「interlayer insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

To achieve a laminated type IEJ junction, without having to creating a mesa structure, since the deterioration of the film quality of an interlayer insulation film cannot be avoided due to the regulation of deposition temperature, in a process for utilizing the mesa structure when creating the lamination type IEJ junction regarding a high-temperature superconducting device.例文帳に追加

高温超電導体装置に関し、積層型ＩＥＪ接合を作成するに際し、メサ構造を利用するプロセスでは、堆積温度が規制されることに起因し、層間絶縁膜の膜質劣化を回避できないので、メサ構造を作成せずに積層型ＩＥＪ接合を実現することが基本になっている。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition used for forming an interlayer insulation film or the like of a semiconductor element and for forming a thick film pattern with irradiation of radiation or the like, has photosensitiveness, and enables a development without using a crosslinking agent, and to provide the semiconductor element using the photosensive composition.例文帳に追加

例えば半導体素子の層間絶縁膜等を形成するのに用いられ、感光性を有し、架橋剤を用いることなく現象が可能であり、かつ放射線等の照射により厚みのある膜パターンを形成することが可能な感光性組成物及び該感光性組成物を用いてなる半導体素子を提供する。 - 特許庁

On the upper surface of a second interlayer insulation layer 7, a second local interconnect line 8 connecting the source region 4A of an MOS transistor T with the lower electrode layer 10A of a ferroelectric capacitor C and connecting a part of the gate electrodes 3A and 3C of the MOS transistor T with the uppermost layer interconnect line 12 is formed.例文帳に追加

また、第二の層間絶縁層７の上面に、ＭＯＳトランジスタＴのソース領域４Ａと強誘電体キャパシタＣの下部電極層１０Ａとを接続し、且つ、ＭＯＳトランジスタＴの一部のゲート電極３Ａ、３Ｃと最上層配線１２とを接続する第二の局所配線８を形成する。 - 特許庁

In an interlayer insulation film 13 covering the power supply lead-out wiring 22A and the ground lead-out wiring 22B, a power supply wiring via contact 14A connecting the power supply wiring 12A with the bent part 24A, and a ground wiring via contact 14B connecting the ground wiring 12B with the bent part 24B are arranged.例文帳に追加

電源引き出し配線２２Ａと接地引き出し配線２２Ｂを覆う第１の層間絶縁膜１３の中には、電源配線１２Ａと屈曲部２４Ａを接続する電源配線ビアコンタクト１４Ａと、接地配線１２Ｂと屈曲部２４Ｂを接続する接地配線ビアコンタクト１４Ｂが配置されている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an organic film layer 12 having a function of an interlayer insulation formed on a nitride film 11 for protecting aluminum wirings of an LSI chip 10, in such a manner that the film layer 12 on an aluminum pad 13 is removed by a photolithography; and a contact hole formed to connect a metal layer 14 laminated on the film layer 12.例文帳に追加

ＬＳＩチップ１０のアルミ配線を保護する窒化膜１１の上に、層間絶縁の働きをする有機膜層１２が形成され、アルミパッド１３上の有機膜層１２がフォトリソグラフィにより除去され、有機膜層１２に積層されるメタル層１４との接続のためのコンタクトホールが形成される。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition etc. having high sensitivity and a good development margin, capable of forming an interlayer insulation film having excellent solvent resistance, heat resistance, light transmittance, relative dielectric constant, etc. and capable of forming microlenses having excellent solvent resistance, heat resistance, light transmittance etc. and a good melt shape.例文帳に追加

高感度で、良好な現像マージンを有しており、優れた耐溶剤性、耐熱性、光透過率、比誘電率等を併せ備えた層間絶縁膜を形成でき、また優れた耐溶剤性、耐熱性、光透過率等を併せ備え、良好なメルト形状を有するマイクロレンズを形成しうる感放射線性樹脂組成物等を提供する。 - 特許庁

