「interface oxide」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a gradient functional complex material, in which a compsn. ratio of a non-oxide ceramic is reduced and a compsn. ratio of a metal is increased toward inside from surface, and an interface between the non-oxide ceramic and the metal is absent.例文帳に追加

表面から内部に指向して、非酸化物セラミックスの組成比が低下し、かつ金属の組成比が上昇しており、しかも、非酸化物セラミックスと金属との間に界面が存在しない傾斜機能複合材を提供する。 - 特許庁

This electrolytic copper foil 1 with a carrier foil includes, e.g. a carrier foil 2, a junction interface layer 4 provided on one side of the carrier foil 2, and an electrolytic copper foil layer 3 provided on the junction interface layer 4, and is characterized in that the junction interface layer 4 comprises a metal oxide ML and an organic agent layer OL.例文帳に追加

キャリア箔２の片面上に、接合界面層４を備え、その接合界面層４上に電解銅箔層３を設けたキャリア箔付電解銅箔１において、当該接合界面層４は金属酸化物ＭＬと有機剤層ＯＬとからなることを特徴とするキャリア箔付電解銅箔１等を用いることによる。 - 特許庁

In a method for manufacturing a photoelectric conversion element 10 including laminated layers of a back electrode 12, a photoelectric conversion layer 13, an interface layer 14 and a translucent conductive layer 16, a first zinc oxide film 15 is deposited on the interface layer 14 using an organic metal chemical vapor deposition method, and a second zinc oxide film is deposited on the first zinc oxide film 15 using a sputtering method as the translucent conductive layer 16.例文帳に追加

裏面電極１２と光電変換層１３と界面層１４と透光性導電層１６とが積層されてなる光電変換素子１０の製造方法であって、界面層１４上に、有機金属化学気相蒸着法を用いて第１の酸化亜鉛膜１５を成膜し、第１の酸化亜鉛膜１５上に、スパッタ法を用いて第２の酸化亜鉛膜を透光性導電層１６として成膜する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device that is low in on-resistance by enhancing the channel mobility of an interface between a silicon carbide region and an oxide film, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

炭化珪素領域と酸化膜との界面のチャネル移動度を向上させ、低オン抵抗な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SIMOX wafer capable of reducing or eliminating a defect gathering layer present nearby the interface of a bulk layer with an embedded silicon oxide film.例文帳に追加

バルク層の埋め込みシリコン酸化膜との界面付近に存在する欠陥集合層を低減または消滅可能なＳＩＭＯＸウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, the dangling bond of the interface of a p-type base layer that constitutes the gate oxide film and a channel region can be terminated with an element H or OH.例文帳に追加

これにより、ゲート酸化膜とチャネル領域を構成するｐ型ベース層の界面のダングリングボンドをＨもしくはＯＨの元素で終端させることが可能となる。 - 特許庁

To offer the manufacturing method of semiconductor devices which can maintain film quality of a thick gate oxide film adjacent to an interface of a silicon substrate and which can prevent the deterioration of the device characteristics.例文帳に追加

シリコン基板界面近傍の厚ゲート酸化膜の膜質を良好に維持し、デバイス特性の低下を防いだ有効な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then a maximum value of nitrogen atom concentration in a region which is ≤10 nm away from an interface between the p-type layer 4 and oxide layer 8 is ≥1×10^21 cm^-3.例文帳に追加

そして、ｐ型層４と酸化膜８との界面から１０ｎｍ以内の領域における窒素原子濃度の最大値は１×１０^２１ｃｍ^−３以上となっている。 - 特許庁

It is desirable to unevenly distribute silver and/or copper by 2 to 30% by mass in the anodic oxide coating in the range of at least 1 μm from the interface with the aluminum alloy base material.例文帳に追加

より好適には、アルミニウム合金母材との界面から少なくとも１μｍまでの範囲に質量比で２〜３０％の銀及び／又は銅を偏在させる。 - 特許庁

The interface between the transparent conductive oxide layer 2 and the p-type silicon layer 3b includes an irregular face, which has a level difference within the range of not less than 0.1 μm and not more than 0.5 μm.例文帳に追加

