「interface oxide」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

On the interface between the element formation regions 12 where the semiconductor elements are to be formed and the element isolation region embedded with the oxide film 10, the oxide nitride film 9 is disposed.例文帳に追加

半導体素子が形成される素子形成領域１２と酸化膜１０が埋め込まれた素子分離領域との界面に酸窒化膜９が配置される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar cell in which an aluminum oxide film is arranged without forming a silicon oxide film on an interface between two silicon film.例文帳に追加

２つのシリコン膜の界面に酸化シリコン膜を生成することなく酸化アルミニウム膜を配することができる太陽電池の製造方法を得ること。 - 特許庁

Further, output variations caused by deterioration of an interface with an oxide film OX can be suppressed by providing an insensible region just under the oxide film OX.例文帳に追加

また、不感領域を酸化膜ＯＸの直下に設けることで、酸化膜ＯＸとの界面の劣化による出力変動を抑制することができる。 - 特許庁

Next, a silicon oxide layer 21a is formed at an interface between the silicon oxide film 18 and the channel silicon crystalline film 20 by performing thermal treatment in an oxygen gas atmosphere.例文帳に追加

次に、酸素ガス雰囲気中で熱処理を行い、シリコン酸化膜１８とチャネルシリコン結晶膜２０との界面にシリコン酸化物層２１ａを形成する。 - 特許庁

The lower-layer insulating film 7a is made up in a laminated structure of a silicon nitride film 7aa, a silicon oxide film 7ab, an interface layer 7ac and a silicon oxide film 7ad.例文帳に追加

下層絶縁膜７ａがシリコン窒化膜７ａａ／シリコン酸化膜７ａｂ／界面層７ａｃ／シリコン酸化膜７ａｄの積層構造により構成されている。 - 特許庁

To provide a transistor with an excellent interface state between an oxide semiconductor layer and an insulation film in contact with the oxide semiconductor layer, and a manufacturing method for the transistor.例文帳に追加

酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜との界面状態が良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

Doping of zirconium oxide with an effective amount of the lanthanide series oxide results in the formation of a dense reactive layer at an interface between the outer layer of TBC and CMAS.例文帳に追加

ジルコニウム酸化物に有効量のランタン系列酸化物をドープすると、ＴＢＣの外側層とＣＭＡＳとの界面に稠密な反応層が形成される。 - 特許庁

In the conductive oxide film, intrafilm oxygen concentration near an interface with the oxide film including the second element B is lower than that in the other part of the conductive oxide film.例文帳に追加

導電性酸化物膜は、第２の元素Ｂを含む酸化物膜との界面近傍における膜中酸素濃度が、導電性酸化物膜の他の部分の膜中酸素濃度よりも低くしている。 - 特許庁

To provide a field effect transistor which has a semiconductor-oxide interface of favorable quality, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

良質な半導体−酸化物界面を有する電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the capture metal layer reduces a thickness of a silicon oxide interface layer under the high-k gate dielectric remotely.例文帳に追加

さらに、該捕捉金属層は、高ｋゲート誘電体の下の酸化ケイ素界面層の厚さを遠隔から低減する。 - 特許庁

To form a good interface between a III-V compound semiconductor and an oxide layer by a practically simple method.例文帳に追加

実用的に簡単な手法で、良好な３−５族化合物半導体と酸化層との界面を形成する。 - 特許庁

This is because the segregation coefficient of arsenic at the interface between a silicon film 4 and the oxide film 3 is small.例文帳に追加

その後、前記多結晶シリコン膜に偏析係数がリンのそれより小さいｎ型半導体をイオン注入する。 - 特許庁

To provide an optical device having neural interface of iridium oxide (IrO_x) electrode, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

酸化イリジウム（ＩｒＯ_Ｘ）電極のニューラル・インターフェースを有する光学装置と、その製造方法とを提供する。 - 特許庁

OXIDE SLIDING INTERFACE-COATED SILICON CARBIDE-BASED FIBER AND CERAMIC-BASED COMPOSITE MATERIAL REINFORCED WITH THE FIBER例文帳に追加

酸化物摺動界面被覆炭化ケイ素系繊維およびこの繊維で強化されたセラミックス基複合材料 - 特許庁

When TBC is manufactured by the above method, a thin aluminum oxide layer is formed on a top coat/bond coat interface.例文帳に追加

