「interface oxide」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The laminate manufacturing method includes the process (1) of forming the insulating resin layer on the insulating substrate, the process (2) of forming the metal membrane on the insulating resin layer and the process (3) of forming the metal oxide to the interface of the metal membrane and the insulating resin layer.例文帳に追加

及び、絶縁基板上に、絶縁性樹脂層を形成する工程（１）と、前記絶縁性樹脂層の上に金属薄膜を形成する工程（２）と、前記金属薄膜と前記絶縁性樹脂層との界面に金属酸化物を形成する工程（３）とを含む積層体の製造方法。 - 特許庁

A gate electrode includes a first insulating film, which is formed in contact with an interface oxide film under the gate electrode and has a little electron affinity and a wide band gap, and a second insulating film, which is formed in contact with the gate electrode and has a larger electron affinity and a narrower band gap.例文帳に追加

ゲート電極を、その下の界面酸化膜に接して形成され、小さな電子親和力と大きなバンドギャップを有する第１の絶縁膜と、ゲート電極に接して形成され、より大きな電子親和力とより小さなバンドギャップを有する第２の絶縁膜の積層により形成する。 - 特許庁

To provide a magnetic detection element, that can prevent oxygen contained in a mirror reflection layer form diffusing into the upper and lower layers of the mirror reflection layer, and can maintain uniformity at the interface of the mirror reflection layer, in the magnetic detection element having mirror reflection layer made of an insulating oxide.例文帳に追加

絶縁酸化物からなる鏡面反射層を有する磁気検出素子において、鏡面反射層の上下の層に鏡面反射層に含まれる酸素が拡散することを防ぎ、鏡面反射層の界面の均一性を保つことのできる磁気検出素子を提供する。 - 特許庁

The thin-film transistor is an MOS type thin-film transistor formed on an insulating substrate, wherein the interface state density of the gate insulating film of silicon oxide composing the thin-film transistor is 2×10^11/cm^2 eV or lower, and the insulating substrate is a plastic substrate.例文帳に追加

また、本発明の薄膜トランジスタは、絶縁基板上に形成されたＭＯＳ型の薄膜トランジスタであって、その薄膜トランジスタを構成する酸化シリコンからなるゲート絶縁膜の界面準位密度が２×１０^１１／ｃｍ^２ｅＶ以下であり、絶縁基板がプラスチック基板である。 - 特許庁

Since the metal oxide membrane 11a is arranged between the glass substrate 20a and the metal membrane 12a in the peripheral part of the substrate, when the dielectric 13a is etched by hydrofluoric acid, the etchant does not penetrate into the interface, thereby the metal membrane 12a (electrode) is not separated from the substrate, preventing a defect.例文帳に追加

基板周縁部には、ガラス基板２０ａ，金属膜１２ａ間に金属酸化膜１１ａが配置されていることにより、誘電体１３ａをフッ酸でエッチングした場合に、エッチャントがその界面に浸透することはなく、金属膜１２ａ（電極）が基板から剥離する不具合を防止できる。 - 特許庁

To provide an Ni system alloy powder for forming a fuel electrode of an oxide fuel cell, a fuel electrode which is fabricated of this and has a fine structure with an increased three-phase interface as a reaction field, and a power generation cell which incorporates this fuel electrode with an improved power generation performance.例文帳に追加

酸化物形燃料電池の燃料極を形成するためのＮｉ系合金粉末、これから作製した微細構造を有し、反応場である３相界面が増加した燃料極およびこの燃料極を組み込んだ発電性能が向上した発電セルを提供する。 - 特許庁

Since the light-transmitting electrode 20 is formed by adding the niobium by 3% to the titanium oxide, the refractive index to the wavelength of 470 nm is almost equal to that of the p-contact layer 15, and total reflection at an interface between the p-contact layer 15 and the light-transmitting electrode 20 can be avoided mostly.例文帳に追加

透光性電極２０は、酸化チタンに３％のニオブを添加して形成したので、波長４７０ｎｍに対する屈折率がｐコンタクト層１５とほぼ同等となり、ｐコンタクト層１５と透光性電極２０との界面での全反射がほぼ回避できる。 - 特許庁

