「interface oxide」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A filter film 50a for a display device has such a structure that metal fine particles of a nanometer size are deposited on the surfaces of oxide particles and that the surface plasmon resonance to selectively absorb light in a specified wavelength band by resonance is induced on the metal/oxide interface.例文帳に追加

表示装置用フィルター膜５０ａが、ナノサイズの金属微粒子が酸化物粒子の表面に付着した構造を有し、金属／酸化物界面で特定波長帯の光を選択的に共鳴吸収する表面プラズモン共鳴現象が誘起される。 - 特許庁

To form a reliable gate insulating film by introducing high-concentration nitrogen only near the surface of a silicon oxide film without segregating nitrogen near the interface of a silicon substrate in the nitriding treatment of the silicon oxide film using a plasma nitriding method.例文帳に追加

本発明は、プラズマ窒化法を用いたシリコン酸化膜の窒化処理においてシリコン基板界面近傍に窒素を偏析させることなく、シリコン酸化膜表面近傍のみに高濃度の窒素を導入し、信頼性の高いゲート絶縁膜を形成することを目的とする。 - 特許庁

In a pre-process for processing a substrate before forming a gate oxide film on a silicon carbide semiconductor substrate, while keeping the temperature of the substrate in a range from the room temperature to 1200 degree centigrade and applying ultraviolet rays to the substrate, the substrate is exposed to ozone to form the interface between oxide film/silicon carbide.例文帳に追加

炭化珪素半導体基板上に、ゲート酸化膜を形成する前の基板前処理工程において、基板の温度を室温から１２００℃の範囲に保ち、紫外線を照射しつつオゾン暴露を行って酸化膜／炭化珪素界面の作成する。 - 特許庁

To provide a laminating SOI wafer manufacturing method for forming a gettering source at an interface between an SOI layer and an insulating layer (an oxide film), and an SOI wafer manufactured by this method.例文帳に追加

ＳＯＩ層と絶縁体層（酸化膜）の界面にゲッタリング源を形成させる貼合せＳＯＩウェーハの製造方法及びこの方法により製造されたＳＯＩウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a metallic member for adhesion by vulcanization sufficiently removing an oxide layer on a surface thereof by blast processing, with superior resistance to corrosion and deterioration of an adhesive interface.例文帳に追加

ブラスト処理により表面の酸化物層が十分に除去され、ゴムとの加硫接着性、接着界面の耐腐食劣化性に優れた加硫接着用金属部材を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with an interface section comprising transistors made of a gate oxide film with a thick film thickness and the speed of which is not reduced even when a low power supply voltage is employed.例文帳に追加

膜厚の厚いゲート酸化膜で形成されるトランジスタで構成され、電源電圧を低電圧化しても速度劣化しないインターフェース部を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a structure in which a proton conductor thin film is formed with surface ruggedness suppressed without using an oxide film on an interface with Pd which is hydrogen permeable metal.例文帳に追加

水素透過性金属であるＰｄとの界面に酸化膜を介在させずに、表面凹凸を抑えたプロトン伝導体薄膜を形成した構造を作製する方法を提供すること。 - 特許庁

Arcing on the interface between the electrode 19 and the insulators 21, 22, and surface creepage due to existence of the triple point region 23 are prevented by the chromium oxide film 24, and the intermittent discharge phenomena and the stray emission are also prevented.例文帳に追加

酸化クロム膜24により、電極19と絶縁体21，22との界面のアーキングや三重点部位23の存在による沿面放電を防止し、間欠放電現象やストレイエミッションを抑止する。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor which prevents breakdowns in the vicinity of an interface under a surface oxide film and prevents breakdown voltage fluctuations in time which is attributable to Zener breakdown.例文帳に追加

表面酸化膜下の界面近傍で発生する降伏を防ぎ、ツェナー降伏によるブレークダウン電圧の経時変動を防ぐバイポーラトランジスタを提供することを目的としている。 - 特許庁

A reaction phase containing Al is formed at the interface between the ceramic and the metal, and a joined body wherein the oxide-based ceramic and the metal containing Al are joined to each other through the reaction phase is obtained.例文帳に追加