透明導電性酸化物層（２）とｐ型シリコン層（３ｐ）との界面は、０．１μｍ以上、０．５μｍ以下の範囲内の高低差を有する凹凸面を含む。 - 特許庁

Since Sr oxide (insulation matter) in an interfacial layer formed in an interface between a barrier metal film 13 and an SRO film 13 is thereby reduced, a contact resistance lowers.例文帳に追加

これによって、バリアメタル膜１３とＳＲＯ膜１３との界面に形成される界面層中のＳｒ酸化物（絶縁物）が減少するので、コンタクト抵抗は下がる - 特許庁

By destroying the oxide film and the passive film generated at the interface causing the electric resistance, an electrode body with reduced electric resistance can be manufactured.例文帳に追加

電気抵抗の要因となる界面に生じた酸化膜や不動態膜を破壊することによって、電気抵抗を低減した電極体を製造することができる。 - 特許庁

The interface oxide layer in the order of about 2-3 nm is dissolved and removed by, for example, high temperature annealing at 1,300-1,330°C only for 1-5 hours.例文帳に追加

約２ｎｍから約３ｎｍのオーダーの界面酸化物層が、例えば、１時間−５時間だけ１３００℃−１３３０℃で高温アニール処理により溶解して除去される。 - 特許庁

In this way, the dangling bond of an interface between a gate oxide film and a p-type base layer constituting a channel region can be terminated with an element such as H or OH.例文帳に追加

これにより、ゲート酸化膜とチャネル領域を構成するｐ型ベース層の界面のダングリングボンドをＨもしくはＯＨの元素で終端させることが可能となる。 - 特許庁

Then, the formed body is subjected to heat treatment, and thereby the surface and the interface of the soft magnetic powder which constitutes the forming body, are oxidized to form oxide film (step S104).例文帳に追加

次に、成形体に熱処理を行うことにより、成形体を構成する軟磁性粉末の表面および界面を酸化して酸化膜を形成する（ステップＳ１０４）。 - 特許庁

While the close contact condition is maintained, ultraviolet irradiation is carried out from the main substrate 10 side, thereby a silicon oxide film is formed on the joining interface to firmly fix both substrates.例文帳に追加

この密着状態を保持したまま、主基板１０側から紫外線を照射すると、接合界面にシリコン酸化膜が形成され、両基板が強固に固着する。 - 特許庁

As a result, the silicon nitride film or the silicon oxide film is interposed between the Si and the SiO_2 on the surface of the SOI layer, so that no interface is generated between the Si and the SiO_2.例文帳に追加

その結果、ＳＯＩ層表面において、ＳｉとＳｉＯ_2との間にシリコン窒化膜若しくはシリコン酸窒化膜が介在し、ＳｉとＳｉＯ_2の界面が生じることはない。 - 特許庁

The interface for a trench 62 between a gate oxide film 64 and a p-base layer 56 acts as a channel, when the positive hole accumulated at an n- epitaxial layer 54 flows to an emitter electrode 72.例文帳に追加

トレンチ６２のゲート酸化膜６４とｐベース層５６との境界面は、ｎ^-エピタキシャル層５４に蓄積された正孔がエミッタ電極７２へ流れる際のチャネルとなる。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer 12, whose conductivity is different from the n-type semiconductor layer 3 is formed at the interface between the n-type semiconductor layer 3 and a silicon oxide film 2.例文帳に追加

また、ｎ−型半導体層３と前記シリコン酸化膜２との界面に、ｎ−型半導体層３と導電型の異なるｐ型半導体層１２が形成される。 - 特許庁

This way, defects caused by oxygen vacancy (defects of generating excessive electron donors) in the oxide semiconductor film 14, in the insulation films 12 and 18, or in the interface therebetween can be controlled.例文帳に追加

酸化物半導体膜１４や絶縁膜１２，１８、あるいはこれらの界面における酸素空孔起因の欠陥（過剰電子ドナーを生成する欠陥）を制御できる。 - 特許庁

To provide a solid oxide fuel cell in which resistance of oxygen ion conduction is greatly reduced since there exists no interface between an electrolyte layer and an electrode layer.例文帳に追加

電解質層と電極層の間に界面が存在しないため、酸素イオン伝導の抵抗が大幅に減少した固体酸化物型燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a high-quality, ultra-thin-film interface oxide layer 418 suitable for use as a high-permittivity gate insulating film 424 when manufacturing a semiconductor.例文帳に追加