In addition, a second interlayer insulation film 10 is formed, a contact hole is formed so that the surface of a capacitor node plug is exposed, heat treatment conditions are used for heat-treating in the contact hole while a storage electrode is being formed, and impurities are subjected to ion implantation for forming the storage electrode in the active region including the contact hole.例文帳に追加

さらに第２層間絶縁膜１０を形成し、キャパシタノードプラグの表面が露出するようにコンタクトホールを形成し、ストレージ電極の形成状態でコンタクトホール内に熱処理条件を用いて熱処理をした後、不純物をイオン注入してコンタクトホールを含むアクティブ領域にストレージ電極を形成する。 - 特許庁

The coating composite for producing an interlayer insulation film contains (A) a silica precursor composed of at least one kind of compound selected from a specified alkoxysilane, its hydrolyzate and polycondensate, and (B) an organic solvent wherein the crystallization index, indicative of the total content of a specified metal at most 1 ppm, is 0.14-0.63.例文帳に追加

（Ａ）特定のアルコキシシランおよびその加水分解物、重縮合物から選ばれる少なくとも１種以上の化合物からなるシリカ前駆体と、（Ｂ）有機溶媒とを含有し、特定の金属の含有量の合計が最大でも１ｐｐｍである結晶化指数が０．１４〜０．６３の層間絶縁膜製造用塗布組成物。 - 特許庁

The surface propagating speed in the electric rotating machine and the voltage increasing rate at the connection between a cable and the machine are measured by using a surge power source and the voltage born by interlayer insulation is determined based on the measured surge propagation speed and voltage increasing rate and the duration of wavefront of a specimen inverter.例文帳に追加

サージ電源を用いて回転電機内サージ伝播速度およびケーブル−回転電機接続部の電圧増加率を計測し、計測したサージ伝播速度、電圧増加率と供試インバータの波頭長に基づいて、層間絶縁分担電圧を求め、回転電機の部分放電特性、課電寿命特性と比較する。 - 特許庁

As for the semiconductor device having a power MISFET of mesh gate structure, e.g., a gate electrode can be arranged superposed with a source electrode by arranging the gate electrode partially on a source electrode via an interlayer insulation film by the above means, thereby the chip size can be reduced.例文帳に追加

上述した手段によれば、例えばメッシュゲート構造のパワーＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置について、ゲート電極を部分的にソース電極の上に層間絶縁膜を介して配置して、ソース電極と重ねてゲート電極を配置することができるので、チップサイズを縮小することができる。 - 特許庁

To provide a photosensitive siloxane composition which excels in stability when allowed to stand after exposure, causes no pattern drooping during heat curing, has such properties as high resolution, high heat resistance and high transparency after heat curing, and is used for forming a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film and a core or clad material of an optical waveguide.例文帳に追加

露光後放置安定性に優れ、熱硬化中にパターンだれが生じることなく、熱硬化後に高解像度、高耐熱性、高透明性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる感光性シロキサン組成物を提供する。 - 特許庁

A plug electrode extending from a semiconductor substrate to the upper surface of an interlayer insulation film is divided into a first plug electrode 5 and a second plug electrode 13 which are then connected by an LI layer 7a, and an LI layer 7b is laid under an alignment mark 15 and used as an etching stopper layer.例文帳に追加

半導体基板から層間絶縁膜の上面に至るプラグ電極を第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とに分け、第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とをＬＩ層７ａで繋ぐと共に、ＬＩ層７ｂを合わせマーク１５の下に敷いてエッチングストッパ層として使用する。 - 特許庁

The coating composition for manufacturing the interlayer insulation film comprises a mixture of two different silica precursors containing specific amounts of silicon atoms derived from bifunctional and trifunctional alkoxysilanes in addition to silicon atoms derived from a tetrafunctional alkoxysilane, a block copolymer, an acid catalyst and a solvent.例文帳に追加

４官能性のアルコキシシランに由来する珪素原子に対して２官能性および３官能性のアルコキシシランに由来する珪素原子を特定量含む異なる２種類のシリカ前駆体の混合物と、ブロックコポリマーと、酸触媒および溶媒とを包含することを特徴とする層間絶縁膜製造用の塗布組成物。 - 特許庁

