「interface oxide」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Due to this ion implantation, part of the silicon layer 3 near an interface with the BOX layer 2 below a gate oxide film 7a is doped with the P-type impurity at a concentration P2.例文帳に追加

また、このときのイオン注入に起因して、ゲート酸化膜７ａの下方において、ＢＯＸ層２との界面付近におけるシリコン層３内には、Ｐ型不純物が不純物濃度Ｐ２で注入されている。 - 特許庁

A p/i interface layer 5 of amorphous silicon oxide having thickness of 1 to 8 nm is provided between a p-type semiconductor layer 6 comprising an amorphous thin film including a microcrystalline phase and an intrinsic i-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐ型半導体層６とｉ型半導体層４との間に、１〜８nmの厚さの非晶質シリコンオキサイドのｐ／ｉ界面層５を設ける。 - 特許庁

When the film thickness of the titanium film 61 is set to 40 nm or less, diffusion of titanium to the interface with the PZT precursor film 71 due to firing can be minimized, and thereby formation of titanium oxide is minimized.例文帳に追加

チタン膜６１の膜厚を４０ｎｍ以下とすることで、ＰＺＴ前駆体膜７１との界面への焼成によるチタンの拡散を抑えることができ、酸化チタンの形成を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a solid oxide fuel cell can improve power generation performance by suppressing increase in interface resistance and preventing peeling off of an air electrode, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

界面抵抗の増加を抑制すると共に、空気極の剥離を防止して、発電性能を向上させ得る固体酸化物形燃料電池及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The disclosed selective etching process is sufficiently suitable for ferroelectric memory device fabrication using a conductive oxide/ferroelectric interface having silicon nitride as a material for encapsulating a ferroelectric substance.例文帳に追加

開示された選択的エッチングプロセスは、強誘電体の封じ込め材料として窒化シリコンを有する導電性酸化物／強誘電体界面を用いる強誘電体メモリデバイス製造に十分適している。 - 特許庁

Among the protective layer 22 for carbon 21, a vicinity part of an interface between the protective layer 22 for carbon and the carbon 21 comprises silicon carbide, and a surface part of the protective layer 22 for carbon desirably comprises silicon oxide.例文帳に追加

カーボン保護層２２のうちカーボン保護層２２とカーボン２１との界面近傍部にはシリコンの炭化物を含み、カーボン保護層２２の表層部にはシリコンの酸化物を含むことが望ましい。 - 特許庁

Then, in a state held at 800-850°C, the silicide layer is burned by wet oxidation method in the mixed atmosphere of the oxygen and the hydrogen in the state held at 800-850°C, and an oxide film is formed in the interface between the glass layer and the diffused layer.例文帳に追加

その後、８００〜８５０℃に保持した状態で酸素と水素の混合雰囲気中のウェット酸化法により、シリサイド層を燃焼させ、ガラス層と拡散層との界面に酸化膜を形成する。 - 特許庁

An intermediate layer 5 sandwiched by an amorphous Si photoelectric converting layer 4 and a microcrystal Si photoelectric converting layer 6 is a double-layer structure of a positive charge holding aluminum oxide layer 5a having a positive fixed charge in the interface of the amorphous Si photoelectric converting layer 4 side and a negative charge holding aluminum oxide layer 5b having a negative fixed charge in the interface of the opposite side microcrystal Si photoelectric converting layer 6 side.例文帳に追加

非晶質Ｓｉ光電変換層４と微結晶Ｓｉ光電変換層６とに挟まれた中間層５は、非晶質Ｓｉ光電変換層４側の界面に正の固定電荷を持った正電荷保持酸化アルミニウム層５ａ、反対側の微結晶Ｓｉ光電変換層６側の界面に負の固定電荷を持った負電荷保持酸化アルミニウム層５ｂとする２層構造とする。 - 特許庁

The thin-film photoelectric conversion device has at least a zinc oxide layer, a p-type semiconductor layer, the photoelectric conversion layer, and a back electrode layer in order from a light incident side, and is characterized in that a stoichiometric composition ratio of zinc oxide near the interface composed of the zinc oxide layer and p-type semiconductor layer is Zn:O=1+N:1 (where N>0).例文帳に追加

光入射側から順に、少なくとも酸化亜鉛層と、ｐ型半導体層と、光電変換層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、酸化亜鉛層とｐ型半導体層からなる界面近傍における酸化亜鉛の化学量論組成比をＺｎ：Ｏ＝１＋Ｎ：１（ただし、Ｎ＞０）としたことを特徴とする、光電変換装置。 - 特許庁