半導体の製造において高誘電率ゲート絶縁膜（４２４）として使用するのに適した高品質な超薄膜界面酸化物層（４１８）を形成する方法。 - 特許庁

A low oxidation concentration layer of indium tin oxide whose oxygen concentration is low as compared with that of the other part is arranged in the vicinity of an interface between the transparent electrode and the doped layer.例文帳に追加

透明電極とドープ層との界面近傍に、それ以外の部分と比べて酸素濃度を少なくしたインジウム錫酸化物の低酸化濃度層を設ける。 - 特許庁

An isolating oxide film 32 is provided, which is formed so that the interface with an active region 34 extends at an angle of 45°±10° to a cleavage plane of a Si substrate 30.例文帳に追加

活性領域３４との境界面が、シリコン基板３０の劈開面方向に対して４５°±１０°の方向に延在するように形成された分離酸化膜３２を備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor device for preventing remaining of a gap at an interface of thermal oxide films that are growing respectively from the upper and lower directions.例文帳に追加

上下方向からそれぞれ成長する熱酸化膜同士の界面において隙間の残存を防止できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The antireflection laminate is obtained by stacking at least a silicon oxide layer (1) as a first layer, a titanium nitride layer as a second layer and a silicon oxide layer (2) as a third layer in this order on a transparent substrate and the interface between the silicon oxide layer (1) and the titanium nitride layer is nitrided.例文帳に追加

透明性を有する基材上に、少なくとも第１層に酸化シリコン層（１）、第２層に窒化チタン層、第３層に酸化シリコン層（２）をこの順に積層した反射防止効果を有する積層体であって、酸化シリコン層（１）の窒化チタン層との界面が窒化されていることを特徴とする反射防止積層体である。 - 特許庁

A method of manufacturing the field-effect transistor comprises a step of forming an oxide film 14 on a silicon substrate 12, a step of forming a polysilicon electrode film 16 on the oxide film 14, and a step of supplying deuterium ions to the interface between the oxide film 14 and silicon substrate 12 through the polysilicon electrode film 16 by means of an ion implanter.例文帳に追加

本発明は、シリコン基盤１２上に酸化膜１４を形成するステップと、酸化膜１４の上にポリシリコン電極膜１６を形成するステップと、ポリシリコン電極膜１６を介して、酸化膜１４とシリコン基盤１２との界面に、イオン注入機により重水素イオンを供給するステップとにより構成される。 - 特許庁

Since the oxide interfacial layer 12 which is thermally stable and has an even thin thickness is interposed on the interface between the oxide single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13, the InGaN semiconductor layer 13 can be formed at a high temperature on the oxide single crystal substrate 11, and thus the InGaN semiconductor layer of a high quality can be obtained.例文帳に追加

酸化物単結晶基板１１とInGaN半導体層１３界面に熱的に安定で薄くて均一な酸化物界面層１２を形成することにより、酸化物単結晶基板１１上に高温でInGaN半導体層１３を形成することができ、高品質のInGaN半導体層が得られる。 - 特許庁

To provide a gate insulated film which has high specific dielectric const., suppresses gate leakage current to be sufficiently low and forming of a silicon oxide film on a Si substrate interface, and is made of a polycrystalline metal oxide film having a small thickness over the whole of the gate insulated film as converted to a Si oxide film.例文帳に追加

高い比誘電率を有し、ゲートリーク電流を十分低く抑え、また、シリコン基板界面におけるシリコン酸化膜の形成が抑制されてゲート絶縁膜全体としてのシリコン酸化膜換算膜厚が小さい金属酸化物の多結晶膜からなるゲート絶縁膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a laminated semiconductor board where no oxide film is present by a method, wherein a natural oxide film is formed and is bonded stably on a bonding surface at a room temperature, and an oxide film present at a bonding interface is removed, when two semiconductor boards are laminated and bonded together into a laminated semiconductor board.例文帳に追加

２枚の半導体基板を接着して貼り合わせ半導体基板を形成する場合に、接合面に自然酸化膜を形成して室温で安定に接着させ、接着界面に介在する酸化膜を除去することにより、全く酸化膜が存在しない貼り合わせ半導体基板を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

Consequently, the interface level between the silicon oxide film and the silicon substrate is reduced, through current between the silicon oxide film and the silicon substrate causing charges is suppressed, deterioration of the silicon oxide film is prevented and long term reliability of the semiconductor device is enhanced while increasing the yield thereof.例文帳に追加