To solve the problem that an embedded layer is hardly etched and a polymer residual is generated around the embedded layer remaining in a trench, when performing the trench etching of an interlayer insulation film having a low relative dielectric constant in which an organic-based embedded layer is formed on an upper surface including the inside of a via hole collectively using a prescribed etching gas when forming a dual damascene structure.例文帳に追加

デュアルダマシン構造形成の際に、ビアホール内部を含む上面に有機系の埋込層を設けた比誘電率の低い層間絶縁膜を、所定のエッチングガスを用いて一括してトレンチエッチングすると、埋込層が殆どエッチングされず、トレンチ内に残った埋込層の周囲にポリマーの残渣が生じる。 - 特許庁

To provide a high-sensitivity photosensitive siloxane composition which suppresses pattern drooping in heat curing, has such properties as high resolution, high heat resistance and high transparency after a heat curing step, and is used for forming a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film or a core or clad material of an optical waveguide.例文帳に追加

熱硬化中に発生するパターンだれを抑制し、熱硬化工程後において高解像度、高耐熱性、高透明性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる高感度の感光性シロキサン組成物を提供する。 - 特許庁

A film formation method includes a titanium film formation step of forming the titanium film on an interlayer insulation film 520 and a silicon-containing surface 512 on a bottom of a contact hole 530, a nitriding step of nitriding the entire titanium film to form the single titanium nitride film 550, and a tungsten film formation step of forming the tungsten film 560 on the titanium nitride film.例文帳に追加

層間絶縁膜５２０上およびコンタクトホール５３０底部のシリコン含有表面５１２上にチタン膜を形成するチタン膜形成工程と，このチタン膜をすべて窒化し，単一の窒化チタン膜５５０を形成する窒化工程と，窒化チタン膜上にタングステン膜５６０を形成するタングステン膜形成工程とを有する。 - 特許庁

To provide a polishing pad with grooves to be used for polishing a semiconductor device wafer for an interlayer insulation film and metal wiring for flattening its surface, in which polishing performance can be improved, in which polishing speed and uniformity in the surface can be balanced, and in which aging fluctuation of polishing performance is small.例文帳に追加

層間絶縁膜や金属配線等の、半導体デバイスウエハの表面平坦化加工用研磨パッドとして用いられる研磨パッドにおいて、研磨性能の改善をはかるためのもので、研磨速度と面内の均一性のバランスが取れており、また研磨性能の経時変動の小さい溝付き研磨パッドを提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a polyarylene ether and a film-forming composition containing the same, which can form an organic film containing a small amount of metallic impurities, which is excellent in relative dielectric constant characteristics and low leakage current characteristics in an interlayer insulation film material in semiconductors, etc.例文帳に追加

ポリアリーレンエーテルの製造方法およびそれにより得られるポリアリーレンエーテルを含有する膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れた有機膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

A gate electrode comprising poly-Si 4 and WSi 5 is provided via a gate oxide film 3 in an active region on a semiconductor substrate 1 isolated by an isolation region 2 and a capacity contact hole 8 reaching a diffusion region is formed contiguously to a gate electrode, while being self-aligned in an interlayer insulation film 7 deposited to cover the electrode.例文帳に追加

半導体基板１上の素子分離領域２により分離された能動領域に、ゲート酸化膜３を介して多結晶Ｓｉ４とＷＳｉ５からなるゲート電極を設け、該電極を覆って堆積した層間絶縁膜７に、ゲート電極に対し隣接し自己整合的に形成された拡散領域まで貫通する容量接続孔８を形成する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having no safety problem, superior in sensitivity, resolution and storage stability as a solution, and having such a proper development margin that a proper pattern profile can be formed, even after the lapse of the optimum developing time in a developing step, and to provide an interlayer insulation film and microlenses formed from the composition.例文帳に追加

