「interface oxide」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To effectively lower an interface level in an interface between an Si substrate and a gate insulating film while suppressing the damage of the Si substrate or a mixture of F in the gate insulating film and a gate oxide film due to an F ion implantation.例文帳に追加

Ｆイオン注入によるＳｉ基板へのダメージや、ゲート絶縁膜、ゲート酸化膜へのＦの混入を抑えつつ、効果的に、Ｓｉ基板と、ゲート絶縁膜との界面における界面準位を低下させる。 - 特許庁

To provide a method of forming a bonding interface between Si having characteristics equal to that attained by hydrophobic bonding by removing an ultra thin interface oxide remaining after hydrophobic wafer bonding between Si.例文帳に追加

Ｓｉ間の親水性ウェハ接合後に残っている極薄の界面酸化物を除去し、疎水性接合で達成されるものに匹敵する特性を有するＳｉ間の接合境界面を形成する方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, an optical system is provided which makes infrared rays incident to an interface (a bottom face of the prism substrate 12) 12a between the prism substrate 12 and the metal oxide film 14, for collecting reflection rays of the infrared rays reflected on the interface 12a.例文帳に追加

また、プリズム基材１２と金属酸化物膜１４との界面（プリズム基材１２の底面）１２ａに赤外線を入射し、該赤外線が界面１２ａで反射した反射光を採光する光学系を備える。 - 特許庁

The variation rate of resistance is improved with the current pinching effect of the oxide insulation layer 31 and the interface scattering effect at the magnetic/non-magnetic interface BD1 of the magnetic intermediate layer 30/lower side non-magnetic intermediate layer 29.例文帳に追加

酸化絶縁層３１の電流狭窄効果と磁性中間層３０／下側非磁性中間層２９との磁性／非磁性界面ＢＤ１での界面散乱効果により抵抗変化率を向上させることができる。 - 特許庁

When the interface layer comes into contact with Ru, RuO_2 and PZT so as to be composed of a metal oxide layer composed of an oxide by Pb, Ti and Ru, a ferroelectric characteristic which is industrially sufficient is displayed.例文帳に追加

しかし、この界面層がＲｕに接してＲｕＯ２、ＰＺＴに接してＰｂ、Ｔｉ、Ｒｕの酸化物よりなる金属酸化層よりなるならば工業的には充分な強誘電体特性が示すものが得らた。 - 特許庁

Thus, Ge included in the film 3 is segregated and aggregated near the interface between the oxide film 4 and the lower oxide film 2, and the dot unit 5 containing the Ge as the main component is formed.例文帳に追加

同時に、上部酸化膜４と下部酸化膜２との間の界面付近には、ＳｉＧｅ半導体薄膜３に含まれていたＧｅが偏析・凝集することにより、Ｇｅを主成分とするドット体５が形成される。 - 特許庁

A first nitride layer 3a is formed in the vicinity of an interface between the internal wall oxide film 3 and the silicon substrate 1 with the thermal nitriding, and a second nitride layer 3b is formed on the surface of the internal wall oxide film 3 with the radical nitriding process.例文帳に追加

熱窒化処理によって内壁酸化膜３とシリコン基板１との界面近傍に第１窒化層３ａが形成され、ラジカル窒化法によって内壁酸化膜３の表面に第２窒化層３ｂが形成される。 - 特許庁

In a solid battery, a current collector has a conductive metal oxide layer while the metal oxide layer is formed at least on an interface between the current collector and a positive electrode and/or a negative electrode adjacent to the current collector.例文帳に追加

固体電池において、集電体が導電性を有する金属酸化物層を備え、その金属酸化物層が集電体と隣接する正極及び／又は負極との界面に少なくとも形成される。 - 特許庁

Thereby an extremely thin interface oxide film having high in-plane uniformity of film thickness and less defect is obtained by performing a low oxygen partial pressure oxidation while the surface of a silicon layer is protected by the chemical oxide film.例文帳に追加

これにより、シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことで、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得る。 - 特許庁

By applying a voltage between the semiconductor layer 11 and the oxide barrier layer 12, a carrier gas of a high mobility is generated on the interface of the semiconductor layer 11, which is in contact with the oxide barrier layer 12.例文帳に追加

上記半導体層１１と酸化物障壁層１２との間に電圧を印加することによって、酸化物障壁層１２に接する半導体層１１の界面に高移動度のキャリアガスを生ぜしめる。 - 特許庁

The process for forming a trench isolation region comprises a step for performing annealing in NO atmosphere at 850°C for about 30 min after a rounding oxide film is formed, wherein the interface level of the rounding oxide film is reduced through doping of N.例文帳に追加

この界面準位は、その後に形成するトランジスタのＰＮ接合と接するため、界面準位を介した逆バイアス時の接合リークを発生させ、電荷保持特性などの特性劣化の原因となっていた。 - 特許庁

