「interlayer insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce short-circuit between a signal line and a common electrode in a lateral electric field type liquid crystal display device in which at least a part of the signal line is covered with the common electrode via an interlayer insulation film.例文帳に追加

信号線の少なくとも一部を層間絶縁膜を介して共通電極で被覆するようにした横方向電界型の液晶表示装置において、信号線と共通電極との間のショートを低減する。 - 特許庁

An ESD protection device comprises a ceramic multilayer substrate 12 in which insulation layers 12a-12d are laminated, an external electrode 16, at least one of an in-plane connection conductor 14 or an interlayer connection conductor 13, and a mixed part 18.例文帳に追加

絶縁層１２ａ〜１２ｄが積層されたセラミック多層基板１２と、外部電極１６と、面内接続導体１４又は層間接続導体１３の少なくとも一方と、混合部１８とを備える。 - 特許庁

A plasma nitride film layer 121 is formed on the interlayer insulation film 109 and the aluminum wiring layer 141, and an opening 123 penetrating the plasma nitride film layer 121 is formed between a dicing region and the seal ring.例文帳に追加

そして層間絶縁膜１０９及びアルミ配線層１４１上にプラズマ窒化膜層１２１を形成し、ダイシング領域とシールリングとの間に、プラズマ窒化膜層１２１を貫通する開口部１２３を設ける。 - 特許庁

To provide a method for selectively synthesizing a B-alkylborazine, to which different substituents are introduced on a boron (B) atom, to be used for forming an interlayer insulation film of a semiconductor, a barrier metal layer, or an etch stopper layer.例文帳に追加

半導体用層間絶縁膜、バリアメタル層、エッチストッパー層の形成に用いられるホウ素（Ｂ）原子上に異なる置換基が導入されたＢ−アルキルボラジンを、選択的に合成しうる手段を提供する。 - 特許庁

On the upper surface of a first interlayer insulation layer 5, a first local interconnect line 6 connecting the drain region 4B and a part of gate electrodes 3B and 3D of an MOS transistor T with an uppermost layer interconnect line 12 is formed.例文帳に追加

第一の層間絶縁層５の上面に、ＭＯＳトランジスタＴのドレイン領域４Ｂ及び一部のゲート電極３Ｂ、３Ｄと最上層配線１２とを接続する第一の局所配線６を形成する。 - 特許庁

In an interlayer insulation film 11 present on each high-melting-point metal polycide 7b, each contact hole 11b is so formed as to contact electrically each high-melting-point metal polycide film 7b with each aluminum wiring 12 via each contact hole 11b.例文帳に追加

高融点金属ポリサイド７ｂ上の層間膜１１にコンタクトホール１１ｂが形成されており、コンタクトホール１１ｂを介して高融点金属ポリサイド７ｂとアルミ配線１２が電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which ensures the connectivity of flip-chip mounting corresponding to lead (Pb)-free and the low rigidity of an interlayer insulation film as well as high reliability of the bonding part.例文帳に追加

鉛（Ｐｂ）フリー化及び層間絶縁膜の低強度に対応したフリップチップ実装の接続性を確保するとともに、この接合部分の高い信頼性をも確保する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thin line voids 8 are formed in an interlayer insulation film 7 between gate structures adjacent to each other due to a narrowed interval between the gate structures attended with micronization of semiconductor devices.例文帳に追加

半導体装置の微細化に伴いゲート構造同士の間隔が狭くなっていることに起因して、互いに隣接するゲート構造同士の間において、細線状のボイド８が層間絶縁膜７内に形成される。 - 特許庁

Next, after forming a protective film 19, the movable electrode 20 is released by performing release etching for removing a part left from the first interlayer insulation film 16 and the sacrifice layer 15 by etching liquid having a selectivity.例文帳に追加

次に、保護膜１９を形成した後、選択比を有するエッチング液により、第一層間絶縁膜１６の残った一部および犠牲層１５を除去するリリースエッチングを行なって可動電極２０をリリースする。 - 特許庁

After that, a carbon nitride 110 is formed at the front of the substrate by using the sputtering technique, benzocyclobutene is formed onto the carbon nitride through spin coating, and then, a flattened interlayer insulation film 111 is formed through thermal treatment.例文帳に追加

