「interface oxide」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a sulfide solid electrolyte particle capable of suppressing formation of a high resistance layer caused by reactions of an oxide active material and a sulfide solid electrolyte material, and low in interface resistance.例文帳に追加

本発明は、酸化物活物質および硫化物固体電解質材料の反応によって生じる高抵抗層の生成を抑制でき、界面抵抗の低い硫化物固体電解質粒子を提供することを主目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for semiconductor devices whereby there is so improved the adhesiveness of the interface between a silicon nitride film of a passivation film formed by a plasma CVD method, and a foundational insulating film of a silicon oxide film formed by a plasma CVD method using especially a TEOS gas as its raw material as to be able to prevent the interface from peeling in post-processes.例文帳に追加

パッシベーション膜であるプラズマＣＶＤ法により形成されるシリコン窒化膜と下地絶縁膜、特に、ＴＥＯＳガスを原料としてプラズマＣＶＤ法により形成されるシリコン酸化膜との界面の密着性を向上させ、後工程で界面が剥離することを防止することのできる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The forming method of a semiconductor structure is constituted of a stage that a silicon substrate 10 having the surface 12 is provided, a stage that an interface 14 consisting of a single silicon atomic layer, a single nitrogen atomic layer and a single metal atomic layer is formed on the surface of the substrate 10 and a stage that more than one layer of single crystal oxide layers 26 are formed on the interface.例文帳に追加

半導体構造の作成方法は、表面１２を有するシリコン基板１０を設ける段階；シリコン基板の表面上に、シリコン，窒素および金属の単独の原子層からなるインタフェース１４を形成する段階；および１層以上の単結晶酸化物２６をインタフェース上に形成する段階；によって構成される。 - 特許庁

At this time, the dummy gate electrodes are also shaped so that their widthwise lengths change in the film thickness direction, become minimum near the interface with a silicon oxide film 5 formed as a dummy gate insulating film and near the interface with a silicon nitride film pattern 9 formed as a hard mask, and gradually increase toward the vicinities of their centers.例文帳に追加

この際、併せて、ダミーゲート電極を幅方向の長さが膜厚方向に変化する形状であって、この幅方向の長さがダミーゲート絶縁膜としてのシリコン酸化膜５との界面付近およびハードマスクとしてのシリコン窒化膜パターン９との界面付近で最小となり、中心付近に向かうにしたがって漸次増大する形状にする。 - 特許庁

The optical recording medium 10 includes: a recording layer 2 which is formed on a substrate 1 and made of a In-Co based alloy or an Sn-Co based alloy to record data by ablative recording; an interface layer 11 formed on the recording layer 2 and made of a tungsten oxide; and a light transmission layer 3 formed on the interface layer 11.例文帳に追加

基板１上に形成され、Ｉｎ−Ｃｏ系合金又はＳｎ−Ｃｏ系合金から成り、穴あけ記録により記録が行われる記録層２と、この記録層２上に形成され、タングステン酸化物から成る界面層１１と、この界面層１１上に形成された光透過層３とを含む光記録媒体１０を構成する。 - 特許庁

To provide a method of producing a light-emitting diode using zinc oxide, by which a gallium nitride nuclei forming layer is formed on a lithium aluminate substrate using a zinc oxide buffer layer like a single-crystal film, defective concentration of the gallium nitride is reduced, excellent lattice matching and crystal interface quality can be obtained and light emission efficiency and finished element function are improved.例文帳に追加

単結晶フィルム状である酸化亜鉛バッファ層でアルミン酸リチウム基板上に窒化ガリウム核形成層を生長させることができ、窒化ガリウムの欠陥密度が低減され、また、優れた格子マッチングと結晶界面品質が得られ、発光効率と完成済みの素子機能が向上される酸化亜鉛による発光ダイオードの作製方法を提供する。 - 特許庁

Forming an interfacial reaction suppression layer 12 for suppressing an interfacial reaction between the oxide and the nitride between a ZnO single crystal substrate 11 as the oxide and an InGaN semiconductor layer 13 as the nitride can suppress the interfacial reaction between the ZnO single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13, thereby suppressing the formation of the reaction layer (Al_2ZnO_4) at the interface.例文帳に追加