However, in this case, Si of high concentration is deposited on the P-clad layer and a P-clad layer interface directly below the oxide film, these layers are turned into N-type, positive holes which flowed into a P-block layer are injected effectively into the active layer, and a semiconductor laser having superior oscillation characteristic can be realized.例文帳に追加

ただし、この場合ｐクラッド層と酸化膜直下のｐクラッド層界面には高濃度のＳｉが析出し、ｎ転しｐブロック層に流れ込んでいた正孔が有効に活性層に注入され、良好な発振特性を有する半導体レーザを実現できる。 - 特許庁

This effectively removes the oxide film 3 of the lower electrode 2 formed between the electrode 2 and the dielectric film 6 to prevent the peel off of the film on the interface of the lower electrode 2 and the dielectric film 6 due to heat treatment in an atmosphere containing hydrogen.例文帳に追加

下部電極２と酸化物誘電体膜６との間に形成される下部電極２の酸化膜３が効果的に除去され、水素を含む雰囲気中での熱処理による下部電極２と酸化物誘電体膜６との界面における膜剥がれを防止することができる。 - 特許庁

To improve the characteristic of a leakage current of stored electrode junction by forming a gate on the upper part of an Si epitaxial layer having a level difference to increase the effective length of a gate channel, and by forming an oxide film only on the interface between an Si epitaxial layer of a lower part of a bit line contact and a semiconductor substrate.例文帳に追加

段差のあるＳｉエピタキシャル層の上部にゲートを形成してゲートチャンネルの有効長さを増加させ、ビットラインコンタクトの下部のＳｉエピタキシャル層と半導体基板の界面にのみ酸化膜を形成することにより、格納電極接合の漏洩電流の特性を改善する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a laminated wafer which can prevent a failure occurring in the thin film of the laminated wafer or in the interface of lamination when laminating a bond wafer composed of a silicon single crystal on a base wafer directly or through an extremely thin silicon oxide film of not larger than 100 nm.例文帳に追加

シリコン単結晶からなるボンドウェーハを、直接あるいは１００ｎｍ以下と極めて薄いシリコン酸化膜を介してベースウェーハと貼り合わせる際に、貼り合わせウェーハの薄膜や貼り合わせ界面に発生する欠陥を防止できる貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

When an oxide buffer layer 18 having a high oxygen dispersion property is allowed to grow epitaxially on a silicon substrate 14 and then the layer 18 is treated at a high temperature under a high oxygen atmosphere, an SiO_2 layer 16 is formed on an interface between the silicon substrate 14 and the buffer layer 18, and the ground substrate 12 is obtained.例文帳に追加

シリコン基板１４上に、高酸素拡散性を有する酸化物緩衝層１８をエピタキシャル成長させたのち、高酸素雰囲気下で高温処理することにより、シリコン基板１４と酸化物緩衝層１８の界面にＳｉＯ_２層１６が形成され、下地基板１２が得られる。 - 特許庁

To suppress the formation of an island shaped oxide in laminating interface in a method of manufacturing a laminated wafer formed by directly laminating a wafer for an active layer and a wafer for a supporting substrate without interposing an insulating film and thinning the wafer for an active layer.例文帳に追加

本発明の目的は、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハを、絶縁膜を介さずに直接貼り合わせ、活性層用ウェーハを薄膜化することにより形成される貼り合わせウェーハの製造方法において、貼り合わせ界面における島状の酸化物の形成を抑制することにある。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a photoelectric transducer, with which deterioration in the film quality of a P layer can be suppressed, by inhibiting the drawing out of hydrogen by P-type impurities in an a-Si film, ensuring excellent interface characteristics with a light-transmitting metallic oxide layer.例文帳に追加

透光性金属酸化物層と良好な界面特性を確保しながら、ａ−Ｓｉ膜中におけるｐ型不純物による水素の引き抜きを抑制してｐ層の膜質低下を抑えることができる光電変換素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This new method for forming a MOS structure having a GaAs base 140 includes the steps of ion implanting after formation of an oxide and thereafter performing slow heating and cooling operations, in such a manner that an interface defect detectable by a high-resolution transmission electron microscope essentially will not be generated.例文帳に追加

ＧａＡｓを基本とするＭＯＳ構造を形成する新しい方法は、酸化物形成後のイオン注入及び高分解透過電子顕微鏡によって検出できる界面欠陥が本質的に形成されないように行われるその後のゆっくりした加熱及び冷却を含む。 - 特許庁