これによりシリコン酸化膜とシリコン基板界面の界面準位が低減され、チャージが要因となるシリコン酸化膜とシリコン基板の間の貫通電流が抑制され、シリコン酸化膜の劣化を防止し、半導体装置の歩留まりを向上し、かつ、半導体装置の長期信頼性を向上することが可能となる。 - 特許庁

To provide a unit cell for solid oxide fuel cell and a solid oxide fuel cell, having excellent thermal shock resistance even when a solid oxide thin film is used as a solid electrolyte layer, and a manufacturing method of the unit cell for solid oxide fuel cell for simply forming a structure having excellent gas permeability and electricity generating performance and suppressing interface resistance.例文帳に追加

固体電解質層として固体酸化物薄膜を用いるときでも、優れた耐熱衝撃性を有する固体酸化物形燃料電池用単セル及び固体酸化物形燃料電池、及びガス透過性及び発電性能が良好であり、界面抵抗が抑制される構造を簡便に形成できる固体酸化物形燃料電池用単セルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The photomask comprises a transparent substrate 1, an antireflection structure formed by successively laminating a chromium oxide film 3, a chromium film 4 and a chromium oxide film 5 on the principal face side of the substrate 1, an LiF film 2 as an antireflection film formed on the interface between the chromium oxide film 3 and the substrate 1 and a spin-on glass film 6 formed on the surface of the chromium oxide film 5.例文帳に追加

透明基板１と、この透明基板１の主面側に、酸化クロム膜３、クロム膜４及び酸化クロム膜５順次積層して形成された反射防止構造と、酸化クロム膜３表面であって透明基板１との界面に形成された反射防止膜としてのＬｉＦ膜２と、酸化クロム膜５表面に形成されたスピンオングラス膜６から構成される。 - 特許庁

To provide an oxide thin film or a nitride thin film deposition element which can maintain the interface property of the oxide thin film by ALD and can highly maintain the substrate certainly, and without a possibility that an ALD high film quality layer which makes an interface with the substrate may be damaged and deteriorated, by utilizing a CVD method without lowering the throughput of depositing.例文帳に追加

ＡＬＤによる酸化物薄膜又は窒化物薄膜と基板との界面特性を確実に高く維持することができると共に、成膜のスループットを低下せず、更にＣＶＤ法を利用することによって基板との界面をなすＡＬＤ高膜質層が損傷劣化する虞のない酸化物薄膜又は窒化物薄膜堆積体を提供すること。 - 特許庁

A manufacturing method of a bonded silicon wafer includes a thinning step of thinning one wafer to 0.1 μm or higher and 20 μm or lower after adhesion and an internal oxygen sucking step of removing a junction interface oxide by sucking oxygen from the vicinity of the junction interface by accelerating thickening a surface oxide film via heat treatment in a mixed atmosphere of chlorine and oxygen.例文帳に追加

接着後に一方のウェーハを０．１μｍ以上２０μｍ以下に薄厚化する薄厚化工程と、 塩素・酸素混合雰囲気で熱処理することで、表面酸化膜の増厚を促進することにより接合界面付近からの酸素を吸い上げて接合界面酸化物を除去する内部酸素吸い上げ工程と、を有してなる。 - 特許庁

Interface oxide films 5 and 5a, a gate insulating film 6, a metal gate electrode 7 and a polysilicon gate electrode 8 are successively formed on an Si substrate 1 and are patterned, and a silicon oxide film 10 is formed on a side surface, and furthermore, a side wall 17 is formed.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、界面酸化膜５，５ａ、ゲート絶縁膜６、金属ゲート電極７およびポリシリコンゲート電極８を順次形成してパターニングし、側面にシリコン酸化膜１０を形成し、さらにサイドウォール１７を形成する。 - 特許庁

The oxide interface layer includes β-alumina or an oxide having a chemical composition by formula: AB_12O_19 (A is an alkaline earth metal element or a rare earth metal element: B is one or more trivalent transition metal elements; O is oxygen).例文帳に追加

酸化物界面層として、β−アルミナまたはＡＢ_12Ｏ_19（ここで、Ａ:アルカリ土類金属元素または希土類金属元素、Ｂ:１種類以上の３価の遷移金属元素、Ｏ:酸素を示す）で示される化学組成を有する酸化物が挙げられる。 - 特許庁

