「interface oxide」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an oxide film of atom layer level wherein entrance of impurities into an oxidizing process of a silicon crystal surface is suppressed for flatter and evener interface between the oxide film and a semiconductor.例文帳に追加

シリコン結晶表面の酸化工程での不純物混入を抑制し、且つ酸化膜と半導体の界面をより平坦で均一にした原子層レベルの酸化膜を提供すること。 - 特許庁

To increase the nitriding rate of an oxide film while holding the inside of a processing chamber at a temperature of ≤800°C, and to suppress localization of nitrogen atoms nearby an interface between the oxide film and a substrate.例文帳に追加

処理室内の温度を８００℃以下に保持しつつ酸化膜の窒化速度を向上させると共に、酸化膜と基板との界面付近における窒素原子の局在を抑制する。 - 特許庁

To provide a method capable of removing selectively an amorphous oxide produced on the surface of an insulating oxide thin film without affecting on a barrier layer for interface reforming type bonding.例文帳に追加

界面改質型接合のバリア層に影響を与えることなく、絶縁性酸化物薄膜の表面に生成したアモルファス酸化物を選択的に除去できる方法を提供する。 - 特許庁

An intermediate layer made of a mixture of an ion conductive oxide in an electrolyte and an ion conductive oxide in a fuel electrode is installed on the interface of the electrolyte and the fuel electrode.例文帳に追加

電解質と燃料極の界面に、前記電解質におけるイオン導電性酸化物と、前記燃料極におけるイオン導電性酸化物を混合した中間層を有する。 - 特許庁

To provide a transistor with an excellent interface state between an oxide semiconductor layer and an insulation film in contact with the oxide semiconductor layer, and a manufacturing method for the same.例文帳に追加

酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜との界面状態が良好なトランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has oxide on a surface of a group III nitride-based compound semiconductor, the interface level density of an interface between the group III nitride-based compound semiconductor and oxide being made small and the mobility being made high.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体の表面上に酸化物を備えた半導体装置であって、上記III族窒化物系化合物半導体と上記酸化物との間の界面の界面準位密度を小さくでき、移動度を高くできるものを提供すること。 - 特許庁

To obtain a thin film transistor (TFT) in which no impurity exists in a channel interface and an oxide semiconductor film existing in the channel interface has a good film quality and which becomes transparent against visible light and has excellent characteristics.例文帳に追加

チャネル界面に不純物が存在しなく、かつ、チャネル界面における酸化物半導体膜の膜質が良好な、可視光に対して透明となる特性の優れた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を得る。 - 特許庁

The maximum value of nitrogen atom concentration in a region within 10 nm from an interface between the semiconductor layer and the insulating film (interface between a channel region and the oxide film 8) is 1×10^21 cm^-3 or over.例文帳に追加

半導体層と絶縁膜との界面（チャネル領域と酸化膜８との界面）から１０ｎｍ以内の領域における窒素原子濃度の最大値が１×１０^21ｃｍ^-3以上である。 - 特許庁

A multilayer dielectric structure of a semiconductor device of the present invention has a silicate interface film and a high-k dielectric film formed on the silicate interface film, wherein the high-k dielectric film contains a metal alloy oxide.例文帳に追加

本発明の半導体素子の多層誘電体構造物は、シリケート界面膜及びシリケート界面膜上に形成された高誘電体膜を備え、高誘電体膜は金属合金酸化物を含む。 - 特許庁

In the laminated film of the metal oxide thin film 2 and the metal thin film 3 formed on the base 1, a layer 4 of an oxide of the metal constituting the metal thin film is formed on the interface of the metal thin film 3 with the metal oxide thin film 2.例文帳に追加

基板１上に形成された金属酸化物薄膜２と金属薄膜３との積層膜において、金属薄膜３の金属酸化物薄膜２との界面に、金属薄膜を構成する金属の酸化物層４を形成する。 - 特許庁