To reduce the thickness of a silicon oxynitride film used for the gate insulating film of a CMOS transistor or the tunnel oxide film or a flash memory, and in addition, to improve the reliability of the film, by making the stress resistance of the film secured, while increase in interface state density, the deterioration in carrier mobility, etc., are suppressed.例文帳に追加

絶縁膜に関し、ＣＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜やフラッシュ・メモリのトンネル酸化膜などに用いるシリコン酸窒化膜を薄膜化し、しかも、界面準位密度の増加やキャリヤ易動度の劣化などを抑制しつつストレス耐性を確保できるようにして信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method to manufacture a catalyst layer with high effective utilization rate of platinum catalyst by making a configuration with little coagulation of catalyst carrying carbon particle and a high porosity and increasing three-phase interface area in the electrode catalyst layer for solid oxide fuel cell.例文帳に追加

固体酸化物型燃料電池用電極触媒層において、触媒担持カーボン粒子の凝集が少なく、空孔率の高い形態をつくり、三相界面の面積を増大させることで白金触媒の有効利用率の高い触媒層を製造するための製造方法を提供する。 - 特許庁

An amorphous silicon region part is formed nearby the interface of the bulk layer with the embedded silicon oxide film, and then the region part is irradiated with laser light under a condition that an active layer made of single-crystal silicon and the bulk layer are not fused, but amorphous silicon having a high coefficient of light absorption is fused.例文帳に追加

バルク層の埋め込みシリコン酸化膜との界面付近にアモルファスシリコン領域部を形成し、その後、この領域部に単結晶シリコンからなる活性層やバルク層は溶融しないが、高吸光係数のアモルファスシリコンは溶融する条件でレーザ光を照射した。 - 特許庁

To provide a sliding member with a sliding surface coated with a resin film such as a film of a resin prepared by adding a polytetrafluoroethylene powder, a calcium fluoride powder, and an aluminum oxide powder to a polyamide-imide resin, which sliding member is made resistant to cohesive failure otherwise occurring near the interface between the resin film and the substrate.例文帳に追加

本発明の課題は、ポリアミドイミド樹脂にポリテトラフルオロエチレン粉体、フッ化カルシウム粉体及び酸化アルミニウム粉体を添加した樹脂皮膜のような樹脂皮膜が摺動面に被覆される摺動部材において、樹脂皮膜が基材との界面付近で凝集破壊しにくくさせることにある。 - 特許庁

The recording medium is the phase change optical recording medium comprising a phase change optical recording film (4), on which reversible phase changes occur between a crystalline substance and an amorphous substance due to irradiation by light, and an interface films (3a, 3b), containing hafnium oxide formed in contact with at least one of the planes for the phase change recording film (4).例文帳に追加

光照射により結晶質と非晶質との間で可逆的な相変化を起こす相変化光記録膜（４）と、相変化光記録膜（４）の少なくとも一方の面に接して形成されたハフニウム酸化物を含有する界面膜（３ａ、３ｂ）とを有する相変化光記録媒体。 - 特許庁

Then a hot plasma nitriding processing is coupled with a heating process in the atmosphere containing nitrogen monoxide so as to form an acid silicon nitride film SOX on the surface of the silicon oxide film OX1, with nitrogen N2 segregated on the interface between the silicon oxide film OX1 and a semiconductor substrate 1S.例文帳に追加

第１電位障壁膜ＥＶ１の主要構成要素である酸化シリコン膜ＯＸ１をプラズマ成膜法により形成した後、高温のプラズマ窒化処理と、一酸化窒素を含む雰囲気中での加熱処理とを組み合わせて実施することにより、酸化シリコン膜ＯＸ１の表面に酸窒化シリコン膜ＳＯＸを形成し、かつ、酸化シリコン膜ＯＸ１と半導体基板１Ｓの界面に窒素Ｎ２を偏析させる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises the single crystal or polycrystal metal oxide insulating layer which is formed on the silicon substrate (001) and in which a crystal plane or axis is oriented in the normal direction of the substrate (001), and a nitride layer of a monoatomic layer coupled to both a silicon atom of the substrate (001) and a metal atom of the metal oxide in an interface between the substrate and the insulating layer.例文帳に追加