酸化物であるZnO単結晶基板１１と窒化物であるInGaN半導体層１３との間に、酸化物と窒化物との界面反応を抑制するための界面反応抑制層１２を形成しているので、ZnO単結晶基板１１とInGaN半導体層１３との間での界面反応を抑制でき、その界面に反応層（Al_2ZnO_4）が形成されるのを抑制できる。 - 特許庁

For the solid oxide fuel cell, using a separator made of an alloy containing Cr, a separator, made of alloy which has an interface formed between the air electrode and the electrolyte, having a nature of selectively deoxidizing only oxygen in the air, and not deoxidizing the vapor of chromium oxide, is used.例文帳に追加

セパレータとしてＣｒを含む合金製セパレータを用いてなる固体酸化物形燃料電池において、空気極と電解質との界面で空気中の酸素のみを選択的に還元し、酸化クロムの蒸気種を還元しない性質の界面を形成してなることを特徴とする合金製セパレータを用いた固体酸化物形燃料電池。 - 特許庁

A device comprises the capacity element 18 composed of the capacitive insulating film 16 which is formed on a semiconductor substrate 10 made of silicon and composed of a bottom electrode 15 and top electrode 17 made of platinum and the insulating metal oxide sandwiched between them, and a barrier layer 21B which is made of titanium oxide having an interface with the top electrode 17.例文帳に追加

シリコンからなる半導体基板１０の上に形成され、白金からなる下部電極１５及び上部電極１７並びにそれらの間に挟まれた絶縁性の金属酸化物からなる容量絶縁膜１６により構成された容量素子１８と、上部電極１７と界面を持つ窒化チタンからなるバリア層２１Ｂとを備えている。 - 特許庁

To provide a cell for a solid oxide fuel cell with excellent electrode property and small internal resistance having a porous electrode layer with a large surface area, without any reaction product generated owing to high temperature baking deposited on the interface between an electrolyte layer and an electrode layer, and to provide a method of manufacturing such a cell for the solid oxide fuel cell with high efficiency.例文帳に追加

高温焼成に起因する反応生成物が電解質層と電極層の界面に介在せず、表面積が大きく多孔質の電極層を備え、電極性能に優れしかも内部抵抗の少ない固体酸化物形燃料電池用セルと、このような燃料電池用セルを高能率に製造することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To a method for joining different metals, in which an oxide film is removed without applying much calorie even when the oxide film is deposited on a surface of either material when overlapping and joining two different metals, and as a result, generation of intermetallic compounds on a joint interface is suppressed to be small, thereby improving the joint strength.例文帳に追加

異なる２種類の材料を重ね合わせて接合するに際して、いずれかの材料の表面に酸化皮膜が形成されていたとしても、多くの熱量を投入することなく酸化皮膜を除去することができ、その結果、接合界面の金属間化合物の生成を少なく抑えて、継手強度の向上を実現する。 - 特許庁

A capacitor having a ferroelectric film (capacitor film) 302 that is formed above a semiconductor substrate and is sandwiched between an upper electrode 303 and a lower electrode 301, wherein a conductive oxide film 303a, which is crystallized at deposition, is provided on an interface between the upper electrode 303 and the ferroelectric film 302, thus evading the formation of an interface layer with coarsened crystal grains in the interface between the upper electrode 303 and the ferroelectric film 302.例文帳に追加

半導体基板の上方に形成され、上部電極３０３と下部電極３０１との間に強誘電体膜（キャパシタ膜）３０２が挟持されてなるキャパシタにおいて、上部電極３０３の強誘電体膜３０２との界面に、成膜の時点で結晶化されている導電性酸化物膜３０３ａを設けるようにして、上部電極３０３と強誘電体膜３０２との界面に、結晶粒が粗大化した界面層が形成されてしまうのを回避する。 - 特許庁

To provide a method of reducing OH groups from a silicon oxide film containing OH groups at a low temperature by a simple method in order to ensure the performance of a TFT, i.e. interface characteristics and insulation, and to make a substrate inexpensive.例文帳に追加

