「interlayer insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The reliability of the multiple printed circuit board is improved, so that delaminations between an inter layer resin insulation layer 50 and a core substrate 30, and the interlayer resin insulation layer 50 and the IC chip near the corner are prevented, also the cracking in the inter layer insulation layer 50 is prevented.例文帳に追加

このため、角部の近傍で、コア基板３０と層間樹脂絶縁層５０、ＩＣチップと層間樹脂絶縁層５０との剥離、及び、層間樹脂絶縁層５０でのクラックの発生を防ぎ、多層プリント配線板の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer printed wiring board which disperses with the process to remove an insulation film by preventing the formation of the insulation film at the bottom portion of a hole when the hole having the bottom portion is bored for interlayer conducting with the laser to the insulation resin layer.例文帳に追加

多層プリント配線板の製造において、絶縁樹脂層にレーザで層間導通部用の非貫通穴をあけるとき、非貫通穴底部に絶縁膜の形成を防止し、この絶縁膜を除去する処理が不要な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which is excellent in performances, such as transmissivity, insulation, flatness, and chemical resistance, and also made suitable to use as an interlayer insulation film in a LCD manufacturing process securing the reliability in the following processes by minimizing the gas leakage especially through the high heat resistant interlayer insulation films.例文帳に追加

透過率、絶縁性、平坦性、耐化学性などの性能に優れるだけでなく、特に高耐熱特性を通した層間絶縁膜で発生されるガス抜けを最少化させて、後工程の信頼性を確保することによってＬＣＤ製造工程の層間絶縁膜として使用するのに適した感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

In the lyophilic bank 14a, an opening 15 is formed at a position raised in a projecting shape by stacking first and second wires 12A and 12B and a power feed line LZ on a second interlayer insulation layer S2 through an insulation layer M and first and second interlayer insulation layers S1 and S2, respectively, whereby the raised part is eliminated.例文帳に追加

この親液性バンク１４ａは、第２の層間絶縁層Ｓ２上の、第１及び第２の配線１２Ａ，１２Ｂ及び給電線ＬＺがそれぞれ絶縁層Ｍ、第１及び第２の層間絶縁層Ｓ１，Ｓ２を介して積層されることで凸形状に盛り上った位置に開口部１５を形成して、その盛り上がり部分をなくした。 - 特許庁

To enable an interlayer insulation film 25 to be embedded in a gaps between the interconnections 23 on a semiconductor substrate without damaging the insulation film 22 of its underlayer on the semiconductor substrate 21 by plasma ions, and without charging up the underlayer in a semiconductor fabricating method for forming the interlayer insulation film for filling the gaps between the interconnections 23.例文帳に追加

配線２３の間を埋める層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板２１上に形成される配線の下地である絶縁膜２２をプラズマイオンでキズ付けたり、下地にチャ−ジアップさせたりすることなく半導体基板上の配線２３間の隙間に層間絶縁膜２５を埋め込むことができるようにする。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulation film and a structure capable of suppressing the increase of the dielectric constant of an interlayer insulation film accompanying change of Si-CnH2n+1 combination to Si-OH combination in the film.例文帳に追加

膜中のＳｉ−Ｃ_nＨ_2n+1結合がＳｉ−ＯＨ結合へと変化することに伴う層間絶縁膜の誘電率の上昇を抑制し得る、絶縁膜の形成方法及び構造を得る。 - 特許庁

The conductive film composing a power-feeding electrode to a signal line 11 and a scanning line is covered with an insulation protecting film 35 of silicon nitride or an interlayer insulating film 34 of silicon oxide and the insulation protecting film 35 of silicon nitride.例文帳に追加

信号線11および走査線の給電電極を構成する導電膜を窒化シリコンの絶縁保護膜35または酸化シリコンの層間絶縁膜34および窒化シリコンの絶縁保護膜35によって覆う。 - 特許庁

An interlayer insulation film 22 and a gate insulation film 20 are etched with an etchant mixed with globular micropearl, and the inside of a through hole 33 is polished with the globular micropearl to surely remove a residual.例文帳に追加