本発明は、シリコン（００１）基板上に形成され、前記シリコン（００１）基板の方線方向に結晶面又は軸が配向した単結晶もしくは多結晶の金属酸化物の絶縁層と、前記シリコン（００１）基板と絶縁層との界面に前記シリコン（００１）基板のシリコン原子と前記金属酸化物の金属原子の両方に結合する１原子層の窒素層とを備える半導体装置である。 - 特許庁

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously the dynamic range of a solid state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31.例文帳に追加

これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the photoelectric conversion device formed by sequentially laminating an n-type charge transfer layer, an interface layer, and a p-type charge transfer layer, the n-type charge transfer layer is formed by growing a needle crystal of zinc oxide, and the p-type charge transfer layer is formed by growing Cu_2O by electrolytic deposition.例文帳に追加

ｎ型の電荷輸送層、界面層、ｐ型の電荷輸送層を順次に積層形成した光電変換装置の製造方法であって、ｎ型の電荷輸送層は酸化亜鉛針状結晶を成長させることによって形成し、ｐ型の電荷輸送層は電着でＣｕ_2Ｏを成長させることによって形成する。 - 特許庁

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously, the dynamic range of a solid-state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31.例文帳に追加

これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。 - 特許庁

To provide a thin-film photoelectric conversion device which maintains high productivity by a technique suitable for an increase in area without causing a decrease in yield, and which has improved conversion efficiency by forming an excellent junction interface between a transparent electrode layer made of zinc oxide and a photoelectric conversion unit.例文帳に追加

薄膜光電変換装置において、大面積化に適した技術により歩留まりの低下を引き起こさずに高生産性を維持し、かつ、酸化亜鉛からなる透明電極層と光電変換ユニットとの間に良好な接合界面を形成することにより光電変換装置の変換効率を改善する。 - 特許庁

Then impurities are introduced in source-drain regions 12 and 13, and annealing processing for activating those impurities is used to diffuse aluminum contained in the aluminum-containing titanium nitride film 8 up to an interface between the silicon oxide nitride film 5 and hafnium nitride silicate film 7 in the pMOS region R_pMOS.例文帳に追加

次に、ソース・ドレイン領域１２及び１３に不純物を導入し、これらの不純物を活性化させるアニール処理を利用して、アルミニウム含有窒化チタン膜８中に含まれるアルミニウムを、ｐＭＯＳ領域Ｒ_ｐＭＯＳにおけるシリコン酸窒化膜５と窒化ハフニウムシリケイト膜７との界面まで拡散させる。 - 特許庁

The insulating layer 1012 does not cause the diffusion of silicon, a silicide generation reaction with silicon, or the generation of a low-permittivity interface layer, while being a metal oxide layer that contains La and Al having a sufficiently higher permittivity than SiO_2.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁層１０３の上の界面において、シリコンの拡散、シリコンとのシリサイド生成反応および低誘電率界面層の生成を起こすことのない、かつＳｉＯ_２と比して十分高い誘電率をもつＬａとＡｌを含む金属酸化物層である絶縁層１０１２をバリア層として具備した構造を提供する。 - 特許庁

Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer made of oxide or nitride by inserting the thin film layer into a ferromagnetic layer of the magnetoresistance effect element or the interface between the ferromagnetic layer and a nonmagnetic spacer layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for joining different metals by the resistance welding, which method can remove an oxide film in a joined interface, and can firmly join the different metals while suppressing the generation of intermetallic compound in a joining process, and further to provide a strong joined structure of the different metals by the resistance welding.例文帳に追加

抵抗溶接により異種金属を接合するに際して、接合過程における金属間化合物の生成を抑制しながら、接合界面における酸化被膜を除去することができ、強固な接合が可能な異種金属の接合方法と、抵抗溶接による異種金属の強固な接合構造を提供する。 - 特許庁

It is realized by using noble metal of a platinum group (8 group) or an Ib group containing alkali metal oxide, alkaline earth metal compound and a transition-metal compound of 3 to 7 group from an interface with the electron acceleration layer to the surface or their laminated film, mixed film or alloy film as the upper electrode.例文帳に追加

アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属化合物、３族〜７族の遷移金属化合物を電子加速層との界面から表面にかけて含む白金族（８族）またはＩｂ族の貴金属、あるいはそれらの積層膜、混合膜、合金膜を上部電極として用いることにより実現される。 - 特許庁