When such a gas plasma is employed, bubbling phenomenon due to recombination of nitrogen molecule at the interface of the oxide film and the organic film is prevented and a mask pattern of the oxide film can be transferred accurately to the organic film.例文帳に追加

このようなガスプラズマを用いることにより、酸化膜と有機膜との界面で窒素分子の再結合による発泡現象を防止し、酸化膜のマスクパターンを精度よく有機膜に転写することができる。 - 特許庁

Electrons are implanted from the side of the n-type silicon oxide film 2 and holes are implanted from the side of the p-type silicon nitride film 3 to emit light on the interface between the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3.例文帳に追加

ｎ型シリコン酸化膜２側から電子を注入し、ｐ型シリコン窒化膜３側から正孔を注入することによって、ｎ型シリコン酸化膜２とｐ型シリコン窒化膜３との界面で発光する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) whose resistance is low on an interface between a silicide layer and an Si layer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

シリサイド層とＳｉ層との界面における抵抗が低いＭＯＳＦＥＴを備える半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A polycrystalline silicon 5 (or amorphous silicon) having an oxidized surface is formed at the interface between the silicon oxide film 2 and the gate insulating film 3 thereon.例文帳に追加

シリコン酸化膜２とゲート絶縁膜３との境界上には、表面が酸化された多結晶シリコン５（あるいは非晶質シリコン）が形成される。 - 特許庁

The top layer 48 is formed, in order to prevent an undesired high-resistance oxide layer from being formed on the interface between the plug 55 and the intermediate metal layer 42.例文帳に追加

トラップ層４８は、プラグ５５と中間金属層４２との界面に所望しない高抵抗酸化物層が形成されるのを防ぐために形成されている。 - 特許庁

Peeling property is improved by forming a 20 to 200 nm-thick oxide film in an interface between a pair of copper foils before cold rolling.例文帳に追加

冷間圧延する前に、一対の銅箔の界面に厚さ２０〜２００ｎｍの酸化膜を形成しておくことにより、引き剥がし性が向上する。 - 特許庁

The oxidation-resistant film 12 comprises a composite oxide having different compositions in an interface 12a with the cermet substrate 11 and in an outermost surface 12b from each other.例文帳に追加

耐酸化膜１２は、サーメット基材１１との界面１２ａと、最表面１２ｂとで異なった組成を有する複合酸化物によって構成される。 - 特許庁

Hydrogen atoms are thereby diffused in a semiconductor device and coupled with dangling bonds existing on the interface between the silicon oxide film and the silicon substrate.例文帳に追加

このアニール工程により、水素原子が半導体装置内を拡散し、シリコン酸化膜とシリコン基板界面に存在するダングリングボンドと結合する。 - 特許庁

A linear three-phase interface formed on a boundary where the electron conductive element and the oxide ion conductive element contact each other exists on the surface of the film-shaped electrode.例文帳に追加

電子伝導性素子と酸化物イオン伝導性素子が接する境界に形成される線状の三相界面が該膜状電極の表面に存在する。 - 特許庁

The thick silicon oxide film (second insulating film) 25a prevents oxygen from entering an interface between an embedded insulating layer 12 and the semiconductor layer 13.例文帳に追加

この厚いシリコン酸化膜（第２の絶縁膜）２５ａによって埋込み絶縁層１２と半導体層１３との界面への酸素の侵入を防ぐ。 - 特許庁

To provide a ferroelectric device which will not deteriorate by the non-matching of an interface between a high dielectric constant gate oxide and a ferroelectric material.例文帳に追加

高誘電率ゲート酸化物と強誘電体材料との間の界面不整合により、劣化されない強誘電体デバイスを提供すること。 - 特許庁

The method further includes a step of performing an oxidation process to form oxide layers over the exposed portion of the substrate and an interface between the material and the substrate.例文帳に追加

この方法はさらに、酸化プロセスを実行して、基板の露出した部分の上および材料と基板の間の界面に酸化層を形成するステップを含む。 - 特許庁

The organic thin film transistor element comprises a gate insulation layer containing titanium oxide and an organic semiconductor layer having an oriented film formed on at least one interface.例文帳に追加

酸化チタンを含有するゲート絶縁層及び、少なくとも一方の界面に配向膜が形成された有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子。 - 特許庁

To provide a solid oxide fuel cell with low interface resistance between an electrolyte layer and a fuel electrode layer and high output performance.例文帳に追加

電解質層と燃料極層との間の界面抵抗が低く、出力性能の高い固体酸化物形燃料電池を、提供することである。 - 特許庁

Consequently, strained stress caused in the interface between the buried silicon oxide film 12 and the bulk layer 14 can be reduced, thus suppressing the occurrence of dislocation.例文帳に追加