球状ミクロパールを混合してなるエッチング液により層間絶縁膜２２及びゲート絶縁膜２０をエッチングし、スルーホール３３内を球状ミクロパールで研磨して残渣を確実に除去する。 - 特許庁

To provide a low-permittivity interlayer insulation film having performance such as the reduction of permittivity, and the suppression of insulation film breakage, electromigration or stress migration, and a method of forming the same.例文帳に追加

低誘電率化と、絶縁膜破壊、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションの抑制という性能を備える低誘電率層間絶縁膜および低誘電率層間絶縁膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of the connectional laminated coils that a flat type wire whose is insulatively covered over the entire circumference is expensive and a cut laminate comprised of a metal foil and an insulation film has an insufficient interlayer insulation due to the deformation of a cut section.例文帳に追加

従来の全周に絶縁被覆がなされた平角線は高価であり、金属箔と絶縁フィルムの裁断積層体では、切断面の変形により層間絶縁が不十分。 - 特許庁

An insulation layer 12 that does not contain any glass fiber is laminated on a substrate 9, and a conductive via 17 for interlayer connection is formed on the insulation layer 12 by applying laser beams or by the photo-etching method.例文帳に追加

基体９上にガラス繊維を含まない絶縁層１２を積層し、この絶縁層１２には層間接続のための導電性ビア１７をレーザー光線照射やフォトエッチング法により形成する。 - 特許庁

To form an interlayer insulation film with good strength which enables easy setting of a shape, a size and a position of a viahole when a semiconductor device having a layer insulation film with a viahole is manufactured.例文帳に追加

空孔をもつ層間絶縁膜を有する半導体装置の製造に際し、空孔の形状や寸法や位置の設定が容易で、良好な強度を有する層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To obtain a method suitable for fabricating a semiconductor device having a multilayer interlayer insulation film in which the thickness of multiple interlayer films included in the semiconductor device can be measured accurately.例文帳に追加

本発明は多層に積層された層間絶縁膜を備える半導体装置の製造に好適な製造方法に関し、半導体装置に含まれる多数の層間膜の膜厚を精度よく測定することを目的とする。 - 特許庁

To impart functional characteristics such as heat insulation, ultraviolet screening and radio transmittance to an interlayer of laminated glass without affecting the interlayer by incorporating functional ultra-fine particles properly dispersed therein.例文帳に追加

合せガラス用中間膜層に影響を与えることなく、中間膜層に機能性超微粒子を適宜分散し含有せしめることで、断熱性能や紫外線遮断性能や電波透過性能等の機能特性を付与する。 - 特許庁

The interlayer insulation film 21 is etched using the etching rejection film 20 as an etching stopper, and the exposed etching rejection film 20 is then etched.例文帳に追加

エッチング阻止膜２０をエッチングストッパに用いて層間絶縁膜２１をエッチングし、続いて露出しているエッチング阻止膜２０をエッチングする。 - 特許庁

To prevent peel-off between a common electrode formed in a matted manner, in planar and an interlayer insulation film, in an IPS (In Plane Switching)-type liquid crystal display device.例文帳に追加

ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、平面ベタで形成されたコモン電極と層間絶縁膜との剥離を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method that can prevent an embedding failure occurring when an interlayer insulation film is embedded between side walls.例文帳に追加

サイドウォール間に層間絶縁膜を埋め込むときに埋め込み不良の発生を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The via hole 12 and the third conductive layer 14 are formed surrounding each of the pillar-shaped interlayer insulation films 13a.例文帳に追加

そして、各柱状層間絶縁膜１３ａの周囲を取り囲むようにしてビアホール１２及び第３導電層１４が形成されている。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board in which a board surface can be made flat and the delamination of an interlayer resin insulation layer is prevented.例文帳に追加

基板表面を平坦に形成し得ると共に層間樹脂絶縁層のデラネーションの発生させない多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

An element separation layer 2 and n+diffusion layer 5 are formed on a surface of p-type semiconductor substrate 1, and an interlayer insulation film 7 is deposited on the same.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１表面に素子分離層２及びｎ^+拡散層５を形成し、その上に層間絶縁膜７を堆積する。 - 特許庁

A marking hole 20M for forming an alignment mark or the like is formed from a surface 23S of the interlayer insulation film 23 to the polysilicon layer 11.例文帳に追加