両者の境界面にＡｌを含む反応相を形成し、この反応相を介して酸化物系セラミックスとＡｌを含む金属とが結合された接合体を得る。 - 特許庁

To remove an etching product adsorbed onto a semiconductor substrate substantially thoroughly in an interface cleaning process for removing an oxide film on the semiconductor substrate by dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング処理により半導体基板上の酸化膜を除去する界面清浄化処理において、半導体基板上に吸着させたエッチング生成物をほぼ確実に除去可能にする。 - 特許庁

By increasing the Sr content at an interface between the Sr_xTi_yO_3 dielectric layer and the TiN bottom electrode, the interfacial equivalent-oxide thickness (EOT) can be further reduced.例文帳に追加

Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層とＴｉＮ下部電極との間の界面でのＳｒ含有量を増加させることによって、界面の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）をさらに低減できる。 - 特許庁

To obtain a high quality SiGe crystal by suppressing dislocation in the vicinity of the oxide film interface of an SiGe layer and to enable the sufficient lattice relaxation of the SiGe layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層の酸化膜界面近傍における転位の発生を抑制して高品質のＳｉＧｅ結晶を得ることができ、且つＳｉＧｅ層の十分な格子緩和をはかる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a perovskite oxide layer, a method for manufacturing a ferroelectric memory and a method for manufacturing a surface wave elastic wave element, wherein an interface with an electrode layer is excellent.例文帳に追加

電極層との界面が良好なペロブスカイト型酸化物層の製造方法、強誘電体メモリの製造方法および表面波弾性波素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the upper surface position D_2 of the silicon oxide film 22 becomes shallower than the interface between the silicon substrate 2 and the epitaxial layer 18 from the surface of the epitaxial layer 18.例文帳に追加

これにより、酸化シリコン膜２２の上面位置Ｄ_2が、シリコン基板２とエピタキシャル層１８との界面の位置よりも、エピタキシャル層１８の表面から浅い位置になるようにされる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film capacitor of high leakage characteristic by suppressing local concentration of the electric field on the interface between an upper electrode and a high permittivity oxide film.例文帳に追加

上部電極と高誘電率酸化膜との界面の局所的な電界集中を抑制し、良好なリーク特性を有する薄膜キャパシタを製造する方法を提供する - 特許庁

To provide a composite resin particle (composite thermoplastic resin particle) of a core-shell structure containing inorganic particles (such as a metal oxide) unevenly distributed near the interface with the core in the shell.例文帳に追加

無機粒子（金属酸化物など）がシェルのうちコアとの界面に偏在して含有されているコアシェル構造の複合樹脂粒子（複合熱可塑性樹脂粒子）を提供する。 - 特許庁

The electronic component includes an inner conductive layer 2 in a dielectric layer 1, and a nickel oxide layer 3 is located on an interface between the dielectric layer 1 and the inner conductive layer 2.例文帳に追加

誘電体層１中に内部導体層２を有する電子部品であって、前記誘電体層１と前記内部導体層２との界面に酸化ニッケル層３が存在する - 特許庁

To provide a method of forming a capacitor with high capacitance, which prevents decrease of the dielectric constant by preventing formation of a silicon-oxide film at the interface between the storage electrode and the dielectric film.例文帳に追加

貯蔵電極と誘電体膜の界面に発生するシリコン酸化膜の発生を抑えて誘電率の減少を防ぎ、高い静電容量を提供するキャパシタの形成方法とする。 - 特許庁

Thus, the Ge density of the oxide film interface of the polycrystal silicon-germanium film becomes uniform to reduce lattice distortion and film stress and the reliability of the gate electrode is improved.例文帳に追加

このようにすると、多結晶シリコンゲルマニウム膜の酸化膜界面のＧｅ濃度が均一になり結晶粒内の格子ひずみと膜ストレスが減少し、ゲート電極の信頼性が向上する。 - 特許庁

At the bonded interface between bonded products made of ceramic essentially comprising aluminum nitride, aluminum nitride particles are mutually sintered employing yttrium aluminum oxide as a grain boundary phase.例文帳に追加

窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスからなる被接合体同士の接合界面における窒化アルミニウム粒子が酸化イットリウムアルミニウムを粒界相として互いに焼結されている。 - 特許庁

The active regions are positioned below a level corresponding to a level of an interface 32 between a gate oxide and an epitaxial surface by etching to a selectable depth.例文帳に追加

能動領域は、選択可能な深さまでエッチングがなされることによって、ゲート酸化物とエピタキシャル表面との境界（３２）のレベルに対応するレベルよりも下に位置している。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which a silicon oxide film formed on a silicon substrate or on the interface of a silicon layer and a high-permittivity insulating film are made thin easily.例文帳に追加

シリコン基板又はシリコン層と高誘電率絶縁膜の界面に形成されるシリコン酸化膜を容易に薄膜化することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, higher charge carrier concentrations can be established at a position distant from the interface between the gate oxide and the epitaxial layer by implanting an appropriate dopant to the active regions.例文帳に追加

次に、能動領域に適切なドーパントを注入することにより、ゲート酸化物とエピタキシャル層との境界から離れた位置に高濃度の電荷キャリアを生じさせることができる。 - 特許庁

To obtain a method by which a highly efficient semiconductor laser, having a low threshold can be manufactured by reducing the amount of an oxide in and near the interface between active layers and leaving no remaining sulfides.例文帳に追加

本発明の目的は、活性層界面、近傍の酸化物を低減でき、残留硫化物もないので、低しきい値、高効率の半導体レーザを製造する製造方法を得る。 - 特許庁

Since an electrically insulating oxide is formed on the interface when the substances I and II are touching each other, electricity hardly flow from the substance I to the substance II.例文帳に追加

物質Ｉと物質ＩＩがお互いに接触しているときその界面に電気絶縁性の酸化物が形成されるため、物質Ｉから物質ＩＩへは殆ど電気は流れない。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor element, in which an oxide film is formed on a semiconductor substrate including SiC, includes a step of oxide film formation of forming an oxide film including SiO_2 on the semiconductor substrate in a condition where the SiC is not oxidized; and a step of oxynitride film formation for forming an oxynitride film by oxynitriding SiC at an interface between the oxide film and the semiconductor substratre.例文帳に追加

ＳｉＣからなる半導体基板上に酸化膜が形成された半導体素子の製造方法において、上記ＳｉＣを酸化させない条件で、ＳｉＯ_２からなる酸化膜を、上記半導体基板上に形成する酸化膜形成工程と、上記酸化膜と上記半導体基板との界面のＳｉＣを酸窒化させることにより、酸窒化膜を形成する酸窒化膜形成工程とを含む製造方法である。 - 特許庁

In the surface-coated plastic material having the vapor deposition film formed on the surface of a plastic base material, the vapor deposition film has an organosilicon polymer layer formed on the interface side with the surface of the plastic base material, a silicon oxide layer formed on the organosilicon polymer layer and a zirconium oxide containing layer or a titanium oxide containing layer formed on the silicon oxide layer.例文帳に追加

プラスチック基材表面に蒸着膜が形成された表面被覆プラスチック材において、該蒸着膜は、プラスチック基材表面との界面側に形成された有機ケイ素重合体層と、有機ケイ素重合体層上に形成されたケイ素酸化物層と、ケイ素酸化物層上に形成されたジルコニウム酸化物含有層又はチタニウム酸化物含有層とを有していることを特徴とする。 - 特許庁

Since a channel is formed in the n-type channel layer located beneath the p-type channel layer touching a gate oxide film 7 and a current can be fed thereto when a PN junction is formed in the surface channel layer 5, a channel can be formed regardless of the roughness or residual defect of the interface (MOS interface) between the gate oxide film 7 and the surface channel layer 5.例文帳に追加

このように、表面チャネル層５にＰＮ接合を形成することにより、ゲート酸化膜７と接するｐ型チャネル層の下部に位置するｎ型チャネル層にチャネルを形成して電流を流すことができるため、ゲート酸化膜７と表面チャネル層５との界面（ＭＯＳ界面）のラフネス又は残留欠陥とは関係なく、チャネルを形成することができる。 - 特許庁

