| 意味 | 例文 |
inter-secondの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 395件
An inter-stage variable matching network (32) is electrically coupled to the transmission line between the first and second FETs.例文帳に追加
第1及び第2FET間において、段間可変整合ネットワーク(32)が伝送線路に電気的に結合される。 - 特許庁
The inter-line distance L1 between the first and second wires 17, 18 is determined by the diameter of the dummy wire 19.例文帳に追加
第1及び第2のワイヤ17,18間の線間距離L1はダミーワイヤ19の直径によって決定される。 - 特許庁
An inter-level via is etched through the second dielectric layer and the second stop layer 30, and the metal is filled into the via and is brought into contact with the metallization.例文帳に追加
レベル間バイアが第2の誘電体層及び第2のストップ層30を通してエッチングされ、金属がバイア内に充填されて金属化層と接触する。 - 特許庁
In the erect life-size lens array plate 11, a plurality of V-shaped grooves 40 are formed on a second inter-lens area 24f on the second face 24d.例文帳に追加
正立等倍レンズアレイプレート11において、第2面24dにおける第2面レンズ間領域24fには、複数のV溝40が形成される。 - 特許庁
In this case, the organic inter layer film 5 is provided so as to cover only the lower part of the contact metal 3, and a second insulating film 6 is formed on the surfaces of the organic inter layer film 5 and the contact metal 3.例文帳に追加
この場合、コンタクトメタル3の下部のみを覆うように有機層間膜5を設け、有機層間膜5およびコンタクトメタル3の表面に第2の絶縁膜6を形成する。 - 特許庁
The slide valve 27 is provided close to the inter-blade flow passage 16 in the second nozzle 23 to be positioned at the downmost flow end of an exhaust flow passage connected to the inter-blade flow passage 16.例文帳に追加
スライドバルブ27は、第2ノズル23における上記翼間流路16寄りに設けられており、その翼間流路16に繋がる排気流路の最下流端に位置している。 - 特許庁
The line automatic allocation means perform inter-group communication between two of the plurality of first transmission and reception means and the second transmission reception means, and switch the inter-group communication at time interval to allow inter-group communication in all the plurality of groups.例文帳に追加
回線自動割付手段は、複数の第1送受信手段および第2送受信手段のうちの2つの間で群内通信を行い、群内通信を時間毎に区切って切り換えることにより全ての複数の群において行わせる。 - 特許庁
The selective gate line SGSL is formed by laminating a first gate electrode, an inter-gate insulating film, and a second gate electrode in this order, and the inter-gate insulating film has an EI pattern for bringing the first gate electrode into contact with the second gate electrode.例文帳に追加
選択ゲート線SGSLは、第1ゲート電極、ゲート間絶縁膜、第2ゲート電極の順序で積層され、ゲート間絶縁膜は第1ゲート電極と第2ゲート電極とを接触させるためのEIパターンを有する。 - 特許庁
Under the control of the base station 200, the communications terminal 100 suppresses the inter-terminal direct communication by the second communication means at times, other than the communication regulation and enables the inter-terminal direct communication by the second communication means at times of the communication regulation.例文帳に追加
通信端末100は、基地局200の制御下で、通信規制時以外は第2の通信手段による端末間直接通信を抑止し、通信規制時に第2の通信手段による端末間直接通信を可能とする。 - 特許庁
A second metal pad 112 formed on a semiconductor substrate 100 is directly connected through a second inter-layer insulation layer 106, and a third inter-layer insulation layer 110 to a first metal pad 108 and a P-poly pattern 104.例文帳に追加
半導体基板100に形成された第2メタルパッド112が第2層間絶縁層106および第3層間絶縁層110を介して第1メタルパッド108およびP−ポリパターン104と直接接続される。 - 特許庁
The photoelectric conversion device is provided with the photoelectric conversion element and an element isolation region disposed to a semiconductor substrate, and has a plurality of inter-layer insulating layers including a first inter-layer insulating layer disposed most closely to the semiconductor substrate and a second inter-layer insulating layer disposed covering the first inter-layer insulating layer.例文帳に追加
光電変換装置は、半導体基板に配された光電変換素子と素子分離領域とを有し、半導体基板に最も近接して配された第1の層間絶縁層と、第1の層間絶縁層を覆って配された第2の層間絶縁層と、を含む複数の層間絶縁層とを有する。 - 特許庁