安全性に問題がなく、感度、解像度、溶液としての保存安定性等に優れ、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できるような良好な現像マージンを有する感放射線性樹脂組成物、ならびにそれから形成された層間絶縁膜およびマイクロレンズを提供すること。 - 特許庁

To provide a hardenable flux and a hardenable flux sheet capable of surely conducting solder joining, not requiring the cleaning/removing of a remaining flux after solder joining, holding the electric insulation property even in a high temperature and high humidity environment, and capable of carrying out high reliability solder joining, in mounting a semiconductor chip and interlayer connection of multilayer interconnection substrate.例文帳に追加

半導体チップの搭載時及び多層配線板の層間接続において、確実に半田接合することができ、半田接合後の残存フラックスの洗浄除去が必要なく、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、信頼性の高い半田接合を可能とする、硬化性フラックス及び硬化性フラックスシートを提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition excellent in adhesiveness to a copper substrate and excellent also in heat resistance and properties of a cured film; a method for producing a relief pattern using the same and having good adhesiveness to a substrate; and electronic components having an interlayer insulation film or a surface protection film and constituting a semiconductor device or a multilayer wiring board with high reliability.例文帳に追加

銅基板との接着性に優れ、耐熱性、硬化膜特性に優れるポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた、基板との接着性良好なレリーフパターンの製造方法、層間絶縁膜又は表面保護膜を有する、信頼性の高い半導体装置や多層配線板となる電子部品を提供する。 - 特許庁

To provide a high-sensitivity positive photosensitive siloxane composition free of whitening of a coating film, coloring in heat curing, reflow of a pattern, blistering and creasing, having such properties as high resolution, high heat resistance, high transparency and a low dielectric constant, and used for forming a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film or a core or cladding material of an optical waveguide.例文帳に追加

塗布膜の白化や熱硬化時の、着色、パターンのリフロー、発泡、皺の発生が起こることなく、高解像度、高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる高感度のポジ型感光性シロキサン組成物を提供する - 特許庁

In the area of a semiconductor device manufacturing mask 200 except for a real pattern 202, a square dummy pattern 204, for example, having one side of 0.25 μm or less is inserted and the pattern density is made uniform, and an etching processing can be performed without changing conditions for every semiconductor device manufacturing mask and the global step of a post-CMP interlayer insulation film is not increased.例文帳に追加

半導体製造用マスク２００内の実パターン２０２以外の領域に，例えば一辺が０．２５μｍ以下の正方形のダミーパターン２０４を挿入し，パターン密度を均一化して，半導体製造用マスク毎に条件を変えることなくエッチング処理を行えるとともに，ＣＭＰ後の層間絶縁膜のグローバル段差を増大させないようにする。 - 特許庁

A printed-wiring board is manufactured by forming an interlayer insulation layer 3 on both the sides of a substrate 1 by a rotor coater 4, where the substrate 1 has a surface-side conductor circuit 21 on the surface 11 and at the same time a backside conductor circuit 22 on the backside 12 and has a smaller area of the surface-side conductor circuit 21 than that of the backside conductor circuit 21.例文帳に追加

表側面１１に表側導体回路２１を有すると共に裏側面１２に裏側導体回路２２を有し，かつ裏側導体回路２２の面積が表側導体回路２１の面積よりも小さい基板１の両面に，ロールコーター４によって層間絶縁層３を両面同時に形成することにより，プリント配線板を製造する方法。 - 特許庁

To provide a layered structure, especially for a printed wiring board, that prevents a reduction in resolution and achieves excellent adhesion to an underfill resin section and a molded resin section, while keeping the coefficient of linear thermal expansion of the entire photosensitive resin layer as low as possible, and to provide a photosensitive dry film used as a solder resist, an interlayer resin insulation layer or the like in the layered structure.例文帳に追加

感光性樹脂層全体として線熱膨張係数をできるだけ低く維持できると共に、解像性の低下もなく、アンダーフィル樹脂部やモールド樹脂部との密着性に優れた積層構造体、特にプリント配線基板等の積層構造体、及びそのソルダーレジストや層間樹脂絶縁層等として用いられる感光性ドライフィルムを提供する。 - 特許庁