上述の方法でＴＢＣを作製すると、トップコート／ボンドコート界面に薄い酸化アルミの層が生成する。 - 特許庁

A small amount of the substrate is also oxidized to create a good interface between the substrate and the oxide layer formed.例文帳に追加

基板の少量もまた酸化されて、基板と形成される酸化物層との間の優れた界面を作り出す。 - 特許庁

Oxide 49 is dispersed sea island-like in the interface between the Heustler alloy layer and the spacer layer 44.例文帳に追加

ホイスラー合金層とスペーサ層４４との界面には、酸化物４９が海島状に分散して設けられている。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film in which the interface property of a silicon substrate and a silicon oxide film is good, and which produces the thin film with good low interface trap density.例文帳に追加

低温で、シリコン基板とシリコン酸化膜との界面特性が良好であり、低界面トラップ密度の良質な薄膜を作製する薄膜形成方法を提案する。 - 特許庁

The coating 14 essentially comprises silicon dioxide near the glass-coating interface 16 and tin oxide in the surface 18 of the coating 14 remotest from the interface 16.例文帳に追加

このガス混合物を約６５０℃に加熱されたガラス基体の上をそれを覆って３〜３０秒間通過させ、その後使用済みガス混合物をフードの中に排気する。 - 特許庁

By the addition of nitrogen, a highly crystalline region can be formed in the vicinity of the interface of the oxide semiconductor layer and a stable interface state can be obtained.例文帳に追加

この窒素の添加によって、酸化物半導体層の界面近傍に結晶性の高い領域を形成でき、安定した界面状態を得ることができる。 - 特許庁

Upon the formation of the aluminum oxide film on the silicon substrate, a silicon nitride film is previously provided under the aluminum oxide film as an underlying interface layer, a nitride-based high-permittivity film is formed on the aluminum oxide film on the underlying interface layer to thereby form a laminated gate insulating film.例文帳に追加

シリコン基板上にアルミニウム酸化膜を形成する際、アルミニウム酸化膜の下部にシリコン窒化膜を下地界面層として設けておき、当該下地界面層上のアルミニウム酸化膜上に、窒化物系高誘電率膜を形成することにより、積層ゲート絶縁膜を構成する。 - 特許庁

In the faltering process, the surface of high permittivity oxide film is dry-etched to reduce the unevenness on the interface between the upper electrode 104 and high permittivity oxide film 103, suppressing concentration of electric field due to the recessed parts of the interface.例文帳に追加

平坦化処理は、高誘電率酸化膜の表面をドライエッチングし、上部電極１０４と、高誘電率酸化膜１０３との界面の凹凸を軽減し、界面の凹部による電界集中を抑制する処理である。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor element capable of reducing an offset voltage on an interface between a semiconductor layer on a gallium oxide substrate and a principal surface of the gallium oxide substrate.例文帳に追加

酸化ガリウム基板上の半導体層と酸化ガリウム基板の主面との界面におけるオフセット電圧を低減可能な窒化物系半導体素子を提供する。 - 特許庁

To realize practical use of an oxide thin film by growing the oxide thin film with superior crystallinity on a silicon substrate and preventing the generation of an interface SiO_2 layer.例文帳に追加

酸化物誘電体薄膜を電子デバイスとして実用化するために、結晶性良くＳｉ基板上に成長させる、界面ＳｉＯ_２層の発生を抑えること。 - 特許庁

To form an interface between oxide film/silicon carbide having a small flat band shift voltage when a metal-oxide film-semiconductor (MOS) structure is formed using a silicon carbide substrate.例文帳に追加

炭化珪素基板を用いて金属−酸化膜−半導体(MOS)構造を形成する際に、フラットバンドシフト電圧の小さい良好な酸化膜/炭化珪素界面を形成する。 - 特許庁

This can complete the accumulation of the positive charges in the oxide semiconductor layer or at an interface between the oxide semiconductor layer and a gate insulation film in a short period of time.例文帳に追加

これにより、酸化物半導体層内又は酸化物半導体層及びゲート絶縁膜の界面への正電荷の蓄積を短期間で収束させることができる。 - 特許庁

The element isolation structure 40 comprises a silicon oxide nitride film (SiON film) 10 formed on a surface of the substrate 1 through an interface oxide film 20 and a ground insulating film 30 formed on the silicon oxide nitride film 10.例文帳に追加