ＯＨ基を含有するシリコン酸化膜から、ＴＦＴの性能である界面特性や絶縁性のため、及び基板を安価なものにするため低温で作製するため、低温で簡便な方法でＯＨ基を減少させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sliding interface-coated silicon carbide-based fiber having an interfacial layer capable of stably existing in a high temperature oxidizing atmosphere, and to provide a ceramic-based composite material reinforced with the fibers and capable of being used in the high temperature oxidizing atmosphere.例文帳に追加

高温の酸化雰囲気で安定して存在できる界面層を有する酸化物摺動界面被覆炭化ケイ素系繊維、及びこの繊維で強化された高温酸化雰囲気で使用可能なセラミックス基複合材料を提供する。 - 特許庁

Then, the metal oxide 17b is diffused in a jointing interface Sj of the first wiring 18 and the second wiring 28, and in an area including at least one inner part of the first wiring 18 and the second wiring 28.例文帳に追加

そして、この金属酸化物１７ｂを、第１の配線１８及び第２の配線２８の接合界面Ｓｊ、並びに、第１の配線１８及び第２の配線２８の少なくとも一方の内部を含む領域に拡散させた構成とする。 - 特許庁

Since impurity concentration in an area from 20 >nm] depth to 100 [nm] from an interface between the gate oxide film 7 and the silicon board 1 being the cause of the unevenness of threshold voltage is lowered, the unevenness of the threshold voltage is suppressed.例文帳に追加

しきい値電圧のばらつきの原因となるゲート酸化膜７とシリコン基板１との界面から２０〔ｎｍ〕から１００〔ｎｍ〕の深さまでの領域での不純物濃度が低下するから、しきい値電圧のばらつきが抑制されることになる。 - 特許庁

To maintain proper state at the interface between the tunnel oxide of a first transistor having a composite gate and a floating gate, and to enable the wiring resistance of the single gate of a second transistor having a single gate, to be made fully low in resistance.例文帳に追加

複合ゲートを有する第１のトランジスタのトンネル酸化膜と浮遊ゲートとの界面を良好な状態に保つとともに、単一ゲートを有する第２のトランジスタの単一ゲートの配線抵抗を十分に低抵抗化できるようにする。 - 特許庁

To provide a nitride series semiconductor device capable of high-temperature growth of the nitride semiconductor layer by suppressing the formation of a reactive layer in the interface between oxide and nitride to improve a crystal quality of an upper layer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

酸化物と窒化物の界面に反応層が形成されるのを抑制して窒化物半導体層の高温成長を可能にし、上部層の結晶品質を向上させた窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When an electromagnetic wave is made incident on a second dielectric layer 2, it comes into contact with metal oxide contained in the layer 2, so that reflection is restricted and an AC current is induced in an interface between the layer 2 and a conducting layer 3.例文帳に追加

第２誘電層２に電磁波が入射すると、第２誘電層２に含有されている金属酸化物に接触することにより反射が抑制され、第２誘電層２と導電層３との界面において交流電流を誘起する。 - 特許庁

There is existent along an interface between the Cu wiring and the second insulating film (27) discontinuously at least one kind of metal or metal oxide (28) selected from a group comprising Ti, Al, W, Pd, Sn, Ni, Mg, and Zn.例文帳に追加

前記Ｃｕ配線と前記第２の絶縁膜との界面には、Ｔｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｇ、およびＺｎからなる群から選択される少なくとも１種の金属またはその酸化物（２８）が不連続に存在することを特徴とする。 - 特許庁

To form an adhesion improved layer made of oxide at the interface between a Cu wire and a cap layer in a multilayer wiring structure of a semiconductor device, and to improve reliability of the Cu wire to migration without increasing resistance of the Cu wire.例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造において、Ｃｕ配線とキャップ層との界面に酸化物からなる密着改善層を形成し、Ｃｕ配線の抵抗を上昇させることなく、Ｃｕ配線のマイグレーションに対する信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a fuel cell electrode improved in electrode efficiency by providing a member with which a triple-phase interface can be easily formed although reducing costs as further as possible, while using a perovskite-type composite oxide as an electrode constituent material.例文帳に追加

