「interlayer insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent the generation of a foreign matter during resist ashing after an interlayer insulation film for a via or wiring formation is opened and etched by a resist mask.例文帳に追加

ビアや配線形成のために層間絶縁膜をレジストマスクにより開口エッチングした後、レジストアッシング中に異物が発生する事を抑制する。 - 特許庁

To provide an interlayer for laminated glass which is excellent in sound insulation property in a wide range of temperature and has a colored layer for intercepting solar light.例文帳に追加

幅広い温度範囲における遮音性に優れており、かつ、太陽光を遮るための着色層を有する合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

The first and second wiring layers 6, 15 are electrically connected together through the contact holes penetrating the interlayer insulation films 7, 9.例文帳に追加

第１配線層６と第２配線層１５は、層間絶縁膜７，９を貫通して形成されたコンタクトホールを介して互いに電気的に接続している。 - 特許庁

In other aspect, an upper plastic sheet 4 is installed in the upper part of the air mat 30 for the heat retention to form a heat-insulation interlayer part between both of the upper and lower plastic sheets 2 and 4.例文帳に追加

また、保温用空気マット３０の上に上部ビニール４を設置して、上下両ビニール（２，４）の間に断熱中間層部を形成する。 - 特許庁

In an interlayer insulation 16 provided on the surface of the upper part of the semiconductor substrate 10, a connection hole 24 is formed at the upper part of the first metal wiring 52.例文帳に追加

半導体基板１０の上部全面に設けた層間絶縁膜１６には、第１金属配線５２の上部に接続孔２４が形成してある。 - 特許庁

To provide a film that shows an extremely low relative dielectric constant of 2.2 or less and has improved mechanical strength as interlayer insulation in a semiconductor device and the like.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁として、２．２以下の非常に低い比誘電率を示し、かつ機械的強度に優れた膜に関する。 - 特許庁

A second interlayer film 5 is arranged only in a region right below the wiring layer 2, and connects the wiring layer 2 with the diffusion preventing insulation layer 4 in a longitudinal direction.例文帳に追加

第２の層間膜５は配線層２の真下領域にのみ配置され、かつ配線層２と拡散防止絶縁層４とを縦方向に連結している。 - 特許庁

The wiring board comprises a first wiring layer 11, and a second wiring layer 12 provided via the first wiring layer 11 and an interlayer insulation film 13.例文帳に追加

配線基板は、第１の配線層１１と、第１の配線層１１と層間絶縁膜１３を介して設けられた第２の配線層１２とを有する。 - 特許庁

In an interlayer insulation film 10 on a first metal interconnection 8, a connection hole 10a which reaches the first metal interconnection 8 and an interconnection trench 10b are formed.例文帳に追加

第１金属配線８上の層間絶縁膜１０に、第１金属配線８に達する接続孔１０ａおよび配線溝１０ｂを形成する。 - 特許庁

After the columnar electrodes are formed, interlayer insulation films 9, 12, 14, and 17 and re-wirings 10, 13, 15, and 18 are formed one after another.例文帳に追加

そして、柱状電極を形成した後に、各層間絶縁膜９、１２、１４、１７および各再配線１０、１３、１５、１８を交互に形成する。 - 特許庁

In the drawing, a barrier metal layer BMTL is formed to touch at least the contact region, i.e., diffusion layer 13, formed beneath an interlayer insulation film 12.例文帳に追加

図において、少なくとも層間絶縁膜１２下層のコンタクト領域である拡散層１３に接触するバリアメタル層ＢＭＴＬが形成されている。 - 特許庁

A plug 112 is buried in a contact hole 111 formed in an interlayer insulation film 110n deposited on the polymetal gate electrode 103.例文帳に追加

ポリメタルゲート電極１０３の上に堆積された層間絶縁膜１１０ｎに形成されたコンタクトホール１１１にはプラグ１１２が埋め込まれている。 - 特許庁

To prevent damage to an interlayer dielectric and a final insulation film by lateral stress caused by a sideslip of the tip of a probing needle on a pad.例文帳に追加

パッド上でのプローブ針の先端の横滑りに起因する横方向の応力による層間絶縁膜や最終絶縁膜の損傷を防止する。 - 特許庁

The end 7 of a pad electrode 4 formed on a semiconductor substrate 1 including a patterned interlayer insulation film 3 is covered by a plated layer 5 without leaving any space in-between.例文帳に追加

パターニングされた層間絶縁膜３を含む半導体基板１上に形成されるパッド電極４の端部７をメッキ層５で隙間なく被覆する。 - 特許庁

On a first interlayer insulating film 12 extended from the integrated circuit region 31, three dummy insulation film patterns 20 are formed at a fixed interval.例文帳に追加

集積回路領域３１から延びた第１層間絶縁膜１２上に、３つのダミー絶縁膜パターン２０が一定間隔で形成されている。 - 特許庁

To prevent the diffusion of copper ions from a copper interconnection line in an initial stage of the film formation of a low dielectric-constant interlayer insulation film having a capability of preventing the diffusion of copper ions.例文帳に追加