その素子分離構造４０は、界面酸化膜２０を介して基板１の表面上に形成されたシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）１０と、シリコン酸窒化膜１０上に形成された埋設絶縁膜３０とを有する。 - 特許庁

To suppress a formation of a silicon oxide in an interface between a titanium oxide and a silicon substrate and to suppress an increase in a leakage current in a semiconductor device having MOS transistors each having a titanium oxide gate insulating film.例文帳に追加

酸化チタンゲート絶縁膜を有するMOSトランジスタが形成された半導体装置において、酸化チタンとシリコン基板との界面における酸化シリコンの形成を抑制し、かつリーク電流の増加を抑制する。 - 特許庁

In the method of reducing the stress of the oxide film formed on the silicon substrate, radical atoms are irradiated on the oxide film to be mixed in atoms deviated from the radical atoms evenly into the entire oxide film, selectively eliminating defects existent inside the oxide film or in an interface between the oxide film and the silicon substrate and consequently reducing the stress of the oxide film.例文帳に追加

シリコン基板上に設けられる酸化膜のストレスを緩和する方法であって、酸化膜に対してラジカル原子を照射し酸化膜全体にラジカル原子由来の原子を均一に混入することによって、酸化膜内部あるいは酸化膜とシリコン基板との界面に存在する欠陥を選択的に消滅させ、酸化膜のストレスを緩和する。 - 特許庁

Then a heat treatment is carried out to accelerate chemical bonding of an interface between the device substrate 101 and thermal oxide film 103.例文帳に追加

ついで、熱処理によって、デバイス基板１０１と熱酸化膜１０３との界面の化学結合を促進させる。 - 特許庁

To prevent peel-off at the interface between a platinum-family metal film for composing the lower electrode of a capacitive element and a silicon oxide film.例文帳に追加

容量素子の下部電極を構成する白金族金属膜と酸化シリコン膜との界面での剥離を防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a two-layer gate insulating film of silicon oxide nitride film/silicon nitride film, with a low interface level density.例文帳に追加

界面準位密度の低いシリコン酸窒化膜／シリコン窒化膜の２層ゲート絶縁膜を製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon wafer for lowering an interface level between a surface silicon layer of an SOI substrate having an embedded oxide film and the embedded oxide layer, and also to provide a silicon wafer having a lower interface level manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

埋め込み酸化膜を有するＳＯＩ基板の表面シリコン層と埋め込み酸化層との界面準位を低減できるシリコンウェーハの製造方法およびその製造方法で製造した界面準位の低いシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

Because of this, a copper oxide film 6 previously formed at the bonded interface between the first electrode 3 and the second electrode 5 can be removed, and an oxide film is prevented from being formed at the bonded interface in connection with execution of ultrasonic bonding.例文帳に追加

これにより、第１電極３と第２電極５との接合界面に既に形成されている銅の酸化膜６を除去できるとともに、超音波接合の実施に伴って接合界面に酸化膜が形成されることを抑制することができる。 - 特許庁

To prevent the degradation of the performance of a transistor caused by interface level rising due to the entry of nitrogen atoms that have been implanted in a silicon oxide film, reaching an interface between the film and a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン酸化膜中に導入した窒素原子がシリコン基板との界面にまで到達し、界面準位を増大させてトランジスタの性能を損なうということがないようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an oxide thin film, having bulk characteristics and interface characteristics nearly equal to the bulk characteristics and the interface characteristics of thermal oxidation.例文帳に追加

薄膜酸化物を製造する方法であって、熱酸化のバルク特性および界面特性に近いバルク特性および界面特性を有する薄膜酸化物を生成する方法が提供される。 - 特許庁

The information recording medium has an oxide dielectric layer containing an oxide D1 (D1 is an oxide having at least one element selected from Zr, Hf, Y, In, Al, Ti, Cr and Si) and an oxide D2 (D2 is an oxide having at least one element selected from Sb, Sn, Te and Bi) as a second interface layer 14 and a first interface layer 16.例文帳に追加

酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を第２界面層１４および第１界面層１６として備えることを特徴とする情報記録媒体。 - 特許庁