電極構成材料として、ペロブスカイト型複合酸化物を使用しつつ、可能な限り低コストでありながら、三相界面を容易に形成しうる部材を提供することにより、電極効率に優れた燃料電池用電極を提供すること。 - 特許庁

To improve electric characteristics and device performance by improving an interface characteristic between a high-K dielectric film and a metal gate in a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET).例文帳に追加

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）において、本発明の目的は、ｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの間の界面特性を向上させることにより、電気的特性およびデバイス性能を向上させることである。 - 特許庁

This laminated foil comprises the intermediate layer formed of the aluminum or the aluminum alloy, arranged in such a manner that the intermediate layer is sandwiched between the metallic foils, and has an oxide layer with 0.1 μm or less thickness, formed on the intermediate layer side of an interface between the intermediate layer and the metallic foil.例文帳に追加

AlまたはAl合金でなる中間層を金属箔で挟持するように配置した積層箔において、前記中間層と前記金属箔との界面の中間層側に形成される酸化物層の厚さが0.1μｍ以下である積層箔。 - 特許庁

A channel-doped layer 124 is formed in the well layer 121 under a gate electrode 29B of a MOS transistor T52, and a nitrogen inlet region N12 is formed in the gate electrode 29B and near a junction interface between the gate electrode 29B and the gate oxide film 25A.例文帳に追加

また、ＭＯＳトランジスタＴ５２のゲート電極２９Ｂの下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２４が形成され、ゲート電極２９Ｂ内には、ゲート酸化膜２５Ａとの接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１２が形成されている。 - 特許庁

In a manufacturing method for providing insulation (isolation) between the adjacent regions of an integrated circuit (10), guard layers (40, 68, 72, 88, 90, and 128) are provided on a field edge that is the interface between field oxide film regions (30, 54, and 92) and diffusion regions (14, 26, 52, 86, and 96) where dopant is introduced.例文帳に追加

集積回路(10)の隣接する領域間に絶縁（アイソレーション）を提供するための製造方法は、フィールド酸化膜領域(30,54,92)と、ドーパントが導入される拡散領域(14,26,52,86,96)との界面であるフィールドエッジ上にガード層(40,68,72,88,90,128)を設けることを含む。 - 特許庁

To add a metal capable of forming an electric dipole for reducing a threshold voltage at the interface of an oxide film formed on the surface of a semiconductor substrate and a high electric constant insulating film, while suppressing increase in EOT and decrease in carrier mobility.例文帳に追加

ＥＯＴの増大及びキャリア移動度の低下を抑制しつつ、半導体基板表面に形成されている酸化膜と高誘電率絶縁膜との界面に、しきい値電圧を低減する電気双極子を形成可能な金属を添加する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a semiconductor device manufacturing method that suppress the oxide film growth of a semiconductor crystal substrate interface and include a high dielectric constant crystal thin film and a high dielectric constant epitaxial thin film of high quality.例文帳に追加

半導体結晶基板界面の酸化膜成長を抑制するとともに、高品質な高誘電率結晶薄膜、高誘電率エピタキシャル薄膜を有する半導体装置の製造方法並びに半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an electrode for a solid oxide fuel cell of which the electrode reaction field can be increased by increasing a three-phase interface length, and catalyst activity and electron conductivity can be improved, and provide a simple and easy manufacturing method of such an electrode.例文帳に追加

三相界面長を増して電極反応場を増大することができると共に、触媒活性及び電子伝導性の向上が可能な固体酸化物形燃料電池用電極と、このような電極の簡便な製造方法を提供する。 - 特許庁

The composite material comprises one or more kinds of aluminum metal from aluminum and aluminum alloys and a metal oxide in contact with the metal on the interface, and has ability of generating hydrogen to generate hydrogen gas by contact with water.例文帳に追加

