「interface oxide」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The breakdown of an interface oxide film of a polysilicon/silicon interface is accelerated, and emitter parasitic resistance is reduced.例文帳に追加

ポリシリコン／シリコン界面の界面酸化膜の破壊が促進され、エミッタ寄生抵抗が低減される。 - 特許庁

An oxide Mo layer is formed on an interface between the Mo layer and the Si layer.例文帳に追加

Ｍｏ層とＳｉ層の界面に酸化Ｍｏ層を形成する。 - 特許庁

INTERFACE STRUCTURE OF OXIDE THIN FILM AND FORMING METHOD THEREFOR, AND THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

酸化薄膜の界面構造とその形成方法、及び薄膜トランジスタ - 特許庁

METHOD FOR FORMING INTERFACIAL OXIDE LAYER ON INTERFACE OF SEMICONDUCTOR/DIELECTRIC例文帳に追加

半導体／誘電体の界面に面間酸化物層を形成する方法 - 特許庁

To reduce degradation of image quality caused by interface state occurrence of oxide film interface, by means of CMP (Chemical Mechanical Polishing).例文帳に追加

ＣＭＰ（化学機会研磨）による、酸化膜界面の界面準位発生による画質低下を低減する。 - 特許庁

To decrease a density of an interface state formed in an interface between silicon carbide semiconductor layer and a silicon oxide layer.例文帳に追加

炭化珪素半導体層と酸化珪素層の界面に形成される界面準位の密度を小さくする。 - 特許庁

METHOD AND STRUCTURE FOR IMPROVING OXIDE/SILICON-NITRIDE INTERFACE SUBSTRUCTURE例文帳に追加

酸化物／窒化シリコン界面サブストラクチャを改善するための方法および構造 - 特許庁

The titanium oxide layer contains particles of anatase titanium oxide and the particles of titanium oxide bond to their adjacent particles of titanium oxide so that the crystal lattice of the bonded particles of titanium oxide is matched at an interface between the particles.例文帳に追加

酸化チタン層は、アナターゼ型酸化チタン粒子を含み、隣接する酸化チタン粒子が結合し、結合した酸化チタン粒子の結晶格子が粒子間の界面にて整合している。 - 特許庁

The first gate insulated film 8 is a silicon oxide film as a underlying interface layer.例文帳に追加

第１のゲート絶縁膜８は、下地界面層としてのシリコン酸化膜である。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING METAL OXIDE INTERFACE WITH SILICON例文帳に追加

シリコンとの金属酸化物インタフェースを備える半導体構造の作成方法 - 特許庁

Thus, an interface between the formed oxide film, the SiC can be made in a more ideal state, and proper insulating film having a small interface level of the oxide film/SiC interface can be obtained.例文帳に追加

そのため形成される酸化膜とＳｉＣ界面をより理想的な状態にすることができ、酸化膜／ＳｉＣ界面の界面準位が小さく、良好な絶縁膜を得ることができる。 - 特許庁

Nitrogen is added to the vicinity of an interface of an oxide semiconductor layer for improving the interface state between the oxide semiconductor layer and an insulation film (gate insulation layer) in contact with the oxide semiconductor layer.例文帳に追加

酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜（ゲート絶縁層）との界面状態を良好とするために、酸化物半導体層の界面近傍に窒素を添加する。 - 特許庁

The interface layers 103 and 105 are constituted as dielectric layers composed essentially of a mixture containing an oxide of Al, an oxide of Y and an oxide of Ta.例文帳に追加

界面層１０３、１０５は、Ａｌの酸化物、Ｙの酸化物、及び、Ｔａの酸化物を含む混合体を主成分とする誘電体層として構成される。 - 特許庁

The metal material preferably has a compound oxide produced by reacting the metal substrate with the metal oxide on the interface between the metal substrate and the metal oxide.例文帳に追加

前記金属基材と前記金属酸化物との界面に、金属基材と金属酸化物が反応して生成した複合酸化物を有することが好ましい。 - 特許庁

This oxide sliding interface-coated silicon carbide-based fiber is characterized by having an oxide interface layer capable of expressing a slipping effect even in a high temperature oxidizing atmosphere.例文帳に追加