The metallized conductor layer 152 of the respective electrodes 111 and 112 is configured while including a nickel metal 157, a nickel oxide 158 and titanic acid barium 159, and the nickel oxide 158 is present on the interface of a nickel metal phase and a perovskite oxide phase.例文帳に追加

各電極１１１，１１２のメタライズ導体層１５２は、ニッケル金属１５７、ニッケル酸化物１５８及びチタン酸バリウム１５９を含んで構成され、ニッケル金属相とペロブスカイト型酸化物相との界面にニッケル酸化物１５８が存在している。 - 特許庁

A transistor including an oxide semiconductor film comprises an insulation film formed in contact with the oxide semiconductor film by using a material containing a group 13 element and oxygen, thereby having a favorable interface state between the insulation film and the oxide semiconductor film.例文帳に追加

酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、第１３族元素および酸素を含む材料を用いて酸化物半導体膜と接する絶縁膜を形成することにより、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つ。 - 特許庁

To prevent the formation of an interface which acts as a low dielectric layer and to obtain an insulating metal oxide film having a stoichiometric composition.例文帳に追加

低誘電率層となる界面層の形成を抑えて、化学量論組成を持つ絶縁性金属酸化物膜を得られるようにする。 - 特許庁

To improve charge matching performance and grid matching performance on a channel layer interface in a transistor using zinc oxide as a channel layer.例文帳に追加

チャネル層として酸化亜鉛を用いたトランジスタにおいて、チャネル層界面における電荷整合性および格子整合性を向上させる。 - 特許庁

This allows an oxide film 4 to be formed at an interface of the non-magnetic support 1 and the magnetic layer 2, and the particle size of the ferromagnetic particles to be controlled.例文帳に追加

これにより、非磁性支持体１と磁性層２の界面に酸化膜４が形成され、強磁性粒子の粒径が制御される。 - 特許庁

At this time, hydrogen in the silicon oxide film 20 is released and dispersed in a channel part of the transistor TR, and the interface state is reduced.例文帳に追加

このとき、酸化シリコン膜２０中の水素が脱離してトランジスタＴＲのチャンネル部に拡散し、界面準位を低減する。 - 特許庁

The MOS transistor includes a gate oxide layer that forms a planar and stress free interface with a substrate.例文帳に追加

本発明のＭＯＳトランジスタはゲート酸化物層を含み、この層は基板との間で平面状でかつストレスのないインタフェースを形成する。 - 特許庁

A film of an oxide, a silicide or a nitride of an metal element added to the copper alloy is formed in an interface between the base and the film of the copper alloy.例文帳に追加

下地と銅合金膜の界面に、銅合金の添加金属元素の酸化物膜、珪化物膜、又は、窒化物膜を形成する。 - 特許庁

A thin oxide film is formed in an interface between a semiconductor film whereto rare gas element is added and a semiconductor film having a crystal structure.例文帳に追加

希ガス元素を添加した半導体膜と結晶構造を有する半導体膜との界面には薄い酸化膜を形成する。 - 特許庁

Accordingly, a relative amount of carbon with respect to silicon can be reduced at an interface of the gate oxide film 17 and epitaxial layer 16.例文帳に追加

これにより、ゲート酸化膜１７とエピタキシャル層１６との界面で、シリコンに対するカーボンの相対量を小さくすることができる。 - 特許庁

By this the structure, an influence of a positive electric charge in the thermal oxide film 6 is weakened and an extension of a depletion layer into the N-type semiconductor layer 2 at the interface with the thermal oxide film 6 is secured.例文帳に追加

係る構成を採ることにより熱酸化膜６中の正電荷による影響を弱め熱酸化膜６との界面におけるＮ−型半導体層２への空乏層の拡がりを確保する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a bonded wafer having an oxide film with a uniform thickness of approximately several nanometers nm in which an oxide residue does not locally remain on a bonding interface by heat treatment in a bonding process.例文帳に追加