The semiconductor device has an island-like non-single crystal silicon-made active layer and a silicon oxide film formed by CVD or PVD on the active layer as a gate insulation film, and contains nitrogen in the interface between the silicon oxide and the active layer at a concentration more than ten times as much as a mean concentration of nitrogen contained in the silicon oxide film.例文帳に追加

島状の非単結晶珪素よりなる活性層と、該活性層上にＣＶＤ法もしくはＰＶＤ法によって形成された酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として有し、前記酸化珪素と活性層との界面には前記酸化珪素膜中に含有される平均的な窒素濃度の１０倍以上の濃度の窒素を含有していることを特徴とする半導体装置である。 - 特許庁

The method includes: a step of forming an oxide film on a semiconductor substrate; a step of forming a nitrogen containing insulation film on the oxide film by the plasma nitridation process at a temperature between 800 to 900°C; and a step of forming a nitrogen storing layer at the interface between the semiconductor substrate and the oxide film formed with the nitrogen containing insulation film.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を形成する段階と、８００〜９００℃のプラズマ窒化処理工程によって前記酸化膜の表面に窒素含有絶縁膜を形成する段階と、前記半導体基板と前記窒素含有絶縁膜の形成された前記酸化膜との界面に窒素蓄積層を形成する段階とを含む、フラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法を提供する。 - 特許庁

After a gate electrode 20 is formed on a substrate 11, part of the gate electrode 20 in a thickness direction from a surface thereof is oxidized through a heat treatment or plasma treatment to make a part of the gate electrode 20 in the thickness direction from an interface 20A with a gate insulating film 30 into an interface layer 21 made of metal oxide.例文帳に追加

基板１１にゲート電極２０を形成したのち、このゲート電極２０の表面から厚み方向における一部を、熱処理またはプラズマ処理を用いて酸化させることにより、ゲート電極２０のゲート絶縁膜３０との界面２０Ａから厚み方向における一部を、金属酸化物よりなる界面層２１とする。 - 特許庁

This method has a stage, where the trench 200 is formed in the substrate 24, a stage where a nitride interface layer 1250 covering at least part of the sidewall 32 of the trench 200 is formed, a stage where an amorphous layer covering the nitride interface layer 1250 is formed, and a stage where an oxide layer 160 is formed by oxidizing the amorphous layer.例文帳に追加

基板２４にトレンチ２００を形成する工程、トレンチ２００の側壁３２の少なくとも一部を覆う窒化物界面層１２５０を形成する工程と、窒化物界面層１２５０を覆うアモルファス層を形成する工程と、アモルファス層を酸化して酸化物層１６０を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

A pure interface which does not impede conduction of electrons of an oxide film etc., is formed on an interface between a superconducting layer and the normally conductive metal layer, which in turn is made much thinner than a coherent length as a featured length scale where a Cooper pair in a superconductor oozes into normally conductive metal through superconduction proximity effect.例文帳に追加

超伝導層と常伝導金属層の界面には酸化膜等電子の伝導を妨げるものがない清浄界面とし、常伝導金属層は超伝導近接効果により超伝導体中のクーパー対が常伝導金属中へ滲みだす特徴的な長さスケールであるコヒーレント長よりも十分薄くする。 - 特許庁

To provide a cathode film capable of reducing interface resistance between a current collector and the cathode film, even when the current collector made of a material having high resistant oxide film, such as aluminum, is used.例文帳に追加

アルミニウムなどの高抵抗性の酸化皮膜を有する材料からなる集電体と組み合わせて用いた場合においても、集電体との界面抵抗を低く抑えることができるカソードフィルムを提供すること。 - 特許庁

The n+ interface layer comprises an oxygen-depleted oxide containing ZnO_x, TiO_x, and IZO_x, as well as at least any one of ZnO, TiO, and IZO in which an n-type impurity is doped in high concentration.例文帳に追加

前記ｎ＋界面層は、ＺｎＯ_ｘ、ＴｉＯ_ｘ、ＩＺＯ_ｘを含む酸素欠乏酸化物と、ｎ型不純物が高濃度でドーピングされたＺｎＯ、ＴｉＯ、ＩＺＯのうち少なくともいずれか一つの物質からなる。 - 特許庁

In the solid oxide fuel cell 1, the gas permeability from the inner surface of a fuel electrode 5 up to an interface between the fuel electrode 5 and a solid electrolyte layer 7 is 1×10^-4 ml/cm^2 secPa or more.例文帳に追加