次に、基板の前面にスパッタ法を用いて窒化炭素１１０を形成し、窒化炭素１１０上にスピンコートによりベンゾシクロブテンを形成した後、熱処理により平坦化された層間絶縁膜１１１を形成する。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, which achieves both high polishing speed and high planarization characteristics for an interlayer insulation film (a cap layer) such as a barrier metal film and TEOS film, and prevent metallic contamination of a wafer.例文帳に追加

バリアメタル膜およびＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立でき、かつ、ウエハの金属汚染の少ない化学機械研磨用水系分散体を提供する。 - 特許庁

To obtain a composition for film formation capable of obtaining a coating film low in relative dielectric constant and high in elastic modulus usable as an interlayer insulation film material for semiconductor devices, or the like, and even when a varnish is used together therewith, generating less foreign material even after long term storage.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、低比誘電率、高弾性率の塗膜が得られ、かつワニスを長期保存しても異物の発生の少ない膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

After the sacrifice oxide film used as a mold for forming a wiring layer is removed by etching, an area where the sacrifice oxide film is removed is filled with a porous Low-k film, thereby forming an interlayer insulation film.例文帳に追加

配線層形成の型として用いた犠牲酸化膜をエッチングにより除去した後、犠牲酸化膜を除去した領域にポーラスＬｏｗ−ｋ膜を充填することにより、層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a coating composite for producing an interlayer insulation film in which a high Young's modulus, a low dielectric constant, and a high breakdown voltage durable sufficiently in the CMP process of the copper interconnection process of a semiconductor element can be achieved simultaneously.例文帳に追加

半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える高いヤングモジュラスと、低い比誘電率と、高いブレークダウン電圧を同時に達成する層間絶縁膜製造用の塗布組成物の提供。 - 特許庁

After openings for the contact holes of the hard mask 107A are transferred to the second interlayer insulation film 106 and the etching stopper film, openings for interconnection trenches in second resist pattern 110 are transferred to the hard mask 107A.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１０６及びエッチングストッパー膜にハードマスク１０７Ａの接続孔用開口部を転写した後、ハードマスク１０７Ａに第２のレジストパターン１１０Ａの配線溝用開口部を転写する。 - 特許庁

Wiring trenches 3 and wide wiring trenches 3a are formed by etching, at a dense interval, in an interlayer insulation film 2 formed on an Si substrate (not shown) and a barrier metal 4 and a Cu film are formed on the surface thereof.例文帳に追加

図示しないＳｉ基板上の層間絶縁膜２には、エッチングによって間隔が密な配線溝３と幅広配線溝３ａが形成され、表面にバリアメタル４およびＣｕ膜が成膜されている。 - 特許庁

To provide a recording and reproducing separated magnetic head capable of assuring interlayer insulation in spite of reduction in the spacing between the layers of thin-film coils and shortening the magnetic paths consisting of an upper magnetic core and a lower magnetic core.例文帳に追加

薄膜コイルの層間の間隔を小さくしても層間の絶縁を確保することができて、上部磁気コアと下部磁気コアからなる磁路を短くすることができる記録再生分離型磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents increase of wiring corrosion and leak current, suppresses fluctuation in dielectric constant due to moisture absorption of a whole interlayer insulation film, and lowers the dielectric constant.例文帳に追加

配線の腐食やリーク電流の増大を防止しつつ、層間絶縁膜全体として吸湿による誘電率の変動を抑制し、かつ誘電率を低くすることができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a high reliability multilayer wiring board having two or more wiring layers in which excellent bonding is ensured between the wiring layer and an interlayer insulation layer and via connection is carried out surely between the wiring layers.例文帳に追加

２層以上の配線層を有する多層配線基板において配線層と層間絶縁層の接着に優れ、配線層間のビア接続が確実に行われる高信頼性の多層配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacture in which evenness of an interlayer insulation film is improved and detailed work for an upper layer wiring is made easy to rationalize manufacturing process, in a semiconductor device containing a capacitor using a two-layer polysilicon.例文帳に追加

２層ポリシリコンを用いたキャパシタをもつ半導体装置において、層間絶縁膜の平坦性を改善し、上層配線の微細加工を容易にして製造工程を合理化した製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a disc brake squeak prevention shim and a disc brake which dranstically improve the squeak prevention effect and heat insulation performance and prevents the generation of interlayer peeling phenomena on the surface layer.例文帳に追加

