「interlayer insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A plurality of pillar-shaped interlayer insulation films 13a in a hexagonal plane shape are gathered to form a third interlayer insulation film 13.例文帳に追加

第３層間絶縁膜１３は、平面形状が六角形である複数の柱状層間絶縁膜１３ａが集合して構成されている。 - 特許庁

The interlayer insulation film and microlenses are formed from the composition.例文帳に追加

層間絶縁膜およびマイクロレンズは、上記組成物から形成される。 - 特許庁

The gate electrode 6 is covered with an interlayer insulation film 7 and an Al source electrode 101 stretches to over the interlayer insulation film 7.例文帳に追加

ゲート電極６上は層間絶縁膜７によって覆われており、Ａｌのソース電極１０１は、層間絶縁膜７上に延在する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 22 is formed, while the polysilicon layer 10 is covered, and a polysilicon layer 11 is formed on the interlayer insulation film 22.例文帳に追加

ポリシリコン層１０を覆って層間絶縁膜２２が形成されており、層間絶縁膜２２上にポリシリコン層１１が形成されている。 - 特許庁

An interlayer insulation film 5 is so formed as to cover the undermetal 3.例文帳に追加

アンダーメタル３を覆うように層間絶縁膜５が形成されている。 - 特許庁

The SRN film serves as a working stopper film when working an interlayer insulation film to expose the gate insulation film.例文帳に追加

SRN膜が層間絶縁膜を加工してゲート絶縁膜を露出する場合の加工のストッパ膜となる。 - 特許庁

In a thin film transistor, its foundational film, its gate insulation film, and its interlayer insulation film are formed out of silicon oxide films.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおいて、下地膜、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜を酸化珪素膜で形成する。 - 特許庁

Thus, the gate insulation films 13 and the interlayer insulation films 15 break where the breakdown voltages are low.例文帳に追加

これにより、絶縁耐圧の低い箇所のゲート絶縁膜１３や層間絶縁膜１５はブレークダウンする。 - 特許庁

Then, the spacer and insulation film are used as a mask to etch the interlayer insulation film, thereby forming a contact hole.例文帳に追加

次に、スペーサ及び絶縁膜をマスクとして層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

An interlayer insulation film and an insulation film are formed on the substrate 1 so as to cover the TFTs.例文帳に追加

そのＴＦＴを覆うように基板１上に層間絶縁膜および絶縁膜が形成される。 - 特許庁

To provide an insulation film-forming composition forming an interlayer insulation film having a low dielectric constant and excellent mechanical strength used as an interlayer insulation film of an electronic device or the like.例文帳に追加

電子デバイスなどの層間絶縁膜に用いられる低い誘電率と優れた機械強度を有する層間絶縁膜を形成できる絶縁膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

An uppermost surface ISF of the first interlayer insulation film II4 is flattened.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜ＩＩ４の最上面ＩＳＦが平坦化される。 - 特許庁

An interlayer insulation 4 is formed thereon to form a contact plug 6.例文帳に追加

この上部に層間絶縁膜４を形成してコンタクトプラグ６を形成する。 - 特許庁

To enhance heat resistance of an interlayer insulation film comprising an organic SOG film.例文帳に追加

有機ＳＯＧ膜よりなる層間絶縁膜の耐熱性を向上させる。 - 特許庁

To provide an interlayer insulation material for use in producing a multilayer printed wiring board.例文帳に追加

多層プリント配線板製造用の層間絶縁材料を提供する。 - 特許庁

METHOD OF IMPROVING SURFACE PROPERTY OF INTERLAYER INSULATION FILM AND APPARATUS FOR IMPROVING SURFACE PROPERTY例文帳に追加

層間絶縁膜の表面改質方法及び表面改質装置 - 特許庁

The interlayer insulation film is deposited on the wiring layer patterned in this manner.例文帳に追加

このようにパターニングした配線層の上に層間絶縁膜を堆積する。 - 特許庁

INTERLAYER INSULATION FILM FOR MULTILAYER WIRING AND PRODUCTION OF RESIN USED THEREFOR例文帳に追加

多層配線用層間絶縁膜及びそれに用いる樹脂の製造方法 - 特許庁

Then the interlayer insulation film 23 is heated, so that the particles 24 are gasified and a plurality of cavities are formed in the interlayer insulation film 23a.例文帳に追加

次に、この層間絶縁膜２３を熱処理することにより、粒子２４を気化させ層間絶縁膜２３ａ中に複数の空孔２５を形成する。 - 特許庁

To detect residue of film in a region in which a contact hole is formed in an interlayer insulation layer, and to accurately obtain thickness of residue of film of the interlayer insulation layer.例文帳に追加

層間絶縁層におけるコンタクトホールを形成した領域での膜残りを検出し、且つ層間絶縁層の膜残りの厚みを精度良く求める。 - 特許庁

To form an interlayer insulation film (insulation bank) for interlayer isolation of a lower conductive layer formed in a terminal part of a high density display, with a high pattern accuracy.例文帳に追加

高密度ディスプレイの端子部に形成される下層導電層を層間分離するための層間絶縁膜（絶縁性バンク）を高いパターン精度で形成する。 - 特許庁

The amount of resin included in the first interlayer resin insulation layer 410 is greater than that of the second interlayer resin insulation layer 420.例文帳に追加

そして、第１の層間樹脂絶縁層４１０に含まれている樹脂の量は前記第２の層間樹脂絶縁層４２０に含まれている樹脂の量より多い。 - 特許庁

The interlayer insulation film of the liquid crystal display element is formed from the radiation sensitive composition and the liquid crystal display element has the interlayer insulation film.例文帳に追加