固体酸化物形燃料電池１は、燃料極５の内表面から、燃料極５と固体電解質層７の界面までのガス透過率が、１×１０^-4ｍｌ／ｃｍ^2ｓｅｃＰａ以上な構成とする。 - 特許庁

This suppresses the oxidation of a base film, raises the adhesion of the oxide dielectric film to the base film and checks the interface defect.例文帳に追加

このようにして酸化物誘電体膜を形成することにより、下地膜の酸化が抑制され、下地膜と酸化物誘電体膜との密着性を高めることができとともに界面欠陥を抑制することができる。 - 特許庁

At least one oxidation suppressive layer 4 consisting of a compound of the oxygen defect concentration lower than that of the zirconium oxide is formed in the thermal barrier layers 3, 5 or on the interface between the thermal barrier layer 3 and the metallic bond layer 2.例文帳に追加

この場合、遮熱層３，５内、または遮熱層３と金属結合層２との界面に、酸素欠陥濃度がジルコニウム酸化物よりも低い化合物からなる酸化抑止層４を少なくとも１層形成する。 - 特許庁

To improve data maintenance characteristics of a nonvolatile memory element of variable resistance type, having a laminate structure comprising a lower electrode, metal oxide and an upper electrode by reducing the probability of detrapping of electric charges from interface trap.例文帳に追加

下部電極と金属酸化物と上部電極の積層構造を有する可変抵抗型の不揮発性記憶素子において、電荷が界面トラップからデトラップする確率を低減してデータ保持特性の改善を図る。 - 特許庁

To provide an inspection method capable of ensuring that an oxide film does not exist on a bonding interface of a direct bonding wafer with a simple method without breaking the wafer on the whole surface of the wafer.例文帳に追加

直接接合ウェーハの接合界面に酸化膜が存在しないことを、ウェーハ全面でウェーハを破壊すること無く、簡便な方法で保証することができる検査方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An interpolation calculation unit plots points a determinant surface (ρ, ϕ) showing the directions of a {100} surface, a {110} surface and a {111} surface, on a ρϕ plane consisting of the zenithal angle ρ and a magnetic declination ψ of the normal line of a silicon oxide film interface.例文帳に追加

補間算出部は、シリコン酸化膜界面の法線の天頂角ρと方位角φとからなるρφ平面上に｛１００｝面、｛１１０｝面、｛１１１｝面の方向を示す点である決定面（ρ、φ）をプロットする。 - 特許庁

To obtain a capacitor which is restrained from varying in capacity and enhanced in leakage current characteristics, and where an oxide is hardly formed on a metal nitride-dielectric interface, wherein the capacitor is manufactured in a manner where a dielectric is formed on a metal nitride.例文帳に追加

窒化金属に誘電体を形成して得る容量素子について、窒化金属−誘電体界面に酸化物が形成されにく、容量ばらつきが抑えられ、リーク電流特性も良好にした容量素子を得る。 - 特許庁

A plurality of external terminals (output terminals) of a semiconductor substrate in which a plurality of transistors having gate oxide film thickness of different two kinds or more are formed are connected to an internal circuit through an interface circuit.例文帳に追加

異なる２種類以上のゲート酸化膜厚を有する複数のトランジスタが形成された半導体基板の複数の外部端子（出力端子）は、インターフェース回路を介して内部回路に接続されている。 - 特許庁

A silicon substrate 1 covered with the film 5a is subjected to a thermal oxidation treatment in an oxygen atmosphere at a temperature of 900 to 1100°C, whereby the interface 7 between a silicon thermal oxide film 6 and the substrate 1 is roughened.例文帳に追加

多結晶シリコン膜５で被覆されたシリコン基板１に、温度９００〜１１００℃、酸素雰囲気の下で熱酸化処理を施すことにより、シリコン熱酸化膜６とシリコン基板１との界面７を凹凸状にする。 - 特許庁

At a part where the metal film forming the wiring is absent, interface reaction with glass or silicon oxide exposed from a surface thereof is caused to achieve firmly fixing, thereby correcting the defective part of the wiring.例文帳に追加

また、配線を形成する金属膜が欠落した部分においては、その表面に露出したガラスあるいはシリコンオキサイドとの間で界面反応を起こして強固に固着させて、配線の欠陥部を修正する。 - 特許庁