To solve such a problem that if an oxide semiconductor layer is formed on the surfaces of a source electrode layer and a drain electrode layer with a film of oxide or contaminant generated on the surfaces, an interface with high electrical resistance is formed on the contact surface between the source electrode layer or the drain electrode layer and the oxide semiconductor film and the ON current of a semiconductor element is suppressed.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層表面に酸化物や汚染物の皮膜が生じたまま、その上に酸化物半導体層を形成すると、ソース電極層またはドレイン電極層と酸化物半導体膜との接触面に電気的に高抵抗な界面が形成され、半導体素子のオン電流が抑制されてしまう。 - 特許庁

The use of silicon oxide containing excessive oxygen can release oxygen from the insulation layer and decrease oxygen defects in the oxide semiconductor layer and interface state density between the base insulation layer or the protective insulation layer and the oxide semiconductor layer; thus, a semiconductor device with less variation in electrical characteristics and high reliability can be manufactured.例文帳に追加

酸素が過剰な酸化シリコンを用いることにより、絶縁層から酸素が放出され、酸化物半導体層中の酸素欠損及び下地絶縁層もしくは保護絶縁層と酸化物半導体層の界面準位密度を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

In a layered electrode film, a transparent oxide layer 1 and an Ag alloy thin film layer 2 are layered, the Ag alloy thin film layer 2 has a component composition containing 0.1-1.5 mass% of In, with the remainder of Ag and inevitable impurities, and an In oxide 3 is formed at a junction interface between the transparent oxide layer 1 and the Ag alloy thin film layer 2.例文帳に追加

透明酸化物層１とＡｇ合金薄膜層２とが積層された積層電極膜であって、Ａｇ合金薄膜層２は、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、透明酸化物層１とＡｇ合金薄膜層２との接合界面に、Ｉｎ酸化物３が形成されている。 - 特許庁

Since the interface resistance between the electrolyte and the fuel electrode is reduced by relaxing the difference of sintering nature between the electrolyte and the fuel electrode and the difference between thermal expansion coefficients, the interface resistance between the electrolyte and the fuel electrode can be reduced, and the solid oxide fuel cell with high performance can be provided.例文帳に追加

中間層により、電解質と燃料極の焼結性、熱膨張係数の違いが緩和される為、電解質と燃料極の界面抵抗を低減できることから、性能の優れた固体酸化物形燃料電池を提供することが可能である。 - 特許庁

Thus, the occurrence of microcrystallization, defects or interface state, which may otherwise occur at an interface between the silicon substrate 10 and the amorphous silicon layer 30, is reduced because a thin layer of the silicon-oxide thin film 20 is provided between the silicon substrate 10 and the amorphous silicon layer 30.例文帳に追加

従って、シリコン基板１０とアモルファスシリコン層３０との間に薄層の酸化シリコン薄膜２０が設けられているため、シリコン基板１０とアモルファスシリコン層３０との界面において生じ得る微結晶化や欠陥あるいは界面準位の発生が低減される。 - 特許庁

In the diffraction optical device having a relief pattern 3 on the interface of two optical members 1, 2 consisting of different kinds of optical materials, a thin film layer 4 consisting of at least one kind of silicon dioxide, zinc sulfide and aluminum oxide is formed on the interface.例文帳に追加

互いに異なる種類の光学材料からなる２つの光学部材１、２の境界面に、レリーフパターン３を有する回折光学素子において、前記境界面に、二酸化珪素、硫化亜鉛および酸化アルミニウムのうち少なくとも一種からなる薄膜層４を形成して構成した。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device and its manufacturing method that can reduce the interface state at an interface between an oxide insulating film, whose major ingredient is a silicon dioxide film, and a silicon carbide semiconductor substrate so as to improve channel mobility, thereby decreasing on-resistance.例文帳に追加

シリコン酸化膜を主成分とする酸化絶縁膜と炭化珪素半導体基板との界面における界面準位を低減して、チャネル移動度を改善してオン抵抗を小さくすることのできる炭化珪素半導体装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the semiconductor device having the junction interface where a first conductive type SiGe and a second conductive type Si or SiGe come in contact with each other, the surface concentration of a germanium oxide (GeO^2, GeO) in a portion where the junction interface is exposed outside is suppressed to 1.0×10^15 molecule/cm^2 or less.例文帳に追加