その結果、埋め込みシリコン酸化膜１２とバルク層１４との界面に生じる歪み応力が低減し、転位の発生を抑制することができる。 - 特許庁

Accordingly, the problem can be solved by reducing oxygen deficiency and interface state existing in the oxide semiconductor layer in the region overlapping the gate electrode.例文帳に追加

これによりゲート電極と重なる領域の酸化物半導体層中に存在する酸素欠損や界面準位を低減することで、課題を達成できる。 - 特許庁

An interface layer 5 comprising a silicon nitride is provided between a semiconductor layer 12 comprising an active polycrystalline silicon and an insulating layer 6 comprising silicon oxide.例文帳に追加

活性多結晶シリコンからなる半導体層１２と、酸化ケイ素からなる絶縁層６との間に窒化ケイ素からなる界面層５を設けている。 - 特許庁

Thereby, adhesion between the metal oxide hydrate and the organic polymer is increased, and methanol permeation from the interface can be reduced.例文帳に追加

これにより、金属酸化物水和物と有機高分子との間の密着性が高まり、その界面からのメタノール透過を低減させることができる。 - 特許庁

This yields, as well as an improvement of the interface characteristics, an improvement of the device performance by reducing an equivalent thickness of the oxide film in the dielectric film.例文帳に追加

これにより、界面特性の改善は勿論誘電体膜の酸化膜換算膜厚さを薄くすることによって素子の性能を改善させることができる。 - 特許庁

An annealing step (S102) in an atmosphere containing hydrogen for reducing the interface level density between a silicon oxide film and a silicon substrate is provided between a step (S101) for forming a silicon oxide film on a silicon substrate and a processing step (S103) for inducing charges in the silicon oxide film or the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板にシリコン酸化膜を形成する工程（Ｓ１０１）と、シリコン酸化膜又はシリコン基板にチャージを誘起する処理工程（Ｓ１０３）との間に、シリコン酸化膜とシリコン基板との間の界面準位密度を低減するための水素を含む雰囲気でのアニール工程（Ｓ１０２）を備える。 - 特許庁

In a reverse stagger type thin film transistor, a silicon nitride layer as a gate insulating layer and a silicon oxide layer formed as an oxide of the silicon nitride layer are laminated, and a microcrystalline semiconductor layer crystal grown directly from the upper surface of an interface of the gate insulating layer with the silicon oxide layer is formed.例文帳に追加

逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層として窒化シリコン層と当該窒化シリコン層が酸化された酸化シリコン層を積層して形成し、該ゲート絶縁層の酸化シリコン層との界面直上から結晶成長した微結晶半導体層を形成する。 - 特許庁

Diffusion of ruthenium or the like into hafnium dioxide, or the like, is suppressed by inserting tantalum pentaoxide or niobium oxide, having a dielectric constant larger than that of the insulating film as a cap layer insulating film into the interface between the upper electrode of ruthenium or ruthenium oxide and the insulating film of hafnium dioxide or zirconium oxide.例文帳に追加

ルテニウム或いは酸化ルテニウムの上部電極および二酸化ハフニウム或いは酸化ジルコニウムの絶縁膜の界面に、キャップ層絶縁膜として前記絶縁膜よりも誘電率の大きな五酸化タンタル或いは酸化ニオブを挿入し、ルテニウム等の二酸化ハフニウム等中への拡散を抑制する。 - 特許庁

In this method of preparing the sample for direct observation in the transmission electron microscope, of an interface between the iron oxide and solid carbon for analyzing the reduction process of the iron oxide by the solid carbon, the iron oxide which is an observation object is broken and carbon is deposited on the broken face.例文帳に追加

酸化鉄の固体炭素による還元過程を解析するために酸化鉄と固体炭素の界面を透過電子顕微鏡内で直接観察する試料の作製方法であって、観察対象物である酸化鉄を破断しその破断面に炭素を蒸着することとする。 - 特許庁

At the interface between an Ru film 32a for composing the lower electrode 32 and the silicon oxide film 24, the bonding layer composed by a TaN film 30 is interposed for preventing the interface between the Ru film 32a and silicon oxide film 24 from peeling off when the dielectric film 34 deposited on the lower electrode 32 is heat-treated.例文帳に追加

下部電極３２を構成するＲｕ膜３２ａと酸化シリコン膜２４との界面には、ＴａＮ膜３０によって構成される接着層が介在し、下部電極３２上に堆積した誘電体膜３４を熱処理したときにＲｕ膜３２ａと酸化シリコン膜２４との界面が剥離するのを防いでいる。 - 特許庁

A MOS transistor comprises a substrate, an active region within the substrate, an interface oxide thin film on the substrate, a WSiN_y gate dielectric thin film formed on the interface oxide thin film, and a gate separated from the active region by the WSiN_y gate dielectric thin film.例文帳に追加