In a display area and a control area formed more on the inner side than a terminal 200, at parts where a video signal line DL or wiring G1, G2 formed in the same layer as the video signal line and a scanning line GL or the wiring formed in the same layer as the scanning line cross, an interlayer insulating film and an a-Si film are interposed therebetween to perform insulation.例文帳に追加

端子２００よりも内側に形成された表示領域および制御領域においては、映像信号線ＤＬ、あるいは映像信号線と同層で形成された配線Ｇ１、Ｇ２と、走査線ＧＬ、あるいは走査線と同層で形成された配線が交差する部分においては、間に層間絶縁膜とａ−Ｓｉ膜を介して絶縁する。 - 特許庁

To provide a dielectric composition in which a transparent high dielectric constant layer is formed in a region requiring transparency in information display members of a flat panel display, a flexible display, a display of a personal digital assistant, a touch panel, or the like, and in which a transparent capacitor can be formed by combination with a transparent electrode or the like as an interlayer insulation film.例文帳に追加

フラットパネルディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、携帯情報端末のディスプレイ、タッチパネルなどの情報表示部材で、透明性が必要とされる領域に透明な高誘電率層を形成し、層間絶縁膜として透明電極などと組み合わせることにより透明なキャパシタを形成することができる誘電体組成物を提供する。 - 特許庁

A material mainly containing an organic Si compound R^1_xSi(OR^2)_4-x (where R^1 is a phenyl or a vinyl group, R^2 is an alkyl group, and x is an integer of 1-3.) is plasma polymerized or reacted with an oxidizer to form an organic-containing Si oxide interlayer insulation film.例文帳に追加

一般式：Ｒ^1_xＳｉ（ＯＲ^2 ）_4-x （但し、Ｒ^1 はフェニル基又はビニル基であり、Ｒ^2 はアルキル基であり、ｘは１〜３の整数である。）で表わされる有機シリコン化合物を主成分とする原料を、プラズマ重合反応させるか又は酸化剤と反応させることによって、有機含有シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having no safety problem, superior in sensitivity, resolution and storage stability as a solution, and having such a proper development margin that a proper pattern profile can be formed, even after the lapse of the optimum developing time in a developing step, and to provide an interlayer insulation film and microlenses formed from the composition.例文帳に追加

安全性に問題がなく、感度、解像度、溶液としての保存安定性等に優れ、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できるような良好な現像マージンを有する感放射線性樹脂組成物ならびに該組成物から形成された層間絶縁膜およびマイクロレンズを提供すること。 - 特許庁

The barrier metal film 21 is so formed as to cover the inside of the openings 17 and 20 and consists of a tantalum film containing α-Ta and β-Ta having different crystal structures, with the ratio of β-Ta with respect to α-Ta being not less than 1 nor more than 5 in a portion in contact with the low specific permittivity interlayer insulation film 8.例文帳に追加

バリアメタル膜２１は、開口部１７，２０の内側を覆って設けられているとともに結晶構造が互いに異なるα−Ｔａおよびβ−Ｔａを含むタンタルの膜からなり、かつ、α−Ｔａとβ−Ｔａとの組成比が低比誘電率層間絶縁膜８に接する部分において１以上５以下となっている。 - 特許庁

To provide a prepreg for a printed circuit board moldable by hot-pressing at a relatively low temperature, having sufficient adhesiveness to conductors and giving an interlayer insulation layer having high heat-resistance, low dielectric constant, low dielectric loss tangent, low water absorption and high flame retardancy, and provide a multilayer printed circuit board having high performance and high density and producible in high work efficiency by using the prepreg.例文帳に追加

比較的低温で加熱加圧成形でき、導体との充分な密着性を有し、しかも高耐熱性、低誘電率、低誘電正接、低吸水率及び難燃性の層間絶縁層を形成できるプリント配線基板用プリプレグ、並びにそれを用いて作業性良く製造できる高性能、高密度の多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