鳴き防止効果および断熱性を著しく向上させることができ、しかも表面層において層間剥離現象等を発生することがないディスクブレーキの鳴き防止用シムおよびディスクブレーキを提供する。 - 特許庁

To provide an ashing method, in which the quality of an organic low permittivity film will not deteriorate when a used organic resist pattern is removed, even if an underlying interlayer insulation film includes the organic low permittivity film.例文帳に追加

使用済みの有機レジストパターンを除去するときに、その下地が有機低誘電率膜を含む層間絶縁膜である場合にも、該有機低誘電率膜の膜質が劣化することのないアッシング方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the distance between the edge part on the fuse cut region of the metal fuse element 11 and a lamination interface of the interlayer insulation films 12 and 13 covering it is made smaller than any other parts, as shown in a dashed line part 14.例文帳に追加

そこで、破線部１４に示すようにメタルヒューズ素子１１のヒューズカット領域上のエッジ部とこれを覆う層間絶縁膜１２，１３の積層界面との距離を他の部分に比べて最も小さくした。 - 特許庁

A first interlayer insulation film 106 is formed to cover a field- effect transistor 105 and embedded with a first conductive plug 107 and a second conductive plug 108.例文帳に追加

電界効果型トランジスタ１０５を覆う第１の層間絶縁膜１０６が形成され、第１の層間絶縁膜１０６には第１の導電性プラグ１０７及び第２の導電性プラグ１０８が埋め込まれている。 - 特許庁

To provide an interlayer film for laminated glass which has excellent mechanical property, transparency, in particular, haze, thermal insulation and electromagnetic wave transmission and shows excellent resistance to penetration in the lapse of time when being fabricated into a laminated glass and to provide a laminated glass.例文帳に追加

機械的性質、透明性特にヘイズ、遮熱性、電磁波透過性に優れ、且つ、合わせガラスにした際の経時での耐貫通性が優れている合わせガラス用中間膜及び合わせガラスの提供。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition capable of being applied in a large film thickness, capable of obtaining a cured product of high resolution and suitable for a surface protective film, an interlayer dielectric and an insulation film for a high density mounted substrate.例文帳に追加

高膜厚塗布が可能であり、解像度の高い硬化物を得ることが可能で、表面保護膜、層間絶縁膜、及び高密度実装基板用絶縁膜用途に適する感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The contact hole 27 is formed to be a tapered shape in its cross section whose inner diameter becomes small toward the electrode layer 23 side from the surface of the interlayer insulation film 25, and the taper angle of the contact hole 27 is 30° or more and 80° or less.例文帳に追加

コンタクトホール２７は、層間絶縁膜２５の表面から電極層２３側へ向かって内径が小さくなる断面テーパ状に形成され、コンタクトホール２７のテーパ角は、３０°以上且つ８０°以下である。 - 特許庁

In this manufacturing method for a high-aperture liquid crystal display which comprises an active matrix substrate having signal lines, an interlayer insulation film which covers a switching device and pixel electrodes, a opposing substrate and a liquid crystal layer between the substrates, the interlayer insulation film is formed by transferring a photosensitive thermosetting resin layer of a negative photosensitive thermosetting transfer material having a photosensitive thermosetting layer using laminating method.例文帳に追加

信号線とスイッチング装置を覆う層間絶縁膜と画素電極を有するアクティブマトリクス基板と対向基板と該両基板に介在する液晶層とを備えるハイアパーチャー型液晶表示装置の製造方法において、前記層間絶縁膜が感光性熱硬化性樹脂層を有するネガ型感光性熱硬化型転写材料の該感光性熱硬化性樹脂層をラミネート法により転写して形成されることを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor element includes steps of forming: multiple metal wires on a semiconductor substrate; a reaction prevention film on the metal wires in a region with via holes formed therein; an interlayer insulation film on the semiconductor substrate including the reaction prevention film; via holes by etching the interlayer insulation film above the reaction prevention film; and the via plugs in the via holes.例文帳に追加

半導体基板上に多数の金属配線を形成する段階;ビアホールが形成される領域の前記金属配線上に反応防止膜を形成する段階;前記反応防止膜を含む前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階;前記反応防止膜の上部の前記層間絶縁膜をエッチングしてビアホールを形成する段階;前記ビアホール内部にビアプラグを形成する段階を含む半導体素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a negative photosensitive thermosetting transfer material, which can be used to form a stable and substantially transparent and colorless interlayer insulation film which is uniform in thickness and excellent in insulation property, form accuracy of a contact hole, preservation stability and solvent resistance, and a manufacturing method for a high-aperture liquid crystal display.例文帳に追加