アルミニウムおよびアルミニウム合金のうちの１種以上のアルミニウム金属とその界面に接する金属酸化物とを有する複合材であって水との接触時の水素ガス発生能を備えている水素発生用複合材を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of photoelectric transducer which keeps high conductivity by preventing a film quality deterioration of p-layer by a drawing out effect of hydrogen from a semiconductor layer of dopant while keeping excellent interface property, and suppresses the amount of optical absorption, furthermore has the excellent interface property with respect to both oxide system transparent conductive film and photoelectric transducing layer.例文帳に追加

良好な界面特性を確保しながら不純物の半導体層からの水素の引き抜き効果によるｐ層の膜質低下を防止して高導電率を確保し、かつ光吸収量を抑制し、しかも酸化物系透明導電膜や光電変換層の双方に対して良好な界面特性をもつ光電変換素子を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a photoelectric conversion element exhibiting good interface characteristics to both an oxide based transparent conductive film and a photoelectric conversion layer in which a high conductivity is ensured while suppressing the quantity of light absorption by preventing the film quality of a p-layer from deteriorating due to the discomposition effect of hydrogen from a semiconductor layer of impurities while securing good interface characteristics.例文帳に追加

良好な界面特性を確保しながら不純物の半導体層からの水素の引き抜き効果によるｐ層の膜質低下を防止して高導電率を確保し、かつ光吸収量を抑制し、しかも酸化物系透明導電膜や光電変換層の双方に対して良好な界面特性をもつ光電変換素子を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A titanium compound including oxygen consists of needle-like crystal grains with an aspect ratio of 8-100 viewed from a cross section parallel to a substrate surface, and a complex area of a titanium compound phase including oxygen and a non-oxide phase exists in an area near an interface between the titanium compound phase including oxygen and the non-oxide phase on the upper layer.例文帳に追加

酸素を含むチタン化合物は、前記基体表面に平行な断面視でのアスペクト比が８〜１００の範囲にある針状の結晶粒子から構成されているとともに、前記酸素を含むチタン化合物相とその上層の非酸化物相との界面近傍領域では、該酸素を含むチタン化合物相と該非酸化物相との錯綜領域が存在させる。 - 特許庁

There is provided a method for improving the electrode performance by coating a continuous porous oxygen ion conductive ceramic ceria film by a sol-gel method around an electrode of a solid oxide fuel cell (SOFC) or a sensor to provide a very fine structure with a three-phase interface extended with an electronic conductive material and an ion conductive material independent from each other.例文帳に追加

固体酸化物燃料電池(Solid Oxide Fuel Cell:SOFC)またはセンサの電極(electrode)周囲に連続的な多孔性酸素イオン伝導性セラミックセリア膜をゾル−ゲル法でコーティングし、電子伝導材料とイオン伝導材料が互いに独立して存在しながら、三相界面が大きく拡張された新規の形態の微細構造をもつようにすることによって、電極性能を向上させる方法を提供する。 - 特許庁

To make a film thinner by preventing deviation of a composition ratio in the vicinity of an interface with a noble metal film from a stoichiometric ratio, when a metal oxide thin film is formed by MOCVD, in which a raw material is supplied onto a noble metal electrode by a liquid-phase supplying method.例文帳に追加

貴金属電極上に液相供給法により原料を供給したＭＯＣＶＤ法で金属酸化物薄膜を形成する場合、貴金属膜との界面近傍における組成比の化学量論比からのずれを抑制し、薄膜化を図ること。 - 特許庁

To provide equipment and a method of depositing a thin film by chemical vapor deposition which enable obtaining a material having high permittivity (High-k) constituted of a metal oxide thin film on an Si substrate without oxidizing the interface with the Si substrate by small-sized equipment and at a low cost.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に金属酸化薄膜からなる誘電率の高い材料（High-k）をＳｉ基板との界面を酸化することなく小型で、かつ、コスト安に得ることができる化学気相成長法による薄膜堆積装置および堆積方法を提供すること。 - 特許庁

The ferromagnetic layer of which at least the surface is in an amorphous state is formed, and then the barrier layer of a magnesium oxide having a single crystalline structure wherein (001) planes are aligned in parallel with the interface throughout layers is formed by sputtering, and furthermore annealing processing is performed.例文帳に追加