On an organic film layer 1 including an organic matter having a benzothiadiazole skeleton (BT unit), an organic electronic device has the interface formed by a metal oxide layer 2 film-formed by a vacuum vapor deposition method.例文帳に追加

ベンゾチアヂアゾール骨格（ＢＴユニット）を有する有機物を含む有機膜層１上に、真空蒸着法により成膜された金属酸化物層２により形成される界面を有することを特徴とする有機電子デバイス。 - 特許庁

In particular, by positioning a transistor channel much further below this interface, occurrence of a hot spot due to the highest-concentration dopant made adjacent to an insulating oxide layer can be minimized.例文帳に追加

特に、トランジスタのチャネルは、この境界よりもかなり下方に配置することにより、最高濃度のドーパントが絶縁酸化物層に近接することによって生じるホットスポットの発生を最小化することができる。 - 特許庁

(i) The thickness of the silicon oxide film 11 is set so that the absolute value of a reflection coefficient from the side of the photoresist 13 at the interface between the antireflection film 12 and the photoresist 13 equals or goes below a first value.例文帳に追加

まず（ｉ）反射防止膜１２とフォトレジスト１３との界面における、フォトレジスト１３側から見た反射係数の絶対値が第１の値以下となるように、シリコン酸化膜１１の膜厚を設定する。 - 特許庁

The method for forming the structure includes forming the transition layer using a remote nitridation reactor at a sufficiently low temperature such that virtually no nitrogen reaches the interface formed between the oxide layer and the substrate.例文帳に追加

この構造を形成する方法は、遠隔窒化リアクタを使用して、酸化層と基板の間に形成された界面に窒素が実質的に到達しないよう十分に低い温度で遷移層を形成することを含む。 - 特許庁

Metals 90a-90e having standard formation free energy of an oxide of 170 kcal/g*molO_2 or less at 1,000°C are dispersed in the vicinity of a joint interface 80 between the electrode base material 40 and the noble metal tip 60.例文帳に追加

電極母材４０と貴金属チップ６０との接合界面８０近傍に、１０００℃における酸化物の標準生成自由エネルギーが−１７０ｋｃａｌ／ｇ・ｍｏｌＯ_2以下の金属９０ａ〜９０ｅを分散させる。 - 特許庁

By the release of oxygen from the base insulation layer, the oxygen defect in the oxide semiconductor layer and the interface state between the base insulation layer and the oxide semiconductor layer can be reduced; thus, a semiconductor device with less variation in electric characteristics and high reliability can be manufactured.例文帳に追加

前記下地絶縁層から酸素が放出されることにより、前記酸化物半導体層中の酸素欠損及び前記下地絶縁層と前記酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

To prevent a capacitive insulating film from deteriorating in ferroelectric characteristic by suppressing diffusion of metal produced from metal nitride in a heat treatment when a conductive member made of metal oxide having an interface with a capacity element having a capacitive insulating film made of the insulating metal oxide is used.例文帳に追加

絶縁性の金属酸化物からなる容量絶縁膜を持つ容量素子と界面を持つ金属窒化物からなる導電性部材を用いる場合に、熱処理時に該金属窒化物から発生する金属拡散を抑制して、容量絶縁膜の強誘電体特性の劣化を防止できるようにする。 - 特許庁

As the zinc-doped yttrium oxide sintered compact has such a constitution that zinc (Zn) is segregated in each grain boundary (crystal interface) formed by an infinite number of yttrium oxide single crystal grains constituting the sintered compact, the sintered compact has such a dense structure that the relative density is ≥90%, approximately 90 to 99% or higher.例文帳に追加

本発明の亜鉛ドープ酸化イットリウム焼結体は、焼結体を構成する無数の酸化イットリウム単結晶体により形成される粒界（結晶界面）に亜鉛（Ｚｎ）が偏析している構成となるので、相対密度が９０％以上、概ね９０〜９９％あるいはそれ以上と緻密な構造となる。 - 特許庁

To a method for joining different metals, in which an oxide film is removed without applying much calorie even when the oxide film is deposited on a surface of either material when overlapping and joining two different metals, and as a result, generation of intermetallic compounds on a joint interface is suppressed to be small, thereby improving the joint strength.例文帳に追加

異なる二種類の材料を重ね合わせて接合するに際し、いずれかの材料の表面に酸化皮膜が形成されていても、多くの熱量を投入することなく酸化皮膜を除去することができ、接合界面の金属間化合物の生成を抑制して、継手強度の向上を実現する。 - 特許庁