液晶表示素子の層間絶縁膜は上記感放射線性組成物から形成され、液晶表示素子は上記創刊絶縁膜を具備する。 - 特許庁

A wiring layer formed on an interlayer insulation film 4 is electrically connected with the body region via a body contact provided in the interlayer insulation film 4.例文帳に追加

層間絶縁膜４上に形成された配線層は、層間絶縁膜４中に設けられたボディーコンタクトを介してボディー領域と電気的に接続される。 - 特許庁

RADIATION SENSITIVE COMPOSITION FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT, INTERLAYER INSULATION FILM FORMED THEREFROM AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

液晶表示素子の層間絶縁膜を形成するための感放射線性組成物、それから形成された層間絶縁膜、および液晶表示素子 - 特許庁

To provide a technique which can mitigate a stress to be applied to an interlayer insulation film and decrease cracks to occur in the interlayer insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜に加わる応力を緩和することができ、層間絶縁膜に生じるクラックの発生を低減することができる技術を提供する。 - 特許庁

A titanium film 5 is formed on the entire inner wall of a connection hole 4 being formed at an interlayer insulation film 3 on a semiconductor substrate 1 and on an interlayer insulation film 2.例文帳に追加

半導体基板１上の層間絶縁膜３に形成された接続孔４の内壁一面及び層間絶縁膜２上にチタン膜５を成膜する。 - 特許庁

A second interlayer insulation film 107 is formed on the first interlayer insulation film to cover the wiring where the oxidation preventing film is formed at the surface.例文帳に追加

次に、表面に酸化防止膜が形成された配線を覆うように第１の層間絶縁膜上に第２の層間絶縁膜１０７を形成する。 - 特許庁

An interlayer insulation layer is formed over the entire plane, after the trench region is formed, and the bit lines BL1', BL2' are formed side by side on the interlayer insulation layer.例文帳に追加

トレンチ領域が形成された後全面に層間絶縁層を形成し、層間絶縁層上に複数のビットラインＢＬ１’、ＢＬ２’を並ぶように形成する。 - 特許庁

A polishing stop film 20 having polishing speedless than that of an interlayer insulation film 12 is formed between a semiconductor substrate (semiconductor wafer) 11 and the interlayer insulation film 12.例文帳に追加

半導体基板（半導体ウエハ）１１と層間絶縁膜１２との間に、層間絶縁膜１２よりも研磨速度が小さい研磨停止膜２０を形成する。 - 特許庁

A recess part 6 is formed by etching the second interlayer insulation film 4 and the first interlayer insulation film 3 by using the photoresist 5 as an etching mask.例文帳に追加

フォトレジスト５をエッチングマスクに用いて第２の層間絶縁膜４及び第１の層間絶縁膜３をエッチングすることにより、凹部６が形成される。 - 特許庁

Semiconductor device is provided with an interlayer insulation film formed on the main surface of a semiconductor substrate and a plurality of contact plugs 22 penetrating the interlayer insulation film.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板の主面上部に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜を貫通する複数のコンタクトプラグ２２とを備える。 - 特許庁

An interlayer insulation film 6 is formed on the gate electrode 4, and a connection hole 6a disposed on the gate electrode 4 is formed on the interlayer insulation film 6.例文帳に追加

そしてゲート電極４上に層間絶縁膜６を形成し、層間絶縁膜６に、ゲート電極４上に位置する接続孔６ａを形成する。 - 特許庁

A third interlayer insulation film 13 provided with a via hole 12 is formed on a second interlayer insulation film 9 to cover a third wiring layer 11.例文帳に追加

第２層間絶縁膜９上には、ビアホール１２を有する第３層間絶縁膜１３が第３配線層１１を被覆して形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which deterioration of an interlayer insulation film due to intrusion of liquid such as chemical into the interlayer insulation film is suppressed, and deterioration of the interlayer insulation film can be recovered by predetermined gas.例文帳に追加

薬液などの液体が層間絶縁膜中に侵入することに起因する層間絶縁膜の劣化を抑制し、かつ、層間絶縁膜の劣化を所定のガス（気体）により回復させることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The second insulation film provided with the second plug and the stopper film has a conductive film pattern and interlayer insulation film formed thereon.例文帳に追加

第２プラグ及びストッパ膜を備える第２絶縁膜上に、導電膜パターン、層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Following to the formation of an interlayer insulation film 18 and respective electrodes, a silicon nitride film is formed as a protective insulation film 22.例文帳に追加

層間絶縁膜１８および各電極を形成後、窒化シリコン膜を形成して保護絶縁膜２２とする。 - 特許庁

An interlayer insulation film 18 is formed to cover the dummy structure 16.例文帳に追加

このダミー構造物１６を覆うように層間絶縁膜１８を形成する。 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATION FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

感放射線性樹脂組成物、および層間絶縁膜とその製造方法 - 特許庁

On the third interlayer insulation film 14, a drain interconnection 15 is formed.例文帳に追加

第３層間絶縁膜１４上には、ドレイン配線１５が形成されている。 - 特許庁

Then, an interlayer insulation film 7 is formed while being embedded into the second recess.例文帳に追加

ついで、第２凹部の内部に埋め込むように層間絶縁膜７を形成する。 - 特許庁

Subsequently, a second interlayer insulation film and a second conductive layer are formed.例文帳に追加

その後、第２層間絶縁膜と、銅を用いた第２導電層を形成する。 - 特許庁

MATERIAL FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

半導体装置の層間絶縁膜形成材料及びその形成方法 - 特許庁

INTERLAYER INSULATION FILM, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

層間絶縁膜の製造方法および層間絶縁膜、ならびに半導体装置 - 特許庁

LOW DIELECTRIC-CONSTANT INTERLAYER INSULATION FILM, SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

低誘電率層間絶縁膜、それを有する基板およびその製造方法 - 特許庁