To provide a curable resin composition excellent in flame retardancy and moisture resistance in a cured product, a cured product thereof, and a resin composition for printed wiring boards, a printed wiring board, a resin composition for flexible wiring boards, a resin composition for semiconductor sealing materials and a resin composition for an interlayer insulation material for build-up substrates, using the curable resin composition.例文帳に追加

硬化物における難燃性、耐湿性に優れる硬化性樹脂組成物、その硬化物、及び、該硬化性樹脂組成物を用いたプリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

A sag-preventing pattern 3 is provided at the end part of a packaging circuit resin board with a thin film having an interlayer insulation film 4 that is provided between a lower wiring layer and an upper wiring layer comprising a dry film, adjoining the region with the relatively high density of at least an actual wiring layer 2 on the end part side of the board from the actual wiring layer 2.例文帳に追加

下層配線層と上層配線層との間に設ける層間絶縁膜４をドライフィルムによって構成した薄膜付実装回路樹脂基板の端部に、少なくとも実配線層２の密度が相対的に粗な領域に隣接し、且つ、前記実配線層２より基板の端部側にダレ防止用パターン３を設ける。 - 特許庁

To provide a photosensitive polyimide soluble in organic solvents and suitably usable as an overcoating material for a flexible wiring substrate, an interlayer insulation material, etc., excellent in heat-resistance, electrical properties, flexibility, etc., a photosensitive polyimide ink composition containing the photosensitive polyimide, and an insulating film produced by curing the photosensitive polyimide ink composition.例文帳に追加

耐熱性、電気特性、及び柔軟性等に優れたフレキシブル配線板用オーバーコート材、及び層間絶縁材料等として好適に用いることができるとともに、有機溶媒に可溶性である感光性ポリイミド、前記感光性ポリイミドを含有する感光性ポリイミドインク組成物、及び前記感光性ポリイミドインク組成物を硬化させてなる絶縁膜の提供。 - 特許庁

First, a TEG film E of the wafer W formed with a low dielectric constant interlayer insulation film (Low-k film) is cut to a predetermined depth by a first blade 10, and then the wafer W is cut from above the groove cut out by the first blade 10 by means of a second blade 11 which is wider than the first blade 10.例文帳に追加

低誘電率の層間絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が形成されたウェーハＷのＴＥＧ膜Ｅを第１のブレード１０により所定深さまで切削し、第１のブレード１０よりも幅の厚い第２のブレード１１により、第１のブレード１０が切削した溝上を第２のブレード１１で切削し、ウェーハＷの切断を行なう。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a wiring groove 5a that is formed at an interlayer insulation film 5, a double-layer TIN layer 12 with different crystal orientations while being formed at the bottom of the wiring groove 5a, and an Al alloy wiring 15a that is formed on the double-layer TiN layer 12 and is buried into the wiring groove 5a.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、層間絶縁膜５に形成された配線用溝５ａと、この配線用溝５ａの底部に形成された互いに結晶方位の異なる２層のＴｉＮ層１２と、この２層のＴｉＮ層１２の上に形成され、上記配線用溝５ａの内部に埋め込まれたＡｌ合金配線１５ａと、を具備するものである。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage device includes a plurality of lower electrodes 11 arranged in a matrix form; a plurality of recording layer patterns 13 provided on the lower electrodes 11 and containing a phase change material; and an interlayer insulation film 12 provided between the lower electrodes 11 and the recording layer patterns 13, and including a plurality of openings 12a for exposing parts of the lower electrodes 11.例文帳に追加

マトリクス状に配置された複数の下部電極１１と、下部電極１１上に設けられ、相変化材料を含む複数の記録層パターン１３と、下部電極１１と記録層パターン１３との間に設けられ、下部電極１１の一部を露出させる複数の開口部１２ａを有する層間絶縁膜１２とを備える。 - 特許庁