To avoid forming a natural oxide film on an Si surface, avoid forming an oxide film due to the reaction of Si with a gate insulating film, and eliminate the influence of H and suppress appearance of fixed charges or interface level wherein the gate insulation film uses a film of a material having a higher dielectric constant than that of an Si oxide film.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、ゲート絶縁膜にシリコン酸化膜と比較して誘電率が高い物質の膜を用いる場合、シリコン表面に自然酸化膜が生成されないように、また、シリコンとゲート絶縁膜の反応に起因する酸化膜が生成されないように、更にまた、水素の影響を排除すると共に固定電荷や界面準位の発生を抑止することを可能にしようとする。 - 特許庁

The coated metal sheet good in reflectivity and mold processability is characterized in that at least two coating films, which contain a fluoroplastic and titanium oxide, are provided on a metal sheet and the surface roughness of the interface of both films is 0.3-0.7 μm.例文帳に追加

金属板上にフッ素樹脂と酸化チタンを含む少なくとも２層の塗装皮膜を有し、皮膜の界面の表面粗さが０．３〜０．７μｍであることを特徴とする反射性と成形加工性に優れる塗装金属板。 - 特許庁

This secondary battery comprises positive and negative electrodes, both of which are comprised of a metal oxide, and an organic electrolyte prepared by the dissolution of metal salt, where the resistance at the interface between the negative electrode and the electrolyte is 20-70 m.例文帳に追加

金属酸化物よりなる正極と、負極と、金属塩を溶解してなる有機系電解液とを有し、前記負極と前記電解液との界面における抵抗が２０〜７０ｍであることを特徴とする二次電池。 - 特許庁

Since the interface of the gate oxide film 7 and the surface channel layer 5 can be brought into a state substantially containing no residual carbon, higher channel mobility can be obtained and ON resistance can be reduced furthermore.例文帳に追加

このようにすれば、ゲート酸化膜７と表面チャネル層５との界面が残留炭素をほぼ含まない状態にすることができ、さらに高いチャネル移動度を実現できると共に、オン抵抗のさらなる低減を図ることができる。 - 特許庁

A one-transistor semiconductor memory can be obtained wherein the ferroelectric film like a PZT film is crystallized on an SiO2 insulating film like a gate oxide film or silicon by using the flash lamp, in the state that interface reaction is restrained.例文帳に追加

またフラッシュランプを用いてゲート酸化膜などのＳｉＯ_2 絶縁膜あるいはシリコン上に界面反応を抑制した状態でＰＺＴ膜などの強誘電体膜を結晶化した１トランジスタタイプの半導体メモリが得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can realize element characteristics predicted from a semiconductor region by preventing the occurrence of defects and levels, which may cause leakage currents or yield points in the interface between the semiconductor region and an oxide film covering the region.例文帳に追加

半導体領域を覆う酸化膜との界面において、漏れ電流や降伏点の発生源となる欠陥、準位の発生を防止し、半導体領域から予測される素子特性を実現できる半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a dielectric element which improves adhesiveness in an interface between a substrate formed of metal and an oxide dielectric layer, and has excellent leak characteristics, and to provide a method of easily manufacturing the dielectric element.例文帳に追加

金属からなる基板と酸化物誘電体層との界面における密着性を高めると共にリーク特性が良好である誘電体素子と、当該誘電体素子をより簡易に作製することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an oxide single crystal, with which a long garnet crystal without strain is grown with excellent reproducibility by producing no twist in a shape of the crystal, and suppressing occurrence of a facet on a flat growth interface.例文帳に追加

結晶形状の捩れを発生させること無く、且つフラットな成長界面でファセットの発生を抑制し、歪が無い長尺のガーネット結晶を再現性良く育成できる酸化物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a different metals-welding method, in which an oxide film on a weld interface is removed so as to enable firm welding while suppressing generation of intermetallic compounds in a welding step.例文帳に追加

異種金属材料の接合において、接合過程における金属間化合物の生成を抑制しながら、接合界面における酸化被膜を除去することができ、強固な接合が可能な異種金属の接合方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hetero super-lattice structure having a steep interface which suppresses the diffusion of alkaline metal from a barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice structure, and a highly efficient inter-subband transition device employing the same.例文帳に追加

酸化物半導体超格子構造において障壁層からのアルカリ金属の拡散を抑制した急峻な界面を有するヘテロ超格子構造を提供し、これを用いた効率の高いサブバンド間遷移デバイスを提供する。 - 特許庁