Since diffusion speed of D is lower than that of ordinary hydrogen H1, and hydrogen concentration of the gate electrode and in the vicinity of a gate oxide film interface is lower than that of an ordinary case, diffusion of bron in the gate electrode 105 is restrained, and decrease of a threshold value of the PMOSFET and deterioration of cut-off characteristic are restrained.例文帳に追加

Ｄは通常の水素Ｈ^１より拡散速度が遅いため、ゲート電極とゲート酸化膜界面近傍の水素濃度は通常の場合より低いので、ゲート電極１０５中でのボロンの拡散が抑制され、ＰＭＯＳＦＥＴのしきい値の低下やカットオフ特性の悪化が改善される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate capable of planarizing the surface of the semiconductor substrate, where uniformity in the coating thickness of the semiconductor layer of an upper layer is maintained highly, when manufacturing the semiconductor substrate having a DSB structure, and capable of efficiently removing an oxide film on the interface between two wafers by the same heat treatment.例文帳に追加

ＤＳＢ構造を有する半導体基板を製造する場合に、上層の半導体層の膜厚均一性を高く保持した半導体基板表面平坦化と、２枚のウェーハの界面の酸化膜除去を同一の熱処理で効率よく行うことを可能にする半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The oxidation step includes heating the base wafer to a temperature in a range of 800 to 1,300°C, at a rate of temperature increase in the range from 1 to 300°C under an oxidizing atmosphere; and the lamination step is carried out so as to arrange the oxide film formed in the oxidation step, at an interface of the two wafers.例文帳に追加

前記酸化工程は、前記ウェーハを、酸化性雰囲気下で１〜３００℃／秒の昇温速度で８００〜１３００℃の範囲の温度に加熱することを含み、前記貼り合わせ工程は、２枚のウェーハの界面に前記酸化工程において形成された酸化膜が配置されるように行われる。 - 特許庁

In the solid oxide fuel cell having a power generating cell formed by arranging a fuel electrode layer and an air electrode layer on both surfaces of a solid electrolyte layer 3, respectively, a first fuel electrode layer 4a composed of a mixture 10 of Ni and samarium-containing ceria is formed at an interface of the fuel electrode layer and the solid electrolyte layer 3.例文帳に追加

固体電解質層３の両面に燃料極層と空気極層を配置した発電セルを備える固体酸化物形燃料電池において、前記燃料極層の前記固体電解質層３との界面にＮｉとサマリウム添加セリアの混合体１０による第１燃料極層４ａを形成する。 - 特許庁

The composite member for semiconductor device is a composite metal plate, where particles of cuprous oxide is dispersed in a copper matrix; the surface of the composite metal plate is covered with a metal layer; and a copper layer whose thickness is at least 0.5 μm is interposed in the interface constituted of the composite metal plate and the metal layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置用複合部材は、銅マトリックス中に亜酸化銅からなる粒子を分散させた複合金属板で、該複合金属板の表面が金属層により被覆され、該複合金属板と該金属層とで構成される界面に厚さ０.５μｍ 以上の銅層が介在することを特徴とする。 - 特許庁

As a result, negative electric charges formed on the interface of the light oxide films 11a and 11b, the sidewall film 12 of the upper layer thereof and a sidewall spacer 16 can be reduced, the refresh characteristics of memory cells can be improved, and the occurrence of the kink phenomenon in the p-channel type MISFET of the peripheral circuit can be reduced.例文帳に追加

その結果、ライト酸化膜１１ａ、１１ｂとその上層のサイドウォール膜１２およびサイドウォールスペーサ１６との界面に形成される負電荷量を低減させることができ、メモリセルのリフレッシュ特性を向上させ、周辺回路のｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのキンク現象の発生の低減させることができる。 - 特許庁

The grain-oriented electromagnetic steel sheet with extremely low core loss has a coating layer composed of mainly SiO_2 via an oxide film of mainly SiO_2 formed by interface oxidation reaction on the surface of the steel sheet with no final annealed film and further has the tension-imparting insulating film on the surface of the coating layer.例文帳に追加