均一厚であって、絶縁性及びコンタクトホールの形状精度に優れ、実質的に無色透明で保存安定性、耐溶剤性に優れた層間絶縁膜を安定的に形成し得るネガ型感光性熱硬化性転写材料及びハイアパーチャー型液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An insulation member 40a composed of a hydrophilic material is formed in a region Z1 on the pixel electrode 34 and corresponding to a position where a metal frame 21GF for a gate electrode and an electrode 21C for gate connection are superposedly disposed and formed via a interlayer insulation film 32, and to an outer periphery part thereof, respectively.例文帳に追加

画素電極３４上であってゲート電極用メタルフレーム２１ＧＦとゲート接続用電極２１Ｃとが層間絶縁膜３２を介して互いに重なって配置形成される位置及びその外周縁部にそれぞれ対応する領域Ｚ１に親水性材料で構成された絶縁部材４０ａを形成した。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition excellent in developability, excellent also in transparency, solvent and heat resistances, showing good insulation even after storage, and excellent in fitness for ITO; to provide a cured film excellent in transparency, solvent and heat resistances; and to provide an interlayer dielectric excellent in insulation and fitness for ITO.例文帳に追加

現像性に優れ、透明性、耐溶剤性、耐熱性にも優れ、保存しても絶縁性が良好で、ＩＴＯ適性の優れたポジ型感光性樹脂組成物を提供し、透明性、耐溶剤性、耐熱性に優れた硬化膜を提供し、絶縁性、およびＩＴＯ適性に優れた層間絶縁膜を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a lower layer interlayer insulation film 11 provided on a substrate 10, a lower layer wiring 16 consisting of a lower layer barrier metal layer 14 formed along the wall surface of the lower layer wiring groove 13 of the insulation film 11 and a copper film 15, an upper layer plug 22a, and an upper layer wiring 22b.例文帳に追加

半導体装置は、基板１０の上に設けられた下層層間絶縁膜１１と、下層層間絶縁膜１１の下層配線溝１３の壁面に沿って形成された下層バリアメタル層１４及び銅膜１５とからなる下層配線１６と、上層プラグ２２ａ及び上層配線２２ｂとを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a silicon substrate 101, a capacitor element having a lower electrode 133, a capacitor insulation film 135, a TiN film 137 and a W film 139; and an interlayer insulation film 107 covering the end and a part of the upper surface of the lower electrode 133 and having a concave portion at a position corresponding to the lower electrode 133.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン基板１０１、下部電極１３３、容量絶縁膜１３５、ＴｉＮ膜１３７およびＷ膜１３９を含む容量素子、および下部電極１３３の端部と上面の一部とを覆い、下部電極１３３に対応する位置に凹部が設けられた層間絶縁膜１０７を含む。 - 特許庁

To provide a composition for film formation that gives a coating film of low relative permittivity and has high embedding properties into stepped semiconductor substrates as an interlayer insulation film in semiconductor elements, as an interlayer insulating film in semiconductor elements giving the film-forming composition of high embedding properties into stepped semiconductor substrates.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、低比誘電率の塗膜が得られ、かつ段差基板に対する埋め込み性の高い膜形成用組成物を得る半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、低比誘電率の塗膜が得られ、かつ段差基板に対する埋め込み性の高い膜形成用組成物に関する。 - 特許庁

This method for manufacturing a multilayered wiring board includes the consecutive steps of a step of forming a curing insulation resin layer, a step of selectively forming a via hole in the curing insulation resin layer, a step of etching a metal for a wiring pattern, a step of curing the curing insulation resin layer after etching, and a step of applying a plating treatment for interlayer connection.例文帳に追加

配線パターンが形成された絶縁基材上に、硬化性絶縁樹脂層を設ける工程、該硬化性絶縁樹脂層に選択的にビアホールを形成する工程、配線パターンの金属をエッチングする工程、エッチング後に該硬化性絶縁樹脂層を硬化する工程、およびメッキ処理を行って層間接続を行う工程、をこの順に行うことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 特許庁