銅イオンの拡散防止機能を持つ低誘電率の層間絶縁膜の成膜初期における銅配線からの銅イオンの拡散を防止する。 - 特許庁

Thus, it is unnecessary to form openings for connecting the upper and lower rewirings in the interlayer insulation films 9, 12, 14, and 17 by means of photolithographic method.例文帳に追加

これにより、各層間絶縁膜９、１２、１４、１７に、その上下の再配線を接続するための開口部をフォトリソグラフィ法により形成する必要はない。 - 特許庁

When an interlayer insulation film 3 is made open to form a contact hole 4, a position detection groove 10 is formed and a planarization suppressing groove 20 is formed inside it (Fig. 2 (a)).例文帳に追加

層間絶縁膜３を開口してコンタクトホール４を形成する際、位置検出溝１０と、その内側に平坦化抑制溝２０とを形成する（図２（ａ））。 - 特許庁

In each of a plurality of openings 5a formed in part of the interlayer insulation film 5 located inside of the guard ring 8, a columnar tungsten 7 is formed.例文帳に追加

ガードリング８の内側に位置する層間絶縁膜５の部分に形成された複数の開口部５ａのそれぞれに柱状タングステン７が形成されている。 - 特許庁

An insulation film 9, whose quality is similar to the insulating film 3, is formed on the film 5, and second layer wiring grooves 10 and an interlayer connection wiring hole 11 are formed.例文帳に追加

膜５の上に、絶縁膜３と同質の絶縁膜９を形成し、第２層配線用溝１０および層間接続配線用孔１１を形成する。 - 特許庁

First and second coils 10, 22 for composing a transformer are oppositely provided on the semiconductor substrate 2, while sandwiching the interlayer insulation film 12.例文帳に追加

また、半導体基板２上には、トランスを構成する第１コイル１０および第２コイル２２が層間絶縁膜１２を挟んで対向して設けられている。 - 特許庁

Subsequently, an interlayer insulation film 10 is deposited, a contact hole Hct reaching the heavily doped source-drain region 9 is made and a plug electrode 11 is formed.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜１０の堆積と、高濃度ソース・ドレイン領域９に到達するコンタクトホールＨctの形成と、プラグ電極１１の形成とを行なう。 - 特許庁

An oxidation preventing film 120 is formed on the first interlayer insulation film to cover the wiring and the film other than that covering the surface of wiring is removed.例文帳に追加

次に、配線を覆うように第１の層間絶縁膜上に酸化防止膜１２０を形成し、配線の表面を覆う部分以外の部分を除去する。 - 特許庁

On a lower layer interconnection 101 formed on a semiconductor substrate (not shown in Figure), an insulating barrier film 102 and an interlayer insulation film 103 are formed in order.例文帳に追加

半導体基板（図示せず）上に形成された下層配線１０１に絶縁性バリア膜１０２及び層間絶縁膜１０３を順次形成する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for interlayer insulation films capable of using a general-purpose developer and ensuring less film thickness reduction of a formed pattern.例文帳に追加

汎用の現像液を使用可能であり、かつ、形成されたパターンの膜減りが少ない層間絶縁膜用感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

With this method, the protective film is formed without addition of processes, thus preventing the moisture from entering from the interface among the interlayer insulation films 120, 126, and 140.例文帳に追加

この方法によれば、工程の追加なしに保護膜を形成でき、層間絶縁膜１２０、１２６、１４０の界面からの湿気の侵入を防止できる。 - 特許庁

A capacity formation section contact plug 10b is formed through an interlayer insulation film 9 so that part of it may reach the source region 8b.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜９を貫通してソース領域８ｂに一部が到達するように形成された容量形成部コンタクトプラグ１０ｂが形成されている。 - 特許庁

A third interlayer insulation film to be a groundwork of the data line 6a and the projecting pattern 81 is flattened and the dimension in the vertical direction is strictly regulated.例文帳に追加

データ線６ａと凸パターン８１の下地となる第３層間絶縁膜は、平坦化されており、垂直方向の寸法が厳密に規定される。 - 特許庁

At least one of the plurality of pieces 11 is a test piece 5 for inspecting the state of forming the conductive layer 3 and the interlayer insulation layer 2.例文帳に追加

多数の個片１１のうち少なくとも１個は，導電層３及び層間絶縁層２の形成状態を検査するためのテストピース５である。 - 特許庁

When electroplating is performed, a Cu plating film 8 is formed on the surface part of the interlayer insulation film 2 and in the wiring trenches 3 and wide wiring trenches 3a.例文帳に追加

電解メッキ処理を行うと、層間絶縁膜２の表面部分および配線溝３と幅広配線溝３ａの内部にＣｕメッキ膜８が成膜される。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which enables easy pattern formation of an interlayer insulation film for a capacitor having a high dielectric constant and high heat resistance by photolithography.例文帳に追加