In a pair of adjacent stack contacts 141, 143 in a semiconductor device 100, plugs 135, 139 are arranged so that an inter-center distance of the plug 139 passing through a second inter-layer insulating film 114 thicker than a first inter-layer insulating film 109, is larger than the inter-center distance of the plug 135 passing through the first inter-layer insulating film 109.例文帳に追加
半導体装置100中の一対の隣接するスタックコンタクト141およびスタックコンタクト143において、第一層間絶縁膜109より厚い第二層間絶縁膜114を貫通するプラグ139の中心間距離が、第一層間絶縁膜109を貫通するプラグ135の中心間距離よりも大きくなるように、プラグ135およびプラグ139を配置する。 - 特許庁
A second rotor unit comprises second permanent magnet sections each having a magnetic pole direction that is the same direction as the magnetic pole direction of the first permanent magnet sections, and including a second magnetic gap surface which is disposed while being opposed to a second stator gap surface and becomes a second magnetic pole, and a second inter-magnet core section.例文帳に追加
第2ロータ部は、第1永久磁石部の磁極方向と同じ向きの磁極方向を有し、第2ステータギャップ面と対向配置され第2磁極となる第2磁石ギャップ面をそれぞれ備える第2永久磁石部と、第2磁石間コア部とを備える。 - 特許庁
Inter-phase insulating paper 30 is composed of first and second slot insertions 32, 32' that are parallel with each other and inserted into slots of a stator, and first and second inter-phase insulators 34, 34' that are integrally formed to both ends of the first and the second slot insertions 32, 32'.例文帳に追加
相間絶縁紙30は、互いに平行であるとともに、ステータのスロットに挿入される第1及び第2のスロット挿入部32,32’と、第1及び第2のスロット挿入部32,32’の両端に一体的に形成された第1及び第2の相間絶縁部34,34’とからなる。 - 特許庁
With a first resist 13a and a second resist 13b as masks, a first inter-layer insulating film 12a and a second inter-layer insulating film 12b are vertically etched, and a first contact hole upper region 15a and a second contact hole upper region 15b are formed.例文帳に追加
第1のレジスト13a及び第2のレジスト13bをマスクにして、第1の層間絶縁膜12a及び第2の層間絶縁膜12bをそれぞれ垂直にエッチングし、第1のコンタクトホール上部領域15a及び第2のコンタクトホール上部領域15bを形成する。 - 特許庁
The vehicle control device is provided with a second vehicle state adjusting means for increasing/decreasing the inter-vehicle distance or the vehicle speed by the driver.例文帳に追加
この時、ドライバによって車間距離又は自車速を増減させる第2車両状態調整手段を設けた。 - 特許庁
The semiconductor apparatus is constituted so that a first semiconductor wafer 31 and a second semiconductor water 45 connected together by inter-substrate wiring 68.例文帳に追加
第1の半導体ウェハ31と、第2の半導体ウェハ45とを、基板間配線68で接続する構成とする。 - 特許庁
The inter-die distance adjusting mechanism 20 includes a wedge mechanism 30 and first and second reciprocating mechanism portions 40A and 40B.例文帳に追加
型間距離調整機構20は、くさび機構部30と第1,第2の往復動機構部40A,40Bとを含む。 - 特許庁
Then, the inter-layer insulating film 140 is ground till the waveform upper end 320 Pu of the second ion layer 320 appears.例文帳に追加
その後、層間絶縁膜140を、第2イオン層320の波形上端部320Puが表出するまで研磨する。 - 特許庁
A picture quality improving means acquires a third image by operating inter-image interpolation processing to a plurality of second images.例文帳に追加
画質向上手段は、連続する複数の第2の画像に対する画像間補間処理により第3の画像を得る。 - 特許庁
The second input/output module outputs the output packet to the inter-area destination address via the predetermined network.例文帳に追加
第2の入出力モジュールは、所定のネットワークを介して、出力パケットを異地域間宛先アドレスに出力する。 - 特許庁
When there is the inter-vehicular space allowing entering, a first join guidance for entering the inter-vehicular space without deceleration is provided, and when there is no inter-vehicular space allowing entering, a second join guidance for entering after deceleration or stopping is provided.例文帳に追加
そして、合流可能な車間スペースがある場合には、減速せずに車間スペースに合流するための第1の合流案内を行い、合流可能な車間スペースが無い場合には、減速又は停止後に合流を行うための第2の合流案内を行う。 - 特許庁
Communication function information indicating characteristics which have influences on the transfer time with respect to each of all available inter-process communication functions (a first inter-process communication function 41 and a second inter-process communication function 42) is stored in a communication function information storage part 31.例文帳に追加
通信機能情報記憶部31は、利用可能な全てのプロセス間通信機能(第1のプロセス間通信機能41および第2のプロセス間通信機能42)の各々につき、転送時間に影響を与える特性を示す通信機能情報を記憶する。 - 特許庁