第１導電型のＳｉＧｅと第２導電型のＳｉ又はＳｉＧｅとが相互接触する接合界面を有する半導体装置において、前記接合界面が表面に露出する部分のゲルマニウム酸化物（ＧｅＯ２，ＧｅＯ）の表面濃度を１．０ｘ１０^１５ｍｏｌｅｃｕｌｅ／ｃｍ^２以下に抑える。 - 特許庁

In the wave range of light that enters the substrate 1 and reaches the first reflection layer 5, reflectivity at an interface between the first reflection layer 5 and the second reflection layer 6 is higher than the reflectivity at an interface between the translucent conductive oxide layer 4 and the first reflection layer 5.例文帳に追加

基板１から入射する光のうち第１の反射層５に到達する光の波長域において、第１の反射層５と第２の反射層６の界面での反射率が、透光性導電酸化物層４と第１の反射層５の界面での反射率よりも高い。 - 特許庁

By the release of oxygen from the insulation layer, the oxygen defect in the oxide semiconductor layer and the interface state between the insulation layer and the oxide semiconductor layer can be reduced; thus, a semiconductor device with less variation in electric characteristics and high reliability can be manufactured.例文帳に追加

絶縁層から酸素が放出されることにより、酸化物半導体層中の酸素欠損及び絶縁層と酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

To reduce the contact resistance between an oxide transparent conductive film and collector electrodes made of a conductive paste and improve the moisture resistance in the interface between these, in a photoelectromotive force device which is such that the collector electrodes made of the conductive paste are formed on the oxide transparent conductive film.例文帳に追加

この発明は、酸化物透明導電膜上に導電ペーストからなる集電極を形成した光起電力装置において、酸化物透明導電膜と導電性ペーストからなる集電極間の接触抵抗の低減、前記界面の耐湿性改善することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated wafer capable of removing an oxide film by heat treatment of a shorter time compared with that in a conventional method, and capable of eliminating an island-like trace of the oxide film on a laminated interface, even when a thickness of an active layer is as thin as 500 nm or less.例文帳に追加

本発明の目的は、従来の方法に比べ短時間の熱処理で酸化膜を除去できる上、活性層の厚さが500nm以下と薄い場合であっても、貼り合わせ界面における島状酸化膜の跡を無くすことができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of a capacitor for forming a high dielectric metal oxide film on a silicon layer, and for preventing nitrogen from being transmitted through the high dielectric metal oxide film to the interface of a silicion layer, or for preventing a silicon nitride(SiN) layer from being formed at doping of nitrogen.例文帳に追加

キャパシタの製造プロセスにおいて、高誘電体金属酸化膜をシリコン層上に成膜した後、窒素を添加する際に、窒素が高誘電体金属酸化膜を通り抜け、シリコン層の界面に到達してシリコンナイトライド（ＳｉＮ）層が形成されることがないようにする。 - 特許庁

In metal, oxide, and semiconductor field effect transistors as well as an insulated gate bipolar transistor; a location having an interface with a high-concentration impurity layer tends to be subjected to reduction of the withstand voltage of the insulating film.例文帳に追加

金属・酸化物・半導体電界効果トランジスタ、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、絶縁膜の絶縁耐圧が低下しやすい箇所は高濃度不純物層と界面をもつ箇所である。 - 特許庁

The impurity concentration of the three doping layers 16, 17, and 18 is so set that an electric potential is equal to the interface between the floating gate 15 and the tunnel oxide film 4.例文帳に追加

上記３層のドーピング層１６，１７，１８の不純物濃度は、各ドーピング層１６，１７，１８と、浮遊ゲート１５とトンネル酸化膜４との界面との間の電位が等しくなるように、設定している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which suppresses a weak layer from growing on the interface of a barrier metal layer and a silicon oxide film of bonding pads to suppress the pad peeling in bonding.例文帳に追加

ボンディングパッド部のバリアメタル層とシリコン酸化膜の界面に脆弱層が生成されるのを抑制することにより、ボンディング時のパッド剥がれを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