貼り合わせ工程の熱処理によって貼り合わせ界面に局所的な酸化物が残留しない、数nm程度の均一な厚みの酸化膜を有する、貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of a polycrystalline silicon film, which can improve long term reliability of a gate oxide film by reducing the interface roughness between a gate oxide film and the polycrystalline silicon film.例文帳に追加

ゲート酸化膜と多結晶シリコン膜との間の界面ラフネスを低下させて、ゲート酸化膜の長期信頼性を向上させることができる多結晶シリコン膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode having high interface conductivity and superior stability for a long term, a solid oxide fuel cell having the electrode and a composite metal oxide to form them.例文帳に追加

界面導電率が高く、長期熱安定性に優れた電極およびそれを備える固体酸化物形燃料電池、並びにそれらを形成するための複合金属酸化物を提供すること。 - 特許庁

A silicon oxide film 15A is formed on the floating gate 14 by a CVD method, and a nitride film 15B is formed by introducing nitrogen in the vicinity of an interface between the floating gate 14 and the silicon oxide film 15A.例文帳に追加

浮遊ゲート１４上にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜１５Ａが形成され、浮遊ゲート１４とシリコン酸化膜１５Ａとの界面近傍に窒素が導入されて窒化層１５Ｂが形成される。 - 特許庁

Then the interface JS between the base substrate and 2nd semiconductor layer is substantially in level with the reverse surface of the buried oxide layer or deeper than the buried oxide layer.例文帳に追加

そして、上記支持基板と第２の半導体層との界面ＪＳは、埋め込み酸化物層の下面と実質的に等しいか、あるいは埋め込み酸化物層より深い部分に位置することを特徴としている。 - 特許庁

To inhibit the effect caused by the stress produced in the interface between an LOCOS oxide film and a silicon substrate during oxidization, without making oxidization temperature higher than needed during LOCOS oxide film formation.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ酸化膜形成時に必要以上に酸化温度を高くしなくても、酸化時にＬＯＣＯＳ酸化膜とシリコン基板との界面に生じる応力による影響を抑制できるようにする。 - 特許庁

To dissolve the difficulty in analyzing at high depth accuracy and to specify the interface position between oxide and nonoxide, when analyzing an element component distribution, while suppressing the sensitivity difference between the oxide and the nonoxide.例文帳に追加

酸化物と非酸化物間の感度差を抑制しながら元素組成分布を分析する場合に、酸化物と非酸化物の界面位置の特定ができず、深さ精度良い分析が困難である。 - 特許庁

The memory element comprises a lower electrode, an n+ interface layer formed on the lower electrode, a buffer layer formed on the n+ interface layer, an oxide layer which has a variable resistance characteristics and is formed on the buffer layer, and an upper electrode formed on the oxide layer.例文帳に追加

下部電極と、下部電極上に形成されたｎ＋界面層と、ｎ＋界面層上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成されて可変抵抗特性を有する酸化物層と、酸化物層上に形成された上部電極とを備えるメモリ素子である。 - 特許庁

To stabilize the surface state of an interface layer to a lower electrode as an underlayer of a capacitance insulating film formed of a metal oxide and also control thickness of the interface layer, and moreover to surely supply oxygen at a lower temperature to the capacitance insulating film formed of the metal oxide.例文帳に追加

金属酸化物からなる容量絶縁膜の下地層となる下部電極との間の界面層の表面状態を安定化し且つ界面層の厚さを制御可能とし、また、金属酸化物からなる容量絶縁膜に低温で酸素補給を確実に行なえるようにする。 - 特許庁

To evaluate an electric characteristic of a ferromagnetic substance or a transition metal oxide, under a condition near to an actual device, by promoting an electrochemical reaction on an electrode interface between the ferromagnetic substance or transition metal oxide and an electrode, as to a method of evaluating the electric characteristic in the electrode interface.例文帳に追加

電極界面の電気特性を評価する方法に関し、強誘電体或いは遷移金属酸化物と電極との界面に於ける電気化学反応を促進させ、強誘電体や遷移金属酸化物の電気的特性を実際のデバイスに近い状態で評価できるようにする。 - 特許庁