仕上げ焼鈍皮膜の無い方向性電磁鋼板表面に、界面酸化反応により生成したＳｉＯ_2を主体とする酸化膜を介してＳｉＯ_2を主体とするコーティング層が存在し、さらにその表面に張力付与型の絶縁皮膜が存在する鉄損の極めて低い方向性電磁鋼板の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for joining different metals in which, when different metals are joined by resistance welding, intermetallic compounds are prevented from generating in the welding process, an oxide film in the welding interface is removed and strong joining can be made, and to provide a strong joining structure of different metals made by resistance welding.例文帳に追加

抵抗溶接により異種金属を接合するに際して、接合過程における金属間化合物の生成を抑制しながら、接合界面における酸化被膜を除去することができ、強固な接合が可能な異種金属の接合方法と、抵抗溶接による異種金属の強固な接合構造を提供する。 - 特許庁

The hydrogen separation membrane-electrolyte assembly (100) is provided with a hydrogen separation membrane (1) and an electrolyte layer (3) composed of a proton conductive oxide and an intermediate layer (2) which is formed on an interface between the hydrogen separation membrane and the electrolyte layer and is composed of a ceramics containing a metal as a composition element composing the hydrogen separation membrane.例文帳に追加

水素分離膜−電解質接合体（１００）は、水素分離膜（１）と、プロトン伝導性酸化物から構成される電解質層（３）と、水素分離膜と電解質層との界面に形成され水素分離膜を構成する金属を構成元素に含むセラミックスからなる中間層（２）とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The glass melting furnace 10 comprises a glass melting vessel used for melting multi-component inorganic oxide glass G and made from a platinum group element and has a structure that buffering refractory 22 is arranged along an inner wall material 21 in the vessel on a place which is in contact at least with a gas-liquid interface of molten glass.例文帳に追加

本発明のガラス熔融炉１０は、多成分系無機酸化物ガラスＧの熔融に供する白金族元素で作製されたガラス熔融容器よりなるガラス熔融炉１０であって、少なくとも熔融ガラスの気液界面に接する箇所に該容器内の内壁材２１に沿って緩衝耐火材２２を配設した構造であることを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor device 100, a sulfide of 30×10^10 to 2,000×10^10 pcs./cm^2 in terms of S conversion and an oxide of 2 to 20 at% in terms of O conversion exist in a surface layer 12, thereby preventing C from piling up in an interface between an epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体デバイス１００では、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。 - 特許庁

Anneal is performed in a state where the first electrode film 30 and the main dielectric film 31 are formed, thereby aluminum (Al) in the first electrode film is allowed to react with oxygen (O) in the main dielectric film to form a subsidiary dielectric film 35 containing aluminum oxide at an interface between the first electrode film and the main dielectric film.例文帳に追加

第１の電体膜３０と主誘電体膜３１とが形成されている状態でアニールを行うことにより、第１の電極膜中のアルミニウム（Ａｌ）と主誘電体膜中の酸素（Ｏ）とを反応させて、第１の電極膜と主誘電体膜との界面に、酸化アルミニウムを含む副誘電体膜３５を形成する。 - 特許庁

To provide a negative electrode for nonaqueous electrolyte secondary battery having a negative electrode active material consisting of a silicon oxide, in which a stress applied on an interface between a negative electrode collector and the negative electrode active material at the time of charging is reduced and separation of the negative electrode active material and deformation of the negative electrode collector are suppressed to improve cycle characteristics of the nonaqueous electrolyte secondary battery.例文帳に追加

ケイ素酸化物からなる負極活物質を備えた非水電解質二次電池用負極について、充電時に負極集電体と負極活物質との界面にかかる応力を軽減し、負極活物質の剥離や負極集電体の変形を抑制して、非水電解質二次電池のサイクル特性を向上させる。 - 特許庁

A region where at least one element of the electrode composition material and one element of the solid electrolyte composition material composes a compound is formed on the interface of at least one of electrodes and the solid electrolyte, and the region is made of at least either of an oxide, a hydroxide, and a nitride, and the thickness of the region layer is made to be 0.01 nm-300 nm.例文帳に追加

少なくとも一方の電極と固体電解質との界面に少なくとも電極構成材料の一元素と固体電解質構成材料の一元素が化合物を構成する領域を形成し、その領域は酸化物、水酸化物、窒化物の少なくともいずれからなり、なおかつ領域層の厚みを０．０１ｎｍ〜３００ｎｍとする。 - 特許庁