To provide a film forming method for obtaining an extremely thin interface oxide film having high in-plane uniformity of film thickness and less defect by performing a low oxygen partial pressure oxidation while the surface of a silicon layer is protected by a chemical oxide film.例文帳に追加

シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことにより、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得ることが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface modification method whereby a high-quality silicon oxynitride film with decreased damage is formed in a short treatment time by sufficiently decreasing the nitrogen concentration at the interface between a silicon oxide film and a silicon substrate and increasing the nitrogen concentration in the silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン酸化膜とシリコン基板界面の窒素濃度を十分小さくし、かつ、シリコン酸化膜中の窒素濃度を高め、ダメージを減らした高品位のシリコン酸窒化膜を、短い処理時間で生成する表面改質方法を提供する。 - 特許庁

To provide a voltage supply circuit in which a gate oxide film of a transistor is not broken, even if a voltage which is not less than a breakdown- strength of the gate oxide film is applied to the transistor, in a state with an internal power supply which is not start up in an interface circuit.例文帳に追加

インターフェース回路において内部電源が立ち上がっていない状態でトランジスタにそのゲート酸化膜耐圧以上の電圧がかかった場合にも、そのゲート酸化膜が破壊しないような電圧供給回路を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a uniform film for improving film characteristics by reducing defects of a film interface in such a way that an oxide film may be formed by oxidizing a base surface with an oxidizing fluid, and the thin film may be formed on the oxide film.例文帳に追加

酸化性を有する液体によって基体表面を酸化することで酸化膜を形成し、その酸化膜上に薄膜を形成することで、膜界面の欠陥を少なくして膜特性を向上させた均一な成膜を可能とする。 - 特許庁

When a metal layer 11 is provided over a substrate, an oxide layer 12 is provided to be in contact with the metal layer 11, a layer to be peeled 13 is formed, and the metal layer 11 is irradiated with a laser beam to perform oxidization to form a metal oxide layer 16, complete separation can be achieved inside the metal oxide layer 12 or at an interface between the metal oxide layer 16 and the oxide layer 12 through a physical means.例文帳に追加

基板上に金属層１１を設け、さらに前記金属層１１に接して酸化物層１２を設け、さらに被剥離層１３を形成し、前記金属層１１をレーザー光で照射することで酸化を行い、金属酸化物層１６を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層１２の層内または金属酸化物層１６と酸化物層１２との界面において、きれいに分離することができる。 - 特許庁

Next, fluorine is self-controllingly diffused to the light reception part and an interface between a silicon substrate 1 in a reading region and an oxide film by applying annealing at 550-850°, whereby unsaturated bonds on the surface of the silicon substrate 1 are saturated, and an interface level is stabilized.例文帳に追加

次に、５５０度〜８５０度のアニールを施すことにより、自己制御的に受光部及び読み出し領域のシリコン基板１と酸化膜との界面にフッ素を拡散させることにより、シリコン基板１表面の不飽和結合を飽和し界面淮位を安定化する。 - 特許庁

Before the gate electrode 5 is formed, a gate insulating film 4 having a nitrided region at its inside from the interface between the film 4 and a semiconductor substrate 1 or the gate electrode 5 is formed by adding nitride to the interface between an aluminum oxide layer which becomes the insulating film 4 and the substrate 1 or electrode 5.例文帳に追加

ゲート電極５の形成前に、ゲート絶縁膜４となる酸化アルミニウム層の半導体基板１との界面側またはゲート電極５との界面側に窒素を添加し、その界面から内部の領域が窒化されたゲート絶縁膜４を形成する。 - 特許庁

To increase a reliability with respect to both a hot carrier and an NBT by optimizing the concentration of nitrogen introduced into an interface between a gate oxide film and a substrate (well) of four kinds of MISFETs having different conductivity types and different thicknesses for the gate oxide film.例文帳に追加

導電型およびゲート酸化膜厚の異なる４種類のＭＩＳＦＥＴのゲート酸化膜と基板（ウエル）の界面に導入する窒素の濃度を最適化することによって、ホットキャリアに対する信頼性とＮＢＴに対する信頼性を両立させる。 - 特許庁