Likewise, a second barrier layer 10 and an upperlayer wiring 11 are formed in the trenches 8 of the second inter-layer insulating films 7 containing second porous low dielectric-constant films 7b through second sidewall protective films 9 formed on the side walls of the trenches 8.例文帳に追加
同様に、多孔質の第2低誘電率膜7bを含む第2層間絶縁膜7のトレンチ8内にその側壁に設けられた第2側壁保護膜9を介して第2バリア層10および上層配線11が形成される。 - 特許庁
This tire has a belt layer 7 including first, second and third belt plies 7A to 7C, and in the second and third belt plies 7B and 7C, an inter- cord distance Ys of the belt ply of the outside area YS is set smaller than an inter-code distance Yc of a central area YC.例文帳に追加
第1、第2、第3のベルトプライ7A〜7Cを含むベルト層7を有し、第2、第3のベルトプライ7B、7Cは、外側領域YSのベルトプライのコード間距離Ysを、中央領域YCのコード間距離Ycよりも小としている。 - 特許庁
An inter-shaft distance T4 between a spindle 23b of the lower side blade 26 and a connection shaft 26b is made longer than an inter-shaft distance T3 between a spindle 23b of the intermediate blade 27 and the second connection shaft 27c.例文帳に追加
また、下側ブレード26の支軸23bと連結軸26bとの軸間距離T4を、中間ブレード27の支軸23bと第2連結軸27cとの軸間距離T3よりも長くする。 - 特許庁
Then, a thin film coil 15 in the second layer is formed on the recording gap layer 10, and an inter-coil connecting part 15A integrated with a thin coil 15 is formed on the exposed face of the inter-coil connecting part 13A.例文帳に追加
次に、記録ギャップ層10の上に第2層目の薄膜コイル15を形成すると共に、コイル間接続部13Aの露出面に薄膜コイル15と一体をなすコイル間接続部15Aを形成する。 - 特許庁
An inter-integrated circuit port is configured to be connected to an external inter-integrated circuit bus connected to the internal bus and provided with a first buffer, and operable to transmit data at a second transmission rate.例文帳に追加
集積回路間ポートは、内部バスに接続され、第1のバッファを備え、第2の送信速度でデータを送信するように動作できる外部集積回路間バスに接続するように構成される。 - 特許庁
At either one of the first and second devices, an inter-device distance between the first and second devices is calculated, on the basis of the detected three-dimensional position.例文帳に追加
そして、第1及び第2の装置のいずれかにおいて、検出された3次元位置に基づいて第1の装置と第2の装置の間の装置間距離を算出する。 - 特許庁
Further, the second metal body 28 is made of the gold-silver alloy, so production of the inter-metal compound between the second metal body 28, and metal pads 22 and 24 is suppressed.例文帳に追加
しかも、第2金属体28は金銀合金から形成されることから、第2金属体28と金属パッド22、24との間で金属間化合物の生成は抑制される。 - 特許庁
Subsequently, the liquid material is used to form second patterns filled between the electrode regions and to form the inter-electrode regions in a second oxidation firing step.例文帳に追加
続いて、上記液体材料を用いて電極領域の間を埋める第2パターンを形成し、第2酸化焼成工程により電極間領域を形成する。 - 特許庁
An opening 31 is provided in the second conductive pattern 9 and the inter-layer insulating film 5 in a position of overlap between the second conductive pattern 9 and the first conductive pattern 3.例文帳に追加
第2導電パターン9と第1導電パターン3とが重なる位置には、第2導電パターン9および層間絶縁膜5に開口部31が設けられている。 - 特許庁
The slide rail 1 is provided with an outer channel (first rail) 11, an inter channel (second rail) 12, an inner channel (third rail) 13, a first engaging mechanism 14 and a second engaging mechanism 15.例文帳に追加
スライドレール1は、アウターチャネル(第1レール)11、インターチャネル(第2レール)12、インナーチャネル(第3レール)13、第1係止機構14、第2係止機構15を備える。 - 特許庁
An inter-segment string relation identification means 24 identifies the relation between the discriminated first segment string and second segment string.例文帳に追加
文節列間関係同定手段24は、この識別された第一の文節列と第二の文節列との関係を同定する。 - 特許庁
On April 13, the German soccer team Schalke beat the Italian team Inter Milan 2-1 in the second leg of the quarterfinals of the UEFA Champions League. 例文帳に追加
4月13日,ドイツのサッカークラブ,シャルケがUEFAチャンピオンズリーグ準々決勝の第2戦でイタリアのクラブ,インテル・ミラノを2-1で破った。 - 浜島書店 Catch a Wave
Each of the first and second devices controls transmission output for the radio communication on the basis of the inter-device distance.例文帳に追加
第1及び第2の装置のそれぞれは、上記装置間距離に基づいて無線通信のための送信出力を制御する。 - 特許庁
An electrostatic damage prevention circuit comprises an inter-power source protection transistor between a first power source wiring and a second power source wiring.例文帳に追加