本発明のＭＯＳトランジスタは、基板と、前記基板内にあるアクティブ領域と、前記基板上にある界面酸化物薄膜と、前記界面酸化物薄膜上に形成されるＷＳｉＮ_ｙゲート誘電体薄膜と、前記ＷＳｉＮ_ｙゲート誘電体薄膜によって前記アクティブ領域から分離されるゲートとを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which oxide films each having a uniform and optimum film thickness are formed on an interface between a lower-layer electrode and an upper-layer electrode of a memory cell, and an interface between a substrate and a diode electrode of a protective diode.例文帳に追加

メモリセルにおける下層電極と上層電極との界面及び保護ダイオードにおける基板とダイオード電極との界面に、均一で且つ最適な膜厚の酸化膜が形成された半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide an oxide semiconductor device for ensuring stability in device characteristics by suppressing device characteristic deterioration, with the passage of time, caused by diffusion of 1A base elements on a p/n bonding interface or p/i/n bonding interface.例文帳に追加

ｐ／ｎ接合界面又はｐ／ｉ／ｎ接合界面における１Ａ族元素の拡散による素子特性の経時的劣化を抑制し、素子特性の安定性を確保することを目的とした酸化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

The void aggregate defects in a silicon layer 3 is set to 1×10^4/cm^2 or more, and the interface defects 6 on the interface at least between a surface oxide film 4 and the silicon layer 3 is set to 1×10^11/cm^2 or less.例文帳に追加

シリコン層３中の空孔集合体欠陥５を１×１０^4 個／ｃｍ^2 以上にするとともに、少なくとも、表面酸化膜４／シリコン層３の界面の界面欠陥６を１×１０^11個／ｃｍ^2 以下にする。 - 特許庁

In view of controlling increase in the interface level at the silicon/silicon oxide film interface due to the influence of ultraviolet ray generated during the plasma etching process, a pulse time modulation plasma method for intermittently supplying the high-frequency electric power is introduced.例文帳に追加

このプラズマエッチング中に発生する紫外線の影響によるシリコン−シリコン酸化膜界面の界面準位の増加を抑止するため、高周波電力を間欠的に供給するパルス時間変調プラズマ法が用いられる。 - 特許庁

A silicon thermal oxide film 21 formed on a surface of a silicon substrate 11 is thermally nitrided in an atmosphere (for example, an ammonia atmosphere) including nitrogen and hydrogen to form a silicon nitride oxide film 22 at least on a surface of a part of the silicon thermal oxide film 21 by nitriding the silicon thermal oxide film 21, and a dangling bond of an interface between the silicon substrate 11 and the silicon thermal oxide film 21 is terminated by hydrogen.例文帳に追加

シリコン基板１１の表面に設けられたシリコン熱酸化膜２１を、窒素および水素を含有する雰囲気中（例えば、アンモニア雰囲気中）で熱窒化することによって、シリコン熱酸化膜２１の少なくとも一部の表面に該シリコン熱酸化膜２１が窒化されてなるシリコン窒化酸化膜２２を形成し、シリコン基板１１とシリコン熱酸化膜２１との界面のダングリングボンドを水素により終端する。 - 特許庁

By forming a film continuously without exposing the metal-oxide film and the primary insulating film to air, it is possible to prevent contaminants such as dust and dirt from mixing into the interface between the metal-oxide film and the primary insulating film.例文帳に追加

金属酸化膜と第１の絶縁膜とを大気に曝されることなく連続的に成膜できることによって、金属酸化膜と第１の絶縁膜との界面へのごみなどの汚染物の混入を防ぐことができる。 - 特許庁

The film has a coating structure consisting of three layers of: a black layer containing a low-order oxide of zinc on an interface between itself and the plated surface; a phosphated layer thereon; and a zinc-free oxide layer of chromium/phosphorus on the outermost layer.例文帳に追加

この皮膜は、めっき表面との界面の亜鉛の低次酸化物を含んだ黒色層と、その上のリン酸塩層と、最上層の亜鉛を含有しないクロム／リンの酸化物層の３層からなる皮膜構造を有する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor wherein the carrier density of a protective film side interface of an oxide semiconductor layer is lower than that of a gate insulation layer side and the film thickness of the oxide semiconductor layer is optimized, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

酸化物半導体層の保護膜側界面のキャリア密度がゲート絶縁層側のキャリア密度より小さく、および酸化物半導体層の膜厚が最適化された薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To inexpensively provide a material for an interconnector having high tightness, a solid oxide fuel cell unit in which a contact interface between electrolyte and the interconnector has high air tightness, and a solid oxide fuel cell having high reliability.例文帳に追加

高い緻密性を有するインターコネクタ用材料、電解質とインターコネクタとの接触界面が高い気密性を有する固体電解質型燃料電池セル、及び、信頼性の高い固体電解質型燃料電池を安価に提供する。 - 特許庁