To provide a polishing pad which can carry out polishing rapidly while preventing generation of fine polishing scratches and a manufacturing method of a polishing object by carrying out polishing rapidly while preventing generation of polishing scratches when an interlayer insulation film, a BPSG film, a shallow trench separating isolation film and other polishing object surfaces are flattened by polishing.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜、その他の被研磨物表面を研磨し平坦化するに当たり、微細な研磨傷の発生を抑制しながら、研磨を高速に実施することができる研磨用パッド及び研磨傷の発生を抑制しながら高速に研磨を実施し、被研磨物の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive and a method of polishing a substrate, which can efficiently perform removal of an excessively formed film layer and planarization of a silicon oxide film and an embedded film of a metal or the like with high-level quality and with easy process control in a recess CMP technology such as for shallow trench isolation formation and for embedded metal wiring formation and in a planarization CMP technology for an interlayer insulation layer.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having a bump structure which reduces external stress to be generated in a manufacturing process of the element, especially, in a rear face polishing process, and less damages an interlayer insulation film which constitutes a circuit, and also to provide its manufacturing method, and a semiconductor device including the semiconductor element and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体素子の製造工程、特に半導体素子の裏面研磨工程で生じる外的応力を緩和し、回路を構成する層間絶縁膜へのダメージを軽減できるバンプ構造を備えた半導体素子及びその製造方法、並びにこの半導体素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The reflection electrode 24 electrically connected to the drain electrode 7 through a contact hole 11 formed in an interlayer insulation film 9 is formed in a two layer structure and an upper layer reflection electrode 24a disposed as an upper layer is formed by using Al and a lower layer reflection electrode 24b disposed as a lower layer is formed by using an alloy consisting essentially of Al.例文帳に追加

層間絶縁膜９に形成されたコンタクトホール１１を介してドレイン電極７と電気的に接続する反射電極２４を二層構造とし、上層に配置された上層反射電極２４ａをＡｌにて形成して、下層に配置された下層反射電極２４ｂをＡｌを主成分とする合金にて形成する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which has high radiation sensitivity and sufficiently high resolution, excels in adhesion to a substrate, a base or an upper layer, suppresses generation of a sublimate during baking in a film forming process, ensures a large development margin, and can be suitably used for forming an interlayer insulation film or microlenses.例文帳に追加

高い感放射線感度を有し、解像度が十分に高く、基板もしくは下地または上層との密着性に優れ、膜形成工程の焼成時における昇華物の発生が抑制され、且つ現像マージンが大きく、層間絶縁膜またはマイクロレンズの形成に好適に使用できる感放射線樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

A soft magnetic layer 18 is provided in the vicinity of a magnet layer 14 formed on an insulator substrate 12 via an interlayer insulation layer 16, the magnetization control of the magnet layer 14 is performed by application of a pulse current generated by a pulse current generation circuit and a magnet field covering the soft magnetic layer 18 is changed so as to change the magnetic characteristics.例文帳に追加

絶縁体基板１２上に形成した磁石層１４の近傍に層間絶縁層１６を介して軟磁性層１８を設け、前記磁石層１４の磁化の制御を、パルス電流発生回路によって発生されたパルス電流の印加により行い、前記軟磁性層１８にかかる磁界を変化させることで、磁気特性を変化させる。 - 特許庁

Between layers of the second TFT90 and the transparent substrate 2, a dielectric multilayer film 30 for constituting a light resonance device 3 is formed, and between the layers of dielectric multilayer film 30 and the pixel electrode 4, the interlayer-insulating film 5 at an area flatly superposed on the light emitting layer 65, a gate-insulating film 92, and the insulation-protecting film 20 are removed.例文帳に追加

第２のＴＦＴ９０と透明基板２との層間に、光共振器３を構成する誘電体多層膜３０が形成され、誘電体多層膜３０と画素電極４との層間では、発光層６５と平面的に重なる領域の層間絶縁膜５、ゲート絶縁膜９２および絶縁保護膜２０が除去されている。 - 特許庁