静電気破壊防止回路は、第1の電源配線と第2の電源配線との間に電源間保護トランジスタを有する。 - 特許庁
Each of the first and second devices then control the transmission output for radio communication, on the basis of the inter-device distance.例文帳に追加
そして、第1及び第2の装置のそれぞれは、装置間距離に基づいて無線通信のための送信出力を制御する。 - 特許庁
The inter-task messages are supplied to a second function task means 61 by a first transmission means 52 and a reception means 67.例文帳に追加
このタスク間メッセージは、第一送信手段52および受信手段67により、第二機能タスク手段61へ供給される。 - 特許庁
The via has a concave portion at an upper portion beneath an inter-wire region between the first wire and the second wire.例文帳に追加
前記ビアは、前記第1の配線と前記第2の配線の間の領域である配線間領域下の上端に凹部を有する。 - 特許庁
An inter layer dielectric layer 31, 32 are located on a side of first main surface 13 and side of second main surface 14 of the core substrate 12.例文帳に追加
層間絶縁層31,32は、コア基板12の第1主面13側及び第2主面14側に配置されている。 - 特許庁
This inter-device connection system is provided with: an inter-device connection apparatus for transmission connected to a first bus to which one or more devices for bus connection are connected; and an inter-device connection apparatus for reception connected to a second bus to which one or more devices for bus connection are connected.例文帳に追加
本発明のデバイス間接続システムは、バス接続を前提とする1以上のデバイスが接続された第1のバスに接続された送信用デバイス間接続装置と、バス接続を前提とする1以上のデバイスが接続された第2のバスに接続された受信用デバイス間接続装置とを備える。 - 特許庁
A resist mask R1 is removed and an inter-electrode dielectric 31 is formed on the surface of the horizontal inter-CCD transfer electrode 12, and then a second conductive silicon film 32 is accumulated on the inter-electrode dielectric 31 and on the exposed face of the gate insulating film 23 (Fig.2(c)).例文帳に追加
次いで、レジストマスクR1を除去し、水平CCD間転送電極12の表面に電極間絶縁膜31を形成した後、電極間絶縁膜31上及びゲート絶縁膜23の露出面上に第2の導電性シリコン膜32を堆積する(図2(c))。 - 特許庁
A modulation and demodulation side CPU 115 outputs an inter-CPU level control command signal 147 and makes a second modulation and demodulation side detection circuit 159 detect the inter-CPU level control command signal 147, and an automatic gain control amplifier 167 outputs an RF signal 172 with a transmission level controlled on the basis of the inter-CPU level control command signal.例文帳に追加
変復調側CPU115はCPU間レベル制御コマンド信号147を出力して第2の変復調側検出回路159で検出させ、これを基にして自動利得制御増幅器167が送信レベルの制御されたRF信号172を出力する。 - 特許庁
On the other hand, on the second inter-layer film 20, there are provided main wiring 36 of X-bridge wiring 31 and main wiring 36 of Z-detection upper electrode wiring 33 in a direction crossing the inter-element wiring 43.例文帳に追加
一方、第2層間膜20上において、素子間配線43を横切る方向にX−ブリッジ配線31の主配線36およびZ−検出上部電極配線33の主配線36が敷設されている。 - 特許庁
After a second inter-layer insulation film 120 is formed on the capacity upper electrode 119, a third plug 121 for connecting the impurity diffusion layer 111 and upper layer wiring 122 is formed on the respective inter-layer insulation films.例文帳に追加
容量上部電極119の上に第2の層間絶縁膜120を形成した後、各層間絶縁膜に、不純物拡散層111と上層配線122とを接続する第3のプラグ121を形成する。 - 特許庁
On a second inter-layer film 20 on a SOI substrate 2 with which a pair of X-detection elements D_X are provided on a surface 21, inter-element wiring 43 is laid which connects these X-detection elements D_X.例文帳に追加
表面21に一対のX−検出素子D_Xが設けられたSOI基板2上の第2層間膜20上に、これらX−検出素子D_X間を接続する素子間配線43を敷設する。 - 特許庁
The organic EL device 1 has a foundation protecting layer 3, a TFT 90, a first inter-layer insulating film 5, a source-drain electrode 42, a second inter-layer insulating film 6, and a pixel electrode 11 formed on a translucent substrate 2.例文帳に追加
有機EL装置1において、透光性基板2上には、下地保護膜3、TFT90、第1の層間絶縁膜5、ソース・ドレイン電極42、第2の層間絶縁膜6、画素電極11が形成されている。 - 特許庁
A gate voltage which is to be applied to the second gate electrode 13 is divided by the gate insulating film 7 and the inter-gate electrode insulating film 11.例文帳に追加
第2ゲート電極13に印加されるゲート電圧はゲート絶縁膜7とゲート電極間絶縁膜11で分割される。 - 特許庁
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