繊維表面に、高温酸化雰囲気でも滑り効果を発現できる酸化物界面層を有することを特徴とする酸化物摺動界面被覆炭化ケイ素系繊維。 - 特許庁

To prevent increase in interface levels due to nitrogen atoms and hydrogen atoms on an interface between a semiconductor substrate and a silicon oxide film.例文帳に追加

半導体基板とシリコン酸化膜の界面での窒素原子および水素原子による界面準位の増加を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a gate oxide film/a semiconductor interface having an interface level density, and a method for forming the same.例文帳に追加

界面準位密度のゲート酸化膜／半導体界面が形成された半導体装置、および作製方法の提供。 - 特許庁

In the interface reaction layer, oxide or hydroxide of a bulb metal and fluoride of the bulb metal are made to coexistence on the interface reaction layer.例文帳に追加

界面反応層には、バルブメタルの酸化物又は水酸化物とバルブメタルのフッ化物が界面反応層に共存している。 - 特許庁

The active region 34 has an adequate roundness at the interface with the isolating oxide film 32.例文帳に追加

活性領域３４は、分離酸化膜３２との境界部に、適切な丸みを有する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING CRYSTALLINE ALKALINE EARTH METAL SILICON NITRIDE/OXIDE INTERFACE ON SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコンとの結晶性アルカリ土類金属窒化／酸化シリコン・インタフェースを有する半導体構造 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRUCTURE EQUIPPED WITH CRYSTALLINE ALKALINE EARTH METALLIC OXIDE INTERFACE HAVING SILICON例文帳に追加

シリコンを有する結晶性アルカリ土類金属酸化物インターフェースを備える半導体構造 - 特許庁

The thin Si layer is consumed by oxidation of an interface of the thin Si with the embedded oxide.例文帳に追加

薄いＳｉ層は埋込み酸化物／薄いＳｉの界面の酸化によって消費される。 - 特許庁

METHOD OF STABILIZING INTERFACE BETWEEN OXIDE AND SEMICONDUCTOR BY GROUP V ELEMENT AND STABILIZED SEMICONDUCTOR例文帳に追加

５族元素による酸化物／半導体界面の安定化方法と安定化半導体 - 特許庁

Further, there is a layer of oxide on an interface between the hollow 7 and semiconductor substrate.例文帳に追加

中空７と半導体基板の界面に酸化物の層があることを特徴とする。 - 特許庁

The front most surface of a lower electrode 1 is made of a TiAlN film 3, and an oxide-based film 4, containing titanium oxide and aluminum oxide, is provided on an interface in between the TiAlN film 3 and the oxide dielectric film 5.例文帳に追加

下部電極１の最表面をＴｉＡｌＮ膜３とし、ＴｉＡｌＮ膜３と酸化物誘電体膜５との界面にチタン酸化物及びアルミ酸化物を含む酸化物系膜４を設ける。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of the semiconductor device having a silicon nitride oxide film whose interface roughness is small and interface level density is low.例文帳に追加

界面ラフネスが小さく、界面準位密度が低いシリコン窒化酸化膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, occurrence of stress is suppressed in the interface of the thermal oxide film and the semiconductor substrate.例文帳に追加

このため、熱酸化膜と半導体基板の界面において、応力の発生が抑制される。 - 特許庁

An identification code pattern 30 is formed in the interface between the bulk silicon layer 23 and silicon oxide film 22.例文帳に追加

識別コードパターン３０は、バルクシリコン層２３のシリコン酸化膜２２との界面に形成される。 - 特許庁

An oxide-based interface is provided between the high-K dielectric material and the underlying substrate.例文帳に追加

この高Ｋ誘電材料とその下の基板の間に酸化物ベースの界面が提供される。 - 特許庁

To provide a method and a structure for improving oxide/silicon- nitride interface substructure.例文帳に追加

酸化物／窒化シリコン界面サブストラクチャを改善するための方法および構造を提供すること。 - 特許庁

To enhance channel mobility by removing residual carbon on the interface of SiC and a gate oxide film thereby reducing an interface level densi ty.例文帳に追加

ＳｉＣとゲート酸化膜との界面における残留炭素を除去し、界面準位密度を低減させ、チャネル移動度を向上させる。 - 特許庁

The interpolation calculation unit plots points showing the direction of the silicon oxide film interface or the interface (ρ, ϕ) as a point P to plot into the triangular meshes 30.例文帳に追加