高誘電率、高耐熱のキャパシタ用の層間絶縁膜をフォトリソグラフィーにより容易にパターン形成できる感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Wiring 10a connected to the gate electrode 4 by embedding the part in the connection hole 6a is formed on the interlayer insulation film 6.例文帳に追加

そして層間絶縁膜６上に、一部が接続孔６ａに埋め込まれることによりゲート電極４に接続する配線１０ａを形成する。 - 特許庁

A semiconductor device, wherein an interlayer insulation film comprising boron nitride films 7, 9, 11 whose dielectric is less than 4 is formed in a wiring formation process, is manufactured.例文帳に追加

配線形成工程において、誘電率が４未満の窒化ホウ素膜７，９，１１からなる層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

Then, by removing part of the interlayer insulation film 103, a via 104 reaching the insulating barrier film 102 and a trench 105 reaching the via 104 are formed.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜１０３を除去して絶縁性バリア膜１０２に到達するビア１０４及びビア１０４に到達するトレンチ１０５を形成する。 - 特許庁

Unevenness is then formed on the surface of the interlayer insulation film 16 formed on the memory cell region Rmem by providing a recess 12 on the upper electrode 10.例文帳に追加

このとき、上部電極１０に凹部１２を設けることにより、メモリセル領域Ｒmemに形成される層間絶縁膜１６の表面に凹凸が形成される。 - 特許庁

An interlayer insulation film 5 consisting of silicon nitride is deposited by a PECVD method, and an overcoat film 10 consisting of silicon nitride is deposited by the PECVD method.例文帳に追加

ＰＥＣＶＤ法により窒化シリコンからなる層間絶縁膜５を成膜すし、ＰＥＣＶＤ法により窒化シリコンからなるオーバーコート膜１０を成膜する。 - 特許庁

A contact hole is formed in this interlayer insulation film 17 so as to form a contact which reaches a source/drain diffusion region 11 and a gate electrode 14.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散領域１１及びゲート電極１４に達するコンタクトを形成するため、この層間絶縁膜１７にコンタクトホールが形成される。 - 特許庁

An interlayer insulation film which is made mainly of organic constituent such as polyaryl ether derivative or polyparaxylene or the like, is piled up on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の上に、ポリアリールエーテルの誘導体又はポリパラキシレンの誘導体などからなる有機成分を主成分とする層間絶縁膜を堆積する。 - 特許庁

A first conductor layer 3, a second conductor layer 7 and an interlayer insulation film 4 are formed on a semiconductor substrate 1 on which a protective film 2 has been formed.例文帳に追加

保護膜２が形成された半導体基板１上に、第１導体層３、第２導体層７及び層間絶縁膜４が形成されている。 - 特許庁

Capacity grooves 4, 4a are formed on an interlayer insulation film on the capacity contact holes 3, 3a, and a lower electrode is formed on the groove inner face.例文帳に追加

容量用コンタクト孔３，３ａ上であって層間絶縁膜に容量用溝４，４ａが形成されその溝内面に下部電極が形成されている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device capable of reducing global level difference on an interlayer insulation film formed on a memory cell having a capacitor and on a logic circuit.例文帳に追加

キャパシタを有するメモリセル部及びロジック回路部上に形成した層間絶縁膜に生じるグローバル段差を低減できる半導体装置を得る。 - 特許庁

An incorporated gate resistor 6 of silicon is formed beneath a gate pad 12 where the external connection electrode 10 of gate is exposed through a interlayer insulation film.例文帳に追加

ゲート外部接続電極１０が露出している箇所であるゲートパッド１２下に、層間絶縁膜７を介してポリシリコンの内蔵ゲート抵抗６を形成する。 - 特許庁

The multi-layered printed circuit board is provided by using the prepreg imparted with a thermosetting resin on the substrate for the prepreg as interlayer insulation.例文帳に追加

本発明の多層プリント配線板は、前記プリプレグ用基材に熱硬化性樹脂が付与されたプリプレグを層間の絶縁のために用いたものである。 - 特許庁

A photoresist 5 having a patter whose upward of a planned area forming copper wiring is opened is formed on the second interlayer insulation film 4.例文帳に追加

次に、銅配線が形成される予定の領域の上方が開口したパターンを有するフォトレジスト５を、第２の層間絶縁膜４上に形成する。 - 特許庁

Plural wires 4 of respective sub-wire harnesses 3a, 3b, 3c are installed on respective insulation plates 7a, 7b, 7c for interlayer connection corresponding to every individual sub-wire harness.例文帳に追加

各サブワイヤハーネス3a,3b,3cの複数の電線４は、個々のサブワイヤハーネス毎に対応するそれぞれの層間接続用絶縁プレート7a,7b,7c上に並設される。 - 特許庁