Moreover, the method of manufacturing the electrode for the lithium battery includes interface part forming step of forming the interface part containing the lithium metal oxide on the current collector by a sputtering method, and an upper layer part forming step of forming the upper layer part containing the lithium metal oxide on this interface part by a vapor-deposition method.例文帳に追加

また、本発明のリチウム電池用電極の製造方法は、集電体上にスパッタリング法によりリチウム金属酸化物を含む界面部を形成する界面部形成工程と、この界面部上に蒸着法によりリチウム金属酸化物を含む上層部を形成する上層部形成工程とを備える。 - 特許庁

Voids due to organics and surface roughness at the lamination interface of both wafers can be prevented by reducing a surface roughness after removing organics on at least the surface (lamination interface) of CVD oxide film of a first wafer as pre-treatment for laminating the first wafer and a second wafer together, even if the CVD oxide film is employed as an oxide film (embedded oxide film) interposed on the lamination interface.例文帳に追加

貼り合わせ界面に介在される酸化膜（埋め込み酸化膜）としてＣＶＤ酸化膜を採用した場合でも、第１のウェーハと第２のウェーハとを貼り合わせる前処理として、少なくとも第１のウェーハのＣＶＤ酸化膜の表面（貼り合わせ界面）に対して、有機物の除去後、表面ラフネスを小さくすれば、両ウェーハの貼り合わせ界面における有機物と表面ラフネスとを原因としたボイドの発生を防止可能である。 - 特許庁

When an oxide insulator is formed as a protective film on an oxide semiconductor layer, a film is formed in an atmosphere containing an oxidizing gas, and the carrier density around an interface of the oxide semiconductor is made lower than that of an insulation layer side.例文帳に追加

酸化物半導体層上に保護膜として酸化物絶縁体を形成する際に、酸化性ガスが含まれる雰囲気で成膜し、酸化物半導体の界面付近のキャリア密度を絶縁層側のキャリア密度より小さくする。 - 特許庁

To provide a connecting structure and a connecting method of an oxide superconducting current lead, where an oxide superconductor is not broken by thermal shrinkage of a copper electrode, and the problem of interface breaking of the oxide superconductor and a silver coating layer which is to be caused by permeation of solder and solder flux into an interface between the superconductor and the silver coating layer is excluded.例文帳に追加

銅電極の熱収縮により酸化物超電導体が破断することなく、酸化物超電導体と銀被覆層との界面にハンダ及びハンダフラックスが侵入し両者の界面破壊の恐れのない酸化物超電導電流リードの接続構造と方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Here, a separate collar 130 is arranged, by covering a separate collar nitride interface barrier layer 125 provided between a separate collar oxide layer and the trench sidewall 32, and a vertical gate oxide film 160 is arranged, covering the gate nitride interface layer 1250 provided between the gate oxide layer and trench sidewall 32.例文帳に追加

ここで、分離カラー１３０は分離カラー酸化物層とトレンチ側壁３２との間に設けられた分離カラー窒化物界面障壁層１２５を覆って配置されており、垂直ゲート酸化膜１６０はゲート酸化物層とトレンチ側壁３２との間に設けられたゲート窒化物界面層１２５０を覆って配置されている。 - 特許庁

In more detail, a TFT is formed through the peeling from the inside of the oxide film layer and from the interface of both surfaces of the relevant oxide layer by forming an oxide layer including a relevant metal on such metal film and then crystallizing the relevant oxide layer with the heat treatment.例文帳に追加

詳しくは、金属膜上に当該金属を有する酸化物層が形成され、加熱処理を行うことにより当該酸化物層を結晶化させ、酸化物層の層内、又は当該酸化物層の両面の界面から剥離を行って得られたＴＦＴを形成することを特徴とする。 - 特許庁

To accurately determines profiles of interface between an oxide film formed by an oxidation process of a surface of a semiconductor film and the semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜の表面の酸化工程により形成される酸化膜と半導体膜の界面の形状を精度良く求める。 - 特許庁

A metal silicide layer or a metal oxide layer may be formed on an interface between the core and the cover layer as a tightly adhered layer.例文帳に追加

芯材と被覆層との界面に密着層として金属シリサイド層あるいは金属酸化物層を形成してもよい。 - 特許庁