少なくとも表面がアモルファス状態である強磁性層を成膜した後、スパッタリング法を用いて、全層にわたって（００１）面が界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウムのバリア層を成膜し、更にアニーリング処理を行う。 - 特許庁

To provide the manufacturing method and the like of a photoelectric conversion electrode capable of forming a pattern of a metal oxide layer in a simple manufacturing process, increasing adhesion of a sealing interface in cell manufacturing, and enhancing mechanical strength and reliability in long use.例文帳に追加

簡易な製造プロセスにて金属酸化物層のパターン形成が可能であり、セル作製時における封止界面の密着性を高め、機械強度及び長期使用時の信頼性を向上させ得る、光電変換電極の製造方法等を提供すること。 - 特許庁

To provide a light emitting element whose luminescence characteristic is improved by improving the lattice matching of the junction interface of pi junction or pn junction comprising a light emitting layer in the light emitting element having the light emitting layer formed of a zinc oxide system semiconductor.例文帳に追加

酸化亜鉛系半導体からなる発光層を有する発光素子において、該発光層を含むｐｉ接合またはｐｎ接合の接合界面の格子整合性を向上させることによって、発光特性を向上させた発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor substrate, which is high in productivity, by optimizing BMD (bulk micro defect) forming process inside of a wafer and interface oxide film removing process, in the manufacturing method of the semiconductor substrate consisting of two sheets of semiconductor wafers joined directly.例文帳に追加

２枚の半導体ウェーハが直接接合した半導体基板の製造方法であって、ウェーハ内部のＢＭＤ形成プロセスと、界面酸化膜除去プロセスを最適化することにより、生産性の高い半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The taper angle θ is varied depending upon the adhesiveness of the inter-film interface varying with the irradiation time of the ultraviolet rays UV, so the irradiation time of the ultraviolet rays UV is suitably determined according to requested product specifications to control the taper angle θ of the oxide film 2.例文帳に追加

テーパ角θは、紫外線ＵＶの照射時間に応じて変化する膜間界面の密着性に依存して可変されるため、要求される製品仕様に応じて紫外線ＵＶの照射時間を適度に定めて酸化膜２のテーパ角θを制御する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor device which is capable of efficiently removing an oxide film formed on a regrowth interface and superior in mass productivity, and to realize the nitride semiconductor device which is equipped with semiconductor layers improved in accuracy and kept stable and superior in performance.例文帳に追加

再成長界面に形成された酸化膜を効率的に除去でき、量産性に優れた窒化物半導体素子の製造方法を提供し、半導体層の精度が向上し、良好な性能を安定に実現できる窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

The superconducting wire material is made to comprise a plurality of oxide superconducting filaments, a metal matrix provided around the filaments, and a barrier layer provided on the interface interjacent between the filaments and the metal matrix and/or in a metal matrix interjacent between the filaments.例文帳に追加

複数本の酸化物超電導フィラメントと、これらのフィラメントの周囲に備えられる金属マトリックスと、前記フィラメントとこの金属マトリックスとの界面及び／又は前記フィラメント間に介在される金属マトリックス中に備えられるバリア層、とを有するようにする。 - 特許庁

Thereby, nitrogen of high concentration can be incorporated in silicon/silicon dioxide interface between a gate oxide 24 and the lightly doped drain structure 38.例文帳に追加

ゲート酸化物とドレイン領域内の薄くドープされたドレイン構造との間に位置する界面で、窒素とケイ素を結合させるのに十分な量の酸化窒素（ＮＯ）、アンモニア（ＮＨ_3）または亜酸化窒素（Ｎ_2Ｏ）のうち少なくとも１種類の雰囲気中でドレイン領域をアニールする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a leakage current in an interface between a surface silicon layer and a buried oxide film is not generated by potential difference between the surface silicon layer and a retaining substrate in an LDD transistor formed on a SOI substrate, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成したＬＤＤ型トランジスタであって、表面シリコン層と支持基板との電位差によって、表面シリコン層と埋め込み酸化膜の界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