層間絶縁膜２３の表面２３Ｓからポリシリコン層１１に至って、アライメントマーク等を成すマーク用孔２０Ｍが形成されている。 - 特許庁

Next, a silicon nitriding film 18 is formed on the whole face of the semiconductor board 1, and the interlayer insulation film 19 is formed on the silicon nitriding film 18.例文帳に追加

次に、半導体基板１の全面にシリコン窒化膜１８を形成し、シリコン窒化膜１８上に層間絶縁膜１９を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of embedding an interlayer insulation film between gate electrodes with superior repeatability even if a space between the gate electrodes is narrowed.例文帳に追加

ゲート電極間が狭まっても、ゲート電極間に再現性よく層間絶縁膜を埋め込むことが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

Accordingly, the chemical solution processing time using the peeling solution can be shortened and the etched degree of an interlayer insulation film can be reduced.例文帳に追加

これにより、剥離液による薬液処理時間を短縮することが可能となり、層間絶縁膜のエッチング量を低減することができる。 - 特許庁

When the number of overlapping windings is increased, an electrostatic shield layer is arranged in an interlayer of the insulation covered flat tint copper wire coil, and a grounding terminal is provided.例文帳に追加

重ね巻きして巻数を多くする場合は、絶縁被覆平編銅線コイルの層間に、静電シールド層を配設し接地端子を設ける。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which can facilitate pattern formation of an interlayer insulation film having small leake current for a capaditor by photolithography.例文帳に追加

リーク電流が小さくフォトリソグラフィーによりキャパシタ用の層間絶縁膜を容易にパターン形成できる感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

In the via hole formation step, via holes 136 and 137 are formed to communicate with holes 133 and 134 while penetrating the interlayer insulation layers 33 and 35.例文帳に追加

ビアホール形成工程では、層間絶縁層３３，３５を貫通して穴部１３３，１３４に連通するビアホール１３６，１３７を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by forming interlayer insulation films, using a simple and easy TEOS-O3 CVD system.例文帳に追加

簡便なＯ_3 −ＴＥＯＳにより、ＣＶＤ装置を用いた層間絶縁膜の形成による半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, a printed wiring board is prevented from being warped using a thin core substrate 30, and interlayer insulation layers 50A, 50B with no core material.例文帳に追加

これにより、薄いコア基板３０と、芯材を備えない層間絶縁層５０Ａ、５０Ｂとを用いて、プリント配線板に反りを発生させない。 - 特許庁

The transparent conductive film on the interlayer insulation film is formed without heating under the oxygen flow rate of 1% or less and annealed after the formation.例文帳に追加

また、層間絶縁膜上へ透明導電膜を成膜する際、非加熱で酸素流量比を１％以下とし、且つ、成膜後アニールを行う。 - 特許庁

Accordingly, the stress relaxation film 46 relaxes the difference in thermal expansion coefficient between the third interlayer insulation film 44 and the pixel electrode 9a.例文帳に追加

このため、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間において熱膨張係数の差を緩和する。 - 特許庁

To obtain a silica membrane expressing a remarkably low dielectric constant of ≤2.2 and having little moisture absorption as an interlayer insulation in semiconductor elements and the like.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁として、２．２以下の非常に低い比誘電率を示し、かつ吸湿の少ないシリカ膜を得る。 - 特許庁

Since the film forming surface level of the third interlayer insulation film 13 formed on the dummy patterns A and B is raised, excessive polishing is prevented at the position.例文帳に追加

ダミーパターンＡ，Ｂ上の第３の層間絶縁膜１３の成膜表面レベルが底上げされるため、その部分での過研磨を解消できる。 - 特許庁

The unnecessary conductor layer 5 formed on the interlayer insulation film 2 is polished and removed by CMP until the barrier metal 4 is exposed.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜２上に形成されている不要な導電層５を、ＣＭＰを用いてバリアメタル４が露出するまで研磨除去する。 - 特許庁

In a first step, an interlayer insulation film 18 wherein a concave 19 up to a semiconductor substrate 11 is formed on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