補間算出部は、シリコン酸化膜界面の方向を示す点である界面（ρ、φ）を点Ｐとして三角形網目３０にプロットする。 - 特許庁

To lower interface level density in an interface with an oxide film in a semiconductor device having an MOS structure using an SiC semiconductor.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体を用いたＭＯＳ構造を有する半導体装置において、酸化膜との界面における界面準位密度を低くする。 - 特許庁

The thermal oxide film 13 of a substrate prevents a structural defect in an interface level, or the like, and a CVD oxide film 14 formed on the thermal oxide film can adjust the thickness of the gate oxide film.例文帳に追加

下地の熱酸化膜１３により界面準位等の構造的欠陥が抑制されるとともに、当該熱酸化膜上に形成されたＣＶＤ酸化膜１４によってゲート酸化膜の厚み調整が可能となる。 - 特許庁

Thus, the gate oxide film is made even, the interface state density at the interface of the gate oxide film and epitaxial layer can be reduced, and the excellent MOSFET with channel resistance reduced can be achieved.例文帳に追加

したがって、ゲート酸化膜が均一で、且つゲート酸化膜とエピタキシャル層の界面における界面準位密度を低減でき、チャネル抵抗が低減された優れたＭＯＳＦＥＴが実現できる。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin metal oxide film by which the thin metal oxide film can be formed with a low interface state density.例文帳に追加

界面準位密度が低い金属酸化物薄膜を成膜することができる金属酸化物薄膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

A silicon oxide film as an interface layer 3 is formed by oxidizing the surface of the silicon substrate 1, when the metallic oxide film 2 is formed.例文帳に追加

金属酸化膜２の形成時に、シリコン基板１の表面を酸化させることにより、界面層３となるシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

An interface position between oxide and nonoxide thereon is specified by analyzing the composition distribution of elements diffused by an oxide concentration gradient.例文帳に追加

酸素濃度勾配によって拡散する元素の組成分布を分析することによって、酸化物とその上の非酸化物の界面位置を特定する。 - 特許庁

The energy beam is applied across the oxide film 3, thus forming the flat interface between the semiconductor thin film 3 and oxide film 3.例文帳に追加

酸化膜３越しにエネルギービームを照射することで、半導体薄膜５酸化膜３との間に平坦な界面を形成することができる。 - 特許庁

To provide an oxide film formation method for a semiconductor element capable of reducing the density of interface trap charge and oxide trap charge.例文帳に追加

本発明は、インタフェーストラップチャージ及びオキサイドトラップチャージの密度を減らすことが可能な半導体素子の酸化膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The Al layer 17 is made to react on the Ti oxide 16 through vacuum annealing to form an Al oxide layer 18 at an interface between the Al layer 17 and the Ti oxide 16 (d).例文帳に追加

真空アニールを行ってＡｌ層１７とＴｉ酸化物１６とを反応させて、Ａｌ層１７とＴｉ酸化物１６との界面にＡｌ酸化物層１８を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁

To reduce film thickness of a silicon oxide film interposing in an interface between a single crystal silicon and a tantalum oxide film, and to prevent leakage current in the tantalum oxide film.例文帳に追加

単結晶シリコンとタンタル酸化膜との界面に介在させるシリコン酸化膜の膜厚が厚くならないようにすると共に、タンタル酸化膜のリーク電流を防止できるようにする。 - 特許庁

To provide means for forming a gate oxide film consisting of a thermal oxide film on a silicon carbide substrate, while ensuring the planarity of an interface of the gate oxide film and the silicon carbide substrate.例文帳に追加

ゲート酸化膜と炭化珪素基板との界面の平坦性を確保しながら、炭化珪素基板上に熱酸化膜からなるゲート酸化膜を形成する手段を提供する。 - 特許庁

The active material layer contains lithium metal oxide, and includes interface part formed on the current collector, and the upper layer part formed on this interface part.例文帳に追加

活物質層は、リチウム金属酸化物を含み、集電体上に形成される界面部とこの界面部上に形成される上層部とを備える。 - 特許庁

The active material membrane is made of a lithium oxide, and has an interface layer formed on the current collector and an upper layer formed on the interface layer.例文帳に追加

活物質膜は、リチウム金属酸化物からなり、集電体上に形成される界面層とこの界面層上に形成される上部層とを備える。 - 特許庁