating film, and the gate electrode formed on the second insulating film.例文帳に追加

半導体装置において、基板と、この基板に形成された第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜上に形成された第二の絶縁膜からなるゲート絶縁膜と、第二の絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備える。 - 特許庁

An SOI substrate 1 has a supporting substrate 12, an insulating film 14 (a first insulating film), an insulating film 16 (a second insulating film), and a silicon layer 18 ( a silicon active layer).例文帳に追加

ＳＯＩ基板１は、支持基板１２、絶縁膜１４（第１の絶縁膜）、絶縁膜１６（第２の絶縁膜）、およびシリコン層１８（シリコン活性層）を備えている。 - 特許庁

A manufacturing method of the substrate for the liquid discharge head includes a step of preparing the substrate provided with an insulating layer formed of an insulating material, and a step of forming a conduction layer formed of a conductive material on the insulating layer or above separately from the insulating layer.例文帳に追加

絶縁性材料からなる絶縁層が設けられた基板を用意する工程と、絶縁層の上または絶縁層から離れた上方に、導電性材料からなる導電層を形成する工程と、を有する。 - 特許庁

The flatness of a main surface Sb of the insulating sheet 18 not opposed to the insulating substrate 12 is higher than that of a main surface Sb of the insulating sheet 18 opposed to the insulating substrate 12.例文帳に追加

絶縁シート１８の絶縁基板１２に対向していない主面Ｓｂの平面度は、絶縁シート１８の絶縁基板１２に対向している主面Ｓｂの平面度よりも高い。 - 特許庁

The analysis module includes an insulating substrate 306 and a micro-channel 310 within the insulating substrate's upper surface 308.例文帳に追加

分析モジュールは、絶縁基板３０６と、絶縁基板の上面内３０８のマイクロチャネル３１０とを含む。 - 特許庁

The wetting performance of the resistor 4 to the insulating substrate 4 is improved and the resistor 4 is spread over the insulating substrate 4 by levelling.例文帳に追加

そして、抵抗体４の絶縁基板４に対するぬれ性は改善され、抵抗体４はレベリングにより絶縁基板４の上に広がる。 - 特許庁

Moreover, since discharging is performed perpendicularly to the insulating substrate, the wiring pattern is not affected by dust or defects on the insulating substrate and no faulty pattern is formed.例文帳に追加

また、絶縁基板に対して垂直に吐出することで、ほこりや絶縁基板に存在する欠陥に影響されず、パターン不良を発生させない。 - 特許庁

The wiring board (1) is provided with an insulating substrate (2) including a glass component and a wiring conductor (3) arranged in the insulating substrate (2).例文帳に追加

配線基板（１）は、ガラス成分を含む絶縁基板（２）と、絶縁基板（２）に設けられた配線導体（３）とを有する。 - 特許庁

EXPANDABLE POLYSTYRENE RESIN PARTICLE FOR HEAT INSULATING MATERIAL USED FOR SUBSTRATE MATERIAL FOR ROOF, AND HEAT INSULATING MATERIAL FOR THE SUBSTRATE MATERIAL FOR ROOF例文帳に追加

屋根用下地材に用いる断熱材用発泡性ポリスチレン系樹脂粒子及び屋根用下地材用断熱材 - 特許庁

Two relay bases (heat conductive member) 7 are jointed on an insulating substrate 2, across an insulating substrate 5 and a Peltier element 6.例文帳に追加

絶縁基板５及びペルチェ素子６を間に挟むようにして２個の中継台（伝熱性部材）７が絶縁基板２上に接合されている。 - 特許庁

An opening 26 at regular intervals is formed between an insulating substrate 23a as an uppermost layer and a bus bar 22a positioned on the lower side of the insulating substrate.例文帳に追加

最上層の絶縁基板２３ａとその下側に位置するバスバー２２ａとの間には、所定間隔の隙間２６が設けられている。 - 特許庁