まず、半導体基板１１上に、半導体基板１１に達する凹部１９が設けられた層間絶縁膜１８を形成する工程を行う。 - 特許庁

Wiring includes a first line 18 and a second line 20 formed on the first line 18 via a second interlayer insulation film 19.例文帳に追加

配線として、第１配線１８と、第１配線１８上に第２層間絶縁膜１９を介して形成される第２配線２０を有する。 - 特許庁

To reduce the film peeling damages of the interlayer insulation film, etc. of a semiconductor wafer which are generated in its periphery, in a CMP for forming its damascene wiring.例文帳に追加

ダマシン配線を形成するＣＭＰにおいて半導体ウエハ周辺部での層間絶縁膜等の膜剥がれ損傷を低減させる。 - 特許庁

A pixel electrode arranged in a pixel portion is formed on an interlayer insulation film made of an organic insulator material, and is connected to the pixel TFT through an opening bored at least in a protective insulation film that is provided above a gate electrode of the pixel TFT and is made of an inorganic insulator material and in the interlayer insulation film formed on the insulation film in close contact therewith.例文帳に追加

画素ＴＦＴはＬＤＤ構造として、画素部に設ける画素電極は、有機絶縁物材料からなる層間絶縁膜上に形成され、少なくとも、画素ＴＦＴのゲート電極の上方に設けた無機絶縁物材料から成る保護絶縁膜と、該絶縁膜上に密接して形成された該層間絶縁膜とに設けられた開孔を介して、前記画素ＴＦＴに接続している。 - 特許庁

Between the sidewalls SW, voids are prevented from occurring inside the interlayer insulation film 7 and the liner insulation film 6 by contacting the liner insulation films 6 formed on respective lateral walls of the sidewalls SW to block a clearance between the sidewalls SW.例文帳に追加

サイドウォールＳＷ同士の間において、サイドウォールＳＷの側壁にそれぞれ形成されたライナー絶縁膜６を接触させてサイドウォールＳＷ間を閉塞させることにより、層間絶縁膜７とライナー絶縁膜６の内部にボイドが発生することを防ぐ。 - 特許庁

To enhance reliability of an element, while increasing the manufacturing yield by preventing an interlayer insulation film on a copper film from being stripped when copper interconnections are formed by a damascene interconnection technology.例文帳に追加

ダマシン法による銅配線の形成において、銅膜上の層間絶縁膜の剥離を防止して、歩留まりおよび素子の信頼性を向上させること。 - 特許庁

To provide a polishing liquid for metal which has high polishing speed in an interlayer insulation film, prevents polishing scratches from occurring on the surface to be polished, and has the surface to be polished having high flatness.例文帳に追加

層間絶縁膜の研磨速度が大きく、被研磨面に研磨傷を発生させず、被研磨面の平坦性が高い金属用研磨液を提供する。 - 特許庁

Alignment is conducted, by using the alignment mark M2, a second opening 4a is formed at the part of the second interlayer insulation film 4, and the alignment mark M3 is constituted.例文帳に追加

アライメントマークＭ_2を用いてアライメントを行い、第２の層間絶縁膜４の部分に第２の開口４ａを形成し、アライメントマークＭ_3を構成する。 - 特許庁

Contact holes to an upper surface of the wafer 10 in the DRAM forming region are formed in a first interlayer insulation film 30 deposited on the gate electrode.例文帳に追加

その上に堆積した第１層間絶縁膜３０に、ＤＲＡＭ形成領域のシリコン基板１０の上面に到達するコンタクトホールが形成される。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device, having such a structure as an MIM element and a fuse can be formed easily in a region, ranging from a multilayer wiring portion to an AVAI interlayer insulation film.例文帳に追加

多層配線部からAVAI層間絶縁膜に亘る領域にＭＩＭ素子およびヒューズを形成し易い構造の半導体装置を得ること。 - 特許庁

To sufficiently narrow the interval of a cell pitch while securing an insulation breakdown voltage between a gate and a source in a semiconductor device of an interlayer insulating film etch-back structure.例文帳に追加

層間絶縁膜エッチバック構造の半導体装置において、ゲート−ソース間の絶縁耐圧を確保しつつ、セルピッチの間隔を十分に狭めること。 - 特許庁