To prevent the occurrence of a defective shape of a via hole which can occur in the case of using an alumina mask for dry etching of an interlayer insulation film consisting of an SiOC film in a dual damascene process for forming the via hole in advance of forming a wiring groove.例文帳に追加

配線溝の形成に先立ってビアホールを形成するデュアルダマシン工程において、ＳｉＯＣ膜からなる層間絶縁膜のドライエッチングにアルミナマスクを使用する場合に生じ得るビアホールの形状不良を防止する。 - 特許庁

To form an organic polymer film used as an interlayer insulation film in a porous shape without cutting a cross-link member of an organic polymer, and to uniformly disperse voids which are formed in molecular level size with discontinuity.例文帳に追加

層間絶縁膜となる有機高分子膜を有機高分子の架橋部位を切断することなく多孔質化すると共に、有機高分子膜に分子レベルのサイズを有し且つ連続していない空孔を均一に分散させる。 - 特許庁

To mutually connect wiring, electrodes, devices, etc., which form a layered structure on a substrate and which are separated from each other by interlayer insulation in a way no ruggedness is created on the upper layer of the layered structure above connecting spots and around its circumference.例文帳に追加

基板上で積層構造をなし且つ相互に層間絶縁される配線、電極、素子等間を、接続個所及びその周辺における当該積層構造の上層に凹凸が殆ど生じないように相互に接続する。 - 特許庁

Furthermore, lead-out electrodes T13 and T15 are led out, as the capacitor element C1, by an overlying metallization metal 16 through next interlayer insulation film 122 via each VIA of W plug, for example.例文帳に追加

さらに、次の層間絶縁膜１２２を介し、上層の配線層メタル１６により、容量素子Ｃ１としての引き出し電極Ｔ13、Ｔ15がそれぞれ、例えばＷプラグによる各ビアＶＩＡを介して導出され構成されている。 - 特許庁

Drain - drain connection layers 31a and 31b are formed on a first-layer interlayer insulation layer 65, and each connects the drain of the drive transistor Q3 and that of the load transistor Q5, and that of the drive transistor Q4 and that of the load transistor Q6.例文帳に追加

ドレイン−ドレイン接続層３１ａ，３１ｂは第１層目の層間絶縁層６５上に形成され、其々が駆動トランジスタＱ_3のドレインと負荷トランジスタＱ_5のドレイン、駆動トランジスタＱ_4のドレインと負荷トランジスタＱ_6のドレインを接続する。 - 特許庁

Since all capacitor cells are placed on a groove part of a LO COS oxide film 9 on an N-type well region 6, the position of an upper electrode 18 can be made low, and as a result, an interlayer insulation film 19 is formed evenly.例文帳に追加

キャパシタ・セルは、すべてＮ型ウエル領域６上のＬＯＣＯＳ酸化膜９の溝部１２上に配置されているので、上部電極１８の位置が低くでき、その結果、層間絶縁膜１９を平坦に形成できる。 - 特許庁

Next, a contact hole 109a is formed on the interlayer insulation film to expose two regions composed of silicon 106, 107, polysilicon 104A, 104B, or metal silicide 108A, 108B in the semiconductor device (second process).例文帳に追加

次いで、半導体装置内のシリコン１０６、１０７、ポリシリコン１０４Ａ、１０４Ｂ、又は金属シリサイド１０８Ａ，１０８Ｂからなる２つの領域が露出するように層間絶縁膜にコンタクトホール１０９ａを形成する（第２工程）。 - 特許庁

The low-permittivity interlayer insulation film formed by a plasma CVD method and with the ratio of carbon to silicon of 2.5 or larger and specific permittivity of 3.8 or lower is employed.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法によって形成された低誘電率層間絶縁膜であって、珪素に対する炭素の比率が２．５以上であり、かつ比誘電率が３．８以下であることを特徴とする低誘電率層間絶縁膜を採用する。 - 特許庁

To provide an interlayer for laminated glass which, when used for constituting laminated glass enhances the impenetrability and the sound insulation of the laminated glass obtained and reduces the lowering of the impenetrability over time.例文帳に追加

合わせガラスを構成するのに用いられた場合に、得られた合わせガラスの耐貫通性及び遮音性を高めることができ、かつ経時による耐貫通性の低下を抑えることができる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