To provide a wire connection method capable of lowering contact resistance by breaking an oxide film on the interface between a core part and a terminal.例文帳に追加

芯線部と端子との介面に存する酸化皮膜を破壊して、接触抵抗を低下させることができる電線接続方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing an insulated gate semiconductor device in which the creation of a low permittivity oxide film is retarded at the interface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体装置の製造方法に関し、半導体基板界面における低誘電率の酸化膜生成を抑制する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method by which a highly accurate etching shape can be attained by preventing stripping of an oxide film and an organic film at the interface.例文帳に追加

酸化膜と有機膜との界面での剥離を防止し、精度よくエッチング形状を達成することのできるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device with which stress which occurs on an interface of a thermal oxide film and a semiconductor substrate can be suppressed.例文帳に追加

熱酸化膜と半導体基板の界面で生じる応力を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device improved in reliability of a gate oxide film, and reduced in an interface state density.例文帳に追加

ゲート酸化膜の信頼性の向上と界面準位密度を低減するための、炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The probability of detrapping of electric charges which are held by the interface trap of the metal oxide 3 is reduced by the insulating film 5, which functions as a trap barrier.例文帳に追加

金属酸化物３の界面トラップに保持された電荷が、トラップバリアとして機能する絶縁膜５によりデトラップする確率が低減する。 - 特許庁

To evaluate the levels of electric characteristics of a MIS capacitor such as interface level density and converted thickness of an oxide film precisely in a short time.例文帳に追加

ＭＩＳ型キャパシタの界面準位密度、酸化膜換算膜厚などの電気特性量を高精度かつ短時間に評価すること。 - 特許庁

The interface section 120 comprises transistors activated by receiving a power supply voltage VDDH and formed with a gate oxide film with a thick film thickness.例文帳に追加

インターフェース部１２０は、電源電圧ＶＤＤＨを受けて動作し、膜厚の厚いゲート酸化膜で形成されるトランジスタで構成される。 - 特許庁

In the silicon oxide film, a methyl group and a methylene group exist in the part in the vicinity of the interface side between the plastic base material and the film.例文帳に追加

このケイ素酸化膜は、プラスチック基材との界面側近傍部分に、メチル基及びメチレン基が存在していることを特徴とする。 - 特許庁

Since the deuterium resembles hydrogen chemically, an oxidizing process always occurs, and a silicon-silicon oxide interface is saturated with the deuterium at the same time.例文帳に追加

重水素は化学的に水素に似ているので、酸化プロセスは通常に起こり、シリコン−酸化珪素界面は同時に重水素で飽和される。 - 特許庁

Specifically, the concentration of nitrogen is gradient in the oxide semiconductor layer and a region containing much nitrogen is provided for the interface with the gate insulation layer.例文帳に追加

具体的には酸化物半導体層に窒素の濃度勾配を作り、窒素を多く含む領域をゲート絶縁層との界面に設ける。 - 特許庁

With the impression of the voltage, an oxide film and a passive film or the like generated at an interface of the collector and the active material layer can be destroyed.例文帳に追加

電圧を印加することによって、集電体と活物質層との界面に生じた酸化膜や不動態膜を破壊することができる。 - 特許庁

Further, oxygen is introduced into the interface between the semiconductor wafer W and silicon oxynitride film 52 to form a silicon oxide film 53 between them.例文帳に追加

続いて、半導体ウエハＷとシリコン酸窒化膜５２との界面に酸素を侵入させ、両者の間にシリコン酸化膜５３を形成する。 - 特許庁

The interface layer is formed, so that crystal axis <101> direction of the lithium oxide is perpendicular to the surface of the current collector.例文帳に追加

そして、この界面層は、リチウム金属酸化物の結晶軸＜101＞方向が集電体表面に対して垂直となるように形成されている。 - 特許庁